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1、10申请公布号CN102925937A43申请公布日20130213CN102925937ACN102925937A21申请号201210327475222申请日20120907C25D5/00200601C25D15/0020060171申请人上海大学地址200444上海市宝山区上大路99号72发明人钟云波龙琼周鹏伟孙宗乾郑天翔74专利代理机构上海上大专利事务所普通合伙31205代理人何文欣54发明名称磁场下连续制备高硅钢薄带的方法及装置57摘要本发明旨在提供一种连续制备高硅钢薄带的方法和装置。本方法采用复合电镀方法,在镀铁溶液中加入013M的硅铁合金粉末,以低硅钢带作为电解阴极,在复合电解。
2、液中被镀上70WT99WTSI的厚复合镀层,经热处理后得到均匀的65WTSI的高硅钢薄带，可以实现连续制备。本装置是在传统的复合电镀装置基础上,通过施加磁场强度为000120T的恒定磁场,通过磁场使作为阴极的低硅钢薄带磁化，并在表面形成很强的梯度场，利用磁场力将镀液中的硅铁合金颗粒吸附在低硅钢带阴极表面，进而通过复合镀铁过程获得高硅镀层,然后经后续的气氛保护热处理，就可以制备出硅含量达65WT的高性能高硅钢薄带。本发明操作简单,低温增硅操作，成本低廉，并且可以连续制备高硅钢带材。51INTCL权利要求书2页说明书5页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书5。
3、页附图1页1/2页21磁场下连续制备高硅钢薄带的方法,其特征在于将013M粒径和较高硅浓度的硅铁合金粉硅含量在7099WTSI23,加入含有专用分散剂的复合镀铁电解液中，以硅含量为014SI的低硅钢薄带（17）作为阴极、纯铁片或低硅钢带作为阳极（8,15），当低硅钢薄带连续通过双阳极中间时，开启电镀电源（20），同时利用外加磁场对低硅钢薄带阴极的磁化作用，在低硅钢薄带阴极表面形成很强的磁场梯度和磁场力，将复合镀铁电解液中的微细硅铁合金颗粒吸附在低硅钢薄带阴极表面，进而通过复合镀过程获得高硅的铁硅铁合金镀层，该复合镀层为后续制备整体硅含量达65WT的高硅钢提供充足的硅源；获得的复合镀层和低硅钢薄。
4、带本体经过后续的连续热处理扩散，最终制备出硅含量达65WT的近终型高性能高硅钢薄带；具体操作步骤为A硅铁合金颗粒的制备将不同比例的纯铁粉和纯硅粉混合均匀，混合粉中硅含量控制在7WTSI99WTSI范围，然后在高真空高温（14001600）下熔炼形成硅铁合金，然后将得到的合金采用真空电弧雾化或者行星球磨的方法磨制成013M的粉末；B电解液的配制00110MOL/LFESO4,00110MOL/LFECL2,00110MOL/LNH4CL,还原铁粉0110G/L,湿润剂150滴/L，专用分散剂0150G/L，然后用0110MOL/L的H2SO4调节PH值为055，加入01500G/L的硅铁合金颗粒。
5、；C磁场下电沉积施加的磁场强度为000120T,采用00505MM厚的纯铁薄带或者低硅硅钢薄片为阴极，宽度为102000MM，低硅钢薄带的硅含量为014WT，以纯铁片或者低硅钢板为阳极，采用水浴加热或者蒸汽加热方式将电镀液温度控制在2095；为保证电镀液温度和成分均匀，可以采用机械搅拌、超声波搅拌或者采用酸液泵循环的方式搅拌电镀液；将电极放入电解槽中，通入05A2000A/DM2直流电流进行复合电镀；D为保证得到连续的高硅复合镀层，将低硅钢薄带阴极连续地通过上下阳极间的间隙，阴极走带速度可以控制在000110M/S；阴极和阳极间距保持在0510CM；通过控制阴极走带速度、电流密度、电镀液中硅铁。
