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1、10申请公布号CN104106126A43申请公布日20141015CN104106126A21申请号201380007643222申请日20130121201202937820120214JPH01L21/205200601C30B25/20200601C30B29/0620060171申请人信越半导体株式会社地址日本东京都千代田区大手町二丁目6番2号72发明人吉田知佐樫野久寿74专利代理机构北京冠和权律师事务所11399代理人朱健54发明名称硅外延晶片的制造方法57摘要本发明提供一种硅外延晶片的制造方法，该硅外延晶片的制造方法是在通过掺杂砷而使电阻率为1017MCM，并进一步掺杂碳、或氮、。
2、或碳和氮而制造的N型单晶硅晶片上形成硅外延层。由此，提供一种在掺杂有砷的超低电阻单晶硅晶片上进行外延生长时，能够抑制堆垛层错的产生的硅外延晶片的制造方法。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014080186PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0002452013012187PCT国际申请的公布数据WO2013/121696JA2013082251INTCL权利要求书1页说明书5页附图3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书5页附图3页10申请公布号CN104106126ACN104106126A1/1页21一种硅外延晶片的制造方法，其特征。
3、在于，在通过掺杂砷而使电阻率为1017MCM，并进一步掺杂碳、或氮、或碳和氮而制造的N型单晶硅晶片上形成硅外延层。2根据权利要求1所述的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，在上述N型单晶硅晶片掺杂碳时，将所掺杂的碳的浓度设为025PPMA。3根据权利要求1或2所述的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，在上述N型单晶硅晶片掺杂氮时，将所掺杂的氮的浓度设为1101321014ATOMS/CM3。权利要求书CN104106126A1/5页3硅外延晶片的制造方法技术领域0001本发明涉及一种在单晶硅晶片表面形成外延层的硅外延晶片的制造方法。背景技术0002在制造半导体电子元件的大部分方法中，成为初始材料的。
4、单晶硅通过所谓的切克劳斯基CZ法等制造。例如，在CZ法中，使单晶种在熔化的硅中浸渍之后缓慢地提拉而培养单晶。而且，在将这种单晶硅切片而制作的单晶硅晶片上使例如外延层生长，而能够制造硅外延晶片。0003这里，说明利用现有技术制造硅外延晶片的方法的一例。单晶硅晶棒一般通过切克劳斯基CZ法或悬浮区熔FZ法等而生长。就所生长的单晶硅晶棒而言，被切割，并为使其具有直径而实施倒圆加工外圆磨削工序。接着，从该单晶硅晶棒切出晶片状的单晶硅晶片切片加工工序，为了去除所切出的单晶硅晶片的周边部的角而实施倒角倒斜角加工工序。进而，为了消除该单晶硅晶片表面的凹凸、提高平坦度、使表面的伤痕最小，而实施机械磨削研磨加工工。
5、序在该阶段称为已研磨晶片，利用混合酸蚀刻去除机械磨削时形成于单晶硅晶片的表面的变形层蚀刻工序在该阶段称为已蚀刻晶片。0004接着，实施用于去除氧供体的供体消除热处理，或在晶片的背面形成低电阻晶片所需的用于防止自动掺杂的保护膜掺杂剂挥发防止用保护膜。其后，对于以机械磨削就不能去除的表面伤痕，实施旨在通过化学且机械的研磨化学机械研磨CMP使得晶片的表面成为镜面状的镜面研磨镜面抛光工序在该阶段称为已抛光晶片，经在该所研磨的单晶硅晶片的表面形成外延层的工序而制造硅外延晶片。这种硅外延晶片的制造方法，记载在例如专利文献1中。0005现有技术文献0006专利文献0007专利文献1日本特开200359933。
