发明领域
本发明涉及液晶混合物及其用于电光目的的用途以及包含该介质 的显示器。
背景技术
液晶主要用作在显示器件中的电介质，因为这类物质的光学性质 能通过施加的电压来调节。基于液晶的电光学器件是本领域技术人员 极为熟知的且可基于各种效应。这样的器件的实例是具有动态散射的 盒、DAP(排列相变形)盒、宾/主盒、具有扭曲向列型结构的TN盒、STN (超扭曲向列型)盒、SBE(超双折射效应)盒和OMI(光学模式干涉)盒。 最通常的显示器件基于Schadt-Helfrich效应且具有扭曲向列型结 构。
液晶材料必须具有良好的化学和热稳定性和对电场和电磁辐射的 良好稳定性。此外，液晶材料应当具有低粘度并在盒中产生短的寻址 时间、低的阈值电压和高的对比度。
此外，它们应当在通常的工作温度，即高于和低于室温的最宽可 能的范围内具有合适的介晶相，例如用于上述盒的向列型或胆甾型介 晶相。因为一般将液晶作为多种组分的混合物使用，因此重要的是组 分能彼此易于混溶。更进一步的性质如导电性、介电各向异性和光学 各向异性必须根据盒类型和应用领域而满足各种要求。例如，用于具 有扭曲向列结构的盒的材料应当具有正的介电各向异性和低导电率。
例如，对于具有集成的非线性元件以切换独立像素的矩阵液晶显 示器(MLC显示器)而言，期望具有大的正介电各向异性、宽的向列相、 相对低的双折射、很高的电阻率、良好的UV和温度稳定性和低蒸气压 的介质。
这类矩阵液晶显示器是已知的。能用于独立地切换独立像素的非 线性元件例如是有源元件(即晶体管)。因而使用术语“有源矩阵 (active matrix)”，其中可区分为以下两种类型：
1.在作为衬底的硅晶片上的MOS(金属氧化物半导体)或其它二极 管。
2.在作为衬底的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。
将单晶硅作为衬底材料使用限制了显示器尺寸，因为即使是各种 分显示器的模块组装也会在接头处导致问题。
就优选的更有前景的类型2的情况来说，所用的电光效应通常是 TN效应。区分为两种技术：包含化合物半导体例如CdSe的TFT，或基 于多晶硅或非晶硅的TFT。对于后一种技术，全世界范围内正在进行 深入的工作。
将TFT矩阵施用于显示器的一个玻璃板的内侧，而另一玻璃板在 其内侧带有透明反电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小且对图 像实质上没有不利作用。该技术还可以推广到全色功能(fully colour-capable)显示器，其中将红、绿和蓝滤光片的镶嵌物(mosaic) 以使得滤光元件对置于每个可切换像素的方式布置。
TFT显示器通常作为在透射中具有交叉的起偏器的TN盒来运行且 是从背面照明的。
术语“MLC显示器”在此处涵盖具有集成非线性元件的任何矩阵 显示器，即除了有源矩阵外，还有具有无源(passive)元件的显示器， 如可变电阻或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。
这类MLC显示器特别适用于TV应用(例如袖珍电视机)或用于计算 机应用(膝上型电脑)和汽车或飞机构造中的高信息显示器。除了关于 对比度和响应时间的角度依赖性问题之外，由于液晶混合物不够高的 电阻率，MLC-显示器中也还产生一些困难[TOGASHI，S.，SEKIGUCHI， K.，TANABE，H.，YAMAMOTO，E.，SORIMACHI，K.，TAJIMA，E.， WATANABE，H.，SHIMIZU，H.，Proc.Eurodisplay 84，1984年9月： A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings， pp.141 ff.，Paris；STROMER，M.，Proc.Eurodisplay 84，1984 年9月：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，pp.145 ff.，Paris]。 随着降低的电阻，MLC-显示器的对比度劣化，并且可能出现“残留影 像(after-image)消除”的问题。因为由于与显示器内表面的相互作 用，液晶混合物的电阻率通常随MLC-显示器的寿命下降，所以高的(初 始)电阻非常重要以获得可接受的使用寿命。特别是就低电压混合物来 说，至今不可能实现很高的电阻率值。还重要的是，电阻率显示出随 温度升高和在加热和/或UV曝露后最小可能的增加。来自现有技术的 混合物的低温性能也是特别不利的。要求即使在低温下也不出现结晶 和/或近晶相，以及粘度的温度依赖性要尽可能低。因此，来自现有技 术的MLC-显示器不满足当今的要求。
