电波透过性装饰构件 相关申请的交叉参考
本申请要求2007年9月18日向日本提交的第2007-241416号专利申请、2007年9月18日向日本提交的第2007-241417号专利申请、2008年7月29日向日本提交的第2008-194739号专利申请、以及2008年7月29日向日本提交的第2008-194740号专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
【技术领域】
本发明涉及具有金属光泽的电波透过性装饰构件。
背景技术
从设计性的观点出发，多将金属风格的装饰构件、尤其是具有像镜面般的金属光泽的装饰构件用于便携式电话的壳体和按钮、钟表的壳体、以及汽车的前护栅和保险杠等。
并且，由于下述的理由等，需要使用透过电波(微波等)且不会影响电波的装饰构件作为该装饰构件。
(i)在便携式电话的壳体内部配置有用于收发电波的天线。
(ii)在带有接收标准电波继而自动修正误差功能的电波钟表的壳体内部配置有用于接收电波的天线。
(iii)在配备有用于检测障碍物、测量车间距离等的雷达装置的汽车上，该雷达装置的天线被配置在前护栅或保险杆附近。
(iv)由通信设备等处理的电波的频率在100GHz左右的高频带移动，电波容易受到装饰构件的影响，从而容易在该设备内引起功能失常。
作为具有电波透过性的金属风格的装饰构件，已提出有下述的材料。
(1)在基体上具有铟、铟合金、锡或锡合金蒸镀膜的压型品(shaped product)(专利文献1)。
(2)在基材上具有铟/氧化铟复合蒸镀膜的转印材料(专利文献2)。
(3)在基材上具有分散有细片状发光材料的涂膜的装饰产品(专利文献3)。
(4)在基材上具有设有开口部的反射膜(金属)的装饰品(专利文献4)。
众所周知，在铟、锡、铅、锌、铋、锑等的金属蒸镀膜上，该金属作为微小并独立的岛存在，所以电波能够穿过岛与岛间的不存在有金属的间隙。因此，(1)、(2)的装饰构件具有电波透过性且具有金属光泽。
然而，在(1)、(2)的装饰构件中，若为了得到充分的金属光泽而增厚金属蒸镀膜，则各岛相互间部分地连接，形成变为良导体的网，结果，随着电波的频率(的改变)发生反射或吸收。
并且，锡容易发生氧化、氯化等，随着时间的推移，将失去金属光泽。另一方面，铟价格昂贵。
(3)的装饰构件由于是使发光材料分散在涂膜中，所以并不是具有像镜面般的金属光泽的产品。
至于(4)的装饰构件，只能通过对应于光反射层的开口部大小的特定频率的电波。
日本专利文献1：特开2005-249773号公报
日本专利文献2：特许第3414717号公报
日本专利文献3：特开2006-282886号公报
日本专利文献4：特开2006-276008号公报
【发明内容】
本发明提供一种具有电波透过性及像镜面般的金属光泽、且该金属光泽不容易丧失的低成本电波透过性装饰构件。
本发明的电波透过性装饰构件，其特征在于，包括：基体；以及光反射层，设置在该基体上，包含硅或锗与金属的合金。
优选为，上述光反射层是通过物理蒸镀硅或锗与金属的合金而形成的蒸镀膜。
优选为，在上述光反射层上没有形成不存在上述合金的间隙。
优选为，上述金属是反射率为50％以上的金属。
优选为，在上述合金(体积比100％)中，上述金属的比例为体积比0.1％～60％。
优选为，上述基体为有机高分子压型体。
优选为，光反射层的厚度为10nm～500nm。
本发明的电波透过性装饰构件，可以在上述基体与上述光反射层之间具有含白色颜料的掩模层。
本发明的电波透过性装饰构件，可以在上述基体与上述光反射层之间具有粘结促进层。
本发明的电波透过性装饰构件，其特征在于，包括：基体；以及设置在该基体上的包含半导体物质的光反射层。
优选为，上述光反射层是通过物理蒸镀半导体物质而形成的蒸镀膜。
优选为，在上述光反射层上没有形成不存在上述半导体物质的间隙。
优选为，上述半导体物质是硅或锗。
优选为，上述基体为有机高分子的压型体。
优选为，光反射层的厚度为10nm～500nm。
本发明的电波透过性装饰构件可以在上述基体与上述光反射层之间具有含白色颜料的掩模层。
本发明的电波透过性装饰构件可以在上述基体与上述光反射层之间具有粘结促进层。
本发明的电波透过性装饰构件具有电波透过性及像镜面般的金属光泽，该金属光泽不容易丧失，并且成本低。
【附图说明】
图1是示出本发明的电波透过性装饰构件的一个例子的剖面图；
图2是包含硅或锗与金属的合金的光反射层的表面的原子间力显微镜图像；
图3是包含硅或锗与金属的合金的光反射层的表面的高分辨率透射型电子显微镜图像；
图4是包含硅或锗与金属的合金的光反射层的剖面的高分辨率透射型电子显微镜图像；
图5是示出本发明的电波透过性装饰构件的其他例子的剖面图；
图6是实施例1的电波透过性装饰构件的透过衰减量(S21)和反射衰减量(S11)的图表；
图7是实施例1和实施例10的电波透过性装饰构件的反射率的图表；
图8是实施例1和实施例10的电波透过性装饰构件的透过率的图表；