6、合金颗粒浓度、硅铁合金颗粒中硅含量、磁场强度等多个因素来控制复合镀层中的硅含量；为制备总体呈65WTSI的高硅钢薄带，复合镀层中的硅含量可控制在7099WT之间；复合镀层的厚度为101000微米；阴极硅钢带采取放卷和收卷的方式，实现成卷高硅钢薄带的制备；E均匀化扩散退火将上述步骤得到的平均含硅量约为65WT的铁硅铁合金颗粒复合镀层钢带，经干燥烘干后放入带惰性气体（氩气、氮气或者混合气体）或为还原气体（一氧化碳、氢气、氨气、甲烷）或者为惰性气体与还原气体混合气保护的管状电炉中进行连续热处理扩散处理,得到平均硅含量为65WT且分布均匀的取向或无取向硅钢片；热处理温度控制在10001300，热处理时。
7、间为110小时。2根据权利要求1所述的磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于采用的恒定磁场发生器（1）的磁场发生方式为永久磁铁，或电磁铁，或为BITTER磁铁、或超导磁体，或者混合磁体产生，磁感应强度为000120特斯拉（T）。3根据权利要求1所述的磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于所述低硅钢带阴极（17）厚度为00505MM，宽度为102000MM。4根据权利要求1所述的磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于采用水浴加热或者蒸汽加热方式将电镀液（6）的温度控制在2095。5根据权利要求1所述的磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于所述电镀液权利要求书CN102925937。
8、A2/2页3（6）的搅拌方式为机械搅拌，或超声波搅拌，或者是采用酸液泵循环的方式进行搅拌，使电镀液（6）的成分和温度和成分均匀化。6根据权利要求1所述的磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于所述复合镀过程为连续进行，低硅钢带阴极（17）的走带速度控制在00110M/S；阴极和阳极间距保持在0510CM。7根据权利要求1所述的磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于所述复合镀铁层（24）的厚度为101000M。8根据权利要求1所述的磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于所述复合电镀时采用的电流密度为05A2000A/DM2。9根据权利要求1所述的磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在。
9、于复合电镀时所用直流电源（20）可以为幅值恒定的直流电源，或为占空比和频率可调的脉冲电源，或者是占空比、频率和周期可反向的直流电源。10根据权利要求1所述的磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于所述后续的连续热处理扩散为获得的平均含硅量约为65WT的铁硅铁合金颗粒复合镀层钢带，经干燥烘干后放入带惰性气体氩气、氮气或者混合气体，或者还原气体一氧化碳、氢气、氨气、甲烷或者惰性气体或者还原气体混合气保护的卧式管状电炉中进行连续热处理扩散处理,最终得到平均硅含量为65WT且分布均匀的高性能高硅钢薄带；热处理温度控制在10001300，热处理时间为110小时。11一种磁场下连续制备高硅钢薄带的装置，。
