一种反应腔室及等离子体加工设备.pdf

本发明涉及一种反应腔室及等离子体加工设备，其内设有承载装置和顶针机构，顶针机构包括支撑件和多个顶针组件；每个顶针组件包括顶针、压缩弹簧、挡片和限位块；顶针置于支撑件上，且每个顶针与一个竖直通道在竖直方向上相对应；顶针下方设有竖直的第一凹孔；压缩弹簧置于第一凹孔内，其顶端与环形凹部的顶壁相接触，用于提供竖直方向的弹力，驱动顶针作上升运动；顶针的外周壁上设有第一台阶和第二台阶，第一台阶位于所述第二台阶的上方；挡片设于第一台阶上；限位块固定于支撑件上，其包括环绕顶针的环绕部，环绕部位于第一台阶和第二台阶之间。反应腔室中被加工工件的传输过程和结构简单，从而使传输过程易于控制，且降低了制造成本。

1.  一种反应腔室，其内设有承载装置和顶针机构，所述承载装置上设有多个竖直通道，且所述承载装置下方设有驱动装置，所述驱动装置的驱动轴与所述承载装置连接，用于驱动所述承载装置沿竖直方向作升降运动，其特征在于，所述顶针机构包括支撑件和多个顶针组件；
所述支撑件固定于所述反应腔室内，且位于所述承载装置下方；
每个所述顶针组件包括顶针、压缩弹簧、挡片和限位块；
所述顶针组件中的顶针置于支撑件上，且每个顶针与一个竖直通道在竖直方向上相对应，使其可沿该竖直通道在竖直方向上作升降运动；
所述顶针底部设有竖直的第一凹孔；所述压缩弹簧置于所述第一凹孔内，其顶端与所述第一凹孔的顶壁相接触，用于提供竖直方向的弹力，驱动所述顶针作上升运动；
所述顶针的外周壁上设有第一台阶和第二台阶，所述第一台阶位于所述第二台阶的上方；所述挡片设于第一台阶上；
所述限位块固定于所述支撑件上，其包括环绕所述顶针的环绕部，所述环绕部位于所述第一台阶和第二台阶之间，且所述环绕部与所述第二台阶相配合，限制所述顶针的上升运动。

2.  根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述多个竖直通道位于所述承载装置的侧壁上；
所述顶针下方设有竖直的第二凹孔；
所述顶针组件还包括导向轴，所述导向轴竖直地固定在所述支撑件上，且所述导向轴置于所述第二凹孔内，用于使所述顶针沿竖直方向作升降运动。

3.  根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述多个顶针组件在所述支撑件的周向上均匀设置。

4.  根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一凹孔位于所述顶针的中心轴上。

5.  根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述第二凹孔位于所述顶针的中心轴上。

6.  根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室内设有法兰，其环绕所述驱动装置的驱动轴；
所述支撑件固定在所述法兰上。

7.  根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述支撑件由多个支撑部相互连接而成，所述多个支撑部在所述法兰的周向彼此配合环绕所述法兰一周。

8.  一种等离子体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室用于对被加工工件进行工艺处理，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-7任意一项所述的反应腔室。

9.  根据权利要求8所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述等离子体加工设备为PVD设备。

