用于制作薄膜晶体管的方法.pdf

本发明公开了一种用于制作薄膜晶体管的方法，包括：在基底上形成遮光层；在遮光层上形成中间层，中间层包括对应于遮光层的半导体层；在中间层上涂布光阻材料，采用与基底呈第一夹角的光束透过基底来对光阻材料进行照射，形成光阻层，其中，光阻层上具有光阻材料的区域上的光阻材料的厚度从两侧到中心部分逐渐变大；进行离子掺杂处理，以在半导体层中形成对应于光阻层中厚度逐渐变化的光阻材料的区域的离子轻掺杂区，并在半导体层中形成对应于光阻层中无光阻材料区域的离子重掺杂区。本发明可以减小多晶硅薄膜晶体管制作过程中所需的光罩数量，降低生产成本。

1.  一种用于制作薄膜晶体管的方法，包括：
在基底上形成遮光层；
在所述遮光层上形成中间层，所述中间层包括对应于所述遮光层的半导体 层；
在所述中间层上涂布光阻材料，采用与所述基底呈第一夹角的光束透过所述 基底来对光阻材料进行照射，形成光阻层，其中，所述光阻层上具有光阻材料的 区域上的光阻材料的厚度从两侧到中心部分逐渐变大；
进行离子掺杂处理，以在所述半导体层中形成对应于所述光阻层中厚度逐渐 变化的光阻材料的区域的离子轻掺杂区，并在所述半导体层中形成对应于所述光 阻层中无光阻材料区域的离子重掺杂区。

2.  如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光束为平行光束。

3.  如权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述遮光层，将所述第一 夹角设置成使得光束透过所述半导体层的一部分照射到光阻材料上，以使得所述 半导体层被光束透过的部分的宽度与需生成的离子重掺杂区的宽度相等，具有厚 度逐渐变化的光阻材料的区域的宽度大致等于需生成的离子轻掺杂区的宽度。

4.  如权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述光阻层进一步包括以 下步骤：
用与所述基底呈第一夹角的光束透过所述基底和所述半导体层的一部分来 对光阻材料进行第一次照射；
保持所述第一夹角不变，将所述光束的照射方向调整后透过所述基底和所述 半导体层的一部分来对光阻材料进行第二次照射，以使得所述半导体层上被光束 透过的部分上的光阻材料被曝光，被所述遮光层遮挡部分的光阻材料不被曝光， 其中，调整方向之前的光束和调整方向之后的光束在所述基底的同一法平面内。

5.  如权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述中间层包括依次 形成的缓冲层、栅极金属层、栅极绝缘层和所述半导体层。

6.  如权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述中间层包括依次 形成的缓冲层和所述半导体层。

7.  如权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述中间层包括依次 形成的缓冲层、所述半导体层、栅极绝缘层和栅极金属层。

8.  一种用于制作薄膜晶体管的方法，包括：
在基底上形成遮光层；
在所述遮光层上形成中间层，所述中间层包括对应于所述遮光层的半导体 层，其中，形成所述半导体层时，采用与所述基底呈第二夹角的光束透过所述基 底来对涂布在半导体材料上的第一光阻材料进行照射；
在所述中间层上涂布第二光阻材料并进行曝光来形成光阻层，其中，所述光 阻层上具有第二光阻材料的区域上的第二光阻材料的厚度从两侧到中心部分发 生变化；
进行离子掺杂处理，以在所述半导体层中形成对应于所述光阻层中厚度变化 的第二光阻材料的区域的离子轻掺杂区，并在所述半导体层中形成对应于所述光 阻层中无第二光阻材料区域的离子重掺杂区。

9.  如权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述光阻层的步骤进一步 包括：
采用与所述基底呈第三夹角的光束透过所述基底来对第二光阻材料进行照 射，形成所述光阻层，其中，所述光阻层上具有第二光阻材料的区域上的第二光 阻材料的厚度从两侧到中心部分逐渐变大。

10.  一种用于制作薄膜晶体管的方法，包括：
在基底上形成遮光层；
在所述遮光层上形成中间层，所述中间层包括对应于所述遮光层的半导体层 且所述中间层的最上层为所述半导体层，其中，形成所述半导体层时，采用与所 述基底呈第二夹角的光束透过所述基底来对涂布在半导体材料上的第一光阻材 料进行照射形成第一光阻层；
将光束与基底之间的夹角调整为第四夹角后透过所述基底来对第一光阻层 进行照射，进而形成第二光阻层，其中，所述第二光阻层上具有第一光阻材料的 区域上的第一光阻材料的厚度从两侧到中心部分逐渐变大；
进行离子掺杂处理，以在所述半导体层中形成对应于所述第二光阻层中厚度 变化的第一光阻材料的区域的离子轻掺杂区，并在所述半导体层中形成对应于所 述第二光阻层中无第一光阻材料区域的离子重掺杂区。