10、应用于根据权利要求1所属的磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，包括恒定磁场发生器（1）、水冷装置（2）、绝热材料（3）、加热装置（4）、耐温电镀槽（5）、电镀液（6）、前导向定滑轮（7）、纯铁片上阳极（8）、电镀槽盖板（9）、高硅镀层硅钢带卷绕机构（10）、聚四氟乙烯底（12）、机械搅拌桨（13）、机械搅拌控制装置（14）、纯铁片下阳极（15）、热电偶（16）、低硅钢带阴极（17）、后导向定滑轮（18）、控温仪（19）、直流电源（20）、阴极电夹辊（21）、低硅钢输送机构（22）组成，其特征在于所述耐温电镀槽（5）置于聚四氟乙烯底板（12）上，而外围从内到外依次为加热装置（4）、绝热材料层（3）、。
11、水冷装置（2）和恒定磁场发生器（1）；所述耐温电镀槽（5）内盛贮电镀液（6），内底设置有对外连续机械搅拌控制装置（14）的机械搅拌桨（13），浸泡于电镀液（6）内有所述的纯铁片下阳极板（15）和纯铁片阳极板（8）分别连接直流电源（20），所述低硅钢带阴极（17）处在所述两纯铁片上下阳极（8,15）之间，低硅钢带绕过两侧的两个前后导向滑轮（7,18）而前端绕在高硅镀层硅钢带卷绕机构（10）上，后端通过阴极电夹辊（21）绕在低硅钢带输送机构（22）上。权利要求书CN102925937A1/5页4磁场下连续制备高硅钢薄带的方法及装置技术领域0001本发明涉及一种磁场下连续制备高硅钢薄带的方法及装置。。
12、属于磁性材料制备、复合电镀技术领域。背景技术0002硅钢是电学、磁学领域中产量和用量最大的软磁材料，广泛应用于电力、电子和军事工业中的能量转换领域，因此也是节能潜力巨大的重要金属功能材料。从理论上很早就已知道,如果把硅钢中的硅含量增高到65,就可以使磁致伸缩趋近于零,磁性能最佳。但是当硅含量超过4WT后，随着硅含量的增加,材质变脆,以致难以进行轧制和冲压加工。0003目前，对FE65WTSI的硅钢薄带的制备方法进行了很多研究，提出了多种制备工艺，如粉末轧制法、CVD法等。粉末冶金法需要进行粉体混合、压制成型、烧结，多道次轧制、涂覆MGO粉绝缘层、二次烧结等步骤，工艺复杂，硅的均匀性及工艺的连续。
13、性差、致密度差、能耗高，且仍受到硅钢脆性的限制。日本的NKK公司开发的CVD法生产的薄带硅钢具备很好的磁性能，并已经小规模进行工业化生产，但存在沉积温度高、能耗大、硅钢表面质量差、需温轧平整、铁流失严重等缺点，同时SICL4具有较强腐蚀性，遇水蒸气即产生盐酸酸雾，反应产物FECL2废气污染环境而无法进行大规模生产。此外还有PCVD法、熔盐电沉积法、激光熔敷喷涂法和电子束物理气相沉积法等，但是上述方法在生产工艺的可控性、成本及环保等方面仍有待进一步的改进。因此，开发廉价高效的高硅硅钢制备方法仍然是亟待解决的关键问题。发明内容0004本发明的目的在于针对已有技术存在的缺陷，提供一种磁场下连续制备高。
14、硅钢薄带的方法及装备，利用静磁场复合电镀技术在低硅钢片表面获得高硅镀层，然后经过热处理工艺来获得具有优异磁性能的65WTSI的高硅硅钢薄带，实现长尺寸、低温、连续操作，且可以制备出近终型的薄带，因此大幅度降低制备成本。0005为达到上述目的，构思是将粒径范围和特定硅含量的硅铁合金颗粒加入镀铁电解液中，采用电工纯铁板作为阳极，采用低硅的硅钢薄带作为阴极，利用复合镀方法，在低硅硅钢薄带上镀覆一层硅含量大于65WTSI的复合镀层。但由于仅采用复合镀的方法，无法提高复合镀层中硅的含量达到10WT以上，则最终经热处理就无法获得整体含量为65WTSI的高硅硅钢带。为此，本发明提出，在复合镀过程中，施加一个。
