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1、10申请公布号CN104200865A43申请公布日20141210CN104200865A21申请号201410384558422申请日20140805H01B1/02200601C04B41/8820060171申请人上海蓝沛新材料科技股份有限公司地址201262上海市松江区民益路201号12幢401室72发明人江九山兰开东杨兆国74专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人李仪萍54发明名称一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆及其制备方法57摘要本发明提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆及其制备方法，所述表面导电金浆以质量比计，包括以下组分6591的金颗粒、010的无机物添加剂、。
2、525的载体，031的助剂、以及055的溶剂。本发明的表面导电金浆具有与在高频条件下性能可靠的“CAOB2O3SIO2”等体系膜带的共烧匹配性好、印刷性好、导电性能优异及打金线强度高等优点。本发明方法步骤简单，容易实现产业化。51INTCL权利要求书1页说明书4页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书4页附图1页10申请公布号CN104200865ACN104200865A1/1页21一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，其特征在于，所述表面导电金浆以质量比计，包括以下组分6591的金颗粒、010的无机物添加剂、525的载体，031的助剂、以及055的溶剂。
3、。2根据权利要求1所述的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，其特征在于所述金颗粒的形貌为球状及片状中一种或两种混合；颗粒尺寸选自D50介于13微米之间及D90不大于5微米的金粉。3根据权利要求1所述的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，其特征在于所述无机物添加剂以重量份计，包括以下组分050份的AL2O3、040份的SIO2、035份的BI2O3、045份的CACO3、以及015份的SRCAO3。4根据权利要求1所述的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，其特征在于所述载体以质量比计，包括以下组分的混合1030的特种树脂、以及9070的溶剂。5根据权利要求4所述的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，其特。
4、征在于所述特种树脂选自酯类、醇酯类、及纤维素类的一种或者两种以上混合，所述溶剂选自醇类及醚类的一种或者两种混合。6根据权利要求1所述的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，其特征在于所述助剂的成分包括硅烷偶联剂。7根据权利要求1所述的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，其特征在于所述溶剂选自醇类及醚类的一种或两种。8根据权利要求7所述的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，其特征在于所述醇类包括松油醇、丁基卡必醇醋酸酯一种或者两种混合，所述醚类包括二乙二醇丁醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚醋酸酯一种或者两种以上混合。9一种如权利要求18任意一项所述的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的制备方法，其特征在于，。
5、包括步骤步骤1，按照比例将原料在带有冷却系统的搅拌设备中进行混合；步骤2，将搅拌设备中的浆料取出，在带有冷却系统研磨机上进行分散；步骤3，采用过滤网对分散后的浆料进行过滤以获得表面导电金浆。10根据权利要求9所述的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的制备方法，其特征在于步骤1中，选用的混合时间为2060分钟；步骤2中，所述浆料的分散细度控制在不大于5微米，浆料的粘度范围控制在50200KCPS；步骤3中，采用的过滤网为325目过滤网。权利要求书CN104200865A1/4页3一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆及其制备方法技术领域0001本发明涉及一种导电浆料及其制备方法，特别是涉及一种应用于。
6、低温共烧陶瓷的表面导电金浆及其制备方法。背景技术0002随着现代信息技术的飞速发展，对电子产品的小型化、便捷化、多功能、高可靠提出了需求，低温共烧陶瓷技术LOWTEMPERATURECOREDCERAMIC,LTCC是近年来兴起的一种令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术，因其优异的电子、热机械特性已成为未来电子元件集成化、模组化的首选。LTCC低介电常数微波介质材料高频化是微波元器件发展的必然趋势，而低介电常数、低损耗是器件的设计基础，尤其在军事应用领域。0003在LTCC低介电常数微波介质材料应用的过程中，大部分情况下需要在陶瓷膜带表面印刷导电金浆。然而，现有的导电金浆与LTCC低介电常数微波。
