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1、10申请公布号CN104155472A43申请公布日20141119CN104155472A21申请号201410344604822申请日20140718G01P5/10200601G01P13/02200601B81C1/0020060171申请人苏州能斯达电子科技有限公司地址215123江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号C51772发明人祁明锋张珽刘瑞沈方平丁海燕谷文74专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫54发明名称一种热膜风速风向传感器及其制备方法57摘要本发明涉及风速风向检测技术领域，公开了一种热膜风速风向传感器，包括衬底、绝缘层、测温元件和加热元件；在衬底。
2、上表面形成有一定深度的多孔硅隔热层，且多孔硅隔热层上表面与衬底上表面平齐，多孔硅隔热层上表面和孔壁表面沉积有二氧化硅薄膜层；绝缘层贴覆在衬底上表面，测温元件和加热元件设置于绝缘层上表面；测温元件和加热元件位于多孔硅隔热层正上方所对应区域内。本发明还公开了其制备方法在硅片衬底上表面腐蚀形成多孔硅隔热层，在多孔硅隔热层上表面和孔壁表面沉积形成二氧化硅薄膜层，通过光刻绝缘层表面的多晶硅层形成测温元件和加热元件。该制备方法制备的传感器可降低测量功耗，缩短传感器响应时间，增强芯片灵敏度。51INTCL权利要求书2页说明书6页附图5页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书6页。
3、附图5页10申请公布号CN104155472ACN104155472A1/2页21一种热膜风速风向传感器，其特征在于，包括衬底1、绝缘层2、测温元件3和加热元件4；所述衬底1的上表面形成有一定深度的多孔硅隔热层5，且所述多孔硅隔热层5的上表面与所述衬底1的上表面平齐；所述多孔硅隔热层5的上表面和孔壁12表面形成有二氧化硅薄膜层13；所述绝缘层2贴覆在所述衬底1上表面；所述测温元件3和加热元件4设置于所述绝缘层2上表面，二者均为单晶硅材质；所述测温元件3和加热元件4位于所述多孔硅隔热层5正上方所对应的区域内。2根据权利要求1所述的热膜风速风向传感器，其特征在于，所述衬底1由100晶向单晶硅制成。。
4、3根据权利要求1所述的热膜风速风向传感器，其特征在于，所述多孔硅隔热层5的厚度为20100M；所述二氧化硅薄膜层13的厚度为50200NM。4根据权利要求13任意一项所述的热膜风速风向传感器，其特征在于，所述绝缘层2包括二氧化硅层6和氮化硅层7；所述二氧化硅层6贴覆在所述衬底1的上表面，所述氮化硅层7覆盖在所述二氧化硅层6的上表面。5根据权利要求1所述的热膜风速风向传感器，其特征在于，所述测温元件3和加热元件4之间设置有ICP槽14。6一种热膜风速风向传感器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤S1选取硅片作为衬底1；S2在所述衬底1的上表面以腐蚀的方法制备一定厚度的多孔硅隔热层5；S。
5、3所述多孔硅隔热层5的上表面和孔壁12表面形成二氧化硅薄膜层13；S4采用气相沉积的方法，在所述衬底1的上表面制备绝缘层2；S5采用气相沉积的方法，在所述绝缘层2的上表面形成多晶硅层10，并通过光刻所述多晶硅层10制作形成加热元件4和测温元件3。7根据权利要求6所述的热膜风速风向传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括以下步骤S6采用ICP硅深槽刻蚀技术，在所述测温元件3和加热元件4之间制作形成ICP槽14；S7采用磁控溅射的方法，在所述多晶硅层的上表面溅射形成金属层11，并通过进行光刻、刻蚀、去胶形成金属电极8；S8采用气相沉积的方法，在步骤S7所得上表面上制备一定厚度的碳化硅层9，。
