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1、10申请公布号CN104157305A43申请公布日20141119CN104157305A21申请号201310174829922申请日20130513G11C13/0020060171申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所地址215123江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号72发明人程国胜王龙孔涛卫芬芬黄荣张杰74专利代理机构深圳市科进知识产权代理事务所普通合伙44316代理人宋鹰武54发明名称相变存储器驱动电路及方法57摘要本发明涉及一种相变存储器驱动电路及方法。本发明的相变存储器驱动电路，包括普通脉冲源、控制开关、选通器、相变电阻和皮秒脉冲发生器，所述普通脉冲源、控制开关相连、。
2、皮秒脉冲发生器、选通器和相变电阻依次相连，所述皮秒脉冲发生器将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲。本发明实施例的相变存储器驱动电路及方法通过阶跃恢复二极管构成的皮秒脉冲发生器输出皮秒级的置位或复位电流脉冲，在不耗费芯片面积的前提下，大幅度提升相变存储器的相变速度，使相变速度达到皮秒量级，大幅降低整个器件的功耗。51INTCL权利要求书2页说明书6页附图4页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书6页附图4页10申请公布号CN104157305ACN104157305A1/2页21一种相变存储器驱动电路，包括普通脉冲源、控制开关、选通器和相变电阻，其。
3、特征在于，还包括皮秒脉冲发生器，所述普通脉冲源、控制开关相连、皮秒脉冲发生器、选通器和相变电阻依次相连，所述皮秒脉冲发生器将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲。2根据权利要求1所述的相变存储器驱动电路，其特征在于，所述皮秒脉冲发生器包括置位皮秒脉冲发生器和复位皮秒脉冲发生器，所述置位皮秒脉冲发生器和复位皮秒脉冲发生器结构相同，置位皮秒脉冲发生器和复位皮秒脉冲发生器的器件参数不同，分别用于产生皮秒级置位/复位脉冲。3根据权利要求1或2所述的相变存储器驱动电路，其特征在于，所述皮秒脉冲发生器包括耦合电路和阶跃恢复二极管脉冲整形电路，所述耦合电路用于调节普通脉冲源和阶跃恢复二极管整。
4、形电路的阻抗匹配，并且控制阶跃恢复二极管的中储存电荷的量，所述阶跃恢复二极管脉冲整形电路用于将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲。4根据权利要求3所述的相变存储器驱动电路，其特征在于，所述耦合电路包括第一电阻、第二电阻和电导，所述第一电阻R1一端接地，另一端与第二电阻相连，所述电导一端与阶跃恢复二极管脉冲整形电路相连，另一端与第二电阻相连，所述阶跃恢复二极管脉冲整形电路包括第一阶跃恢复二极管和第二阶跃恢复二极管，所述第一阶跃恢复二极管正向端接地，反向端与第二阶跃恢复二极管的反向端相连，所述第二阶跃恢复二极管的正向端与选通器相连。5根据权利要求4所述的相变存储器驱动电路，其特征。
5、在于，所述皮秒脉冲发生器还包括串联阶跃恢复二极管再整形电路，所述串联阶跃恢复二极管再整形电路对由阶跃恢复二极管脉冲整形电路得到的皮秒脉冲进行再次整形。6根据权利要求5所述的相变存储器驱动电路，其特征在于，所述串联阶跃恢复二极管再整形电路包括第三电阻和第三阶跃恢复二极管，所述第三电阻一端接地，另一端分别连接第二阶跃恢复二极管的正向端、第三阶跃恢复二极管的正向端，所述第三阶跃恢复二极管的反向端与选通器相连。7根据权利要求3所述的相变存储器驱动电路，其特征在于，所述皮秒脉冲发生器产生的皮秒级置位/复位电流脉冲幅值和持续时间由相变电阻决定，所述皮秒级置位/复位电流脉冲幅值为25V，所述皮秒级置位/复位。