因此，继续存在着对具有非常高的电阻率且同时具有大的工作温 度范围、短响应时间(甚至在低温下)和低阈值电压的MLC-显示器的 很大需求，这种显示器不具有或仅仅在降低程度上具有出这些缺点。
在TN(Schadt-Helfrich)盒中，要求介质能在盒中有助于以下优 点：
-扩展的向列相范围(特别是直到低温下)
-在极其低的温度下切换的能力(户外用途、汽车、航空电子技术)
-对UV辐射提高的耐受性(更长的使用寿命)
从现有技术中可获得的介质不能使得这些优势实现而同时保持其 它参数。
就超扭曲(STN)盒来说，期望介质能实现更大的多路传输性 (multiplexability)和/或更低的阈值电压和/或更宽的向列相范围 (特别是在低温下)。为此，迫切地需要进一步扩展可利用的参数范围 (清亮点、近晶-向列型转变或熔点、粘度、介电参数、弹性参数)。
本发明的目标在于提供尤其是用于这类MLC、IPS、TN或STN显示 器的介质，其不具有上述缺点或者仅仅以减小的程度具有这样的缺点， 且优选同时具有非常高的电阻率值和低阈值电压。该目标要求具有高 清亮点和低旋转粘度的液晶混合物。
现在已经发现如果使用根据本发明的液晶混合物，可以实现该目 标。
因此本发明涉及一种液晶介质，其包含至少一种式I的化合物 和至少一种式E的化合物
其中
R1和RE每个彼此独立地是H，具有从1到15个碳原子的卤化 或未取代的烷基或烷氧基，其中此外在这些基团中的一个或多个CH2基团每个可彼此独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-O-、-CO-O-或-O-CO-以 使得O原子不直接彼此相连的方式代替，
A1、A2和A3彼此独立地为
X1表示F、Cl、CN、NCS、OCN、SF5、具有1到5个碳原子的 氟化烷基、具有1到5个碳原子的氟化烷氧基、具有2到5个碳原子 的氟化链烯基、具有1到5个碳原子的氟化链烯氧基，
XE表示F、Cl、OCF3、OCHF2、OCH＝CF2、OCF＝CF2、OCHFCF3、 OCF2CFHCF3、CH3、C2H5、n-C3H7，
L1、L2、L3和L4每个彼此独立地为H或F，
Z1，Z2和Z3每个彼此独立地是-CO-O-、-O-CO-、-CF2O-、-OCF2-、 -CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-C2F4-、-CH2CF2-、-CF2CH2-、-CF＝CF-、 -CH＝CH-、-C≡C-或单键，以及
a、b和c每个彼此独立地是0、1、2或3，其中a+b+c是1、2、 3或4。
本发明此外涉及该混合物在显示器中的用途。
在优选的具体实施方案中，根据本发明的液晶介质非常适合于 TN-TFT-、IPS-、FFS-、正VA-(也称作HT-VA-)应用以及用于聚合物稳 定(PS)应用如PS-IPS-、PS-FFS-、PS-TN-TFT-或正PS-VA-应用。
式I和式E的化合物具有宽范围的应用。取决于取代基的选择， 这些化合物能用作液晶介质主要由其构成的基础材料；然而，将式I 和E的化合物加入来自其他类别化合物的液晶基础材料也是可行的， 以例如调节这类电介质的介电和/或光学各向异性和/或以优化其阈值 电压和/或其粘度。
在纯净态下，式I和E的化合物是无色的且在有利地处于电光学 用途的温度范围内形成液晶介晶相。特别是，根据本发明的化合物区 别在于其宽向列相范围。在液晶混合物中，根据本发明的物质抑制近 晶相，并导致低温储存稳定性的显著改善。它们是化学、热以及对光 稳定的。
特别优选其中c＝0，Z1、Z2和/或Z3优选是单键，以及还有-CF2O-、 -OCF2-、-C2F4-、-CH2O-、-OCH2-或-COO-的式I的化合物。
A1、A2和A3优选是