6、通过进行光刻、刻蚀、去胶形成压焊区。8根据权利要求6或7所述的热膜风速风向传感器的制备方法，其特征在于，所述衬底1由100晶向单晶硅片制成。9根据权利要求6所述的热膜风速风向传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中制备有一定厚度的多孔硅隔热层5，其具体步骤为首先在所述衬底1上表面涂胶，然后用光刻机对硅片光刻去胶，再通过腐蚀形成多孔硅结构，作为隔热层；所述腐蚀形成多孔硅结构的具体方法为湿法腐蚀中的电化学方法、化学腐蚀法、刻蚀法或水热腐蚀法，或者为干法腐蚀中的等离子体腐蚀法；所述多孔硅隔热层5的厚度为20100M；所述步骤S3中制备二氧化硅薄膜层13的具体方法为采用热氧化工艺在所述多孔硅隔热层。
7、5的上表面和孔壁12表面氧化形成二氧化硅薄膜层13；所述二氧化硅薄膜层13厚度为权利要求书CN104155472A2/2页350200NM。10根据权利要求6或7所述的热膜风速风向传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中制备绝缘层的具体步骤为首先在所述衬底1的上表面制备二氧化硅层6，再采用化学气相沉积的方法，在所述二氧化硅层6的上表面制备氮化硅层7。权利要求书CN104155472A1/6页4一种热膜风速风向传感器及其制备方法技术领域0001本发明涉及风速风向检测技术领域，尤其涉及一种具有多孔硅隔热层的热膜风速风向传感器及其制备方法。背景技术0002风能作为清洁无污染和可持续发展的能源一直。
8、是资源开放利用的重点。风速、风向是反应风影响的气象情况的重要参数，在航空航天、工农业生产、气象预报、气候分析等领域应用广泛，对环境监测、空气调节和工农业的生产有重要影响。只有快准确测量出风速和风向，才能更好的利用风能，因此风速风向测定具有重要的现实意义。0003目前，可以利用风速风向传感器来测量风速和风向。风速传感器的感应元件是三杯风组件，由三个碳纤维风杯和杯架组成。转换器为多齿转杯和狭缝光耦。当风杯受水平风力作用而旋转时，通过轴转杯在狭缝光耦中的转动，输出频率的信号。而风向传感器的变换器为码盘和光电组件。当风标随风向变化而转动时，通过轴带动码盘在光电组件缝隙中的转动，产生的光电信号对应当时风。
9、向的格雷码输出。传感器的变换器可采用精密导电塑料电位器，从而在电位器活动端产生变化的电压信号输出。这种风速风向传感器的价格相对昂贵，几千到几万不等，有的结合风速风向传感器的一体化气象站的价格可高达几百万。在实际应用中，研发体积小、重量轻、价格低廉、适合公众应用的风速风向传感器迫在眉睫。0004热式风向风速传感器是测试处于通电状态下传感器因风而冷却产生的电阻变化，由此测试风速。除携带容易方便外，其成本性能比高，作为风速计的标准产品广泛地被采用。热式风速计的素子可使用白金线、电热偶、半导体等。0005近些年来，微机电系统MEMS,MICROELECTROMECHANICALSYSTEM作为一种先进。
10、的制造技术平台，将微电路和微机械按功能要求在芯片上的集成，尺寸通常控制在毫米或微米级，已经涉及应用在微电子、材料、力学、化学、机械学等诸多学科领域中的微尺度下的力、电、光、磁、声、表面等物理学的各分支。微电子技术的主要内容有氧化层生长、光刻掩膜制作、光刻选择掺杂屏蔽扩散、离子注入、薄膜层生长、连线制作等。微加工技术的主要内容有硅表面微加工和硅体微加工各向异性腐蚀、牺牲层技术、晶片键合技术、制作高深宽比结构的LIGALITHOGRAPHIE，GALANOFORMUNG，ABFORMUNG技术等。利用微电子技术可制造集成电路和许多传感器。微加工技术很适合于制作某些压力传感器、加速度传感器、微泵、微。