6、电流脉冲持续时间为2001000PS。8一种相变存储器驱动方法，其特征在于，包括步骤A通过控制开关选择置位操作或复位操作；步骤B普通脉冲源产生微秒级的方波信号；步骤C通过皮秒脉冲发生器将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲。9根据权利要求8所述的相变存储器驱动方法，其特征在于，所述步骤C包括通过皮秒脉冲发生器的耦合电路使普通脉冲源的输出阻抗与阶跃恢复二极管的输入阻抗相耦合；皮秒脉冲发生器的阶跃恢复二极管脉冲整形电路将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲。10根据权利要求8或9所述的相变存储器驱动方法，其特征在于，所述步骤C后还包权利要求书CN104157305A。
7、2/2页3括通过皮秒脉冲发生器的串联阶跃恢复二极管再整形电路对由阶跃恢复二极管脉冲整形电路得到的皮秒脉冲进行再次整形。权利要求书CN104157305A1/6页4相变存储器驱动电路及方法技术领域0001本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种相变存储器驱动电路及方法。背景技术0002相变存储器作为一种非挥发性存储器，用于替代已经无法再继续集成的闪存。相变存储器的每个存储单元一般包括存储器和驱动电路，通过驱动电路提供的电流脉冲，存储器内的相变材料从结晶态变为非晶态，反之亦然。存储器内的相变材料可以包括锗、锑、碲的合金。驱动电路通常由二级管或金属氧化物场效应（MOS）晶体管构成。存储器内的相变材料从。
8、低阻态（结晶态）向高阻态（非晶态）转变时，需要大到足以融化相变材料的电流流经电阻器，而此电流作用时间很短，相变材料在快速冷却的过程中，从熔化态变为非晶态，使得电阻器呈现高阻态，这种状态转变称为“复位”（RESET）操作。为了使存储器从高阻态转变为低阻态，需要一个较低的电流流经存储器内的相变材料，加热相变材料超过其相变温度，相变材料逐渐结晶并呈现低阻态，这种状态转变称为“置位”（SET）操作。而为了读取电阻器的阻值高低，需要施加一个比置位电流还要小得多的电流，通过测量电阻器的电压值来确定阻值。因此，相变存储器主要是由电流通过相变材料产生的焦耳热来使材料发生相变从而实现数据的存储。由此带来的问题就。
9、是在集成度逐渐提高的情况下，整个器件的功耗也会较大，且会出现热串扰等不良现象，降低单个相变存储单元的功耗成了业界的主要技术难题。2012年DLOKE等人发现了使相变材料皮秒相变的机制，相变存储器的相变速度有望进入皮秒时代，但是现有的驱动电路的相变速度慢，无法有效产生皮秒级的电流脉冲来实现相变材料的皮秒级相变。发明内容0003本发明提供了一种相变存储器驱动电路及方法，旨在解决现有的相变存储器驱动电路的相变速度慢，无法有效产生皮秒级的电流脉冲来实现相变材料的皮秒级相变，导致相变存储器的存储单元功耗大的技术问题。0004本发明提供的技术方案为一种相变存储器驱动电路，包括普通脉冲源、控制开关、选通器、。
10、相变电阻和皮秒脉冲发生器，所述普通脉冲源、控制开关相连、皮秒脉冲发生器、选通器和相变电阻依次相连，所述皮秒脉冲发生器将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲。0005本发明的技术方案还包括所述皮秒脉冲发生器包括置位皮秒脉冲发生器和复位皮秒脉冲发生器，所述置位皮秒脉冲发生器和复位皮秒脉冲发生器结构相同，置位皮秒脉冲发生器和复位皮秒脉冲发生器的器件参数不同，分别用于产生皮秒级置位/复位脉冲。0006本发明的技术方案还包括所述皮秒脉冲发生器包括耦合电路和阶跃恢复二极管脉冲整形电路，所述耦合电路用于调节普通脉冲源和阶跃恢复二极管整形电路的阻抗匹配，并且控制阶跃恢复二极管的中储存电荷的量，。
11、所述阶跃恢复二极管脉冲整形电路用于将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲。说明书CN104157305A2/6页50007本发明的技术方案还包括所述耦合电路包括第一电阻、第二电阻和电导，所述第一电阻R1一端接地，另一端与第二电阻相连，所述电导一端与阶跃恢复二极管脉冲整形电路相连，另一端与第二电阻相连，所述阶跃恢复二极管脉冲整形电路包括第一阶跃恢复二极管和第二阶跃恢复二极管，所述第一阶跃恢复二极管正向端接地，反向端与第二阶跃恢复二极管的反向端相连，所述第二阶跃恢复二极管的正向端与选通器相连。0008本发明的技术方案还包括所述皮秒脉冲发生器还包括串联阶跃恢复二极管再整形电路，所述串。