一种反应腔室及等离子体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体设备制造领域，具体地，涉及一种反应腔室及等离子体加工设备。
背景技术
图1为现有的物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，以下简称为PVD）设备的反应腔室的结构示意图。如图1所示，PVD设备的反应腔室1内设有靶材2、基座3、顶针机构4、遮挡盘5、第一驱动装置6、第二驱动装置7和第三驱动装置8。其中，基座3用于承载被加工工件。第一驱动装置6设于基座3下方，用于驱动基座3在竖直方向上作升降运动。顶针机构4设于基座3下方，其包括顶针底座41和多个顶针42；第二驱动装置7在顶针底座41的边缘处与顶针底座41连接，用于驱动顶针机构4沿竖直方向作升降运动；基座3上与顶针42相对应的位置处设有通道，在基座3和/或顶针机构4作升降运动时，多个顶针42沿上述通道使其顶端高出或低于基座3的上表面。遮挡盘5用于在通过溅射去除靶材2表面的氧化物时覆盖在基座3上，防止从靶材2上脱离的氧化物沉积在基座3上，对基座3造成污染。第三驱动装置8与遮挡盘5连接，用于将遮挡盘5旋转至基座3上方或将其旋转出基座3上方。
在上述反应腔室1中，被加工工件的传输过程为：当多个顶针42的顶端高出基座3的上表面时，机械手和顶针机构4作相对运动，使机械手高于或低于多个顶针42的顶端，从而将被加工工件从机械手转移至顶针机构4上或由顶针机构4转移至机械手上；在第一驱动装置6驱动基座3作升降运动，和/或，第二驱动装置7驱动顶针机构4作升降运动时，基座3和顶针机构4之间产生相对运动；在上述相对运动的过程中，多个顶针42的顶端会低于或高出基座3的上表 面，从而将被加工工件从顶针机构4上转移至基座3上或由基座3上转移至顶针机构4上。
在通过溅射去除靶材2表面的氧化物时，遮挡盘5的传输过程为：首先由第三驱动装置8驱动遮挡盘5旋转至基座3上方；而后，第二驱动装置7驱动顶针机构4上升，使多个顶针42将遮挡盘5顶起，同时，第三驱动装置8退出基座3上方区域；然后，第一驱动装置6驱动基座3上升，使其上表面高出多个顶针42的顶端，从而使遮挡盘5转移至基座3上，并将其覆盖；从而在通过溅射去除靶材2表面氧化物的过程中，可以防止从靶材2上脱离的氧化物沉积至基座3上，对基座3造成污染。在靶材2表面的氧化物清除后，首先，第一驱动装置6驱动基座3下降，使其上表面低于多个顶针42的顶端，此时遮挡盘5被转移至顶针机构4上；而后，第三驱动装置8旋转至基座3与顶针机构4的顶端之间的区域，同时，第二驱动装置7驱动顶针机构4下降，从而将遮挡盘5转移至第三驱动装置8上，最终由第三驱动装置8驱动遮挡盘5旋转出基座3上方区域。
上述反应腔室1通过第一驱动装置6驱动基座3、第二驱动装置7驱动顶针机构4配合机械手/第三驱动装置8实现了被加工工件/遮挡盘5的传输，但其过程非常复杂；而且涉及第一驱动装置6、第二驱动装置7和机械手的控制较多，导致其调试过程繁琐。
此外，上述反应腔室1中，第二驱动装置7与顶针机构4连接与顶针底座41的边缘位置，从而顶针底座41构成了一个悬臂结构，在此情况下，多个顶针42的垂直度难以保证，从而会影响被加工工件放置于顶针机构4上时的水平度。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室及等离子体加工设备，所述反应腔室中被加工工件的传输过程较为简单，且用于传输被加工工件的结构较为简单。
为实现本发明的目的而提供一种反应腔室，其内设有承载装置和顶针机构，所述承载装置上设有多个竖直通道，且所述承载装置下方 设有驱动装置，所述驱动装置的驱动轴与所述承载装置连接，用于驱动所述承载装置沿竖直方向作升降运动；所述顶针机构包括支撑件和多个顶针组件；所述支撑件固定于所述反应腔室内，且位于所述承载装置下方；每个所述顶针组件包括顶针、压缩弹簧、挡片和限位块；所述顶针组件中的顶针置于支撑件上，且每个顶针与一个竖直通道在竖直方向上相对应，使其可沿该竖直通道在竖直方向上作升降运动；所述顶针底部设有竖直的第一凹孔；所述压缩弹簧置于所述第一凹孔内，其顶端与所述第一凹孔的顶壁相接触，用于提供竖直方向的弹力，驱动所述顶针作上升运动；所述顶针的外周壁上设有第一台阶和第二台阶，所述第一台阶位于所述第二台阶的上方；所述挡片设于第一台阶上；所述限位块固定于所述支撑件上，其包括环绕所述顶针的环绕部，所述环绕部位于所述第一台阶和第二台阶之间，且所述环绕部与所述第二台阶相配合，限制所述顶针的上升运动。