R1优选是烷基、烷氧基、链烯基或链烯氧基。X1优选是F、Cl、 OCH＝CF2、OCF＝CF2、OCF3、OCHF2、OCHFCF3、OCF2CHFCF3、CN、SF5、NCS 或SCN，特别是F或OCF3，以及R1优选是直链烷基或链烯基。L1和L2每个彼此独立地是H或F。特别优选其中X1＝L1＝L2＝氟，还有X1＝ OCF3和L1＝L2＝F的化合物。
尤其优选的式I的化合物是式I1到I79的化合物，
其中R1和X1如上定义。(F)定义为H或F。
尤其优选的是式I3、I27、I40和I58的化合物。在式I和子式 I1到I79的化合物中，X1优选为F。
优选式E的化合物是下面提及的：
其中
halogen是F或Cl，优选F
alkyl或alkyl＊每个彼此独立地表示具有1-9个碳原子的直链 或支链烷基，优选直链烷基。
alkenyl或alkenyl＊每个彼此独立地表示具有最高至9个碳原子 的直链或支链链烯基，优选直链链烯基。
尤其优选的式E的化合物是式E-1a、E-4a、E-5a、E-6a和E-7a 的化合物，
本发明还涉及包含这类介质的电光显示器(特别是STN或MLC显示 器，其具有两个平行平面的外板(其与框架一起形成盒)、在外板上用 于切换单个像素的集成的非线性元件以及位于盒中的正介电各向异性 和高电阻率的向列液晶混合物)以及这些介质用于电光目的的用途。根 据本发明的混合物非常适用于TN-TFT；正VA、FFS、OCB和IPS应用。
根据本发明的液晶混合物使得能够显著扩展可利用的参数范围。
清亮点、低温下粘度、热和UV稳定性、高LTS和介电各向异性的 可获得的组合比来自现有技术的前述材料优异得多。
对于高清亮点、低温下向列相以及高Δε的要求迄今仅在不足的 程度上得以满足。尽管液晶混合物例如MS 99295(Merck KGaA， Darmstadt，德国)具有相当的清亮点和低温稳定性，然而它们具有相 对高的Δn值以及也较高的约≥1.7V的阈值电压。
其他的混合物体系具有相当的粘度和Δε值，但仅具有大约60℃ 的清亮点。
根据本发明的液晶混合物，在保持向列相低至-20℃以及优选低至 -30℃、特别优选低至-40℃的同时，能使得清亮点高于80℃、优选高 于90℃，特别优选高于100℃，同时介电各向异性值Δε≥4，优选≥ 6以及要达到的高数值的电阻率，使得能够获得优异的STN和MLC显 示器。尤其是，混合物特征在于低工作电压。TN阈值低于1.5V，优选 低于1.3V。
显而易见，通过合适地选择根据本发明的混合物的组分，也可以 以较高的阈值电压实现较高的清亮点(例如高于110℃)或者以较低的 阈值电压达到较低的清亮点，而保持其他有利的性质。以仅相应地略 微提高的粘度，获得具有更大的Δε以及由此较低的阈值的混合物同 样也是可能的。根据本发明的MLC显示器优选在第一Gooch和Tarry 透射最小值下操作[C.H.Gooch and H.A.Tarry，Electron.Lett.10， 2-4，1974；C.H.Gooch and H.A.Tarry，Appl.Phys.，第8卷， 1575-1584，1975]，其中除特别有利的电光性质如特征线的高陡度和 对比度的低角度依赖性(德国专利3022818)外，较低的介电各向异性 在与在第二最小值下的类似显示器相同的阈值电压下是足够的。这使 得在第一最小值下采用根据本发明的混合物能够获得比包含氰基化合 物的混合物情形显著更高的电阻率值。通过适当选择各个组分及其重 量比例，本领域技术人员能采用简单的常规方法设置对于预先指定的 MLC显示器的层厚度而言所必需的双折射率。
在20℃下的流动粘度v20优选＜60mm2·s-1，特别优选＜50mm2·s-1。 向列相范围优选至少90°，特别是至少100°。该范围优选至少从 -30°延伸到+80°。在20℃下的旋转粘度γ1优选＜200mPa·s，特 别优选＜180mPa·s，特别是＜160mPa·s。
电容保持比(HR)的测量[S.Matsumoto等，Liquid Crystals 5， 1320(1989)；K.Niwa等，Proc.SID Conference，San Francisco，1984 年6月，第304页(1984)；G.Weber等，Liquid Crystals 51381(1989)] 已经表明包含式I化合物的根据本发明的混合物显示出相比于包含式 的氰基苯基环己烷或式的酯而不是式I化 合物的类似混合物，随温度提高在HR方面明显较小的下降。