15、恒定的外磁场（000120特斯拉（T），考虑到硅铁合金颗粒具有较强的磁性，而阴极材料也为铁磁性材料，因此，可以利用磁场力来调控硅铁颗粒吸附在阴极表面，进而促进其复合进入铁硅铁粉复合镀层，从而可以显著提高复合镀层中的硅含量，为后续的热处理提供充足的硅源，因此，最终热处理的硅钢片中硅含量将达到65WT的最佳值。根据上述发明构思，一种磁场下连续制备高硅钢薄带的方法，本发明采用的技术方案如下说明书CN102925937A2/5页5A硅铁合金颗粒的制备将不同比例的纯铁粉和纯硅粉混合均匀，混合粉中硅含量控制在7WTSI99WTSI范围，然后在高真空高温（14001600）下熔炼形成硅铁合金，然后将得到的合。
16、金采用真空电弧雾化或者行星球磨的方法磨制成013M的粉末。0006B电解液的配制00110MOL/LFESO4,00110MOL/LFECL2,00110MOL/LNH4CL,还原铁粉0110G/L,湿润剂150滴/L，专用分散剂0150G/L，然后用0110MOL/L的H2SO4调节PH值为055，加入01500G/L的硅铁合金颗粒。0007C磁场下电沉积施加的磁场强度为000120T,采用00505MM厚的纯铁薄带或者低硅硅钢薄片为阴极，宽度为102000MM，低硅钢薄带的硅含量为014WT，以纯铁片或者低硅钢板为阳极，采用水浴加热或者蒸汽加热方式将电镀液温度控制在2095；为保证电镀液温。
17、度和成分均匀，可以采用机械搅拌、超声波搅拌或者采用酸液泵循环的方式搅拌电镀液；将电极放入电解槽中，通入05A2000A/DM2直流电流进行复合电镀；D为保证得到连续的高硅复合镀层，将低硅钢薄带阴极连续地通过上下阳极间的间隙，阴极走带速度可以控制在000110M/S；阴极和阳极间距保持在0510CM；通过控制阴极走带速度、电流密度、电镀液中硅铁合金颗粒浓度、硅铁合金颗粒中硅含量、磁场强度等多个因素来控制复合镀层中的硅含量。为制备总体呈65WTSI的高硅钢薄带，复合镀层中的硅含量可控制在7099WT之间；复合镀层的厚度为101000微米；阴极硅钢带采取放卷和收卷的方式，实现成卷高硅钢薄带的制备。0。
18、008E均匀化扩散退火将上述步骤得到的平均含硅量约为65WT的铁硅铁合金颗粒复合镀层钢带，经干燥烘干后放入带惰性气体（氩气、氮气或者混合气体），或为还原气体（一氧化碳、氢气、氨气、甲烷）或者为惰性气体与还原气体混合气保护的管状电炉中进行连续热处理扩散处理,得到平均硅含量为65WT且分布均匀的取向或无取向硅钢片。热处理温度控制在10001300，热处理时间为110小时。0009上述阴极材料可以为纯铁薄带，也可以为低硅钢薄带，采用砂纸打磨光洁，然后用酸洗和丙酮除脂后放入电镀液。阳极材料为纯铁板或者低硅钢板。0010上述电镀用电源可以为幅值恒定的直流电源，或为占空比和频率可调的脉冲电源，或者是占空比。
19、、频率和周期可反向的直流电源，为电镀过程提供不同特性的电流。磁场发生器可以为电磁铁产生的磁场，也可以为永久磁铁采用磁路设计得到的磁场，还可以是采用BITTER磁体或者超导磁体或者BITTER磁体和超导磁体混合磁体提供的磁场，提供的磁感应强度为000120T。0011一种磁场下连续制备高硅钢薄带的装置，应用于上述方法，包括恒定磁场发生器、水冷装置、绝热材料、加热装置、耐温电镀槽、电镀液、前导向定滑轮、纯铁片上阳极、电镀槽盖板、高硅镀层硅钢带卷绕机构、聚四氟乙烯底、机械搅拌桨、机械搅拌控制装置、纯铁片下阳极、热电偶、低硅钢带阴极、后导向定滑轮、控温仪、直流电源、阴极电夹辊和低硅钢输送机构组成。00。
