一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法.pdf

本发明涉及一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法以及由此形成的版图双图型分解流程，所述方法包括：步骤（a）分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元A和B；步骤（b）首先定义所述填充起始点，从填充起始点开始填充A堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚拟图案；步骤（c）向右转移所述填充起始点，以步骤（b）的填充间隔在所述第一虚拟图案的一侧填充B堆栈单元；步骤（d）向上转移所述填充起始点，以相同的填充间隔在第一虚拟图案的上方填充B堆栈单元；步骤（e）向右上方对角线方向转移填充起始点，以步骤（b）的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元。本方法能够实现双图型（double pattern）自我分解。

1.  一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法，所述方法通过转 移填充起始点填充四次虚拟图案堆栈单元来实现多层堆栈单元中双图型分解 要求层的双图型自我拆分，包括：
步骤（a）分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元 A和B；
步骤（b）执行第一填充步骤，首先定义所述填充起始点，从所述填充起 始点开始填充A堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚拟图案；
步骤（c）执行第二填充步骤，向右转移所述填充起始点，以所述步骤（b） 的填充间隔在所述第一虚拟图案的一侧填充B堆栈单元，得到占全部虚拟图 案1/4的第二堆栈虚拟图案；
步骤（d）执行第三填充步骤，向上转移所述填充起始点，以所述步骤（b） 的填充间隔在所述第一虚拟图案的上方填充B堆栈单元，得到占全部虚拟图 案1/4的第三堆栈虚拟图案；
步骤（e）执行第四填充步骤，向右上方对角线方向转移所述填充起始点， 以步骤（b）的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元，得到第四堆栈虚 拟图案。

2.  根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤（a）中，A 堆栈单元包括所述双图型分解要求层的A子数据类型；B堆栈单元包括所述 双图型分解要求层的B子数据类型；所述A堆栈单元和所述B堆栈单元的其 他设计完全相同。

3.  根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（b）中，填充 堆栈单元之间的填充间隔的距离为X和Y，其中，X=X₁+2X₂，Y=Y₁+2Y₂；
所述X₁为所述原始虚拟图案多层堆栈单元在X轴方向上边长的大小， 所述X₂为所述原始虚拟图案多层堆栈单元X轴方向上的填充间隔；所述Y₁为所述原始虚拟图案多层堆栈单元在Y轴方向上边长的大小，所述Y₂为所述 原始虚拟图案多层堆栈单元Y轴方向上的填充间隔。

4.  根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤（c）和所述 步骤（d）中，所述B堆栈单元的填充间距为X、Y；
在所述步骤（e）所述A堆栈单元的填充间距为X、Y。

5.  根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤（c）中，在 X轴方向上将所述步骤（b）的填充起始点向右移动X₁+X₂的距离，得到第二 填充起始点，从所述第二填充起始点的位置开始以和所述步骤（b）相同的填 充间隔X、Y插入B堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的所述第二堆栈虚 拟图案。

6.  根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤（d）中，在 Y轴方向上将所述步骤（b）的填充起始点向上移动Y₁+Y₂的距离，得到第三 填充起始点，从所述第三填充起始点的位置开始以步骤（b）相同的填充间隔 X、Y插入B堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的所述第三堆栈虚拟图案。

7.  根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤（e）中，首 先将所述步骤（b）的填充起始点沿X轴方向向右移动X₁+X₂的距离，然后 沿Y轴方向向上移动Y₁+Y₂的距离，得到第四填充起始点，从所述第四填充 起始点的位置开始以步骤（b）相同的填充间隔X、Y插入A堆栈单元，得到 剩余的占全部虚拟图案1/4的所述第四堆栈虚拟图案。

8.  一种基于权利要求1至7所述的虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型 分解方法的版图双图型分解方法，所述方法包括：
步骤（I）提供图样版图；
步骤（II）使用自动虚拟图案填充程式插入虚拟图案，在该步骤中选用 权利要求1至7之一所述虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法，以 实现所述多层堆栈虚拟图案中双图型分解要求层的双图型自我分解；
步骤（III）针对所述图样版图中的主图案进行双图型分解；
步骤（IV）输出分解后的版图。

