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1、10申请公布号CN104195556A43申请公布日20141210CN104195556A21申请号201410474471622申请日20140917C23F1/2820060171申请人中国电子科技集团公司第五十四研究所地址050081河北省石家庄市中山西路589号第五十四所微组装中心72发明人党元兰赵飞刘晓兰徐亚新梁广华朱二涛严英占唐小平杨宗亮王康刘志斌周拥华李朝刘颖74专利代理机构河北东尚律师事务所13124代理人王文庆54发明名称一种湿法刻镍溶液57摘要本发明公开了薄膜电路基板制造中的一种湿法刻镍溶液，包含三氯化铁、弱酸、过氧化物促进剂和去离子水。采用本发明的刻镍溶液，刻镍侧腐蚀较。
2、小，溶液对薄膜陶瓷基板、LTCC基板、石英基板和硅基板等无刻蚀现象，对钛钨膜层、金膜层等几乎无影响。51INTCL权利要求书1页说明书2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页10申请公布号CN104195556ACN104195556A1/1页21一种湿法刻镍溶液，其特征在于按重量百分比包括三氯化铁210、弱酸515、过氧化物促进剂15，余量为去离子水。2根据权利要求1所述的一种湿法刻镍溶液，其特征在于三氯化铁35、弱酸712、过氧化物促进剂14，余量为去离子水。3根据权利要求1或2所述的一种湿法刻镍溶液，其特征在于所述的弱酸为醋酸或柠檬酸。4根据权利要求1。
3、或2所述的一种湿法刻镍溶液，其特征在于所述的过氧化物促进剂为过氧醋酸或过氧化氢。权利要求书CN104195556A1/2页3一种湿法刻镍溶液技术领域0001本发明涉及薄膜电路基板制造中的金属膜层湿法刻蚀领域，特别涉及一种湿法刻镍溶液。背景技术0002薄膜电路由于具有高面电阻率、低电阻温度系数和高电路稳定性等特点，特别适合可靠性要求高的高速高频电路。随着通信技术向高频化发展，薄膜电路基板作为通信设备中的关键部件，在微波产品中的应用越来越广泛。0003为了提高薄膜电路基板耐金锡共晶和耐铅锡焊接的能力，金属导带常采用钛钨/镍/金膜层体系。在薄膜电路制造过程中，金属导带以外的钛钨、镍、金常采用湿法刻蚀。
4、的方法去除。现有的湿法刻镍溶液要么侧腐蚀较大，要么对基底材料或钛钨及金膜层等有不同程度的影响。发明内容0004本发明的目的在于提供一种侧腐蚀较小，对基地材料、钛钨及金膜层几乎无影响的湿法刻镍溶液。0005本发明的目的是这样实现的，一种湿法刻镍溶液，其特征在于按重量百分比包括三氯化铁28、弱酸515、过氧化物促进剂15，余量为去离子水。0006作为对本发明的进一步改进，三氯化铁35、弱酸712、过氧化物促进剂14，余量为去离子水。0007其中，所述的弱酸为醋酸或柠檬酸。0008其中，所述的过氧化物促进剂为过氧醋酸或过氧化氢。0009本发明与现有技术相比所取得的有益效果为0010现有的湿法刻镍溶液。
5、大多含有强酸，侧腐蚀普遍较大。而且有的刻镍溶液对石英基材、LTCC基材、钛钨膜层、金膜层等有不同程度的影响。不能满足不同基地材料上钛钨/镍/金膜层体系的湿法刻镍质量要求。本发明把三氯化铁和盐酸溶液体系中的盐酸换成弱酸，同时加入适量的过氧化物促进剂，使上述问题得到有效解决。与现有技术相比，取得的有益效果为00111、刻镍侧腐蚀较小；00122、溶液对薄膜陶瓷基板、LTCC基板、石英基板和硅基板无刻蚀现象；00133、溶液对钛钨膜层、金膜层等几乎无影响。具体实施方式0014本发明的一种湿法刻镍溶液，其特征在于按重量百分比包括三氯化铁210、弱酸515、过氧化物促进剂15，余量为去离子水。0015实。