12、联阶跃恢复二极管再整形电路对由阶跃恢复二极管脉冲整形电路得到的皮秒脉冲进行再次整形。0009本发明的技术方案还包括所述串联阶跃恢复二极管再整形电路包括第三电阻和第三阶跃恢复二极管，所述第三电阻一端接地，另一端分别连接第二阶跃恢复二极管的正向端、第三阶跃恢复二极管的正向端，所述第三阶跃恢复二极管的反向端与选通器相连。0010本发明的技术方案还包括所述皮秒脉冲发生器产生的皮秒级置位/复位电流脉冲幅值和持续时间由相变电阻决定，所述皮秒级置位/复位电流脉冲幅值为25V，所述皮秒级置位/复位电流脉冲持续时间为2001000PS。0011本发明的另一技术方案为一种相变存储器驱动方法，包括0012步骤A通过。
13、控制开关选择置位操作或复位操作；0013步骤B普通脉冲源产生微秒级的方波信号；0014步骤C通过皮秒脉冲发生器将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲。0015本发明的技术方案还包括所述步骤C包括通过皮秒脉冲发生器的耦合电路使普通脉冲源的输出阻抗与阶跃恢复二极管的输入阻抗相耦合；皮秒脉冲发生器的阶跃恢复二极管脉冲整形电路将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲。0016本发明的技术方案还包括所述步骤C后还包括通过皮秒脉冲发生器的串联阶跃恢复二极管再整形电路对由阶跃恢复二极管脉冲整形电路得到的皮秒脉冲进行再次整形。0017本发明的技术方案具有如下优点或有益效果本发明实。
14、施例的相变存储器驱动电路及方法通过阶跃恢复二极管构成的皮秒脉冲发生器输出皮秒级的置位或复位电流脉冲，在不耗费芯片面积的前提下，大幅度提升相变存储器的相变速度，使相变速度达到皮秒量级，大幅降低整个器件的功耗。附图说明0018附图1是本发明实施例的相变存储器驱动电路的结构示意图；0019附图2是本发明第一实施例的相变存储器驱动电路的皮秒脉冲发生器的电路原理图；0020附图3是本发明第一实施例的相变存储器驱动电路皮秒脉冲发生器的仿真输出波形图；0021附图4是本发明第二实施例的相变存储器驱动电路的皮秒脉冲发生器的电路原理图；0022附图5是本发明第二实施例的相变存储器驱动电路皮秒脉冲发生器的仿真输出。
15、说明书CN104157305A3/6页6波形图；0023附图6是本发明第一实施例的相变存储器驱动方法的流程图；0024附图7是本发明第二实施例的相变存储器驱动方法的流程图。具体实施方式0025为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。0026请参阅图1，为本发明实施例的相变存储器驱动电路的结构示意图。本发明实施例的相变存储器驱动电路包括普通脉冲源、控制开关、皮秒脉冲发生器、选通器和相变电阻。普通脉冲源、控制开关相连、皮秒脉冲发生器、选通器和相变电阻依次相连，普通脉冲源。
16、和相变电阻一端分别接地。在本发明实施方式中，皮秒脉冲发生器包括置位皮秒脉冲发生器和复位皮秒脉冲发生器，置位皮秒脉冲发生器和复位皮秒脉冲发生器结构相同，置位皮秒脉冲发生器和复位皮秒脉冲发生器的器件参数不同，分别用于产生皮秒级置位/复位脉冲。0027请一并参阅图2，为本发明第一实施例的相变存储器驱动电路的皮秒脉冲发生器的电路原理图。皮秒脉冲发生器包括耦合电路和阶跃恢复二极管脉冲整形电路。耦合电路用于调节普通脉冲源和阶跃恢复二极管整形电路的阻抗匹配问题，并且控制阶跃恢复二极管的中储存电荷的量。阶跃恢复二极管脉冲整形电路用于将普通脉冲源产生的持续时间较长（大于1NS），幅值较大（大于5V）的脉冲整形成。
17、符合要求的皮秒级（2001000PS）、幅值较小（25V）的置位/复位电流脉冲。0028耦合电路包括第一电阻R1、第二电阻R2和电导L1。第一电阻R1一端接地，另一端与第二电阻R2相连。电导L一端与阶跃恢复二极管脉冲整形电路相连，另一端与第二电阻R2相连。0029阶跃恢复二极管脉冲整形电路包括第一阶跃恢复二极管D1和第二阶跃恢复二极管D2。第一阶跃恢复二极管D1正向端接地，反向端与第二阶跃恢复二极管D2的反向端相连，第二阶跃恢复二极管D2的正向端与选通器相连。0030在本发明实施例的皮秒脉冲发生器的耦合电路中，第一电阻R1、第二电阻R2和电导L1的参数由普通脉冲源和其后的阶跃恢复二极管决定，而。