图9是实施例11的电波透过性装饰构件的垂直入射透过衰减量的图表；
图10是实施例12的电波透过性装饰构件的斜入射透过衰减量的图表；
图11是包含半导体物质的光反射层的表面的原子间力显微镜图像；
图12是包含半导体物质的光反射层的表面的高分辨率透射型电子显微镜图像；
图13是包含半导体物质的光反射层的剖面的高分辨率透射型电子显微镜图像；
图14是实施例13的电波透过性装饰构件的透过衰减量(S21)和反射衰减量(S11)的图表；
图15是实施例13和实施例17的电波透过性装饰构件的反射率的图表；
图16是实施例13和实施例17的电波透过性装饰构件的透过率的图表；
图17是实施例18的电波透过性装饰构件的透过衰减量(S21)和反射衰减量(S11)的图表；
图18是实施例19的电波透过性装饰构件的斜入射透过衰减量的图表；
图19是实施例20的电波透过性装饰构件的斜入射透过衰减量的图表。
附图标记
10 电波透过性装饰构件 12 基体
14 光反射层 16 掩模层
【具体实施方式】
本发明中提及的光指的是可见光，电波指的是频率为10MHz～1000GHz的电磁波(亚毫米波～微波)。
<电波透过性装饰构件>
图1是示出本发明的电波透过性装饰构件的一个例子的剖面图。电波透过性装饰构件10包括基体12和设置于基体12上的光反射层14。
(基体)
作为基体，采用的是电波透过性的基体。作为电波透过性的基体，可列举出包含绝缘性有机材料或无机材料的绝缘性基体。绝缘性意味着表面电阻率在106Ω以上，优选表面电阻率在108Ω以上。基体的表面电阻率根据JIS K7194中记载的四探针法测得。
对于基体的形状，可列举出薄膜、片、立体压型体(成型体)等。
从压型加工性的观点出发，优选有机材料作为基体的材料。
作为有机材料，可列举出聚烯烃(聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物等)、环状聚烯烃、改性聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺(尼龙6、尼龙46、尼龙66、尼龙610、尼龙612、尼龙11、尼龙12、尼龙6-12、尼龙6-66等)、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚-(4-甲基戊烯-1)、离聚物、丙烯酸类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS树脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS树脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物、聚酯(聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚对苯二甲酸环己烷酯(polycyclohexane terephthalate)等)、聚醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚缩醛、聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、多芳基化合物(Polyarylate)、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、其它含氟树脂、热塑性弹性体(苯乙烯类、聚烯烃类、聚氯乙烯类、聚氨酯类、聚酯类、聚酰胺类、聚丁二烯类、反式-聚异戊二烯类、氟橡胶类、氯化聚乙烯类等)、环氧树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯、硅酮类树脂、尿烷类树脂、聚对二甲苯树脂、天然橡胶、聚丁二烯橡胶、聚异戊二烯橡胶、丙烯腈-丁二烯共聚物橡胶、苯乙烯-丁二烯共聚物橡胶、苯乙烯-异戊二烯共聚物橡胶、苯乙烯-丁二烯-异戊二烯共聚物橡胶、二烯类橡胶的加氢产品、饱和聚烯烃橡胶(乙烯-丙烯共聚物等的乙烯-α-烯烃共聚物等)、乙烯-丙烯-二烯烃共聚物、α-烯烃-二烯烃共聚物、聚氨酯橡胶、硅酮橡胶、聚醚类橡胶、及丙烯酸(类)橡胶等。
既可以单独使用一种有机材料，也可以组合两种以上的有机材料用作共聚物、混合物、聚合物合金、层叠体等。
有机材料根据需要可含有添加剂。作为添加剂，可列举出加强材料、防氧化剂、紫外线吸收剂、润滑剂、防云剂、防雾剂、可塑剂、颜料、近红外吸收剂、抗静电剂、着色剂等。
作为无机材料，可列举出玻璃(硅酸盐玻璃、石英玻璃等)、金属氧化物(Al2O3、BeO、MgO、ZrO2、Cr2O3等)、金属氮化物(AlN、Si3N4、TiN等)、金属碳化物(TiC等)、金属氮化物(MoB2、Ti2B等)、金属硅化物(MoSi2、W3Si2等)等的陶瓷。
既可以单独使用一种无机材料，也可以组合两种以上的无机材料进行使用。