一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种虚拟图案多层堆栈 单元的自我双图型分解方法以及由此形成的版图双图型分解流程。
背景技术
对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置 的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有 技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单 元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密 度的方法来说，已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布 局来减小单元面积。
在半导体器件的制备工艺中，随着器件尺寸的不断缩小，以及采用更加 先进的光刻系统（远紫外线，extreme ultra violet，EUV）的延迟，导致在器 件制备过程中不可避免的要用到双图型（double patterning，DP）技术，在所 述双图型技术中，其中的一个版图设置需要分解（decomposed）为两个多层 堆栈单元，例如根据两个不同的特征（features）进行拆分。
随着半导体技术器件尺寸的不断缩小，当所述半导体器件尺寸缩小至纳 米级别，可制造性设计（Design for Manufacturing，DFM）在半导体工业纳米 设计流程方法学中已变得越来越重要。所述DFM是指以快速提升芯片良率的 生产效率以及降低生产成本为目的，统一描述芯片设计中的规则、工具和方 法，从而更好地控制集成电路向物理晶圆的复制，是一种可预测制造过程中 工艺可变性的设计，使得从设计到晶圆制造的整个过程达最优化。
在所述DFM过程中自动加入虚拟图案（dummy）变得越来越重要，所 述虚拟图案可以帮助改善目标图案的密度分布，使所述器件性能更加均一， 增加平坦化、光刻、蚀刻等工艺的制程能力。
由于双图型（double patterning，DP）技术需要将图层中的所有图型分解 在两张掩膜上，因此数据处理时，自动插入虚拟图案和原始图样图案一样也 需要分解到两个不同的子数据类型上。特别是针对多层堆栈的虚拟图案，所 述多层堆栈的虚拟图案包含有一层或者多层需要双图型分解的图层，所述分 解就更加复杂和花费资源。所述分解的流程图如图1所示，在该方法中首先 得到图样版图，然后根据自动虚拟图案程式插入虚拟图案，如图2a所示。在 插入所述虚拟图案的过程中，首先定义原始虚拟图案多层堆栈单元为堆栈单 元A，然后一次性对整个图样版图插入A堆栈单元形成所需完整的虚拟图案。 填充虚拟图案后，需要对所述虚拟图案以及原始图样版图一起进行双图型分 解，如图2b所示，由于在该过程中所述双分解是同时针对所述原始图样版图 以及新加的自动虚拟图案，造成该分解过程需要占用许多的CPU运行时间、 DP分解许可以及硬件资源，给整个过程带来很大的麻烦。
因此，如何对现有技术中的双图型的分解进行改进，以便消除和减轻上 述运行时间过长、占用许多DP分解许可以及硬件资源等的问题成为目前亟 需解决的问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式 部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所 要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要 求保护的技术方案的保护范围。
本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种虚拟图案多层堆栈 单元的自我双图型分解方法，所述方法通过转移填充起始点填充四次虚拟图 案堆栈单元来实现多层堆栈单元中双图型分解要求层的双图型（double  pattern）自我拆分，包括：
步骤（a）分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元 A和B；
步骤（b）执行第一填充步骤，首先定义所述填充起始点，从所述填充起 始点开始填充A堆栈单元虚拟图案，得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚 拟图案；
步骤（c）执行第二填充步骤，向右转移所述填充起始点，以步骤（b） 的填充间隔在所述第一虚拟图案的一侧填充B堆栈单元,得到占全部虚拟图案 1/4的第二堆栈虚拟图案；
步骤（d）执行第三填充步骤，向上转移所述填充起始点，以相同填充间 隔在所述第一虚拟图案的上方填充B堆栈单元,得到占全部虚拟图案1/4的第 三堆栈虚拟图案；
步骤（e）执行第四填充步骤，向右上方对角线方向转移所述填充起始点， 以步骤（b）的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元，得到第四堆栈虚 拟图案。
作为优选，在所述步骤（a）中，A堆栈单元包括所述某一双图型分解要 求层的A子数据类型(Data Type);B堆栈单元包括所述某一双图型分解要求层 （同A相同的主GDS No.）的B子数据类型;堆栈单元的其他设计完全相同。