6、施例1、用重量百分比三氯化铁2、醋酸5、过氧醋酸5的配方配制刻镍溶说明书CN104195556A2/2页4液称取23G三氯化铁放入石英杯中；称取100G去离子水加入石英杯中，搅拌溶液使三氯化铁完全溶解；加入57G醋酸并搅拌均匀；加入57G过氧醋酸并搅拌均匀。0016预先在溅镍厚度1M的试片上加工好光刻胶图形，并对光刻胶线条的宽度进行测量。将试片放入刻镍溶液中，待光刻胶以外的镍层刻蚀干净后，取出试片，水洗并用氮气吹干；去除光刻胶，对镍线条的宽度进行测量，并计算出侧腐蚀量。对于厚度1M的镍层，侧腐蚀12M。0017实施例2、用重量百分比三氯化铁3、醋酸8、过氧化氢2的配方配制刻镍溶液称取35G三氯。
7、化铁放入石英杯中；称取100G去离子水加入石英杯中，搅拌溶液使三氯化铁完全溶解；加入92G醋酸并搅拌均匀；加入23G过氧化氢并搅拌均匀。0018预先在溅镍厚度1M的试片上加工好光刻胶图形，并对光刻胶线条的宽度进行测量。将试片放入刻镍溶液中，待光刻胶以外的镍层刻蚀干净后，取出试片，水洗并用氮气吹干；去除光刻胶，对镍线条的宽度进行测量，并计算出侧腐蚀量。对于厚度1M的镍层，侧腐蚀07M。0019实施例3、用重量百分比三氯化铁8、醋酸15、过氧化氢1的配方配制刻镍溶液称取105G三氯化铁放入石英杯中；称取100G去离子水加入石英杯中，搅拌溶液使三氯化铁完全溶解；加入20G醋酸并搅拌均匀；加入15G过。
8、氧化氢并搅拌均匀。0020预先在溅镍厚度1M的试片上加工好光刻胶图形，并对光刻胶线条的宽度进行测量。将试片放入刻镍溶液中，待光刻胶以外的镍层刻蚀干净后，取出试片，水洗并用氮气吹干；去除光刻胶，对镍线条的宽度进行测量，并计算出侧腐蚀量。对于厚度1M的镍层，侧腐蚀137M。0021实施例4、用重量百分比三氯化铁78、柠檬酸148、过氧化氢37的配方配制刻镍溶液称取10G三氯化铁放入石英杯中；称取100G去离子水加入石英杯中，搅拌溶液使三氯化铁完全溶解；加入20G柠檬酸并搅拌均匀；加入15G过氧化氢并搅拌均匀。0022预先在溅镍厚度1M的试片上加工好光刻胶图形，并对光刻胶线条的宽度进行测量。将试片放。
9、入刻镍溶液中，待光刻胶以外的镍层刻蚀干净后，取出试片，水洗并用氮气吹干；去除光刻胶，对镍线条的宽度进行测量，并计算出侧腐蚀量。对于厚度1M的镍层，侧腐蚀15M。0023实施例5、用重量百分比三氯化铁4、柠檬酸12、过氧醋酸24的配方配制刻镍溶液称取5G三氯化铁放入石英杯中；称取100G去离子水加入石英杯中，搅拌溶液使三氯化铁完全溶解；加入15G柠檬酸并搅拌均匀；加入3G过氧醋酸并搅拌均匀。0024预先在溅镍厚度1M的试片上加工好光刻胶图形，并对光刻胶线条的宽度进行测量。将试片放入刻镍溶液中，待光刻胶以外的镍层刻蚀干净后，取出试片，水洗并用氮气吹干；去除光刻胶，对镍线条的宽度进行测量，并计算出侧腐蚀量。对于厚度1M的镍层，侧腐蚀165M。0025实施例6、用上述、刻镍溶液分别浸泡薄膜陶瓷基板、LTCC基板、石英基板、硅基板、钛钨膜层和金膜层各10MIN，刻镍溶液、对薄膜陶瓷基板、LTCC基板、石英基板、硅基板、钛钨膜层和金膜层几乎无影响。说明书CN104195556A。