基体的平均表面粗糙度优选在0.5μm以下，更优选在0.1μm以下。如果基体的平均表面粗糙度在0.5μm以下，则即使将光反射层变薄，由于光反射层跟随基体表面，所以也能充分得到像镜面样的金属光泽。
基体的平均表面粗糙度是JIS B0601-2001的算术平均粗糙度Ra。
(光反射层I)
光反射层是包含硅或锗与金属的合金的层。也可以同时使用硅和锗。
硅或锗与金属的合金同单独的硅或锗相比，使得光反射层的反射率和亮度提高，得到了明亮的光反射层。并且，与硅相比，该合金更软，所以光反射层的内部应力降低，与基体间的粘着性上升，可抑制断裂的发生。
硅和锗不同于后述的金属，它们是半导体物质。
只要能够维持光反射层的高表面电阻率即可，硅和锗也可以含有不构成掺杂物的杂质。
优选硅和锗尽量不含有掺杂物(硼、磷、砷、锑等)。掺杂物的量优选在1ppm以下，更优选在10ppb以下。
作为金属，优选是反射率在50％以上的金属，更优选是80％以上的金属。可列举出金、银、铜、铝、白金、铁、镍、铬等作为该金属，如果考虑到反射率和成本，铝是优选的。
反射率说的是基于JIS Z 8722的条件d(n-D)的包含正反射率在内的漫反射率，其是短波长侧为360nm～400nm、长波长侧为760nm～830nm的可见光区域的平均值，采用积分球，包含光泽成分的正反射光在内地测得该反射率。
合金(按体积计为100％)中，金属的比例优选按体积计为0.1％～80％，更优选按体积计为0.1％～60％。金属的比例如果在按体积计为0.1％以上，则光反射层的亮度提高，且光反射层的内部应力下降。金属的比例如果在按体积计为60％以下，则进一步改善电波透过性。
只要能够维持光反射层的高表面电阻率和高金属光泽，合金也可以含有除硅、锗及金属以外的杂质。
光反射层的厚度优选为10nm～500nm，更优选为50nm～200nm。光反射层的厚度如果在10nm以上，则光不容易透过，可得到充分的金属光泽。光反射层的厚度如果在500nm以下，则可抑制杂质所引起的导电性上升，从而可维持足够的电波透过性。此外，还可抑制内部应力上升及装饰构件翘曲、变形、断裂、脱落等。
光反射层的厚度根据光反射层剖面的高分辨率显微镜图像测得。
光反射层的表面电阻率优选在102Ω以上，更优选在104Ω以上，更进一步优选在106Ω以上。如果光反射层的表面电阻率在104Ω以上，则可维持足够的电波透过性。
光反射层的表面电阻率根据JIS K7194中记载的四探针法测得。
光反射层的平均表面粗糙度优选在0.05μm以下。光反射层的平均表面粗糙度如果在0.05μm以下，则能抑制漫反射，获得充分的金属光泽。光反射层的平均表面粗糙度的下限设定在可通过研磨加工实现的0.1nm。
光反射层的平均表面粗糙度是JIS B0601-2001的算术平均粗糙度Ra。具体而言，如图2所示，通过原子间力显微镜测得表面形状，沿平均线方向提取基准长度，将从提取部分的平均线至粗糙度曲线的偏差的绝对值相加，求出平均值(算术平均粗糙度Ra)。
光反射层例如通过物理蒸镀硅或锗与金属的合金而形成。
物理蒸镀法是在真空容器中通过某种方法将蒸发材料(合金)气化、并且将气化后的蒸发材料堆积到放置于附近的基体上而形成薄膜的方法，根据蒸发材料的气化方法的不同，划分为蒸发类和溅射类。作为蒸发类，可列举EB蒸镀、离子镀膜等，作为溅射类，可列举RF(高频)溅射、磁控溅射、对靶型磁控溅射等。
作为EB蒸镀法，存在膜容易形成多孔而膜强度不足的倾向，但特征是基体的损伤少。根据离子镀膜，可得到附着力强的膜，因此是优选的。磁控溅射的膜生长速度快，对靶型磁控溅射可在不对基体等离子损伤的情况下生成薄膜，RF溅射可采用电阻高的靶(蒸发材料)，因此是优选的。
图3是通过采用锗-铝合金的RF溅射形成的光反射层的表面的高分辨率透射型电子显微镜图像，图4是该光反射层的剖面的高分辨率透射型电子显微镜图像。与以往的采用铟、锡等时出现的独立的岛(微小簇)的集合体不同，未形成不存在合金的间隙，成为具有均匀的非晶质结构的连续的层。
(光反射层II)
光反射层为包含半导体物质的层。
作为半导体物质，可列举元素半导体物质或者化合物半导体物质。
作为元素半导体物质，可列举硅、锗，也可以同时使用硅和锗。从在常温下呈现出稳定的半导体特性、可见光区域的吸收少的观点出发，锗是优选的。
作为化合物半导体物质，可列举SiGe、GaAs、GaSb、InP、InAs、InSb、PbS、PbSe、PbTe等带隙在红外线区域的半导体物质，可见光区域的吸收少的半导体物质是优选的。
对于半导体物质，只要能够维持光反射层的高表面电阻率，也可以含有不构成掺杂物的杂质。
对于半导体物质，优选尽量不包含掺杂物(硼、磷、砷、锑等)。掺杂物的量优选在1ppm以下，更优选在10ppb以下。
光反射层的厚度优选为10nm～500nm，更优选为50nm～200nm。光反射层的厚度如果在10nm以上，则光不容易透过，可得到充分的金属光泽。光反射层的厚度如果在500nm以下，则可抑制杂质所引起的导电性上升，从而可维持足够的电波透过性。此外，还可抑制内部应力上升及装饰构件翘曲、变形、断裂、脱落等。
