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1、(10)申请公布号 CN 103435266 A (43)申请公布日 2013.12.11 CN 103435266 A *CN103435266A* (21)申请号 201310368897.9 (22)申请日 2013.08.22 C03C 15/00(2006.01) (71)申请人 大连七色光太阳能科技开发有限公 司 地址 116021 辽宁省大连市高新技术产业园 七贤岭学子街 2-3-4-5 号 (72)发明人 杨希川 (74)专利代理机构 大连星海专利事务所 21208 代理人 裴毓英 (54) 发明名称 一种 FTO 导电薄膜的刻蚀方法 (57) 摘要 本发明提供一种 FTO 导。
2、电薄膜的刻蚀方法， 包括以下步骤 ： 将 FTO 导电薄膜沉积在基板上， 按预制图样在 FTO 导电薄膜一侧覆盖绝缘抗蚀刻 层， 将沉积有 FTO 导电薄膜的基板放置于酸性溶 液中， 并在靠近绝缘抗蚀刻层的一侧设置锌板， 未 覆盖绝缘抗蚀刻层的 FTO 导电薄膜被刻蚀去除。 本发明克服了现有技术的诸多缺点， 实现了刻蚀 生产效率高、 便于工业化实施的优点。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (10)申请公布号 CN 103435266 A CN 103435。
3、266 A *CN103435266A* 1/1 页 2 1. 一种 FTO 导电薄膜的刻蚀方法， 其特征在于， 包括以下步骤 ： 将 FTO 导电薄膜沉积在 基板上， 按预制图样在 FTO 导电薄膜一侧覆盖绝缘抗蚀刻层， 将沉积有 FTO 导电薄膜的基 板放置于酸性溶液中， 并在靠近绝缘抗蚀刻层的一侧设置锌板， 未覆盖绝缘抗蚀刻层的 FTO 导电薄膜被刻蚀去除。 2.根据权利要求1所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法， 其特征在于， 所述锌板与基板平 行、 相对放置。 3.根据权利要求1所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法， 其特征在于， 所述基板为硬质基 板或柔性基板。 4.根据权利要求3所述一种。
4、FTO导电薄膜的刻蚀方法， 其特征在于， 所述硬质基板为玻 璃基板 ； 所述柔性基板为聚对苯二甲酸乙二醇酯板或聚对萘二甲酸乙二醇酯板。 5.根据权利要求1所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法， 其特征在于， 所述绝缘抗蚀刻层 采用热固化型绝缘抗蚀刻剂或光固化型绝缘抗蚀刻剂制备而成。 6.根据权利要求1所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法， 其特征在于， 所述酸性电解液为 盐酸、 硫酸、 硝酸和醋酸溶液中的一种或多种。 7.根据权利要求6所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法， 其特征在于， 所述酸性电解液中 酸的质量浓度为 0.1% - 30%。 权 利 要 求 书 CN 103435266 A 2 1/3。
5、 页 3 一种 FTO 导电薄膜的刻蚀方法 技术领域 0001 本发明涉及导电薄膜的刻蚀技术， 尤其涉及一种 FTO 导电薄膜的刻蚀方法。 背景技术 0002 导电薄膜玻璃不但具有良好的导电性， 而且像玻璃一样具有较高的透明性， 因此 导电薄膜玻璃作为一种功能性材料而被广泛应用于显示器件中的电极材料 （如 ： 触摸屏电 极， 场致发光器件的电极， 液晶显示器件中的透明电极和电致变色显示器件中的电极等） 、 薄膜太阳能电池、 热反射膜、 汽车玻璃及后视镜、 防静电和防电磁屏蔽层等领域。导电薄膜 玻璃中应用较为广泛的有掺锡氧化铟 （ITO） 导电薄膜玻璃、 掺氟氧化锡 （FTO） 导电薄膜玻 璃、。