6、号公报发明内容0008发明所要解决的问题0009在成为这种外延生长用单晶硅晶片的初始材料的单晶硅中，对于MOSFET等某种功率器件，出于减少开关动作的电阻成分的目的，也是要求掺杂了大量的砷或磷的超低电阻率的单晶。尤其，在如实施高温热处理的器件工艺流程中，更需要掺杂有热扩散的影响比磷更小的砷的超低电阻晶体。0010然而，在使用于外延生长用单晶硅晶片的掺砷晶体为超低电阻的情况下，若以过去的工序条件制造硅外延晶片，则有时在所生长的外延层产生大量的堆垛层错STACKINGFAULT，SF，导致器件特性变差。0011本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种硅外延晶片的制造方法，该方法在掺杂有砷的。
7、超低电阻单晶硅晶片上进行外延生长时，能够抑制堆垛层错的产生。说明书CN104106126A2/5页40012用于解决问题的方案0013为了达到上述目的，本发明提供一种硅外延晶片的制造方法，该硅外延晶片的制造方法其特征在于，在通过掺杂砷而使电阻率为1017MCM，并进一步掺杂碳、或氮、或碳和氮而制造的N型单晶硅晶片上形成硅外延层。0014这样一来，能够抑制成为外延层形成时所产生的堆垛层错的核的晶体缺陷的形成，其结果，能够有效且可靠地防止在外延层产生的堆叠层错。0015即、根据本发明的硅外延晶片的制造方法，在以过去的方法就会产生大量的堆垛层错的掺杂有砷的超低电阻单晶硅晶片电阻率为17MCM以下上，。
8、以简单的方法形成几乎不存在堆垛层错的外延层，从而能够制造高质量的硅外延晶片。0016这里，在上述N型单晶硅晶片掺杂碳时，能够将所掺杂的碳的浓度设为025PPMA。0017若这样将碳浓度设为02PPMA以上，则能够更可靠地抑制成为硅晶体中的堆垛层错的核的晶体缺陷的形成，其结果，能够更有效且可靠地防止在外延层产生的堆垛层错。而且，掺杂5PPMA之多也足以防止堆垛层错的核的形成。0018而且，在上述N型单晶硅晶片掺杂氮时，能够将所掺杂的氮的浓度设为1101321014ATOMS/CM3。0019若这样将氮浓度设为11013ATOMS/CM3以上，则能够更可靠地抑制成为硅晶体中的堆垛层错的核的晶体缺陷。
9、的形成，其结果，能够更有效且可靠地防止在外延层产生的堆垛层错。而且，掺杂21014ATOMS/CM3之多也足以防止堆垛层错的核的形成。0020发明效果0021根据如上所述的本发明的硅外延晶片的制造方法，由于在掺杂有砷的超低电阻的N型单晶硅晶片上，以简单的方法形成几乎不存在堆垛层错的外延层，从而能够制造高质量的硅外延晶片。附图说明0022图1是表示本发明的硅外延晶片的制造方法的实施方式的一例的流程图。0023图2是表示外延生长用晶片的电阻率与在外延层产生的堆垛层错数的关系的曲线图。0024图3是表示从掺砷晶体切出的晶片的电阻率的实绩的曲线图。0025图4A、B、C分别是表示在实施例1、实施例2、。
10、比较例中所制造的硅外延晶片的堆垛层错的分布的观察图。具体实施方式0026过去，即使在掺杂有砷的单晶硅晶片例如，电阻率为1860MCM进行外延生长也没有产生多少堆垛层错。0027但是，伴随着掺砷单晶硅晶片的低电阻化，开始出现在外延层产生堆垛层错之类的问题。0028对此，本发明人等进行了专心研讨，其结果，调查到外延生长用单晶硅晶片的电阻率与在外延层产生的堆垛层错数的关系。调查结果示于图2。如图2所示，本发明人等发说明书CN104106126A3/5页5现，若成为电阻率为17MCM以下的晶片，则堆垛层错数开始增加，且在165MCM以下大幅度增加。0029而且，这种超低电阻率的掺砷晶体的电阻率的下限为。