光反射层的厚度能够根据光反射层剖面的高分辨率显微镜图像测得。
光反射层的表面电阻率优选在106Ω以上。如果光反射层的表面电阻率在106Ω以上，则可维持足够的电波透过性。
光反射层的表面电阻率根据JIS K7194中记载的四探针法测得。
光反射层的平均表面粗糙度优选在0.05μm以下。光反射层的平均表面粗糙度如果在0.05μm以下，则能抑制漫反射，获得充分的金属光泽。光反射层的平均表面粗糙度的下限设定为可通过研磨加工实现的0.1nm。
光反射层的平均表面粗糙度是JIS B0601-2001的算术平均粗糙度Ra。具体而言，如图11所示，通过原子间力显微镜测得表面形状，沿平均线方向提取基准长度，将从提取部分的平均线至粗糙度曲线的偏差的绝对值相加，求出平均值(算术平均粗糙度Ra)。
光反射层例如通过物理蒸镀半导体物质而形成。
物理蒸镀法是在真空容器中通过某种方法将蒸发材料(半导体物质)气化、将气化后的蒸发材料堆积到放置于附近的基体上而形成薄膜的方法，根据蒸发材料的气化方法的不同，划分为蒸发类和溅射类。作为蒸发类，可列举EB蒸镀、离子镀膜等，作为溅射类，可列举RF(高频)溅射、磁控溅射、对靶型磁控溅射等。
作为EB蒸镀法，存在膜容易形成多孔而膜强度不足的倾向，但特征是对基体的损伤少。根据离子镀膜，可得到附着力强的膜，因此是优选的。磁控溅射的膜生长速度快，对靶型磁控溅射可在不对基体等离子损伤的情况下生成薄膜，RF溅射可采用电阻高的对靶(蒸发材料)，因此是优选的。
图12是采用硅通过RF溅射形成的光反射层的表面的高分辨率透射型电子显微镜图像，图13是该光反射层的剖面的高分辨率透射型电子显微镜图像。与以往的采用铟、锡等时出现的独立的岛(微小簇)的集合体不同，没有形成不存在半导体物质的间隙，成为具有均匀的非晶质结构的连续的层。
(掩模层)
如图5所示，电波透过性装饰构件10也可以在基体12与光反射层14之间具有含白色颜料的掩模层16。
当光反射层薄时，光的一部分不被反射而透过，因此通过在基体与光反射层之间设置电波透过性的掩模层，可以调整装饰构件的反射率。通过提高掩模层的反射率，使得装饰构件的反射率提高，得到亮度高的金属光泽。
作为白色颜料，可列举氧化钛、氧化镁等。
作为掩模层的形成方法，可列举涂布含白色颜料的涂料的方法及基于采用白色颜料进行物理蒸镀的方法等。
(粘结促进层)
为了提高基体与光反射层(或掩模层)之间的粘合性，本发明的电波透过性装饰构件也可以在基体与光反射层(或掩模层)之间具有粘结促进层(省略图示)。并且，根据需要，也可以在形成粘结促进层之前，在基体的表面实施氧化处理(氧等离子处理等)。
作为粘结促进层，可列举硅烷偶联层、金属层、亲水层等。
硅烷偶联层是包含硅烷偶联剂的层。作为硅烷偶联剂，可列举氰乙基三甲氧基硅烷、氰丙基三甲氧基硅等。
金属层是相当于几个原子厚度的金属的层。作为金属，可列举镍、铬、铝、钛等与有机材料具有亲和性的金属，并需要与基体相同的绝缘性。
作为亲水层，可列举通过Itro处理等形成的二氧化硅膜等。
(保护层)
根据需要，也可以在光反射层的表面设置保护层(省略图示)。
作为保护层，可列举包含二氧化硅等的顶涂层等。
以上说明的本发明的电波透过性装饰构件在基体上具有包含硅或锗与金属的合金的光反射层，因此具有电波透过性及像镜面般的金属光泽。并且，由于采用了与锡等廉价金属单体相比难以引起氧化、氯化等的硅或锗与金属的合金，因此不易随着时间的推移而失去金属光泽。并且，由于采用了与铟等稀有金属单体相比价廉的硅或锗与金属的合金，因此成本低。
并且，在基体上具有包含半导体物质的光反射层，因此具有电波透过性及像镜面般的金属光泽。并且，由于采用了与锡等廉价金属单体相比难以引起氧化、氯化等的硅或锗这样的半导体物质，因此不易随着时间的推移而失去金属光泽。并且，由于采用了与铟等稀有金属单体相比价廉的硅或锗这样的半导体物质，因此成本低。
包含硅或锗这样的半导体物质的合金使电波透过、并且呈现出金属光泽的理由如下。
作为金属特征的自由电子具有导电性。并且，当电磁波(光、电波)要进入到金属内时，自由电子移动而引起强烈的电子极化，诱发与所进入的电磁波的电场相反的电束，因此电磁波难以进入到金属内，电磁波被反射而无法透过。并且，由于在可见光区域中具有高反射率，因此认为是金属光泽。
另一方面，在半导体物质的情况下，只有少数的自由电子，与金属的情况不同，电波可以不被反射而通过。金属光泽不是由自由电子引发的，而是带间的直接迁移所致的强吸收存在于可见光区域，因此引起强烈的电子极化，具有高折射率，所以具有高反射率。
并且，在本发明中，采用包含硅或锗与金属的合金的理由如下。