其中，所述多个竖直通道位于所述承载装置的侧壁上；所述顶针下方设有竖直的第二凹孔；所述顶针组件还包括导向轴，所述导向轴竖直地固定在所述支撑件上，且所述导向轴置于所述第二凹孔内，用于使所述顶针沿竖直方向作升降运动。
其中，所述多个顶针组件在所述支撑件的周向上均匀设置。
其中，所述第一凹孔位于所述顶针的中心轴上。
其中，所述第二凹孔位于所述顶针的中心轴上。
其中，所述反应腔室内设有法兰，其环绕所述驱动装置的驱动轴；所述支撑件固定在所述法兰上。
其中，所述支撑件由多个支撑部相互连接而成，所述多个支撑部在所述法兰的周向彼此配合环绕所述法兰一周。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种等离子体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室用于对被加工工件进行工艺处理，并且，所述反应腔室采用本发明提供的上述反应腔室。
其中，所述等离子体加工设备为PVD设备。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的反应腔室，其驱动装置驱动承载装置作升降运动 时，顶针组件中的压缩弹簧可以使多个顶针与承载装置同步运动，从而使多个顶针与机械手产生相对运动，在多个顶针的顶端高出或低于机械手时，实现被加工工件在多个顶针的顶端和机械手之间的传输；同时，顶针组件中限位块的环绕部可以克服压缩弹簧的弹力，限制多个顶针的运动，使多个顶针与承载装置之间产生相对运动，在承载装置的上表面高出或低于多个顶针的顶端时，实现被加工工件在多个顶针的顶端和承载装置之间的传输；从而在本发明中，通过被加工工件在机械手与多个顶针的顶端之间、多个顶针的顶端与承载装置的上表面之间的传输实现了被加工工件在机械手与承载装置的上表面之间的传输。与现有技术相比，本发明提供的反应腔室，其传输过程简单，易于控制；并且，多个顶针借助于用于驱动承载装置的驱动装置实现其相对于机械手和承载装置的相对运动，而无需由单独的驱动装置驱动，从而减少了驱动装置，使传输被加工工件的结构更加简单，同时降低了反应腔室的制造成本。
本发明提供的等离子体加工设备，其采用本发明提供的上述反应腔室，使被加工工件的传输过程更加简单，易于控制；并且，由于多个顶针借助于用于驱动承载装置的驱动装置实现其相对于机械手和承载装置的相对运动，而无需由单独的驱动装置驱动，减少了驱动装置，使传输被加工工件的结构更加简单，同时降低了反应腔室和等离子体加工设备的制造成本。
附图说明
图1为现有的物理气相沉积设备的反应腔室的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的反应腔室的结构示意图；
图3为图2所示反应腔室中承载装置和顶针机构的立体示意图；
图4为图2所示反应腔室中承载装置和顶针机构的截面示意图；
图5为图2所示反应腔室中顶针的局部示意图；
图6A为被加工工件从承载装置转移至多个顶针的顶部的示意图；
图6B为机械手进入承载装置和多个顶针的顶端之间位置处的 示意图；
图6C为被加工工件从多个顶针的顶端转移至机械手上的示意图；
图7A为机械手进入多个顶针顶端上方位置处的示意图；
图7B为被加工工件从机械手转移至多个顶针的顶端的示意图；
图7C为机械手退出反应腔室的示意图；
图8A为遮挡臂承载遮挡盘旋转至承载装置上方的示意图；
图8B为遮挡盘由遮挡臂转移至多个顶针的顶端上的示意图；
图9A为遮挡臂旋转至承载装置与多个顶针的顶端之间位置处的示意图；以及
图9B为遮挡盘由多个顶针的顶端转移至遮挡臂上的示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的反应腔室及等离子体加工设备进行详细描述。