根据本发明的混合物的UV稳定性也显著改善，即它们显示出在曝 露于UV时在HR方面显著较小的下降。
根据本发明的介质优选基于式I的多种化合物(优选两种、三种或 更多种)，即这些化合物的比例是5-95％，优选10-60％以及特别优选在 15-40％的范围。
根据本发明的介质优选基于多种式E的化合物(优选一种、两种、 三种或更多种)，即这些化合物的比例为1-25％，优选3-20％以及特别 优选在3-15％范围。
可用于根据本发明的基质的式E和I到IX以及它们的子式的各个 化合物或者是已知的，或者它们能类似于已知化合物制备。
优选的具体实施方案如下所示：
-该介质优选包括式I的一种、两种或三种同系化合物，其中每 种同系物以10％的最大量存在于混合物中。
-该介质另外包含一种或多种选自通式II到IX的化合物：
其中各个基团具有以下含义：
R0表示各自具有直至9个碳原子的正烷基、烷氧基、氟代烷 基、链烯氧基或链烯基，
X0表示F，Cl，具有直至7个碳原子的卤化烷基、卤化链烯 基、卤化链烯氧基或卤化烷氧基，优选F、OCF3和OCF＝CF2，
Z0表示-CH＝CH-、-C2H4-、-(CH2)4-、-C2F4-、-CH2O-、-OCH2-、 -CF＝CF-、-CF2O-、-OCF2-、-COO-或-O-，
Y1，Y2，Y3和Y4各自彼此独立地表示H或F，以及
r表示0或1。
式IV的化合物优选选自以下化合物：
-该介质优选包含一种或多种下式的化合物：
其中R0和Y2如上定义。
-该介质优选包含一种、两种或三种，以及四种选自H1到H18(n ＝1-7)的化合物的同系物：
-该介质另外包含一种或多种选自通式X到XV的化合物：
其中R0、X0、Y1、Y2、Y3和Y4每个彼此独立地具有权利要求5中所 示的含义之一。X0优选是F、Cl、CF3、OCF3或OCHF2。R0优选是烷基、 氧杂烷基、氟代烷基、链烯基或链烯氧基。
-式E和I到IX的化合物一起在全部混合物中的比例为至少 50wt％。
-式I的化合物在全部混合物中的比例为从5到50wt％。
-式E的化合物在全部混合物中的比例为从5到30wt％，优选5 到20wt％。
-式II的化合物在全部混合物中的比例为3-40wt％。
-式II到IX的化合物在全部混合物中的比例为从30到70wt％。 优选是
-该介质包含式II、III、IV、V、VI、VII、VIII和/或IX的化 合物。
-R0是具有2到7个碳原子的直链烷基或烯基。
-该介质基本上由式I到XV的化合物组成。
-该介质包含5-40wt％的式H17和/或H18的化合物。
-该介质包含进一步的优选选自通式XVI到XX的下列化合物：
其中R0和X0如上定义。“alkyl”如下文定义。
-该介质包含优选选自式RI到RIX的进一步的化合物
其中
R0是各自具有直至9个碳原子的正烷基、氧杂烷基、氟代烷基、 链烯氧基或链烯基，
d是0、1或2，
Y1是H或F，
alkyl或alkyl＊每个彼此独立地是具有1-9个碳原子的直链或支 链烷基，优选直链烷基。
alkenyl或alkenyl＊每个彼此独立地是具有直至9个碳原子的直 链或支链链烯基，优选直链链烯基。
-该介质优选包含一种或多种下式的化合物：
其中n和m各自是从1到9的整数。
尤其优选的是优选以20-60％的量包含一种或两种式RIIa和/或 RIIb的化合物的混合物。
-I∶(II+III+IV+V+VI+VII+VIII+IX)重量比优选 从1∶10到10∶1。
-该介质基本上由选自通式E和I到XV的化合物组成。
尤其优选的混合物包含选自式I27a、I40a和I58a的至少一种化 合物，优选两种或三种化合物，
以及至少一种选自式E-1a、E-4a、E-5a和E7-a的化合物，
其中R1、RE、alkyl和alkyl＊具有上面给出的含义以及alkyl和 alkyl＊每个彼此独立地表示具有1到5个碳原子的直链烷基。“alkyl” 优选是n-C3H7、n-C5H11。“alkyl＊”优选是甲基或乙基，最优选甲基。
尤其优选的混合物包含至少一种式I27a的化合物，优选