硅或锗虽然在可见光区域中具有高反射率，但是比金属的反射率(例如，在620nm的文献值为银98％、铝90％，Handbook of OpticalConstants of Solids，E.L.Palik，Acaemic Press.，(1985))低，为36％(在620nm的文献值)。因此，通过与反射率为50％以上的金属形成合金，可以提高反射率，提升亮度，得到具有明亮的金属光泽的光反射层。并且，该金属比硅等柔软，因此光反射层的内部应力降低，粘合性上升，抑制断裂的产生。
实施例
(电波透过性)
采用同轴管型屏蔽效果测量系统(KEYCOM公司制，S-39D、ASTM、D4935标准)，在外部主体(outer body)内径39mm的同轴管内的圆盘上放置试料，通过与同轴管两端连接的矢量网络分析仪(ANRITSU公司制，37247C)来求出透过衰减量(S21)及反射衰减量(S11)。透过衰减量越接近0Db，电波透过性越优良。
(毫米波垂直入射透过性)
在水平式透过衰减量测量装置(KEYCOM公司制，可调整入射角)的两个透镜天线之间设置样本，通过与透镜天线连接的标量网络分析仪(Wiltron54147A(使用放大器(multiplier)))求出入射角为0度的垂直入射透过衰减量。透过衰减量越接近0Db，电波透过性越优良。
(毫米波斜入射透过性)
在水平式透过衰减量测量装置(KEYCOM公司制，可调整入射角)的两个透镜天线之间设置样本，通过与透镜天线连接的标量式网络分析仪(Wiltron54147A(使用放大器))，在测量频率76GHz调整样本角度而求出-45度至45度的斜入射透过衰减量。透过衰减量越接近0Db，电波透过性越好。
(反射率)
反射率说的是基于JIS Z 8722的条件d(n-D)的包含正反射率在内的漫反射率，其是短波长侧为360nm～400nm、长波长侧为760nm～830nm的可见光区域的平均值，是采用积分球，包含光泽成分的正反射光在内地测得。
具体而言，采用紫外可见近红外分光光度计(日本分光公司制，V-570)，采用积分球、包含光泽成分的正反射光在内地测得装饰构件的反射率。求出波长为380nm～780nm的401处测量点的平均值。
(透过率)
采用紫外可见近红外分光光度计(日本分光公司制，V-570)，采用积分球，测得装饰构件的透过率。
(光反射层的厚度)
采用透过型电子显微镜(日本电子公司制，JEM-4000EX)，观察光反射层的剖面，测得5处光反射层的厚度，进行平均。
(平均表面粗糙度)
采用扫描型探针显微镜(SII Nano Technology公司制，SPA300)，在原子间力显微镜DFM模式下，扫描光反射层的表面1μm□，作成表面形状的像，求出平均表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra)。
(表面电阻率)
光反射层的表面电阻率通过采用电阻率计(Dia Instruments公司制，Loresta GP MCP-T600型，JIS K7194标准)，将串联四探针(ASP)放置于试料(sample)上来测得。测量电压为10V。
(内部应力)
在厚度为0.3mm的聚碳酸酯片(大小为100mm2)上形成光反射层之后，将该片置于平台(surface plate)之上，利用尺子来测得所装片的中央部与平台之间的间隙。将该间隙作为内部应力的指标。
(粘合性)
关于光反射层的粘合性，通过基于JIS K5400的棋盘格试验进行评价。
(化学鉴定)
采用X射线衍射装置(岛津制作所公司制，XRD-6100)，对靶与蒸镀膜之间的成分比进行比较，判断蒸镀膜的成分是否与靶的相应成分相同。
[实施例1]
作为靶，准备了掺硼的硅与铝的合金(铝的比例：体积比10％、掺硼量：约1ppb)。铝单体的反射率为87.6％。
装配作为RF溅射装置(Shibaura Mechatronics公司制，CFS-4ES)的阴极的靶，并在真空腔内达到真空之后，向真空腔内导入氩气，通过RF溅射在厚度为0.3mm的聚碳酸酯片上物理蒸镀靶的合金，得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力。并且，观察该装饰构件的外观。并且，进行化学鉴定的结果，光反射层的铝的比例与靶中的铝的比例相同。结果示于表1。
并且，图6示出该装饰构件的透过衰减量(S21)及反射衰减量(S11)的图表。
并且，图7示出该装饰构件的反射率的图表(无掩模层)，图8示出该装饰构件的透过率的图表(无掩模层)。
[实施例2～8]
除了将铝的比例变更为表1所示的比例之外，与实施例1相同地得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力。并且，观察该装饰构件的外观。并且，使光反射层的铝的比例与靶中的铝的比例相同。结果示于表1～2。
[比较例1]
除了采用铝单体作为靶之外，与实施例1相同地得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表2。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5