作为优选，所述步骤（b）中，填充堆栈单元之间的填充间隔为为X和 Y，填充起始点其中，X=X₁+2X₂，Y=Y₁+2Y₂，所述X₁为所述原始虚拟图案 多层堆栈单元在X轴方向上边长的大小，所述X₂为所述原始虚拟图案多层堆 栈单元X轴方向上的填充间隔；所述Y₁为所述原始虚拟图案多层堆栈单元在 Y轴方向上边长的大小，所述Y₂为所述原始虚拟图案多层堆栈单元Y轴方向 上的填充间隔。
作为优选，在所述步骤（c）和所述步骤（d）中，所述B堆栈单元的填 充间距为X、Y；
在所述步骤（e）所述A堆栈单元的填充间距为X、Y。
作为优选，在所述步骤（c）中，在X轴方向上将所述步骤（b）的填充 起始点向右移动X₁+X₂的距离，得到第二填充起始点，从所述第二填充起始 点的位置开始以和步骤（b）相同的填充间隔X、Y插入B堆栈单元,得到占 全部虚拟图案1/4的所述第二堆栈虚拟图案。
作为优选，在所述步骤（d）中，在Y轴方向上将所述步骤（b）的填充 起始点向上移动Y₁+Y₂的距离，得到第三填充起始点，从所述第三填充起始 点的位置开始以步骤（b）相同的填充间隔X、Y插入B堆栈单元,得到占全 部虚拟图案1/4的所述第三堆栈虚拟图案。
作为优选，在所述步骤（e）中，首先将所述步骤（b）的填充起始点沿 X轴方向向右移动X₁+X₂的距离，然后沿Y轴方向向上移动Y₁+Y₂的距离， 得到第四填充起始点，从所述第四填充起始点的位置开始以步骤（b）相同的 填充间隔X、Y插入A堆栈单元,得到剩余的占全部虚拟图案1/4的所述第四 堆栈虚拟图案。
本发明通过以上所述的虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法形 成了一种新的版图双图型分解流程，所述流程包括：
步骤（I）提供图样版图；
步骤（II）使用自动虚拟图案填充程式插入虚拟图案，在该步骤中选用 上述虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法，以实现所述多层堆栈虚 拟图案中双图型分解要求层的双图型（double pattern）自我分解；
步骤（III）只需针对所述图样版图中的主图案（drawing layout）进行传 统的使用电子设计自动化厂商软件许可（EDA vendor license）的双图型分解；
步骤（IV）输出分解后的版图。
在本发明中提供了一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法， 所述方法通过转移填充起始点填充四次虚拟图案堆栈单元来实现多层堆栈单 元中双图型分解要求层的双图型（double pattern）自我拆分。
本发明提供了一种独立的针对所述虚拟图案堆栈的双图型分解方法，在 所述方法中通过4个填充步骤，在每个填充步骤中填充1/4的虚拟图案，实 现和现有技术中同样的双图型分解结果。所述方法直接并且简化的对一个虚 拟图案堆栈中双图型分解要求层自动填充两个新的多层堆栈单元A和B，并 不需要其他特殊的分解，节省了时间和资源。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示 出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，
图1为现有技术中对版图(包括主图案和虚拟图案堆栈单元图案)进行双 图型分解的方法流程图；
图2a-2b为现有技术中对虚拟图案堆栈单元进行分解的结构示意图；
图3a-3d为本发明一具体地实施方式中对虚拟图案堆栈单元进行分解的 结构示意图；
图4为本发明一具体地实施方式中使用本发明的虚拟图案多层堆栈单元 的自我双图型分解方法形成的一种新的版图双图型分解流程图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的 理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个 或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆， 对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应予以注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施例，而非意 图限制根据本发明的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明 确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在 本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、 步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整 体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
现在，将参照附图更详细地描述根据本发明的示例性实施例。然而，这 些示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这 里所阐述的实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公 开彻底且完整，并且将这些示例性实施例的构思充分传达给本领域普通技术 人员。在附图中，为了清楚起见，使用相同的附图标记表示相同的元件，因 而将省略对它们的描述。