用于制作薄膜晶体管的方法
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管制作技术领域，具体地说，涉及一种低温多晶硅薄 膜晶体管的制作方法。
背景技术
随着具有超高载流子迁移率的LTPS(低温多晶硅)半导体技术的发展，采 用LTPS的器件被广泛用于液晶面板的像素设计当中。在现有的LTPS工艺流程 中，形成LS层(遮光层)、Poly层(多晶硅层)和LDD层(低掺杂漏极区)都 各需要一道额外的光罩。然而，随着工艺复杂度的增高和光罩数量的增加，采用 现有的LTPS工艺方法会使产品的成本增高、良率降低。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种用于制作薄膜晶体管的方法，用以减少 多晶硅薄膜晶体管制作过程中所需的光罩数量，降低生产成本。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于制作薄膜晶体管的方法，包括：
在基底上形成遮光层；
在所述遮光层上形成中间层，所述中间层包括对应于所述遮光层的半导体 层；
在所述中间层上涂布光阻材料，采用与所述基底呈第一夹角的光束透过所述 基底来对光阻材料进行照射，形成光阻层，其中，所述光阻层上具有光阻材料的 区域上的光阻材料的厚度从两侧到中心部分逐渐变大；
进行离子掺杂处理，以在所述半导体层中形成对应于所述光阻层中厚度逐渐 变化的光阻材料的区域的离子轻掺杂区，并在所述半导体层中形成对应于所述光 阻层中无光阻材料区域的离子重掺杂区。
根据本发明的一个实施例，所述光束为平行光束。
根据本发明的一个实施例，基于所述遮光层，将所述第一夹角设置成使得光 束透过所述半导体层的一部分照射到光阻材料上，以使得所述半导体层被光束透 过的部分的宽度与需生成的离子重掺杂区的宽度相等，具有厚度逐渐变化的光阻 材料的区域的宽度大致等于需生成的离子轻掺杂区的宽度。
根据本发明的一个实施例，形成所述光阻层进一步包括以下步骤：
用与所述基底呈第一夹角的光束透过所述基底和所述半导体层的一部分来 对光阻材料进行第一次照射；
保持所述第一夹角不变，将所述光束的照射方向调整后透过所述基底和所述 半导体层的一部分来对光阻材料进行第二次照射，以使得所述半导体层上被光束 透过的部分上的光阻材料被曝光，被所述遮光层遮挡部分的光阻材料不被曝光， 其中，调整方向之前的光束和调整方向之后的光束在所述基底的同一法平面内。
根据本发明的一个实施例，所述中间层包括依次形成的缓冲层、栅极金属层、 栅极绝缘层和所述半导体层。
根据本发明的一个实施例，所述中间层包括依次形成的缓冲层和所述半导体 层。
根据本发明的一个实施例，所述中间层包括依次形成的缓冲层、所述半导体 层、栅极绝缘层和栅极金属层。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作薄膜晶体管的方法，包括：
在基底上形成遮光层；
在所述遮光层上形成中间层，所述中间层包括对应于所述遮光层的半导体 层，其中，形成所述半导体层时，采用与所述基底呈第二夹角的光束透过所述基 底来对涂布在半导体材料上的第一光阻材料进行照射；
在所述中间层上涂布第二光阻材料并进行曝光来形成光阻层，其中，所述光 阻层上具有第二光阻材料的区域上的第二光阻材料的厚度从两侧到中心部分发 生变化；
进行离子掺杂处理，以在所述半导体层中形成对应于所述光阻层中厚度变化 的第二光阻材料的区域的离子轻掺杂区，并在所述半导体层中形成对应于所述光 阻层中无第二光阻材料区域的离子重掺杂区。
根据本发明的一个实施例，形成所述光阻层的步骤进一步包括：
采用与所述基底呈第三夹角的光束透过所述基底来对第二光阻材料进行照 射，形成所述光阻层，其中，所述光阻层上具有第二光阻材料的区域上的第二光 阻材料的厚度从两侧到中心部分逐渐变大。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作薄膜晶体管的方法，包括
在基底上形成遮光层；
在所述遮光层上形成中间层，所述中间层包括对应于所述遮光层的半导体层 且所述中间层的最上层为所述半导体层，其中，形成所述半导体层时，采用与所 述基底呈第二夹角的光束透过所述基底来对涂布在半导体材料上的第一光阻材 料进行照射形成第一光阻层；
将光束与基底之间的夹角调整为第四夹角后透过所述基底来对第一光阻层 进行照射，进而形成第二光阻层，其中，第二光阻层上具有第一光阻材料的区域 上的第一光阻材料的厚度从两侧到中心部分逐渐变大；