6、 掺铝氧化锌 （AZO） 导电薄膜玻璃和掺硼氧化锌 （BZO） 导电薄膜玻璃等。 0003 由于不同产品的应用需求， 通常需要对导电薄膜玻璃上的导电薄膜进行图案制 作， 即， 根据设计的图案进行导电薄膜的刻蚀， 使导电薄膜形成若干连续或断开的图形， 从 而实现某些特定的功能。 导电薄膜进行刻蚀通常会采用两种方法 ： 一种是激光刻蚀方法， 这 种方法虽然刻蚀精度高， 但是对刻蚀设备要求高， 而且在刻蚀复杂图形的时候生产效率低 ； 另一种方法是传统的化学溶解腐蚀方法， 即纯化学刻蚀法。对 FTO 导电薄膜的刻蚀是采用 锌粉 / 盐酸体系， 即在需要被刻蚀的区域覆盖上锌粉， 然后在同样区域喷洒盐酸溶。
7、液， 便可 使所在区域的导电薄膜被除去。这种方法在生产过程中会产生大量的氢气和未反应的锌 粉， 难以实现自动化生产， 生产效率低下。 发明内容 0004 本发明的目的在于， 针对上述现有 FTO 导电薄膜刻蚀效率低， 难以实现自动化的 问题， 提出一种 FTO 导电薄膜的刻蚀方法， 以实现刻蚀生产效率高、 便于工业化实施的优 点。 0005 为实现上述目的， 本发明采用的技术方案是 ： 一种 FTO 导电薄膜的刻蚀方法， 包括 以下步骤 ： 将FTO导电薄膜沉积在基板上， 按预制图样在FTO导电薄膜一侧覆盖绝缘抗蚀刻 层， 将沉积有 FTO 导电薄膜的基板放置于酸性溶液中， 并在靠近绝缘抗蚀刻。
8、层的一侧设置 锌板， 未覆盖绝缘抗蚀刻层的 FTO 导电薄膜被刻蚀去除。 0006 进一步地， 所述锌板与基板平行、 相对放置。 0007 进一步地， 所述基板为硬质基板或柔性基板。 0008 进一步地， 所述硬质基板为玻璃基板 ； 所述柔性基板为聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 板或聚对萘二甲酸乙二醇酯 (PEN) 板。 0009 进一步地， 所述绝缘抗蚀刻层采用热固化型绝缘抗蚀刻剂或光固化型绝缘抗蚀刻 剂制备而成。 0010 进一步地， 所述酸性溶液为盐酸、 硫酸、 硝酸和醋酸溶液中的一种或多种， 所述酸 性溶液中酸的质量浓度为 0.1% - 30%。 0011 本发明的有益效果是 ： 提。
9、供了一种 FTO 导电薄膜的刻蚀方法。相比于激光刻蚀法 说 明 书 CN 103435266 A 3 2/3 页 4 在刻蚀复杂图形时的低效化及锌粉刻蚀法后处理困难， 效率低下等缺点， 本发明通过使用 锌板替代锌粉， 可以有效解决上述问题， 大大提高 FTO 导电薄膜的刻蚀生产效率。 附图说明 0012 图 1 为本发明一种 FTO 导电薄膜的刻蚀方法采用的反应装置示意图 ； 图 2 为图 1 中 A 区刻蚀前的放大图 ； 图 3 为图 1 中 A 区刻蚀后的放大图。 具体实施方式 0013 本发明提出了一种生产效率高、 便于工业化实施的 FTO 导电薄膜的刻蚀方法。具 体的所述一种 FTO 。
10、导电薄膜的刻蚀方法， 包括以下步骤 ： 将 FTO 导电薄膜沉积在基板上， 然 后， 按预制图样在FTO导电薄膜一侧覆盖绝缘抗蚀刻层， 将沉积有FTO导电薄膜的基板放置 于酸性溶液中， 并在靠近绝缘抗蚀刻层的一侧设置锌板， 未覆盖绝缘抗蚀刻层的 FTO 导电 薄膜被刻蚀去除。 0014 所述锌板与沉积有 FTO 导电薄膜的基板平行、 相对放置， 以便电子在各导体之间 更好的传输， 实现最佳刻蚀效果。所述锌板与沉积有 FTO 导电薄膜的基板之间的距离是根 据实际刻蚀条件 ： 如刻蚀时间、 刻蚀深度等因素决定的。 0015 该基板为硬质基板或柔性基板。所述硬质基板为玻璃基板 ； 所述柔性基板为聚对。