图2为本发明实施例提供的反应腔室的结构示意图。图3为图2所示反应腔室中承载装置和顶针机构的立体示意图。图4为图2所示反应腔室中承载装置和顶针机构的截面示意图。请一并参看图2、图3和图4，反应腔室10用于对被加工工件进行工艺处理，其内设有承载装置11和顶针机构12。其中，承载装置11上设有多个竖直通道110，在本实施例中，多个竖直通道110位于承载装置11的侧壁上；承载装置11下方设有驱动装置13，驱动装置13的驱动轴与承载装置11连接，用于驱动承载装置11沿竖直方向作升降运动。顶针机构12包括支撑件14和多个顶针组件。具体地，支撑件14固定于反应腔室10内，且位于承载装置11下方；在驱动装置13驱动承载装置11作升降运动的过程中，其保持不动。每个顶针组件包括顶针151、导向轴152、压缩弹簧153、挡片154和限位块155；其中，顶针151置于支撑件14上，且每个顶针151与一个竖直通道110在竖直方向上相对应，使其可沿该竖直通道110在竖直方向上作升降运动。顶针 151下方设有第一凹孔1510和第二凹孔1511，其外周壁上设有第一台阶1512和第二台阶1513，且第一台阶1512位于第二台阶1513的上方；导向轴152竖直地固定在支撑件14上，且其位于第二凹孔1511内；压缩弹簧153置于第一凹孔1510内，其顶端与第一凹孔1510的顶壁相接触；在工艺过程中，压缩弹簧153处于压缩状态，其用于提供竖直方向的弹力；挡片154设于第一台阶1512上；限位块155固定于支撑件14上，且其包括环绕顶针151的环绕部1550，环绕部1550位于第一台阶1512和第二台阶1513之间。
具体地，承载装置11位于其升降行程在竖直方向的最低位置时，多个顶针151的顶端高于承载装置11的上表面，且在压缩弹簧153的弹力作用下，挡板154与承载装置11的底面紧密接触。在驱动装置13驱动承载装置11由上述最低位置作上升运动时，同样在压缩弹簧153的弹力作用下，挡板154会与承载装置11的底面紧密接触，使顶针151向上运动，且顶针151与承载装置11之间的上升运动同步，即顶针151和承载装置11之间保持相对静止，在此过程中，承载装置11的上表面和顶针151的顶端之间的距离不变。在上述上升运动过程中，当第二台阶1513上升到环绕部1550处时，环绕部1550会与第二台阶1513配合，使顶针151停止上升运动；在此情况下，驱动装置13驱动承载装置11继续做上升运动，此时，承载装置11相对于顶针151作上升运动，承载装置11的上表面和顶针151的顶端之间的距离逐步缩小，直至承载装置11的上表面高出多个顶针151的顶端，在此情况下，若多个顶针151的顶端上放置有被加工工件，该被加工工件会被转移至承载装置11的上表面上。
具体地，承载装置11位于其升降行程在竖直方向上的最高位置处时，多个顶针151的顶端低于承载装置11的上表面。在驱动装置13驱动承载装置11由上述最高位置处作下降运动时，顶针151在限位块155的环绕部1550的作用下保持静止，此时，承载装置11相对于顶针151作下降运动，承载装置11的上表面和多个顶针151的顶端之间的距离逐渐减小，直至多个顶针151的顶端高出承载装置11的上表面；在此情况下，若承载装置11上放置有被加工工件，该被 加工工件会被转移至多个顶针151的顶端。在上述过程中，当驱动装置13驱动承载装置11继续下降时，承载装置11的上表面与多个顶针151的顶端之间的距离又会逐步增大，在此过程中，承载装置11的底面会与挡板154相接触，带动挡板154和顶针151向下运动，并且，在压缩弹簧153的弹力作用下，挡板154会始终与承载装置11的底面相接触，使顶针151和挡板154的运动与承载装置11同步，即承载装置11与顶针151相对静止，在此过程中，承载装置11的上表面和多个顶针151的顶端之间的距离不变。
在本实施例中，多个顶针组件在支撑件14的周向上均匀设置；这样可以在被加工工件放置于多个顶针151的顶端时，使被加工工件的受力部位更加均匀，从而使被加工工件在多个顶针151的顶端更稳固，不易脱落。
在本实施例中，如图5所示，第一凹孔1510可以为圆形或环形，其位于顶针151的中心轴上；这样设置使顶针151受到的压缩弹簧153的弹力平行于顶针151的中心轴，从而可以防止顶针151运动过程中偏离竖直方向。