11、阀、微沟槽、微反应室、微执行器、微机械等。0006基于MEMS加工技术的热式风速风向传感器是通过其上的加热元件产生的热量与外界环境进行热交换来感应风的变化，利用的是强迫对流效应，而传感器总体功耗方面除了包括由于强迫对流效应造成的热损失以外，还包含由于热传导效应造成的功耗损失，这一部分功耗对于风的感知是不起任何作用的，因此如何减小热式风速风向传感器由于热传导效应造成的功率损失成了传感器设计的一大问题。此外，硅衬底的高热导率也使得这类传感器的功耗较大，灵敏度较低，产品的应用受到了很多的限制。说明书CN104155472A2/6页5发明内容0007本发明所要解决的技术问题在于，提供一种热膜风速风向传。
12、感器及其制备方法，可通过在衬底中设有多孔硅隔热层，从而降低传感器进行风速风向测量时的功耗，确保测量的准确性。0008为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是0009一种热膜风速风向传感器，包括衬底、绝缘层、测温元件和加热元件；所述衬底的上表面形成有一定深度的多孔硅隔热层，且所述多孔硅隔热层的上表面与所述衬底的上表面平齐；所述多孔硅隔热层的上表面和孔壁表面形成有二氧化硅薄膜层；所述绝缘层贴覆在所述衬底上表面；所述测温元件和加热元件设置于所述绝缘层上表面，二者均为单晶硅材质；所述测温元件和加热元件位于所述多孔硅隔热层正上方的所对应的区域。0010优选的，所述衬底由100晶向单晶硅制成。0011。
13、优选的，所述多孔硅隔热层的厚度为20100M；所述二氧化硅薄膜层厚度为50200NM。0012所述绝缘层包括二氧化硅层和氮化硅层；所述二氧化硅层贴覆在所述衬底的上表面，所述氮化硅层覆盖在所述二氧化硅层的上表面。0013所述测温元件和加热元件之间设置有ICP槽。0014一种热膜风速风向传感器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤0015S1选取硅片作为衬底；0016S2在所述衬底上表面以腐蚀的方法制备一定厚度的多孔硅隔热层；0017S3所述多孔硅隔热层的上表面和孔壁表面形成有二氧化硅薄膜层；0018S4采用气相沉积的方法，在所述衬底的上表面制备绝缘层；0019S5采用气相沉积的方法，在所。
14、述绝缘层的上表面形成多晶硅层，并通过光刻所述多晶硅层制作形成加热元件和测温元件；0020S6采用ICP硅深槽刻蚀技术，在所述测温元件和加热元件之间制作形成ICP槽；0021S7采用磁控溅射的方法，在所述多晶硅层的上表面溅射形成金属层，并通过进行光刻、刻蚀、去胶形成金属电极；0022S8采用气相沉积的方法，在步骤S7所得上表面上制备一定厚度的碳化硅层，通过进行光刻、刻蚀、去胶形成压焊区。0023优选的，所述衬底由100晶向单晶硅片制成。0024进一步地，所述步骤S2中制备一定厚度的多孔硅隔热层，其具体步骤为首先在所述衬底上表面涂胶，然后用光刻机对硅片光刻去胶，再通过腐蚀形成多孔硅结构，作为隔热层。
15、；所述腐蚀形成多孔硅结构的具体方法为湿法腐蚀中的电化学方法、化学腐蚀法、刻蚀法或水热腐蚀法，或者为干法腐蚀中的等离子体腐蚀法；所述多孔硅隔热层的厚度为20100M。0025其中，所述步骤S3中制备二氧化硅薄膜层的具体方法为采用热氧化工艺在所述多孔硅隔热层的上表面和孔壁表面氧化形成二氧化硅薄膜层；所述二氧化硅薄膜层厚度为50200NM。0026所述步骤S4中制备绝缘层的具体步骤为首先在所述衬底的上表面制备二氧化硅层，再采用化学气相沉积的方法，在所述二氧化硅层的上表面制备氮化硅层。说明书CN104155472A3/6页60027实施本发明具有如下有益效果00281功耗小。现有的基于为机械加工的热流。