11、 苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 板或聚对萘二甲酸乙二醇酯 (PEN) 板。 0016 该绝缘抗蚀刻层采用热固化型绝缘抗蚀刻剂或光固化型绝缘抗蚀刻剂制备而成， 如耐酸油墨或 UV 固化胶等。 0017 本发明中所述酸性溶液为盐酸、 硫酸、 硝酸和醋酸溶液中的一种或多种， 所述酸性 溶液中酸的质量浓度为 0.1% - 30%。 0018 将绝缘抗蚀刻层与 FTO 导电薄膜分离可采用以下步骤 ： 在未覆盖绝缘抗蚀刻层的 FTO 导电薄膜被刻蚀去除后， 将阴极从酸性电解液中取出， 洗净后放入剥膜液中， 使绝缘抗 蚀刻层与 FTO 导电薄膜脱离。所述剥膜液为与碱性溶液。 实施例 1 本实施例公开了一种 。
12、FTO 导电薄膜的刻蚀方法， 如图 1-3 所示， 具体包括以下步骤 ： 步骤 1 ： 根据预制图形， 在洗净的 FTO 导电薄膜 2（此实施例中选择在玻璃基板 1 上沉 积 FTO 导电薄膜 2） 上印刷一层耐酸油墨 3， 即绝缘抗蚀剂。 0019 步骤 2 ： 将步骤 1 中经过处理的待刻蚀面与锌板 4 平行、 相对放置， 共同置于质量 分数为 8% 的盐酸溶液 5 中， 放置 60min。 0020 步骤 3 ： 经过步骤 2 后， 未被耐酸绝缘油墨 3 覆盖部分的 FTO 导电薄膜 2 即可被刻 蚀去除。 0021 步骤 4 ： 将经过步骤 3 处理后的样品用清水洗净后， 放入含 0.。
13、5% 的氢氧化钾溶液 中， 使耐酸油墨 3 脱离， 最后用清水洗净 FTO 导电薄膜 2 和玻璃基板 1 即可。 实施例 2 本实施例公开了一种 FTO 导电薄膜的刻蚀方法， 包括以下步骤 ： 步骤 1 ： 根据预制图形， 在洗净的 FTO 导电薄膜 （此实施例中选择在 PEN 柔性基板上沉 说 明 书 CN 103435266 A 4 3/3 页 5 积 FTO 导电薄膜） 上印刷一层耐酸油墨。 0022 步骤 2 ： 将步骤 1 中经过处理的待刻蚀面与锌板平行、 相对放置， 共同置于质量分 数为 5% 的盐酸溶液中， 放置 120min。 0023 步骤 3 ： 经过步骤 2 后， 未被绝。
14、缘油墨覆盖部分的 FTO 导电薄膜即可被刻蚀去除。 0024 步骤 4 ： 将经过步骤 3 处理后的样品用清水洗净后， 放入含 1% 的氢氧化钠溶液中， 使耐酸油墨脱离， 最后用清水洗净 FTO 导电薄膜和 PEN 柔性基板即可。 0025 本发明不局限于上述实施例所记载的一种 FTO 导电薄膜的刻蚀方法， 酸性溶液种 类的改变、 绝缘抗蚀刻层材质的改变均在本发明的保护范围之内。 0026 最后应说明的是 ： 以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案， 而非对其限制 ； 尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明， 本领域的普通技术人员应当理解 ： 其 依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改， 或者对其中部分或者全部技术特征 进行等同替换 ； 而这些修改或者替换， 并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技 术方案的范围。 说 明 书 CN 103435266 A 5 1/2 页 6 图 1 说 明 书 附 图 CN 103435266 A 6 2/2 页 7 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103435266 A 7 。