式I27a的化合物(一种或多种)优选以2-20％，最优选3-15％的量 使用。优选的混合物以基于全部混合物5-15％的量包含式I27a-1和 I27a-2的化合物。
优选的混合物包含
-至少一种式E-5a的化合物，优选以1-20％的量，
或
-至少一种式E-4a的化合物和至少一种式E-5a的化合物，优选 以总计5-20％的量。
优选的混合物包含至少一种式I27的化合物、至少一种式I58的 化合物和至少一种式E-5的化合物。
最优选的混合物包含至少两种式I27的化合物、至少一种式I58 的化合物和至少一种式E-5的化合物。
已经发现即使相对小比例的、与常规液晶材料但尤其是与一种或 多种式II、III、IV、V、VI、VII、VIII或IX的化合物混合的式E 和I的化合物，也导致显著降低阈值电压和低的双折射率值，同时观 察到有着低的近晶-向列相转变温度的宽向列相，改善的储存稳定性。 式E、I到IX的化合物是无色、稳定且容易彼此混溶和与其他液晶材 料混溶。
术语“烷基(alkyl)”或“烷基＊(alkyl＊)”包括具有1-9个碳原 子的直链和支链烷基，特别是直链基团甲基、乙基、丙基、丁基、戊 基、己基和庚基。通常优选具有2-5个碳原子的基团。
术语“链烯基(alkenyl)”或“链烯基＊(alkenyl＊)”包括具有直 至9个碳原子的直链和支化的链烯基，特别是直链基团。尤其优选的 链烯基是C2-C7-1E-链烯基、C4-C7-3E-链烯基、C5-C7-4-链烯基、C6-C7-5- 链烯基和C7-6-链烯基，特别是C2-C7-1E-链烯基、C4-C7-3E-链烯基和 C5-C7-4-链烯基。优选的链烯基的实例是乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯 基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E- 己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、 5-己烯基、6-庚烯基等。通常优选具有直到5个碳原子的基团。
术语“氟代烷基”优选包括具有末端氟的直链基团，即氟代甲基、 2-氟代乙基、3-氟代丙基、4-氟代丁基、5-氟代戊基、6-氟代己基和 7-氟代庚基。然而，不排除氟的其它位置。
术语“氧杂烷基”优选包括式CnH2n+1-O-(CH2)m的直链基团，其中n 和m彼此独立地为1到6。优选，n＝1且m＝1到6。
通过R0和X0含义的适当选择，寻址时间、阈值电压、透射特性线 的陡度等能以期望的方式改变。例如，1E-链烯基、3E-链烯基、2E- 链烯氧基等通常导致与烷基和烷氧基相比更短的寻址时间、改善的向 列相倾向和更高的弹性常数k33(弯曲)和k11(斜展(splay))之间的比 例。4-链烯基、3-链烯基等通常给出与烷基和烷氧基相比更低的阈值 电压和更低的k33/k11值。
在Z1和/或Z2中，-CH2CH2-基团通常产生与单个共价键相比更高 的k33/k11值。更高数值的k33/k11促进例如在具有90°扭曲(为了获得 灰阶)的TN盒中更平的透射特性线和在STN、SBE和OMI盒中更陡的透 射特性线(更大的多路传输性)，反之亦然。
式E和I和II+III+IV+V+VI+VII+VIII+IX的化合 物的最佳混合比基本上取决于要求的性质，取决于式I、II、III、IV、 V、VI、VII、VIII和/或IX的组分的选择以及可能存在的任何其他组 分的选择。在上面给出的范围内的合适的混合比能容易地根据情况来 确定。
式E和I到XV的化合物在根据本发明的混合物中的总量并不重 要。因此，该混合物可包含一种或多种进一步的组分旨在优化各种性 质。然而，式E和I到XV的化合物的总浓度越高，观察到的对寻址时 间和阈值电压的影响通常越大。
在特别优选的实施方案中，根据本发明的介质包含式II到IX(优 选II和/或III)的化合物，其中X0表示OCF3、OCHF2、F、OCH＝CF2、 OCF＝CF2、OCF2CHFCF3或OCF2-CF2H。与式I化合物的有利的协同效应 导致特别有益的性质。
根据本发明的由起偏器、电极基板和经表面处理的电极组成的 MLC显示器的结构对应于这类显示器的惯常结构。术语“惯常结构” 在此处宽泛描述并且也包括MLC显示器的所有变型和改变形式，特别 是包括基于多晶硅TFT或MIM的矩阵显示器元件。