本发明中为了解决现有技术中双图型分解过程需要占用过多的CPU运 行时间、DP分解许可以及硬件资源的问题，提供了一种虚拟图案多层堆栈单 元的自我双图型分解方法，包括：
步骤（a）分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元 A和B；
步骤（b）执行第一填充步骤，首先定义所述填充起始点，从所述填充起 始点开始填充A堆栈单元虚拟图案，得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚 拟图案；
步骤（c）执行第二填充步骤，向右转移所述填充起始点，以步骤（b） 的填充间隔在所述第一虚拟图案的一侧填充B堆栈单元,得到占全部虚拟图案 1/4的第二堆栈虚拟图案；
步骤（d）执行第三填充步骤，向上转移所述填充起始点，以相同的填充 间隔在所述第一虚拟图案的上方填充B堆栈单元,得到占全部虚拟图案1/4的 第三堆栈虚拟图案；
步骤（e）执行第四填充步骤，向右上方对角线方向转移所述填充起始点， 以步骤（b）的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元，得到第四堆栈虚 拟图案。
本发明通过以上所述的虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法形 成了一种新的版图双图型分解流程，如图4所示，所述流程包括：
步骤（I）提供图样版图；
步骤（II）使用自动虚拟图案填充程式插入虚拟图案，在该步骤中选用 上述虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法，以实现所述多层堆栈虚 拟图案中双图型分解要求层的双图型（double pattern）自我分解；
步骤（III）只需针对所述图样版图中的主图案（drawing layout）进行传 统的使用电子设计自动化厂商软件许可（EDA vendor license）的双图型分解；
步骤（IV）输出分解后的版图。
其中，所述步骤（II）中对虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方 法包括：
步骤（a）分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元 A和B；
步骤（b）执行第一填充步骤，首先定义所述填充起始点，从所述填充起 始点开始填充A堆栈单元虚拟图案，得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚 拟图案；
步骤（c）执行第二填充步骤，向右转移所述填充起始点，以步骤（b） 的填充间隔在所述第一虚拟图案的一侧填充B堆栈单元,得到占全部虚拟图案 1/4的第二堆栈虚拟图案；
步骤（d）执行第三填充步骤，向上转移所述填充起始点，以相同的填充 间隔在所述第一虚拟图案的上方填充B堆栈单元,得到占全部虚拟图案1/4的 第三堆栈虚拟图案；
步骤（e）执行第四填充步骤，向右上方对角线方向转移所述填充起始点， 以步骤（b）的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元，得到第四堆栈虚 拟图案。
下面结合附图以及实施例对本发明的一种虚拟图案堆栈单元自我分解的 方法作进一步的说明。
实施例1
本发明提供了一种版图双图型分解方法，所述方法包括：
步骤（I）提供图样版图；
步骤（II）使用自动虚拟图案填充程式插入虚拟图案，在该步骤中对所 述多层堆栈虚拟图案中双图型分解要求层进行双图型（double pattern）自我 分解；
步骤（III）只需针对所述图样版图中的主图案（drawing layout）进行传 统的使用电子设计自动化厂商软件许可（EDA vendor license）的双图型分解；
步骤（IV）输出分解后的版图。
在该方法中所述多层堆栈虚拟图案自我分解为一个独立的步骤，和后续 步骤中所述图样图案自我分解分开，和现有技术相比为两个独立的步骤：步 骤（II）和步骤（III），从而缓解了现有技术中虚拟图案以及原始图样图案同 时分解过程中需要占用过多的CPU运行时间、DP分解许可以及硬件资源的 问题，提高了分解效率。
下面针对步骤（II）做进一步详细的说明，所述步骤（II）包括：
步骤（a）分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元 A和B；
在该步骤中，A堆栈单元包括所述某一双图型分解要求层的A子数据类 型(Data Type)；B堆栈单元包括所述某一双图型分解要求层（同A相同的主 GDS No.）的B子数据类型；堆栈单元的其他设计完全相同。
步骤（b）执行第一填充步骤，首先定义所述填充起始点，例如图3a中 箭头所指地方为所述填充起始点，从所述填充起始点开始填充A堆栈单元， 得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚拟图案。