进行离子掺杂处理，以在所述半导体层中形成对应于所述第二光阻层中厚度 变化的第一光阻材料的区域的离子轻掺杂区，并在所述半导体层中形成对应于所 述第二光阻层中无第一光阻材料区域的离子重掺杂区。
本发明的有益效果：
本发明可以减小多晶硅薄膜晶体管制作过程中所需的光罩数量，降低生产成 本。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书 中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过 在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例 或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍：
图1是根据本发明的一个实施例的方法流程图；
图2a是根据本发明的一个实施例的对半导体层上的光阻材料进行曝光的示 意图；
图2b是去除图2a中曝光的光阻材料后对半导体层进行离子重掺杂处理的示 意图；
图3是根据本发明的一个实施例的对半导体层进行离子重掺杂处理的示意 图；
图4a是根据本发明的一个实施例的对低温多晶硅层上的光阻材料进行曝光 的示意图；以及
图4b是去除图4a中曝光的光阻材料并对低温多晶硅层蚀刻后形成半导体层 的示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何 应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实 施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的 各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
第一实施例
如图1所示为根据本发明的一个实施例的方法流程图，以下参考图1来对本 发明所述的方法进行详细说明。
首先，从步骤S110开始，在基底上形成遮光层。该遮光层可以防止外界光 线照射薄膜晶体管，从而减小薄膜晶体管的漏电流。
在该步骤中，首先在基底上涂布一层遮光材料，遮光材料的基本材质为铬金 属、丙烯树脂或黑色树脂等；然后对这层遮光材料进行处理形成具有多个间隔区 域的遮光层。其中，间隔区域的遮光材料被去除，外界光线可以通过该区域穿过 遮光层。
接下来，在步骤S120中，在遮光层上形成中间层，该中间层包括对应遮光 层的半导体层。在该步骤中，基于不同的工艺流程和不同结构的薄膜晶体管，中 间层可以具有不同的结构。
在本发明的一个实施例中，在顶栅结构的薄膜晶体管中，中间层包括依次形 成的缓冲层和半导体层。以下以该中间层为例来对步骤S120进行详细说明。
首先，在遮光层上沉积一层氮化硅形成氮化硅层，然后在该氮化硅层上沉积 一层氧化硅形成氧化硅层。氮化硅层和氧化硅层共同构成缓冲层。缓冲层可以屏 蔽基底上缺陷的影响，防止基底上的杂质如金属离子等扩散并渗透到之后形成的 其他材料层中，从而避免由此引起的各种器件不良。
接下来，在缓冲层上采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)法沉积本征a-Si层(非晶硅层)；之 后对a-Si层进行脱氢处理；然后采用ELA(准分子激光退火)或SLC(连续横向 晶化)等工艺将非晶硅a-Si转变为低温多晶硅Poly。然后在该低温多晶硅层上涂 布光阻材料，采用常规的顶部曝光等工艺形成半导体层。
该半导体层上具有低温多晶硅材料的区域呈硅岛排布。如图2a所示，在基底 1上形成遮光层2，在遮光层2上形成包括氮化硅层31和氧化硅层32的缓冲层3， 在缓冲层3上形成半导体层，半导体层上的低温多晶硅呈硅岛41排布。其中， 遮光层上具有遮光材料部分的宽度大于硅岛的宽度，以使得薄膜晶体管在使用 时，遮光层能完全遮挡从背光侧直射到硅岛上的光线。
形成中间层后，在接下来的步骤S130中，在中间层上涂布光阻材料，并采 用与基底成第一夹角的光束透过基底对光阻材料进行照射来形成光阻层。其中， 通过遮光层上的遮光材料形成光阻层上具有光阻材料的区域，并且光阻材料的区 域上的光阻材料的厚度从两侧到中心部分逐渐变大。
在该步骤中形成光阻层时，首先，在中间层上涂布一层光阻材料形成光阻材 料层5，如图2a所示。