然而，根据本发明的显示器和迄今的基于扭曲向列型盒的常规显 示器之间的显著差异在于液晶层的液晶参数的选择。
能按照本发明使用的液晶混合物以本身常规的方式制备。通常， 将期望数量的以较少数量使用的组分溶于占主要成分的组分中，有利 地在升高的温度下进行。混合组分在有机溶剂中例如在丙酮、氯仿或 甲醇中的溶液，并在充分混合后再例如通过蒸馏除去溶剂也是可行的。
电介质还能包含所属技术领域的技术人员已知的和描述在文献中 的其他的添加剂，如稳定剂和抗氧化剂。例如可加入0-15％的多向色 性染料或手性掺杂剂。
C表示结晶相，S表示近晶相，SC表示近晶的C相，SB表示近晶的 B相，N表示向列相以及I表示各向同性相。
V10表示对于10％透射的电压(垂直于板表面的视角)。ton表示在对 应于V10值的两倍的工作电压下切换通电(switch-on)时间以及toff 表示切换断电(switch-off)时间。Δn表示光学各向异性以及n0表 示折射率。Δε表示介电各向异性(Δε＝ε||-ε⊥，其中ε||表示平 行于纵向分子轴的介电常数以及ε⊥表示与之垂直的介电常数)。除非 另有说明，电光学数据在TN盒中在20℃下以第一最小值(即在0.5μm 的d·Δn值下)测量。除非另有明确说明，光学数据在20℃测量。
在本申请和以下实施例中，液晶化合物的结构通过缩略词来标明， 并按照下面的表A和B转换成化学式。所有基团CnH2n+1和CmH2m+1是分别 具有n和m个碳原子的直链烷基；n和m各自彼此独立地是1、2、3、 4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15。表B中的编码是显而 易见的。在表A中，仅指出了母结构的缩略词。在个别情况下，母结 构的缩略词之后由短划线隔开地接有取代基R1、R2、L1和L2的代码。
优选的混合物组分在表A和B中给出。
表A：
表B：
表C：
表C显示了通常以从0.1到10wt％的量加入到根据本发明的混合 物中的可能的掺杂剂。
表D
例如可加入到根据本发明的混合物中的稳定剂是下面提及的(n＝ 1，2，3，4，5，6或7)。
表E
在根据本申请的混合物包含任何反应性介晶(RM)用于PS-IPS、正 PS VA或PS-FFS应用的情形中，所述RM优选选自列在该表中的如下 化合物：
在优选具体实施方案中，根据本申请的混合物包含至少一种选自 RM-1到RM-62的RM。
本申请中采用以下符号：
V0 在20℃下的阈值电压，电容性[V]
ne 在20℃和589nm下测量的非常折射率，
n0 在20℃和589nm下测量的寻常折射率，
Δn 在20℃和589nm下测量的光学各向异性，
ε⊥ 在20℃和1kHz下垂直于指向矢的电介质极化率，
ε|| 在20℃和1kHz下平行于指向矢的电介质极化率，
Δε 在20℃和1kHz下的介电各向异性
(Δε＝ε||-E⊥，其中ε||表示平行于纵向分子轴的介电常
数以及ε⊥表示与之垂直的介电常数)，
γ1 在20℃下测量的旋转粘度[mPa·s]，
K1 弹性常数，在20℃下的“斜展”变形[pN]，
K2 弹性常数，在20℃下的“扭曲”变形[pN]，
K3 弹性常数，在20℃下的“弯曲”变形[pN]，
LTS 在测试盒中测定的低温稳定性(相稳定性)，
V10 对于10％透射的电压(垂直于板表面的视角)。
除非另有说明，电光学数据在TN盒中在20℃下以第一最小值(即 在0.5μm的d·Δn值)测量。
以下实施例说明本发明而不限制它。
混合物实施例
实施例M1
实施例M2
实施例M3
实施例M4
实施例M5
实施例M6
实施例M7
实施例M8
实施例M9
实施例M10
实施例M11
实施例M12
实施例M13
实施例M14
实施例M15
实施例M16
实施例M17
实施例M18
实施例M19
实施例M20
实施例M21
实施例M22
实施例M23
实施例M24
实施例M25
实施例M26
实施例M27
实施例M28
实施例M29
实施例M30
实施例M31
实施例M32
实施例M33
实施例M34
实施例M35
实施例M36
实施例M37
实施例M38
实施例M39
实施例M40
实施例M41
实施例M42
实施例M43
实施例M44
实施例M45
实施例M46
实施例M47
实施例M48