11、10MCM。图3表示从掺砷晶体切出的晶片的电阻率的实绩。图3的纵轴表示晶体晶棒数。如图3所示，难以制作电阻率为10MCM的晶片，实际上未能制作电阻率不到10MCM的掺砷单晶硅晶片。0030进一步研讨结果发现，就这种在外延层产生的堆垛层错而言，在如上所述的重掺有砷的电阻率为17MCM以下的单晶硅形成成为堆垛层错的核的晶体缺陷，以该晶体缺陷为核在外延层成膜时形成堆垛层错。而且发现，若对于这种单晶硅掺杂碳、或氮、或碳和氮双方，则上述成为堆垛层错的核的晶体缺陷的形成被抑制。其结果发现，通过将这种单晶硅作为外延晶片的基片，在后续的外延生长时，就能防止在外延层内产生堆垛层错，并完成了本发明。0031下面，。
12、参照附图详细说明本发明的硅外延晶片的制造方法的实施方式的一例，但本发明并不限定于此。0032图1是表示本发明的硅外延晶片的制造方法的实施方式的一例的流程图。0033本发明的硅外延晶片的制造方法，在将单晶硅切片所得到的单晶硅晶片的表面形成外延层而制造硅外延晶片的方法中，在制造至少首先掺杂砷而使电阻率为1017MCM尤其为10165MCM的N型单晶硅晶片时，将碳、或氮、或碳和氮也进一步掺杂。0034而且，本发明是在从所制造的单晶硅切出并实施了镜面研磨等的处理的单晶硅晶片的表面形成外延层的硅外延晶片的制造方法。0035下面更具体地进行说明。0036首先，培养N型单晶硅图1A。这里，说明通过CZ法培养。
13、单晶的场合，但该培养方法本身并无特别限定，可以适当决定。0037培养该单晶硅时，将砷以高浓度大致8101941019ATOMS/CM3掺杂，而将单晶硅的电阻率控制在1017MCM的范围。此时，在单晶硅还掺杂碳或氮、或碳和氮双方。0038如上所述，若掺杂砷使得电阻率成为17MCM以下，则在外延层形成时堆垛层错的数量增加。在165MCM以下尤其剧增。这些现象如之前在图2所示。0039然而，除了掺杂砷之外，还仅将碳、或仅将氮、或将碳和氮双方一并掺杂，由此能够抑制成为堆垛层错的核的晶体缺陷在晶体内形成。基于这样抑制了晶体缺陷的单晶硅而制造超低电阻的单晶硅晶片，并在该单晶硅晶片表面形成硅外延层，由此能够。
14、有效且可靠地防止在外延层产生的堆垛层错的产生。0040另外，由于单晶原本就难以制造，因而电阻率的下限就定为10MCM。0041此时所掺杂的碳或氮的浓度并无特别限定，但例如，碳浓度可以设为025PPMA，氮浓度可以设为1101321014ATOMS/CM3。0042若为这些浓度范围，则不必增加必要以上的成本等，且能够更为高效且可靠地防止形成了外延层时的堆垛层错的产生。0043掺杂砷、碳、氮的方法，虽无特别限定，但可以是例如将含有它们的硅晶片预先放入坩埚内的熔液中的方法，还可以是预先将碳粉等直接放入坩埚内的方法，或者以气体添说明书CN104106126A4/5页6加。0044接着，例如外圆磨削所培。
15、养的单晶硅，其后，用线锯进行切片图1B，做成晶片状而得到单晶硅晶片。0045接着，磨边而进行倒角图1C，研磨图1D，并进行蚀刻图1E。0046接着，形成用于防止自动掺杂的背面保护氧化膜图1F，对晶片表面进行镜面研磨图1G。0047接着，将单晶硅晶片放入外延反应室，并向反应室内供给SICL4、SIHCL3、SIH2CL2、SIH4等通常使用的原料气体，形成所期望厚度的外延层图1H。0048通过以如上所述的工序进行本发明的硅外延晶片的制造方法，能够制造形成有不存在堆垛层错的外延层的硅外延晶片。而且，用于防止产生堆垛层错的工序并不复杂，单单将成为规定电阻率的浓度的砷和碳或氮掺杂即可，例如，如上所述那。