铝的比例(体 积％) 10 20 30 40 50
光反射层厚 度(nm) 200 200 200 200 200
光反射层 平均表面粗 糙度(nm) 3.4 2.8 2.0 2.3 3.1
透过衰减量 (dB) 1GHz 3GHz 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
反射率(％) 400nm 500nm 600nm 700nm 平均值 48.1 43.9 40.6 48.0 44.4 50.4 47.4 45.7 44.1 46.7 51.3 49.2 47.7 46.7 48.5 52.4 50.4 49.0 47.8 49.6 56.9 56.8 56.9 56.9 56.9
表面电阻率 (Ω) 108以上 108以上 108以上 3×107 4×104
内部应力 (mm) 6.0 5.2 4.1 2.7 1.8
外观 有金属光 泽 有金属光 泽 有金属光 泽 有金属光 泽 有金属光 泽
[表2]
实施例6 实施例7 实施例8 比较例1
铝的比例(体 积％) 60 70 80 100
光反射层厚 度(nm) 200 200 200 200
实施例6 实施例7 实施例8 比较例1
光反射层 平均表面粗 糙度(nm) 4.2 2.2 3.6 2.2
透过衰减量 (dB) 1GHz 3GHz -0.6 -0.6 -6.3 -6.3 -7.7 -7.5 -50.8 -51.0
反射率(％) 400nm 500nm 600nm 700nm 平均值 58.0 59.4 60.2 60.7 59.9 58.7 61.1 62.3 62.6 61.7 60.3 64.9 66.7 66.7 65.2 80.8 86.6 87.7 86.3 85.7
表面电阻率 (Ω) 4×103 2×103 2×102 4×10-1
内部应力 (mm) 1.6 0.6 0.6 1.7
外观 有金属光泽 有金属光泽 有金属光泽 有金属光泽
[实施例9]
将厚度为0.5mm的聚丙烯片(按质量计含有10％的有机化胶岭石)脱脂洗净之后，对表面实施氧等离子处理，接着，按照成为1.5个原子厚的方式溅射铬，形成粘结促进层。
作为靶，准备了锗与铝的合金(铝的比例：按体积计为40％)。
装配作为RF溅射装置(Shibaura Mechatronics公司制、CFS-4ES)的阴极的靶，并在真空腔内达到真空之后，向真空腔内导入氩气，通过RF溅射在粘结促进层上物理蒸镀靶的合金，得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力，评价了粘合性(剥离的格/全部格)。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表3。未看见光反射层的剥离。
[实施例10]
将厚度为0.5mm的聚甲基丙烯酸甲酯片脱脂洗净之后，对表面实施氧等离子处理，接着，按照成为1.0个原子厚的方式溅射钛，形成粘结促进层。
在粘结促进层上涂布含有氧化钛粉的隐蔽性高的白色丙烯酸涂料，形成掩模层。
作为靶，准备了硅与铝的合金(铝的比例：按体积计为10％)。
装配作为RF溅射装置(Shibaura Mechatronics公司制、CFS-4ES)的阴极的靶，并在真空腔内达到真空之后，向真空腔内导入氩气，通过RF溅射在粘结促进层上物理蒸镀靶的合金，得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表3。
并且，图7示出该装饰构件的反射率的图表(有掩模层)，图8示出该装饰构件的透过率的图表(有掩模层)。由于掩模层的效果，实施例10的装饰构件与实施例1的装饰构件相比，反射率上升，透过率几乎为0。其结果，呈现出高亮度的金属光泽。
[表3]
实施例9 实施例10
其他层 粘结促进层 粘结促进层 掩模层
铝的比例(体积％) 40 10
光反射层厚度(nm) 75 100
光反射层 平均表面粗糙度(nm) 4.7 8.5
透过衰减量 (dB) 1GHz 3GHz 0.0 0.0 0.0 0.0
反射率(％) 400nm 500nm 600nm 700nm 平均值 52.7 51.4 50.3 47.7 49.9 44.3 41.1 38.1 60.8 48.1
透过率(％) 400nm 500nm 600nm 700nm 平均值 - - - - - 0 0 0 0 0
实施例9 实施例10
表面电阻率(Ω) 108以上 108以上
内部应力(mm) 0.2 2.6
粘合性 100/100 -
外观 有金属光泽 有金属光泽
[实施例11]
将厚度为2.5mm的聚碳酸酯片脱脂洗净之后，对表面实施氧等离子处理，接着，涂布含有二氧化硅微粒的丙烯酸酯涂料，通过UV照射，使之固化，形成粘结促进层。
作为靶，准备了锗与铝的烧结合金(铝的比例：按体积计为30％)。
