一种粘结硅片与基片的方法.pdf

摘要
申请专利号：	CN200810175743.7	申请日：	2008.11.07
公开号：	CN101759378A	公开日：	2010.06.30
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C03C 27/00公开日:20100630\|\|\|公开
IPC分类号：	C03C27/00	主分类号：	C03C27/00
申请人：	南通芯迎设计服务有限公司
发明人：	张炎
地址：	226006 江苏省南通市崇川区跃龙路179号崇川区科技创业园内
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内容摘要

本发明提供了一种粘结硅片与基片的方法，首先将硅片和基片放在一起并施加一定压力在其上，然后在高真空条件下对其进行加热，使界面充分湿润，从而实现良好粘结。本发明的特点在于上述粘结过程利用一般的具有热处理功能的真空镀膜设备即可进行，而且由于无需粘结剂，因而减小了对硅片的污染。

权利要求书

1：一种粘结硅片与基片的方法，包括在具有热处理功能的真空镀膜设备中，将硅片和基片放在一起并施加一定压力，然后在10 -4 Pa的真空条件下对其进行加热，加热的温度范围是350-500℃，使界面充分湿润，从而实现良好粘结。
2：根据权利要求1所述的粘结硅片与基片的方法，其中所述基片为载玻片。

说明书

一种粘结硅片与基片的方法
    【技术领域】

    本发明涉及一种粘结硅片与基片的方法。

    背景技术

    硅片在实验室中常用来作为衬底使用来将薄膜材料沉积在其上，然而为了节约材料，一般在使用硅片时，将其裁成小块使用，因而在对硅片上的薄膜材料分析测试时，非常不方便。

    本发明提供了一种粘结硅片与基片的方法，不使用粘结剂，而是利用制备薄膜的具有热处理功能的真空镀膜设备，采用热压粘结的方法将小块硅片固定在价格便宜地其他大块基片上，从而方便使用，也不会带来污染。

    【发明内容】

    本发明提供了一种粘结硅片与基片的方法，包括在具有热处理功能的真空镀膜设备中，将硅片和基片放在一起并施加一定压力，然后在10-4Pa的真空条件下对其进行加热，加热的温度范围是350-500℃，使界面充分湿润，从而实现良好粘结，优选地，所述基片为载玻片。

    【具体实施方式】

    本发明提供了一种粘结硅片与基片的方法，包括在具有热处理功能的真空镀膜设备中，将硅片和基片放在一起并施加一定压力，然后在10-4Pa的真空条件下对其进行加热，加热的温度范围是350-500℃，使界面充分湿润，从而实现良好粘结，优选地，所述基片为载玻片。

    本发明的粘结方法具体如下：将清洗干净的硅片与载玻片放在一起，送入真空镀膜设备的真空室，然后把一定重量的压块压在上面以施加一定的压力，将真空镀膜设备的真空室抽真空至10-4Pa左右，同时加热，粘结过程的温度控制非常重要，温度过高或过低会直接影响粘结质量，温度过低，硅片和载玻片不能充分湿润，无法粘结，温度过高，则有可能产生粘结不均匀的现象，优选地，加热的温度范围是350-500℃，此温度范围下，载玻片表面微微发软，能够与硅片产生良好的粘结。

    本发明的特点在于上述粘结过程利用现成的具有热处理功能的真空镀膜设备，而且由于无需粘结剂，不会对硅片造成污染。