16、样在培养单晶时预先在坩埚内的熔液中一并添加即可，因而实际上能够简单且有效地制造。0049上述各工序，并无特别限定，可以使用公知的技术，而且，在工序之间还可进行例如清洗、热处理等其它工序。0050实施例0051下面示出实施例和比较例而更具体地说明本发明，但本发明并不限定于这些例子。0052实施例10053将直径为150MM6英寸、掺杂有砷、电阻率为153MCM、碳浓度为056063PPMA的N型单晶硅通过CZ法提拉，利用线锯切片，并进行了磨边、研磨、蚀刻工序。0054接着，使用常压CVD装置，并使用SIH4和O2气体形成厚度大致为500NM的氧化膜作为背面保护氧化膜。0055接着，对那些单晶硅晶。
17、片的表面一侧进行镜面研磨而去除了凹坑。此时的研磨余量为5M。0056以此制造了硅外延晶片用基片。0057接着，将单晶硅晶片放入外延反应室，并将SIHCL3作为原料气体与氢载气一起供给，而形成了硅外延层。0058将在这样制造的硅外延晶片的外延层中所产生的堆垛层错的分布，利用光散射式粒子计数器SP1科磊KLATENCOR公司制进行了观察。其观察图示于图4A。0059检查了尺寸大于01M的堆垛层错，观察到晶片面内有27个。如在图4A中也所示，确认出极为抑制了堆垛层错的产生，从而形成了良好的外延层。0060实施例20061将直径为150MM6英寸、掺杂有砷、电阻率为147MCM、碳浓度为045050P。
18、PMA、氮浓度为60010136661013ATOMS/CM3的N型单晶硅通过CZ法提拉，并与实施例1相同地制造了硅外延晶片用基片，而制造了硅外延晶片。0062将在这样制造的硅外延晶片的外延层中所产生的堆垛层错的分布，以与实施例1相同的方式进行了观察。其观察图示于图4B。0063检查了尺寸大于01M的堆垛层错，确认出晶片面内有20个。如在图4B中也所示，确认出极为抑制了堆垛层错的产生，从而形成了良好的外延层。说明书CN104106126A5/5页70064实施例30065将直径为150MM6英寸、掺杂有砷、电阻率为147MCM、氮浓度为60010136661013ATOMS/CM3的N型单晶硅。
19、通过CZ法提拉，并与实施例1相同地制造了硅外延晶片用基片，而制造了硅外延晶片。0066将在这样制造的硅外延晶片的外延层中所产生的堆垛层错的分布，以与实施例1、2相同的方式进行了观察。0067检查了尺寸大于01M的堆垛层错，观察到晶片面内有29个。得到了与实施例1的图4A和实施例2的图4B大致相同的观察图。确认出极为抑制了堆垛层错的产生，从而形成了良好的外延层。0068比较例0069将直径为150MM6英寸、掺杂有砷、电阻率为150MCM的N型单晶硅在未掺杂碳也未掺杂氮的情况下通过CZ法提拉，并与实施例1相同地制造了硅外延晶片用基片，而制造了硅外延晶片。0070将在这样制造的硅外延晶片的外延层中所产生的堆垛层错的分布，以与各实施例相同的方式进行了观察。其观察图示于图4C。0071检查了尺寸大于01M的堆垛层错，确认出晶片面内有1010个。如图4C所示，可知由于存在于基片的晶体缺陷，因而产生很多堆垛层错。0072另外，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式是例示，具有与本发明的权利要求书中所记载的技术思想实质上相同的构成并带来同样的作用效果的技术，无论怎样也均包括在本发明的技术范围。说明书CN104106126A1/3页8图1说明书附图CN104106126A2/3页9图2图3说明书附图CN104106126A3/3页10图4说明书附图CN104106126A10。