7、介质材料在匹配上、印刷上、结合强度或导电性能上却不尽如人意。其中，表面导体金浆的示意图如图1所示，一般来说，包括膜带10，以及印刷于该膜带表面上导体金浆20。0004因此，本发明的目的是提供了种表面导电金浆及其制备方法，该表面导电金浆需要具有与在高频条件下性能可靠的“CAOB2O3SIO2”等体系膜带共烧匹配性好、印刷性好、导电性能优异及打金线强度高等优点。发明内容0005鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆及其制备方法，其具有与在高频条件下性能可靠的“CAOB2O3SIO2”等体系膜带共烧匹配性好、印刷性好、导电性能优异及打金线强度高等优点。0。
8、006为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，所述表面导电金浆以质量比计，包括以下组分6591的金颗粒、010的无机物添加剂、525的载体，031的助剂、以及055的溶剂。0007作为本发明的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的一种优选方案，所述金颗粒形貌为球状和片状中一种或两种混合；颗粒尺寸选自D50介于13微米之间及D90不大于5微米的金粉。0008作为本发明的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的一种优选方案，所述无机物添加剂以重量份计，包括以下组分050份的AL2O3、040份的SIO2、035份的BI2O3、045份的CACO3、以及015份的SRCA。
9、O3。0009作为本发明的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的一种优选方案，所述载体以质量比计，包括以下组分的混合1030的特种树脂、以及9070的溶剂。0010进一步地，所述特种树脂选自酯类、醇酯类、及纤维素类的一种或者两种以上混合，所述溶剂选自醇类及醚类的一种或者两种混合。0011作为本发明的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的一种优选方案，所述助剂的说明书CN104200865A2/4页4成分包括硅烷偶联剂。0012作为本发明的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的一种优选方案，所述溶剂选自醇类及醚类的一种或者两种混合。0013进一步地，所述醇类包括松油醇，、丁基卡必醇醋酸酯一种或者两种混合，所。
10、述醚类包括二乙二醇丁醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚醋酸酯一种或者两种以上混合。0014本发明还提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的制备方法，包括步骤0015步骤1，按照比例将原料在带有冷却系统的搅拌设备中进行混合；0016步骤2，将搅拌设备中的浆料取出，在带有冷却系统研磨机上进行分散；0017步骤3，采用过滤网对分散后的浆料进行过滤以获得表面导电金浆。0018作为本发明的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的制备方法的一种优选方案，其中0019步骤1中，选用的混合时间为2060分钟；0020步骤2中，所述浆料的分散细度控制在不大于5微米，浆料的粘度范围控制在50200KCPS；0021步骤3。
11、中，采用的过滤网为325目过滤网。0022如上所述，本发明提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆及其制备方法，所述表面导电金浆以质量比计，包括以下组分6591的金颗粒、110的无机物添加剂、525的载体，031的助剂、以及055的溶剂。本发明的表面导电金浆具有与在高频条件下性能可靠的“CAOB2O3SIO2”等体系膜带的共烧匹配性好、印刷性好、导电性能优异及打金线强度高等优点。本发明方法步骤简单，容易实现产业化。附图说明0023图1显示为表面导电金浆与膜带共烧后形成的结构示意图。0024图2显示为本发明的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的制备方法的步骤流程示意图。0025元件标号说明0026。
12、S11S13步骤1步骤3具体实施方式0027以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。0028请参阅图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。0029实施例10030本实施例提供一。
13、种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，所述表面导电金浆以质说明书CN104200865A3/4页5量比计，包括以下组分65的金颗粒、10的无机物添加剂、20的载体，05的助剂、以及45的溶剂。0031作为示例，所述金颗粒形貌为球状，颗粒尺寸选自D50介于13微米之间及D90不大于5微米的金粉。0032作为示例，所述无机物添加剂以重量份计，包括以下组分25份的AL2O3、20份的SIO2、20份的BI2O3、25份的CACO3、以及10份的SRCAO3。0033作为示例，所述载体以质量比计，包括以下组分的混合30的特种树脂、以及70的溶剂。进一步地，所述特种树脂选自酯类，所述溶剂选自醇类。0034。