18、阶跃恢复二极管脉冲整形电路中第一阶跃恢复二极管D1和第二阶跃恢复二极管D2的参数由相变电阻的最小相变脉冲的持续时间和幅值决定。0031本发明第一实施例的相变存储器驱动电路的工作原理为当需要进行置位操作时，控制开关播到置位端，普通脉冲源的微秒级的方波信号经过置位皮秒脉冲发生器转变为皮秒级的置位电流脉冲，耦合电路使得普通脉冲源数千欧姆的输出阻抗与阶跃恢复二极管十几欧姆的输入阻抗相耦合，实现功率的最大传输，而阶跃恢复二极管脉冲整形电路将普通的方波信号整形成需要的皮秒脉冲信号。在本发明实施例中，普通脉冲源的方波信号为122MHZ，可以理解，普通脉冲源也可以选择其他频率的方波信号。0032阶跃恢复二极管。
19、脉冲整形电路中的阶跃恢复二极管参数由公式确定，说明书CN104157305A4/6页7TS为二极管的阶越时间，M为少数载流子寿命，IF为二极管正向电流，IR为反向电流。根据普通脉冲源及相变电阻的最小相变脉冲参数，这里阶跃恢复二极管的少数载流子寿命M为15NS，阶越时间TS为50PS。0033请参阅图3，图3是本发明第一实施例的相变存储器驱动电路的皮秒脉冲发生器的仿真输出波形图。用SPICE（SIMULATIONPROGRAMWITHINTEGRATEDCIRCUITEMPHASIS，电路级模拟程序）根据以上情况进行仿真，输出的皮秒置位脉冲幅值为24V，持续时间为500PS。0034而当要进行复。
20、位操作时，相应的复位脉冲也可以通过同样的方法产生，只是各个电子元件的参数有所变化，普通脉冲源不变，其中阶跃恢复二极管的少数载流子寿命M为10NS，阶越时间TS为70PS。0035用SPICE仿真后得出皮秒复位脉冲幅值为42V，持续时间为335PS。0036请一并参阅图4，为本发明第二实施例的相变存储器驱动电路的皮秒脉冲发生器的电路原理图。皮秒脉冲发生器包括耦合电路、阶跃恢复二极管脉冲整形电路和串联阶跃恢复二极管再整形电路。耦合电路用于调节普通脉冲源和阶跃恢复二极管整形电路的阻抗匹配问题，并且控制阶跃恢复二极管的中储存电荷的量。阶跃恢复二极管脉冲整形电路用于将普通脉冲源产生的持续时间较长（大于1。
21、NS），幅值较大（大于5V）的脉冲整形成符合要求的皮秒级（2001000PS）、幅值较小（25V）的置位/复位电流脉冲。串联阶跃恢复二极管再整形电路对由阶跃恢复二极管脉冲整形电路得到的皮秒脉冲进行再次的整形，使得所得的皮秒脉冲相较于第一实施例中的皮秒脉冲持续时间更短，相应的相变电阻所需要的最小相变脉冲也比第一实施例中的持续时间短。0037耦合电路包括第一电阻R1、第二电阻R2和电导L1。第一电阻R1一端接地，另一端与第二电阻R2相连。电导L一端与阶跃恢复二极管脉冲整形电路相连，另一端与第二电阻R2相连。0038阶跃恢复二极管脉冲整形电路包括第一阶跃恢复二极管D1、第二阶跃恢复二极管D2。第一阶。
22、跃恢复二极管D1正向端接地，反向端与第二阶跃恢复二极管D2的反向端相连，第二阶跃恢复二极管D2的正向端与串联阶跃恢复二极管再整形电路相连。0039串联阶跃恢复二极管再整形电路包括第三电阻R3和第三阶跃恢复二极管D3，第三电阻R3一端接地，另一端分别连接第二阶跃恢复二极管D2的正向端、第三阶跃恢复二极管D3的正向端，第三阶跃恢复二极管D3的反向端与选通器相连。0040在本发明实施例的皮秒脉冲发生器的耦合电路中，第一电阻R1、第二电阻R2和电导L1的参数由普通脉冲源和其后的阶跃恢复二极管决定，而阶跃恢复二极管脉冲整形电路中第一阶跃恢复二极管D1、第二阶跃恢复二极管D2、第三电阻R3和第三阶跃恢复二。
23、极管D3的参数由相变电阻的最小相变脉冲的持续时间和幅值决定。0041本发明第二实施例的相变存储器驱动电路的工作原理为与第一实施例相同，在置位皮秒脉冲发生器内，采用少数载流子寿命M为15NS，阶越时间TS为50PS的阶跃恢复二极管。0042同样的，对于复位皮秒脉冲发生器，电路采用相同的结构，只是其阶跃恢复二极管的参数变为少数载流子寿命M为10NS，阶越时间TS为70PS。0043请一并参阅图5，图5是本发明第二实施例的相变存储器驱动电路皮秒脉冲发生说明书CN104157305A5/6页8器的仿真输出波形图。用SPICE进行仿真，置位脉冲幅值为24V，持续时间420PS；复位脉冲幅值42V，持续时。