16、量传感器，测温元件和加热元件直接设置在硅衬底上，或设置在衬底的空穴上方。前者由于硅衬底的高导热率，使得传感器热量向衬底传递较多，温升功率较大，传感器的灵敏度较低；后者虽解决了传感器功率问题，但空穴的存在使传感器结构强度较为脆弱，更容易损坏。本发明制备的传感器，通过在衬底中设置多孔硅隔热层，使从衬底上部传来的热量在多孔硅隔热层处无法继续向下扩散，从而实现了热隔离；多孔硅层中孔隙孔壁上形成的二氧化硅薄膜层凭借低于单晶硅的热导率进一步保证了隔热效果。同时由于测温元件和加热元件均设置于多孔硅隔热层正上方的氮化硅绝缘层上，二氧化硅、氮化硅绝缘层也有利于减少热量向下扩散。因此，本发明的传感器在工作过程中，。
17、热量向衬底扩散比较小，传感器基本不受衬底高热导率的影响。这在提高传感器灵敏度的同时减小了功耗。00292结构稳定性好。本发明的传感器，衬底表面未开槽，与衬底表面开槽的传感器相比，结构稳定性好，不易损坏，也更有利于后道工艺和封装。00303灵敏度高、反应快。本发明传感器测温元件和加热元件采用一次光刻工艺成型，避免了工艺上的对准问题，加工精度高。该传感器表面为感风面，热量主要向空气中传播，且面积仅为几个平方毫米，因此灵敏度高，响应快。附图说明0031图1是本发明所涉及的热膜风速风向传感器的剖面图；0032图2是本发明所涉及的热膜风速风向传感器制备工艺完成步骤S1的结构示意图；0033图3是本发明所。
18、涉及的热膜风速风向传感器制备工艺完成步骤S2的结构示意图；0034图4是本发明所涉及的热膜风速风向传感器制备工艺完成步骤S3的结构示意图；0035图5是本发明所涉及的热膜风速风向传感器制备工艺完成步骤S4的结构示意图；0036图6是本发明所涉及的热膜风速风向传感器制备工艺完成步骤S5中形成多晶硅层的结构示意图；0037图7是本发明所涉及的热膜风速风向传感器制备工艺完成步骤S5中光刻形成元件的结构示意图；0038图8是本发明所涉及的热膜风速风向传感器制备工艺完成步骤S6的结构示意图；0039图9是本发明所涉及的热膜风速风向传感器制备工艺完成步骤S7中溅射形成金属层的结构示意图；0040图10是本。
19、发明所涉及的热膜风速风向传感器制备工艺完成步骤S7中刻蚀形成金属电极的结构示意图；00410042附图标记表示为1衬底，2绝缘层，3测温元件，4加热元件，5多孔硅隔热说明书CN104155472A4/6页7层，6二氧化硅层，7氮化硅层，8金属电极，9碳化硅层，10多晶硅层，11金属层，12孔壁，13二氧化硅薄膜层，14ICP槽。具体实施方式0043为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。0044本发明公开的一种热膜风速风向传感器，如图1所示，包括衬底1、绝缘层2、测温元件3和加热元件4。所述衬底1为100晶向单晶硅制成；所述衬底1的上表面形成有多孔硅。
20、隔热层5，且所述多孔硅隔热层5上表面与衬底1上表面平齐，所述多孔硅隔热层5的厚度为60M。所述多孔硅隔热层5的上表面和其孔壁12表面形成有二氧化硅薄膜层13，且二氧化硅薄膜层13厚度为100NM；所述测温元件3和加热元件4位于多孔硅隔热层5正上方的区域内；所述测温元件3和加热元件4之间设置有ICP槽14。0045所述绝缘层2贴覆在衬底1上表面，所述绝缘层2包括二氧化硅层6和氮化硅层7；所述二氧化硅层6贴覆在所述衬底1的上表面，所述氮化硅层7覆盖在所述二氧化硅层6的上表面。0046所述测温元件3和加热元件4设置于绝缘层2的上表面，二者均为单晶硅材质，通过光刻沉积在绝缘层2表面的多晶硅层10制作形。
21、成。可以利用其本征塞贝克效应；与金属电阻相比，还具有灵敏度高，不受干挠的优点；多晶硅材质的加热堆作为加热元件，不需要铂电阻测温时需要的外加偏压，因而不会产生因偏压导致的输出信号偏移，使测量变得简便易行。所述测温元件3为四个，分别位于所述加热元件4的周边，每个所述测温元件3到所述加热元件4的距离相等，且相对的所述测温元件3以所述加热元件4为中心相互对称，相邻的所述测温元件3相对所述衬底1端部的距离均相等。0047相应的，本发明还公开了该热膜风速风向传感器的制备方法，该制备方法包括以下步骤0048S1如图2所示，选取100晶向单晶硅片作为衬底1；0049S2如图3所示，在所述衬底1上部以腐蚀的方法。