20、12与现有技术相比较，具有显而易见的突出实质性特点和显著进步（1）在施加恒定磁场的条件下进行电镀，利用磁场力对磁化颗粒的吸引从而提高镀层的硅含量。0013（2）由于电沉积过程是在磁场的条件下进行，由于磁晶各向异性和感生各向异性的作用，通过调节电流密度、磁场强度等参数可以使组织取向,提高磁性能。说明书CN102925937A3/5页60014（3）整个制备过程不存在压力加工或其性变形过程,可以从根本上避免任何由于FE65WTSI的低塑性而导致的加工困难。0015（4）硅铁合金颗粒的沉积速度和扩散速度可以通过调节沉积的电流密度、磁场强度和机械搅拌速度,避免硅钢薄带表面硅含量过高。0016（5）在进。
21、行热处理的时候，由于采用013UM的微细硅铁合金颗粒，不但粒径细小，与铁镀层基体具有较大的接触面积，有利于硅元素的扩散均匀，且由于硅铁合金颗粒已经合金化，因此具有与常规的复合镀硅颗粒具有更低的扩散阻力，可以得到更为均匀的FE65WTSI硅钢薄带。0017（6）采用低温（2090）复合镀的方式，可以大大节约能源；生产工艺稳定可控。0018（7）对基体的原结构影响小。0019（8）该方法可以进行大规模连续操作，有望制备出宽幅、长尺寸的高硅硅钢带，并大大降低生产成本。0020（9）使用的药剂廉价,易获得,且消耗少。附图说明0021图1为本发明方法中所用的专用装置的结构示意图。具体实施方式0022现将。
22、本发明的具体实施例结合附图叙述于后。0023实施例一1磁场下连续制备高硅钢薄带的方法,其特征在于将013M粒径和较高硅浓度的硅铁合金粉硅含量在7099WTSI23,加入具有专用分散剂的复合镀铁电解液中，以硅含量为014SI的低硅钢薄带（17）作为阴极、纯铁片或低硅硅钢带作为阳极（8,15），当低硅硅钢薄带连续通过双阳极中间时，开启电镀电源（20），同时利用外加磁场对低硅钢薄带阴极的磁化作用，在低硅钢薄带阴极表面形成很强的磁场梯度和磁场力，将复合镀铁电解液中的微细硅铁合金颗粒吸附在低硅钢薄带阴极表面，进而通过复合镀过程获得高硅的铁硅铁合金镀层，该复合镀层为后续制备整体硅含量达65WT的高硅钢提供。
23、充足的硅源；获得的复合镀层和低硅钢薄带本体经过后续的连续热处理扩散，最终制备出硅含量达65WT的近终型高性能高硅钢薄带。具体操作步骤为A硅铁合金颗粒的制备将不同比例的纯铁粉和纯硅粉混合均匀，混合粉中硅含量控制在7WTSI99WTSI范围，然后在高真空高温（14001600）下熔炼形成硅铁合金，然后将得到的合金采用真空电弧雾化或者行星球磨的方法磨制成013M的粉末。0024B电解液的配制00110MOL/LFESO4,00110MOL/LFECL2,00110MOL/LNH4CL,还原铁粉0110G/L,湿润剂150滴/L，专用分散剂0150G/L，然后用0110MOL/L的H2SO4调节PH值。
24、为055，加入01500G/L的硅铁合金颗粒。0025C磁场下电沉积施加的磁场强度为000120T,采用00505MM厚的纯铁薄带或者低硅钢薄片为阴极，宽度为102000MM，低硅硅钢的硅含量为014WT，以纯铁片或者低硅钢板为阳极，采用水浴加热或者蒸汽加热方式将电镀液温度控制在2095；为保证电镀液温度和成分均匀，可以采用机械搅拌、超声波搅拌或者采用酸液泵循环的方式说明书CN102925937A4/5页7搅拌电镀液；将电极放入电解槽中，通入05A2000A/DM2直流电流进行复合电镀；D为保证得到连续的高硅复合镀层，将低硅钢薄带阴极连续地通过上下阳极间的间隙，阴极走带速度可以控制在00011。