作为优选，所述第一堆栈虚拟图案中的每个A堆栈单元之间的间距为X、 Y，其中，X=X₁+2X₂，Y=Y₁+2Y₂，所述X₁为所述原始虚拟图案多层堆栈单 元在X轴方向上边长的大小，所述X₂为所述原始虚拟图案多层堆栈单元X 轴方向上的填充间隔；所述Y₁为所述原始虚拟图案多层堆栈单元在Y轴方向 上边长的大小，所述Y₂为所述原始虚拟图案多层堆栈单元Y轴方向上的填充 间隔。
作为优选，所述填充起始点为第一虚拟图案开始填充的地方，一般在所 述虚拟图案左下角，如图3a中箭头所指的圆点。当然所述填充起始点还可以 设置在所述第一虚拟图案的左上角，并不仅仅局限于某一点，根据虚拟图案 插入情况进行选择，但是需要说明的是对于第一虚拟图案来说，所述填充起 始点必须统一，例如均位于所述第一虚拟图案的左下角或者左上角。
在插入A堆栈单元之后，在所述A堆栈单元上方或者下方、一侧或者每 四个第一虚拟图案中心的位置均可以进一步的插入另外的堆栈单元。例如在 步骤（c）中，在所述A堆栈单元的一侧填充B堆栈单元，得到第二堆栈虚 拟图案，如图3b所示。
步骤（c）执行第二填充步骤，向右转移所述填充起始点，以在所述第一 虚拟图案的一侧填充B堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的第二堆栈虚拟 图案。
在该步骤中在X轴方向上，所述A堆栈单元虚拟图案的一侧填充B堆 栈单元，所述A堆栈单元的虚拟图案之间的距离为X₁+2X₂，当插入边长为 X1的B堆栈单元虚拟图案之后，所述A堆栈单元之间的空间被填充，在X 轴方向上，由于所述A堆栈单元间隔设置和所述B堆栈单元间隔设置，使所 述A堆栈单元和所述B堆栈单元相邻设置，两者之间的距离为X₂，实现了A 堆栈单元一侧的完全填充。
具体地，在该步骤中，在X轴方向上将所述填充起始点移动X₁+X₂的距 离，得到第二填充起始点，如图3b中的箭头所指的矩形块所示，从所述第二 填充起始点的位置开始以间距X、Y插入B堆栈单元，得到第二堆栈虚拟图 案。
在步骤（d）中，执行第三填充步骤，向上转移所述填充起始点，以在所 述第一虚拟图案的上方填充B堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的第三堆 栈虚拟图案。
在该步骤中在Y轴方向上，在所述A堆栈单元上方或者下方插入B堆 栈单元，得到第三堆栈虚拟图案，所述A堆栈单元之间的距离为Y₁+2Y₂，当 插入边长为Y₁的B堆栈单元之后，所述在Y轴方向上所述A堆栈单元和所 述B堆栈单元之间的距离为Y₂，实现了A堆栈单元上方的完全填充。
具体地，在该步骤中，在Y轴方向上将所述填充起始点移动Y₁+Y₂的距 离，得到第三填充起始点，如图3c中箭头所指的三角形的图案所示，从所述 第三填充起始点的位置开始以间距X、Y插入B堆栈单元，得到第三堆栈虚 拟图案。
步骤（e）执行第四填充步骤，向右上方对角线方向转移所述填充起始点， 以步骤（b）的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元，得到第四堆栈虚 拟图案。
其中，在该步骤中在插入所述第一堆栈虚拟图案、第二堆栈虚拟图案以 及第三堆栈虚拟图案之后，仅在所述第二堆栈虚拟图案的B堆栈单元上方、 所述第三堆栈虚拟图案的B堆栈单元一侧留有空间，而且所述空间仅能插入 一个堆栈单元，在该空间内插入A堆栈单元，以实现所有虚拟图案的填充。
具体地，首先在X轴方向上将所述填充起始点移动X₁+X₂的距离，然后 在Y轴上继续移动Y₁+Y₂的距离，得到第四填充起始点，如图3d中箭头所 指的十字形的图案所示，从所述第四填充起始点的位置开始以间距X、Y插 入A堆栈单元，得到第四堆栈虚拟图案。
作为其他的实施方法，在该步骤中还可以选用其他的插入方法，例如直 接以所述第二填充起始点为基础，将所述第二填充起始点在Y轴方向上移动 Y₁+Y₂的距离，得到第四填充起始点，在所述第四填充起始点的位置插入A 堆栈单元，得到第四堆栈虚拟图案。
又或者直接以所述第三填充起始点为基础，将所述第三填充起始点在X 轴方向上移动X₁+X₂的距离，得到第四填充起始点，在所述第四填充起始点 的位置插入A堆栈单元，得到第四堆栈虚拟图案。
作为优选，在所述方法中，所述第一堆栈虚拟图案、第二堆栈虚拟图案、 第三堆栈虚拟图案以及第四堆栈虚拟图案中虚拟图案的大小一样，其边长分 别为X₁和Y₁，作为整体，相邻的所述虚拟图案之间的距离在X轴和Y轴上 分别为X₂和Y₂，其中所述X₁、Y₁、X₂和Y₂的取值并不局限于某一范围， 可以根据需要进行调整。
本发明提供了一种独立的针对所述虚拟图案堆栈的双图型分解方法，在 所述方法中通过4个填充步骤，在每个填充步骤中填充1/4的虚拟图案，实 现和现有技术中同样的双图型分解结果。所述方法直接并且简化的对一个虚 拟图案堆栈中双图型分解要求层自动填充两种堆栈单元，并不需要其他特殊 的分解，节省了时间和资源。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例 只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围 内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根 据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本 发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等 效范围所界定。