装配作为RF溅射装置(Shibaura Mechatronics公司制、CFS-4ES)的阴极的靶，并在真空腔内达到真空之后，向真空腔内导入氩气，通过RF溅射在掩模层上物理蒸镀靶的合金，得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、60GHz至GHz下的垂直入射透过衰减量、反射率、表面电阻率。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表4，图9示出该装饰构件的垂直入射透过衰减量的图表。
实施例11的装饰构件也呈现出透过率在60GHz至90GHz的高频带中几乎为0的良好的透过性，呈现出高亮度的金属光泽。
[实施例12]
将厚度为2.5mm的聚碳酸酯片脱脂洗净之后，对表面实施氧等离子处理，接着，涂布含有氧化镁粉的隐蔽性高的白色丙烯酸酯涂料，通过UV照射，使之固化，形成掩模层。
作为靶，准备了锗与银的烧结合金(银的比例：按体积计为0.1％)。
装配作为RF溅射装置(Shibaura Mechatronics公司制、CFS-4ES)的阴极的靶，在真空腔内达到真空之后，向真空腔内导入氩气，通过RF溅射在掩模层上物理蒸镀靶的合金，得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、在76GHz下将入射角从-45度改变为45度而得到的斜入射透过衰减量、反射率、表面电阻率。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表4，图10示出该装饰构件的斜入射透过衰减量的图表。
实施例12的装饰构件的透过率在76GHz的高频带中即使改变入射角受到的影响也较小，呈现出几乎为0的良好的直进性，呈现出高亮度的金属光泽。
[表4]
实施例11 实施例12
铝的比例(体积％) 30 -
实施例11 实施例12
银的比例(体积％) - 0.1
光反射层厚度(nm) 500 10
反射率(％) 400nm 500nm 600nm 700nm 平均值 51.2 49.2 47.8 47.0 48.6 49.4 47.7 47.9 49.2 48.2
表面电阻率(Ω) 108以上 108以上
外观 有金属光泽 有金属光泽
[实施例13]
作为靶，准备了掺硼的硅(掺硼量：约1ppb)。
装配作为RF溅射装置(Shibaura Mechatronics公司制、CFS-4ES)的阴极的靶，并在真空腔内达到真空之后，向真空腔内导入氩气，通过RF溅射在厚度为0.3mm的聚碳酸酯片上物理蒸镀靶的半导体物质，得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表1。
并且，图14示出该装饰构件的透过衰减量(S21)及反射衰减量(S11)的图表。
并且，图15示出该装饰构件的反射率的图表(无掩模层)，图16示出该装饰构件的透过率的图表(无掩模层)。
[实施例14～15]
除了变更RF溅射的条件使光反射层的厚度成为表5所示的厚度之外，与实施例13相同地得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表5。
[比较例1]
除了采用铝单体作为靶之外，与实施例13相同地得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表5。
[表5]
实施例13 实施例14 实施例15 比较例1
光反射层厚度(nm) 100 200 400 100
光反射层 平均表面粗糙度(nm) 2.3 1.8 2.0 2.5
透过衰减量 (dB) 1GHz 3GHz 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 -45.1 -46.1
反射率(％) 400nm 500nm 600nm 700nm 平均值 47.4 40.9 53.0 43.3 43.8 44.3 41.0 34.6 44.0 39.2 47.3 43.2 41.5 48.9 43.2 78.4 84.0 85.1 83.7 83.1
表面电阻率(Ω) 108以上 108以上 108以上 8×10-1
内部应力(mm) 3.1 6.4 9.7 1.2
外观 有稍黑红 的金属光 泽 有泛红的 金属光泽 有金属光 泽 有金属光 泽
[实施例16]
将厚度为0.5mm的聚丙烯片(按质量计含有10％的有机化胶岭石)脱脂洗净之后，对表面实施氧等离子处理，接着，按照成为1.5个原子厚的方式溅射铬，形成粘结促进层。
作为靶，准备了GaAs(按原子计As为50.005％)。
装配作为RF溅射装置(Shibaura Mechatronics公司制、CFS-4ES)的阴极的靶，并在真空腔内达到真空之后，向真空腔内导入氩气，通过RF溅射在粘结促进层上物理蒸镀靶的半导体物质，得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力，评价了粘合性(剥离的格/全部格)。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表6。看不见光反射层的剥离。