14、作为示例，所述助剂的成分为硅烷偶联剂。0035作为示例，所述溶剂选自醇类，具体为松油醇。0036如图2所示，本实施例提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的制备方法，包括步骤0037首先，如图2所示进行步骤1S11，按照比例将原料在带有冷却系统的搅拌设备中进行混合，在本实施例中，选用的混合时间为2060分钟，具体为30分钟；0038然后，如图2所示进行步骤2S12，将搅拌设备中的浆料取出，在带有冷却系统研磨机上进行分散，具体地，所述浆料的分散细度控制在不大于5微米，浆料的粘度范围控制在50200KCPS；0039接着，如图2所示进行步骤3S13，采用过滤网对分散后的浆料进行过滤以获得表面导电。
15、金浆，具体地，采用的过滤网为325目过滤网。0040通过测试证明，本实施例的应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，在100UM的线宽及线距下具有良好的印刷性，与“CAOB2O3SIO2”体系膜带匹配性能良好，无开裂、短路、翘曲，导电电阻小于3M/SQ/MIL，打金线结合强度大于20克。0041实施例20042本实施例提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，所述表面导电金浆以质量比计，包括以下组分91的金颗粒、1的无机物添加剂、5的载体，03的助剂、以及27的溶剂。0043作为示例，所述金颗粒的形貌为片状，颗粒尺寸选自D50介于13微米之间及D90不大于5微米的金粉。0044作为示例，所述无机物添。
16、加剂以重量份计，包括以下组分20份的AL2O3、35份的SIO2、10份的BI2O3、20份的CACO3、以及15份的SRCAO3。0045作为示例，所述载体以质量比计，包括以下组分的混合10的特种树脂、以及90的溶剂。进一步地，所述特种树脂选自醇酯类，所述溶剂选自醚类。0046作为示例，所述助剂的成分包括硅烷偶联剂。0047作为示例，所述溶剂选自醚类，具体为二乙二醇丁醚。0048如图2所示，本实施例提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的制备方法，包括步骤0049首先，如图2所示进行步骤1S11，按照比例将原料在带有冷却系统的搅拌设备中进行混合，在本实施例中，选用的混合时间为2060分钟，。
17、具体为30分钟；0050然后，如图2所示进行步骤2S12，将搅拌设备中的浆料取出，在带有冷却系统研说明书CN104200865A4/4页6磨机上进行分散，具体地，所述浆料的分散细度控制在不大于5微米，浆料的粘度范围控制在50200KCPS；0051接着，如图2所示进行步骤3S13，采用过滤网对分散后的浆料进行过滤以获得表面导电金浆，具体地，采用的过滤网为325目过滤网；0052实施例30053本实施例提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆，所述表面导电金浆以质量比计，包括以下组分91的金颗粒、1的无机物添加剂、5的载体，1的助剂、以及2的溶剂。0054作为示例，所述金颗粒尺寸选自D50介于1。
18、3微米之间及D90不大于5微米的金粉，形貌为片状50份，球状50份。0055作为示例，所述无机物添加剂以重量份计，包括以下组分35份的AL2O3、10份的SIO2、5份的BI2O3、45份的CACO3、以及5份的SRCAO3。0056作为示例，所述载体以质量比计，包括以下组分的混合20的特种树脂、以及80的溶剂。进一步地，所述特种树脂为纤维素类，所述溶剂为醇类。0057作为示例，所述助剂的成分包括硅烷偶联剂。0058作为示例，所述溶剂选自醇类，具体为松油醇。0059如图2所示，本实施例提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆的制备方法，包括步骤0060首先，如图2所示进行步骤1S11，按照比例。
19、将原料在带有冷却系统的搅拌设备中进行混合，在本实施例中，选用的混合时间为2060分钟，具体为30分钟；0061然后，如图2所示进行步骤2S12，将搅拌设备中的浆料取出，在带有冷却系统研磨机上进行分散，具体地，所述浆料的分散细度控制在不大于5微米，浆料的粘度范围控制在50200KCPS；0062接着，如图2所示进行步骤3S13，采用过滤网对分散后的浆料进行过滤以获得表面导电金浆，具体地，采用的过滤网为325目过滤网。0063如上所述，本发明提供一种应用于低温共烧陶瓷的表面导电金浆及其制备方法，所述表面导电金浆以质量比计，包括以下组分6591的金颗粒、110的无机物添加剂、525的载体，031的助。
20、剂、以及055的溶剂。本发明的表面导电金浆具有与在高频条件下性能可靠的“CAOB2O3SIO2”等体系膜带的共烧匹配性好、印刷性好、导电性能优异及打金线强度高等优点。本发明方法步骤简单，容易实现产业化。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。0064上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。说明书CN104200865A1/1页7图1图2说明书附图CN104200865A。