进一步地，如图5所示，第二凹孔1511位于顶针151的中心轴上；在此情况下，第二凹孔1511和第一凹孔1510形成一个台阶孔，而压缩弹簧153环绕导向轴152；这样设置可以使顶针151更易于加工，在实际应用中，可以降低其制造成本。
在本实施例中，反应腔室10内设有法兰16，其环绕驱动装置13的驱动轴，支撑件14环绕法兰16，并与其固定连接。在此情况下，支撑件14与法兰16固定连接于其中部位置，而多个顶针组件则设置于其周向的边缘区域，相比现有技术，这样设置可以保证顶针151的竖直度，从而在多个顶针151的顶端上放置有被加工工件时，可以很好地保证被加工工件的水平度。具体地，支撑件14由多个支撑部141相互连接而成，多个支撑部在法兰16的周向彼此配合环绕法兰16一周。
下面结合图6A-图6C及图7A-图7C来详细描述本实施例中被加工工件的传输流程。
图6A-图6C示出了被加工工件从承载装置11至机械手上的传输流程。在工艺过程中，对被加工工件的工艺处理完成后，驱动装置13驱动承载装置11作下降运动，在此过程中，多个顶针151的顶端会由低于承载装置11的上表面变为高出承载装置11的上表面，从而将放置于承载装置11上表面上的被加工工件转移至多个顶针151的顶端；并且多个顶针151的顶端和承载装置11的上表面之间的距离还会逐步增大，如图6A所示；在此情况下，机械手进入到承载装置11的上表面和多个顶针151的顶端之间的位置处，如图6B所示；而后，机械手与多个顶针151相对运动，使机械手高于多个顶针151的顶端，从而将置于多个顶针151的顶端上的被加工工件被转移至机械手上，如图6C所示，从而完成传输流程。在上述过程中，机械手与顶针151之间的相对运动可以由机械手上升实现，也可以由驱动装置13驱动承载装置11下降，在下降的过程中，带动顶针151下降，使顶针151的顶端低于机械手。
图7A-图7C示出了被加工工件从机械手至承载装置11的上表面上的传输流程。在工艺过程中，首先，机械手承载被加工工件进入到反应腔室10内；同时，驱动装置13驱动承载装置11下降至其升降行程在竖直方向上的较低位置处，使多个顶针151的顶端高出承载装置11的上表面，并且使多个顶针151的顶端和承载装置11的上表面之间具有较大的距离，如图7A所示；而后，机械手与多个顶针151之间相对运动，使机械手低于多个顶针151的顶端，从而将机械手上的被加工工件转移至多个顶针151的顶端，如图7B和图7C所示，然后机械手可以退出反应腔室10；在上述过程中，机械手与多个顶针151之间的相对运动可以通过机械手下降实现，也可以由驱动装置13驱动承载装置11上升，在上升的过程中，带动顶针151上升，使顶针151的顶端高出机械手；在将被加工工件转移至多个顶针151的顶端后，驱动装置13驱动承载装置11上升，在上升的过程中，多个顶针151首先会与承载装置11同步上升，其后会被限位块155的环绕部1550的作用下停止运动，此后，承载装置11继续上升，其上表面会逐步由低于多个顶针151的顶端变为高出多个顶针151的顶 端，在此过程中，放置于多个顶针151的顶端上的被加工工件被转移至承载装置11的上表面上，最终完成被加工工件由机械手至承载装置11的传输流程。
在实际应用中，若本实施例提供的反应腔室为PVD设备的反应腔室，则其需要在清除靶材表面的氧化物时，将遮挡盘传输至承载装置11上。下面结合图8A-图8B及图9A-图9B来详细描述遮挡盘的传输流程。
图8A-图8B示出了遮挡盘由遮挡臂17至承载装置11上的传输流程。在清除靶材表面的氧化物时，首先，遮挡臂17承载着遮挡盘旋转至承载装置11正上方；同时，驱动装置13驱动承载装置11下降至其升降行程在竖直方向上的较低位置处，使多个顶针151的顶端高出承载装置11的上表面，并且使多个顶针151的顶端和承载装置11的上表面之间具有较大的距离，如图8A所示；而后，驱动装置13带动承载装置11上升，在上升过程中，带动顶针151上升，使顶针151的顶端高出遮挡臂17，从而将置于遮挡臂17上的遮挡盘转移至多个顶针151的顶端，如图8B所示；其后，遮挡臂17旋转出承载装置11上方区域，驱动装置13驱动承载装置11继续上升，在上升的过程中，多个顶针151会在限位块155的环绕部1550的作用下停止运动，此后，承载装置11继续上升，其上表面会逐步由低于多个顶针151的顶端变为高出多个顶针151的顶端，在此过程中，放置于多个顶针151的顶端上的遮挡盘会被转移至承载装置11的上表面上，从而完成遮挡盘由遮挡臂17至承载装置11的传输流程。