24、间250PS。0044请参阅图6，是本发明第一实施例的相变存储器驱动方法的流程图。本发明第一实施例的相变存储器驱动方法包括0045步骤100通过控制开关进行相应的操作；0046在步骤100中，通过控制开关进行相应的操作包括选择置位操作或复位操作。0047步骤110普通脉冲源产生微秒级的方波信号；0048在步骤110中，普通脉冲源的方波信号为122MHZ，可以理解，普通脉冲源也可以选择其他频率的方波信号。0049步骤120通过耦合电路使普通脉冲源的输出阻抗与阶跃恢复二极管的输入阻抗相耦合；0050在步骤120中，普通脉冲源的输出阻抗为数千欧姆，阶跃恢复二极管的输入阻抗为数十欧姆。耦合电路包括第一。
25、电阻R1、第二电阻R2和电导L1。第一电阻R1一端接地，另一端与第二电阻R2相连。电导L一端与阶跃恢复二极管脉冲整形电路相连，另一端与第二电阻R2相连。0051步骤130阶跃恢复二极管脉冲整形电路将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲。0052在步骤130中，普通脉冲源产生的脉冲持续时间大于1NS，幅值大于5V，阶跃恢复二极管脉冲整形电路整形后的置位/复位电流脉冲持续时间为2001000PS，幅值为25V。阶跃恢复二极管脉冲整形电路包括第一阶跃恢复二极管D1和第二阶跃恢复二极管D2。第一阶跃恢复二极管D1正向端接地，反向端与第二阶跃恢复二极管D2的反向端相连，第二阶跃恢复二极管。
26、D2的正向端与选通器相连。0053请参阅图7，是本发明第二实施例的相变存储器驱动方法的流程图。本发明第一实施例的相变存储器驱动方法包括0054步骤200通过控制开关进行相应的操作；0055在步骤200中，通过控制开关进行相应的操作包括选择置位操作或复位操作。0056步骤210普通脉冲源产生微秒级的方波信号；0057在步骤210中，普通脉冲源的方波信号为122MHZ，可以理解，普通脉冲源也可以选择其他频率的方波信号。0058步骤220通过耦合电路使普通脉冲源的输出阻抗与阶跃恢复二极管的输入阻抗相耦合；0059在步骤220中，普通脉冲源的输出阻抗为数千欧姆，阶跃恢复二极管的输入阻抗为数十欧姆。耦合。
27、电路包括第一电阻R1、第二电阻R2和电导L1。第一电阻R1一端接地，另一端与第二电阻R2相连。电导L一端与阶跃恢复二极管脉冲整形电路相连，另一端与第二电阻R2相连。0060步骤230阶跃恢复二极管脉冲整形电路将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位/复位电流脉冲；0061在步骤230中，普通脉冲源产生的脉冲持续时间大于1NS，幅值大于5V，阶跃恢复二极管脉冲整形电路整形后的置位/复位电流脉冲持续时间为2001000PS，幅值为说明书CN104157305A6/6页925V。阶跃恢复二极管脉冲整形电路包括第一阶跃恢复二极管D1、第二阶跃恢复二极管D2。第一阶跃恢复二极管D1正向端接地，反向端与第。
28、二阶跃恢复二极管D2的反向端相连，第二阶跃恢复二极管D2的正向端与串联阶跃恢复二极管再整形电路相连。0062步骤240串联阶跃恢复二极管再整形电路对由阶跃恢复二极管脉冲整形电路得到的皮秒脉冲进行再次整形。0063在步骤240中，串联阶跃恢复二极管再整形电路包括第三电阻R3和第三阶跃恢复二极管D3，第三电阻R3一端接地，另一端分别连接第二阶跃恢复二极管D2的正向端、第三阶跃恢复二极管D3的正向端，第三阶跃恢复二极管D3的反向端与选通器相连。0064本发明实施例的相变存储器驱动电路及方法通过阶跃恢复二极管构成的皮秒脉冲发生器输出皮秒级的置位或复位电流脉冲，在不耗费芯片面积的前提下，大幅度提升相变存储器的相变速度，使相变速度达到皮秒量级，大幅降低整个器件的功耗。0065以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。说明书CN104157305A1/4页10图1图2说明书附图CN104157305A102/4页11图3图4说明书附图CN104157305A113/4页12图5图6说明书附图CN104157305A124/4页13图7说明书附图CN104157305A13。