25、0M/S；阴极和阳极间距保持在0510CM；通过控制阴极走带速度、电流密度、电镀液中硅铁合金颗粒浓度、硅铁合金颗粒中硅含量、磁场强度等多个因素来控制复合镀层中的硅含量。为制备总体呈65WTSI的高硅钢薄带，复合镀层中的硅含量可控制在7099WT之间；复合镀层的厚度为101000微米；阴极硅钢带采取放卷和收卷的方式，实现成卷高硅钢薄带的制备。0026E均匀化扩散退火将上述步骤得到的平均含硅量约为65WT的铁硅铁合金颗粒复合镀层钢带，经干燥烘干后放入带惰性气体（氩气、氮气或者混合气体）或还原气体（一氧化碳、氢气、氨气、甲烷）或者惰性气体与还原气体混合气保护的管状电炉中进行连续热处理扩散处理,得到平。
26、均硅含量为65WT且分布均匀的取向或无取向硅钢片。热处理温度控制在10001300，热处理时间为110小时。0027实施例二本实施例与实施例一基本相同，特征之处如下1采用的恒定磁场发生器（1）的磁场发生方式为永久磁铁，或电磁铁，或为BITTER磁铁、或超导磁体，或者混合磁体产生，磁感应强度为000120特斯拉（T）；2所述低硅钢带阴极（17）厚度为00505MM，宽度为102000MM。00283所述电镀液（6）的搅拌方式为机械搅拌，或超声波搅拌，或者是采用酸液泵循环的方式进行搅拌，使电镀液（6）的成分和温度和成分均匀化。00294所述复合镀过程为连续进行，低硅钢带阴极（17）的走带速度控制在。
27、00110M/S；阴极和阳极间距保持在0510CM。00305所述复合镀铁层（24）的厚度为101000M。00316所述复合电镀时采用的电流密度为05A2000A/DM2。00327复合电镀时所用直流电源（20）可以为幅值恒定的直流电源，或为占空比和频率可调的脉冲电源，或为是占空比、频率和周期可反向的直流电源。00338所述的磁场下连续制备65WTSI高硅钢薄带的方法，其特征在于所述后续的连续热处理扩散为获得的平均含硅量约为65WT的铁硅铁合金颗粒复合镀层钢带，经干燥烘干后放入带惰性气体氩气、氮气或者混合气体，或者还原气体一氧化碳、氢气、氨气、甲烷或者惰性气体或者还原气体混合气保护的卧式管状。
28、电炉中进行连续热处理扩散处理,最终得到平均硅含量为65WT且分布均匀的高性能高硅钢薄带；热处理温度控制在10001300，热处理时间为110小时。0034实施例三参见图1，本磁场下连续制备高硅钢薄带的装置，应用于上述方法，包括恒定磁场发生器（1）、水冷装置（2）、绝热材料（3）、加热装置（4）、耐温电镀槽（5）、电镀液（6）、前导向定滑轮（7）、纯铁片上阳极（8）、电镀槽盖板（9）、高硅镀层硅钢带卷绕机构（10）、聚四氟乙烯底（12）、机械搅拌桨（13）、机械搅拌控制装置（14）、纯铁片下阳极（15）、热电偶（16）、低硅钢带阴极（17）、后导向定滑轮（18）、控温仪（19）、直流电源（20）。
29、、阴极电夹辊（21）、低硅钢输送机构（22）组成。所述耐温电镀槽（5）置于聚四氟乙烯底板（12）上，而外围从内到外依次为加热装置（4）、绝热材料层（3）、水冷装置（2）和恒定磁场发生器（1）；说明书CN102925937A5/5页8所述耐温电镀槽（5）内盛贮电镀液（6），内底设置有对外连续机械搅拌控制装置（14）的机械搅拌桨（13），浸泡于电镀液（6）内有所述的纯铁片下阳极板（15）和纯铁片阳极板（8）分别连接直流电源（20），所述低硅钢带阴极（17）处在所述两纯铁片上下阳极（8,15）之间，低硅钢带绕过两侧的两个前后导向滑轮（7,18）而前端绕在高硅镀层硅钢带卷绕机构（10）上，后端通过阴极。