图9A-图9B示出了遮挡盘由承载装置11至遮挡臂17上的传输流程。在靶材表面的氧化物被清除后，驱动装置13驱动承载装置11作下降运动，在此过程中，承载装置11的上表面会逐步由高出多个顶针151的顶端变为低于多个顶针151的顶端，从而将承载装置11上的遮挡盘转移至多个顶针151的顶端上；并且多个顶针151的顶端与承载装置11的上表面之间的距离会逐步变大；在上述过程中，当多个顶针151的顶端高出遮挡臂17，且承载装置11的上表面低于遮挡臂17时，驱动装置13驱动承载装置11停止下降运动，同时，遮 挡臂17旋转进入到承载装置11与多个顶针151的顶端之间，如图9A所示；此后，驱动装置13驱动承载装置11继续作下降运动，并使多个顶针151随承载装置11同步作下降运动，在此过程中，多个顶针151的顶端会低于遮挡臂17，从而将放置于多个顶针151的顶端上的遮挡盘转移至遮挡臂17上，如图9B所示；然后遮挡臂17承载着遮挡盘旋转处承载装置11上方区域，从而完成遮挡盘由承载装置11至遮挡臂17的传输流程。
本实施例提供的反应腔室，其驱动装置13驱动承载装置11作升降运动时，顶针组件中的压缩弹簧153可以使多个顶针151与承载装置11同步运动，从而使多个顶针151与机械手产生相对运动，在多个顶针151的顶端高出或低于机械手时，实现被加工工件在多个顶针151的顶端和机械手之间的传输；同时，顶针组件中限位块155的环绕部1550可以克服压缩弹簧153的弹力，限制多个顶针151的运动，使多个顶针151与承载装置11之间产生相对运动，在承载装置11的上表面高出或低于多个顶针151的顶端时，实现被加工工件在多个顶针151的顶端和承载装置11之间的传输；从而在本实施例中，通过被加工工件在机械手与多个顶针151的顶端之间、多个顶针151的顶端与承载装置11的上表面之间的传输实现了被加工工件在机械手与承载装置11的上表面之间的传输。与现有技术相比，本实施例提供的反应腔室，其传输过程简单，易于控制；并且，多个顶针151借助于用于驱动承载装置11的驱动装置13实现其相对于机械手和承载装置11的相对运动，而无需由单独的驱动装置驱动，从而减少了驱动装置，使传输被加工工件的结构更加简单，同时降低了反应腔室10的制造成本。
需要说明的是，在本实施例中，多个竖直通道110位于承载装置11的侧壁上，即竖直通道110实际为设于承载装置11的侧壁上的竖直的凹槽，在此情况下，竖直通道110无法对顶针151的升降运动进行导向，因此，需要在顶针组件中设置导向轴152对顶针151进行导向，使其沿竖直方向作升降运动，但本发明并不限于此，在实际应用中，还可以设置多个竖直通道110位于承载装置11侧壁以内，即 竖直通道110为从承载装置11的上表面延伸至其底面的竖直通孔，在此情况下，竖直通道110可以对顶针151的升降运动进行导向，从而可以将导向轴152省去，相应地，顶针151下方可以不设置第二凹孔1511。
作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种等离子体加工设备，其包括反应腔室，该反应腔室用于对被加工工件进行工艺处理，并且，该反应腔室采用本发明上述实施例提供的反应腔室。
具体地，在本实施例中，等离子体加工设备为PVD设备，用于对被加工工件进行溅射沉积等工艺。
本实施例提供的等离子体加工设备，其采用本发明上述实施例提供的反应腔室，使被加工工件的传输过程更加简单，易于控制；并且，由于多个顶针借助于用于驱动承载装置的驱动装置实现其相对于机械手和承载装置的相对运动，而无需由单独的驱动装置驱动，减少了驱动装置，使传输被加工工件的结构更加简单，同时降低了反应腔室和等离子体加工设备的制造成本。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。