接下来，对该层光阻材料进行曝光处理，此处采用的曝光光束设置于基底的 背光侧，即将光束透过基底来对光阻材料进行照射。如图2a所示，光束位于基底 1的下侧，光束透过基底1对光阻材料进行照射。
为避免不同光源产生的光束相互之间的干扰，在本发明的一个实施例中，采 用同一光源来产生曝光光束。为使得照射不同位置处的光阻材料时，光束具有相 同的照射角度，同一光源产生的光束经过处理形成平行光束，如图2a所示。
在光源产生一组平行光束对光阻材料进行照射时，可通过两次曝光过程形成 光阻层。首先，用与基底呈第一夹角的光束透过基底和部分半导体层来对光阻材 料进行第一次照射。此处的夹角与需生成的离子重掺杂区的宽度和需生成的离子 轻掺杂区的宽度有关。与遮光层配合，该夹角的光束能透过部分半导体层。如图 2a所示，在该夹角下，硅岛41上光束81左侧的光阻材料被曝光，右侧的光阻材 料由于被遮光层上的遮光材料遮挡而未被曝光。半导体层上的其他硅岛曝光过程 类似。
接下来，保持该夹角不变，调整光束的照射方向。调整照射方向后的光束82 透过基底来对光阻材料进行第二次照射。调整方向之前的光束81和调整方向之 后的光束82在基底的同一法平面内，这样，就可以在硅岛的两侧形成相同的曝 光图案。
对光阻材料进行曝光后，接下来在步骤S140中，去除受到曝光的光阻材料 形成光阻层51，如图2b所示。半导体层上透过光束的部分上的光阻材料被去除。 由于光束倾斜照射光阻材料，使得保留下来的未曝光的光阻材料的厚度从两侧的 侧部512到中心部分511逐渐增大，光阻材料区域的两个侧部呈坡面。光阻层上 具有光阻材料的区域的截面如图2b所示，该截面为一等腰梯形。通过调整光束 与基底之间的夹角，就可以控制半导体层上透过光束的部分的宽度，进而控制侧 部512的宽度和中心部分511的宽度。在形成遮光层、缓冲层、半导体层后，半 导体层上透过光束的部分的宽度也确定时，光束与基底之间的夹角即确定。此时， 图2b中的硅岛41上的光阻材料的两侧坡面的角度也即确定。
通过处理可以从同一光源中同时产生两组平行光束来对光阻材料进行照射。 两组平行光束与基底的夹角相同，并且两组平行光束在基底的同一法平面内。这 样，只需通过一次曝光就可以产生如图2b所示的光阻层51。
最后，在步骤S150中，进行离子重掺杂处理，从而在半导体层中形成对应 于光阻材料厚度变化区域的离子轻掺杂区，对应于无光阻材料区域的离子重掺杂 区，如图2b所示。其中，N+表示离子重掺杂区，N-表示离子轻掺杂区。此处以 N型离子植入为例进行说明，但不限于N型离子。
半导体层中形成对应于无光阻材料区域的离子重掺杂区(用于作为薄膜晶体 管的源漏区)。半导体层中形成对应于光阻材料区域的侧部512的离子轻掺杂区 (用于作为薄膜晶体管的LDD区)。半导体层形成对应于光阻材料区域中心部 分511的沟道区。由于光阻材料区域侧部512的光阻材料厚度逐渐变化，所以， 半导体层对应此处形成具有浓度梯度的LDD区。由于轻掺杂区的离子浓度由离 子植入浓度和光阻材料的厚度共同决定，所以，通过调整离子植入浓度，可以在 厚度逐渐变化的光阻材料的区域形成所需浓度梯度的LDD区，使得具有厚度逐 渐变化的光阻材料的区域的宽度大致等于LDD区的宽度。当离子植入浓度较小 或光阻材料厚度较大时，掺杂离子只能植入厚度逐渐变化的光阻材料的区域的一 部分，此时，具有厚度逐渐变化的光阻材料的区域的宽度一般会大于LDD区的 宽度。
在本发明的一个实施例中，在顶栅结构的薄膜晶体管中，中间层还可以包括 依次形成的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层和栅极金属层。在这种情况下，在形 成的栅极金属层上涂布一层光阻材料，然后采用与以上类似的背部曝光方法产生 光阻层51。形成的光阻层51包括中心部分511和由该中心部分向两侧延伸的光 阻材料厚度逐渐减小的侧部512。最后，进行高浓度离子植入，以在半导体层中 形成对应于光阻层的光阻材料厚度变化区域的离子轻掺杂区，对应于无光阻材料 区域的离子重掺杂区，如图3所示。其中，在半导体层上形成栅极绝缘层6，在 栅极绝缘层6上形成栅极金属层7，栅极金属层7上形成光阻层51。
在本发明的一个实施例中，在底栅结构的薄膜晶体管中，中间层包括依次形 成的缓冲层、栅极金属层、栅极绝缘层和半导体层。在这种情况下，在形成的半 导体层上涂布一层光阻材料，然后采用与以上类似的曝光方法产生光阻层51。