30、电夹辊（21）绕在低硅钢带输送机构（22）上。0035实施例四本实施例的方法主要是通过磁场下复合电镀专用装置实现的。本实施例中磁场下复合电镀所用的专用装置是由恒定磁场发生器（1）、水冷装置（2）、绝热材料（3）、加热装置（4）、耐温电镀槽（5）、电镀液（6）、前导向定滑轮（7）、纯铁片上阳极（8）、电镀槽盖板（9）、高硅镀层硅钢带卷绕机构（10）、聚四氟乙烯底（12）、机械搅拌桨（13）、机械搅拌控制装置（14）、纯铁片下阳极（15）、热电偶（16）、低硅钢带阴极（17）、后导向定滑轮（18）、控温仪（19）、直流电源（20）、阴极电夹辊（21）、低硅钢输送机构（22）组成。0036本实施例的。
31、具体运作过程如下所述在盛有峰值粒径为2M、含硅量为50WT的硅铁合金颗粒（23）的电镀液（6）置入容量为50L的耐温电镀槽（5）中，电镀液的成分为090MOL/LFESO4,015MOL/LFECL2,043MOL/LNH4CL,还原铁粉1G/L,湿润剂2滴/L，分散剂05G/L，然后用09MOL/L的H2SO4调节PH值为15，加入20G/L的硅铁合金颗粒。0037耐温电镀槽（5）内设有一对纯铁片上阳极（8）和纯铁片下阳极（15），耐温电解槽（5）四周设置有加热元件（4）和保温材料（3）,外设水冷装置（2）以防止热量影响外围的恒定磁场发生器（1）；电镀液（6）的温度有加热元件（4）和控温仪（。
32、19）以及热电偶（16）来监控。为保证电镀液（6）的温度均匀，采用机械搅拌桨（13）和机械搅拌控制装置（14）来搅拌电解液。0038采用厚度为02MM、宽度为500MM、含硅量为3WT的低硅硅钢带作为硅钢带阴极（17）、由阴极电夹辊（21）通入电流，低硅钢带阴极（17）经过纯铁片上阳极（8）和纯铁片下阳极（15）的中间区域，由浸没在电镀液（6）中的前导向定滑轮（7）和后导向定滑轮（18）导向，并穿出电镀液（6）抵达高硅硅钢带卷绕机构（10），将阴极电夹辊（21）和直流电源（20）的负极连接，将纯铁片上阳极（8）和纯铁片下阳极（15）与直流电源（20）的正极相连接；采用温度控制仪（19）和加热元。
33、件（4）以及热电偶（16）将电镀液（6）加热到60并保温，同时打开机械搅拌桨（13）及机械搅拌控制装置（14），控制搅拌速度为150转/分钟，然后开启复合电镀用直流电源（20），调整直流电流密度为10A/DM2；恒定磁场发生器（1）的磁场由电磁铁提供，磁感应强度保持为05T。磁力线（11）的方向为垂直向上。0039启动高硅钢带卷绕机构（10），保持走带速度为005M/S。由于电镀液（6）中含有峰值粒径为2M硅铁合金颗粒（23），利用复合电镀效应和磁场对低硅钢带阴极（17）的磁化效应，将硅铁合金颗粒（23）吸附在低硅钢带阴极（17）的上下表面，并与铁复合电沉积，获得高硅的复合镀铁层（24），经EDS能谱分析测定，该复合镀铁层硅含量为136WT，复合镀铁层（24）的厚度为50微米（上下镀层均为50微米），该复合镀铁层（24）与低硅钢带阴极（17）经后续的热处理，最终的硅含量达到65WT，这一成分达到了高性能高硅钢薄带的成分目标。说明书CN102925937A1/1页9图1说明书附图CN102925937A。