[实施例17]
将厚度为0.5mm的聚甲基丙烯酸甲酯片脱脂洗净之后，对表面实施氧等离子处理，接着，按照成为1.0个原子厚的方式溅射钛，形成粘结促进层。
在粘结促进层上涂布含有氧化钛粉的隐蔽性高的白色丙烯酸涂料，形成掩模层。
作为靶，准备了硅。
装配作为RF溅射装置(Shibaura Mechatronics公司制、CFS-4ES)的阴极的靶，并在真空腔内达到真空之后，向真空腔内导入氩气，通过RF溅射在粘结促进层上物理蒸镀靶的半导体物质，得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表6。
并且，图15示出该装饰构件的反射率的图表(有掩模层)，图16示出该装饰构件的透过率的图表(有掩模层)。由于掩模层的效果，实施例17的装饰构件与实施例13的装饰构件相比，反射率上升，透过率几乎为0。其结果，呈现出高亮度的金属光泽。
[实施例18]
除了使用掺硼的锗(掺硼量：约0.1ppb)作为靶以外，与实施例13相同地得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、平均表面粗糙度、1GHz及3GHz下的透过衰减量(S21)、反射率、表面电阻率、内部应力。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表6。
并且，图17示出该装饰构件的透过衰减量(S21)及反射衰减量(S11)的图表。
[表6]
实施例16 实施例17 实施例18
其他层 粘结促进层 粘结促进层 掩模层 -
光反射层厚度(nm) 75 100 100
光反射层 平均表面粗糙度(nm) 5.1 7.9 3.2
透过衰减量 (dB) 1GHz 3GHz 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
反射率(％) 400nm 500nm 600nm 700nm 平均值 50.1 48.0 45.5 39.7 44.6 47.5 41.1 55.0 57.0 50.6 49.5 47.6 47.9 49.2 48.3
实施例16 实施例17 实施例18
透过率(％) 400nm 500nm 600nm 700nm 平均值 - - - - - 0 0 0 0 0 - - - - -
表面电阻率(Ω) 108以上 108以上 2×107
内部应力(mm) 0.3 3.1 1.5
粘合性 100/100 - -
外观 有金属光泽 有金属光泽 有金属光泽
[实施例19]
将厚度为2.5mm的聚碳酸酯片脱脂洗净之后，对表面实施氧等离子处理，接着，涂布含有氧化镁粉的隐蔽性高的白色丙烯酸酯涂料，通过UV照射，使之固化，形成掩模层。
作为靶，准备了锗与银的烧结合金(银的比例：按体积计为0.1％)。
装配作为RF溅射装置(Shibaura Mechatronics公司制、CFS-4ES)的阴极的靶，在真空腔内达到真空之后，向真空腔内导入氩气，通过RF溅射在掩模层上物理蒸镀靶的合金，得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、在76GHz下将入射角从-45度改变为45度而得到的斜入射透过衰减量、反射率、表面电阻率。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表7，图18示出该装饰构件的斜入射透过衰减量的图表。
实施例19的装饰构件在76GHz的高频带中即使改变入射角，其受到的影响也较小，呈现出透过率几乎为0的良好的直进性，呈现出高亮度的金属光泽。
[实施例20]
除了使光反射层的厚度成为500nm之外，与实施例19相同地得到装饰构件。
针对该装饰构件，测得光反射层的厚度、在76GHz下将入射角从-45度改变为45度而得到的斜入射透过衰减量、反射率、表面电阻率。并且，观察该装饰构件的外观。结果示于表7，图19示出该装饰构件的斜入射透过衰减量的图表。
实施例20的装饰构件在76GHz的高频带中即使改变入射角，其受到的影响也较小，呈现出透过率几乎为0的良好的直进性，呈现出高亮度的金属光泽。
[表7]
实施例19 实施例20
光反射层厚度(nm) 10 500
实施例19 实施例20
反射率(％) 400nm 500nm 600nm 700nm 平均值 49.2 47.4 47.6 49.1 48.0 49.5 47.7 47.9 49.2 48.4
表面电阻率(Ω) 108以上 5×107
外观 有金属光泽 有金属光泽
产业上的可利用性
本发明的电波透过性装饰构件可作为便携式电话的壳体和按钮、电波钟表的壳体、通信设备的壳体、以及设置有雷达的汽车的前护栅和保险杠等使用。