采用以上曝光方法产生光阻层51时，半导体层上硅岛两侧透过光束的宽度 与需生成的离子重掺杂区的宽度相等。光阻层51的侧部512的光阻材料厚度变 化区域的宽度与需生成的离子轻掺杂区的宽度相等，该区域的宽度可以通过调整 光束与基底之间的夹角实现。中心部分511为薄膜晶体管的沟道区，此处不需进 行离子掺杂处理，所以中心部分的光阻材料厚度要满足离子不能植入的要求。
通过以上方式形成半导体层中的轻重掺杂区时，不需要一道额外的光罩，从 而降低了光罩的使用数量，降低了产品的成本。
第二实施例
在本发明的一个实施例中，还提供了一种形成薄膜晶体管的方法。在该方法 中，在基底上依次形成遮光层和包括对应于遮光层的半导体层的中间层，其中， 形成半导体层也可以采用背部曝光的方法。
如图4a所示，在基底1上依次形成遮光层2和缓冲层3；然后在缓冲层3上 沉积半导体材料并进行处理以形成低温多晶硅层4；接着，在该低温多晶硅层4 上涂布一层第一光阻材料，形成光阻材料层5；接下来，对这层光阻材料进行曝 光处理，曝光处理采用的为与基底呈第二夹角的光束透过基底来对第一光阻材料 进行照射，以形成第一光阻层52。此处，通过该夹角的光束与遮光层的配合，形 成所需宽度的硅岛41，进行形成半导体层，如图4b所示。
在底栅结构的薄膜晶体管中，中间层包括依次形成的缓冲层、栅极金属层、 栅极绝缘层和半导体层，以及在顶栅结构的薄膜晶体管中，中间层包括依次形成 的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层和栅极金属层，这两种结构中的半导体层均可 以采用背部曝光的方式形成。半导体层之外的其他层可以采用常规的曝光方式形 成。
接下来，在中间层上涂布第二光阻材料并进行常规顶部曝光方式来形成第二 光阻层，其中，具有第二光阻材料的区域上的第二光阻材料的厚度从两侧到中心 部分发生变化。
最后，进行离子重掺杂处理，在半导体层中形成对应于第二光阻层中厚度变 化的第二光阻材料的区域的离子轻掺杂区，并在半导体层中形成对应于第二光阻 层中无第二光阻材料区域的离子重掺杂区。
当然，此处可以采用第一实施例中的背部曝光方式形成第二光阻层，即用与 基底呈第三夹角的光束透过基底来对第二光阻材料进行照射形成光阻层。此处的 第三夹角与需生成的离子重掺杂区和离子轻掺杂区有关。在中间层结构相同的情 况下，第三夹角与第一实施例中的第一夹角相同。在这种曝光方式下，形成的第 二光阻层上的第二光阻材料的区域上的第二光阻材料的厚度从两侧到中心部分 逐渐发生变化。这样既可以省去形成半导体层的光罩，又可以省去形成半导体层 中的轻重掺杂区的光罩，从而降低生产成本。
第三实施例
在本发明的一个实施例中，还提供了一种形成薄膜晶体管的方法。首先，在 基底上依次形成遮光层和包括对应于遮光层的半导体层的中间层。其中，形成半 导体层时采用第二实施例中的背部曝光的方法，采用与基底呈第二夹角的光束透 过基底来对涂布在半导体材料上的第一光阻材料进行照射形成第一光阻层。
在该方法中，当中间层的最上层为对应于遮光层的半导体层时，保留第一光 阻层，然后调整背部光束与基底之间夹角为第四夹角后透过基底来对第一光阻层 进行照射，进而形成第二光阻层。调整后的夹角要小于调整之前的角度，以使得 曝光光束能透过部分半导体层，从而形成与图2b相同的光阻层图案。调整之前 的夹角与所需形成硅岛的宽度有关，调整之后的夹角与需生成的离子重掺杂区的 宽度和需生成的离子轻掺杂区的宽度有关。在中间层结构相同的情况下，第四夹 角与第一实施例中的第一夹角相同。
最后，进行离子重掺杂处理，以在半导体层中形成对应于第二光阻层中厚度 变化的第一光阻材料的区域的离子轻掺杂区，并在半导体层中形成对应于第二光 阻层中无第一光阻材料区域的离子重掺杂区。
这样，在形成半导体层和半导体层中的离子轻重掺杂区时，都不需要额外的 光罩，从而降低了生产成本。并且，在形成半导体层中的离子轻重掺杂区时，不 需要再涂布一层光阻材料，从而减少了操作步骤，提高了生产效率。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明 而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人 员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节 上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所 界定的范围为准。