22、制备厚度为60M的多孔硅隔热层5，其具体步骤为首先在所述衬底1上表面涂胶，然后用光刻机对硅片光刻去胶，再通过腐蚀形成多孔硅结构，作为隔热层；所述腐蚀形成多孔硅结构的具体方法为采用齐纳击穿单晶硅产生空穴来制备，腐蚀液为3HF溶液，其电压控制在3V之间；利用电化学方法在不同的制备条件下在抛光单晶硅片表面形成多孔硅，可对多孔硅表面的形貌通过原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜等进行表征，从而通过控制电流密度来控制生成的硅柱直径、高度、分布密度，为后期二氧化硅薄膜生长奠定一定的结构基础；0050S3如图4所示，所述多孔硅隔热层5的上表面和孔壁12表面形成有二氧化硅薄膜层13；制备二氧化硅薄膜层13的具体。
23、方法为采用热氧化工艺在所述多孔硅隔热层5的上表面和孔壁表面氧化，形成二氧化硅薄膜层13；具体条件为将硅片使用热氧化工艺退火，其温度为1000，时间为7小时；0051S4如图5所示，采用化学气相沉积的方法，在所述衬底1的上表面制备绝缘层2；具体步骤为首先在所述衬底1的上表面制备二氧化硅层6，再采用化学气相沉积的方法，在所述二氧化硅层6的上表面制备氮化硅层7；说明书CN104155472A5/6页80052S5如图6所示，采用化学气相沉积的方法，在所述绝缘层2的上表面形成多晶硅层10；如图7所示，通过光刻所述多晶硅层10制作形成加热元件4和测温元件3；0053S6如图8所示，采用ICP硅深槽刻蚀技。
24、术，在所述测温元件3和加热元件4之间制作形成ICP槽14；所用方法具体为电感耦合等离子体ICP硅深槽刻蚀技术；0054S7如图9所示，采用磁控溅射的方法，在所述多晶硅层的上表面溅射形成金属层11；如图10所示，通过进行光刻、刻蚀、去胶形成金属电极8；0055S8如图1所示，采用气相沉积的方法，在步骤S7所得上表面上制备一定厚度的碳化硅层9，通过进行光刻、刻蚀、去胶形成压焊区。0056本发明的另一种实施方式0057本发明公开的一种热膜风速风向传感器，如图1所示，包括衬底1、绝缘层2、测温元件3和加热元件4。所述衬底1为100晶向单晶硅制成；所述衬底1的上表面形成有多孔硅隔热层5，且所述多孔硅隔热。
25、层5上表面与衬底1上表面平齐，所述多孔硅隔热层5的厚度为60M。所述多孔硅隔热层5的上表面和孔壁12表面形成有二氧化硅薄膜层13，且二氧化硅薄膜层13厚度为100NM；所述测温元件3和加热元件4位于多孔硅隔热层5正上方的区域内；所述测温元件3和加热元件4之间设置有ICP槽14。0058所述绝缘层2贴覆在衬底1的上表面，所述绝缘层2包括二氧化硅层6和氮化硅层7；所述二氧化硅层6贴覆在所述衬底1的上表面，所述氮化硅层7覆盖在所述二氧化硅层6的上表面。0059所述测温元件3和加热元件4设置于绝缘层2的上表面，二者均为单晶硅材质，通过光刻沉积在绝缘层2表面的多晶硅层10制作形成。可以利用其本征塞贝克效。
26、应；与金属电阻相比，还具有灵敏度高，不受干挠的优点；多晶硅材质的加热堆作为加热元件，不需要铂电阻测温时需要的外加偏压，因而不会产生因偏压导致的输出信号偏移，使测量变得简便易行。所述测温元件3为四个，分别位于所述加热元件4的周边，每个所述测温元件3到所述加热元件4的距离相等，且相对的所述测温元件3以所述加热元件4为中心相互对称，相邻的所述测温元件3相对所述衬底1端部的距离均相等。0060相应的，本发明还公开了该热膜风速风向传感器的制备方法，该制备方法包括以下步骤0061S1如图2所示，选取100晶向单晶硅片作为衬底1；0062S2如图3所示，在所述衬底1上部以腐蚀的方法制备厚度为60M的多孔硅隔。
27、热层5，其具体步骤为首先在所述衬底1上表面涂胶，然后用光刻机对硅片光刻去胶，再通过腐蚀形成多孔硅结构，作为隔热层；所述腐蚀形成多孔硅结构的具体方法为干法腐蚀中的等离子体腐蚀法；0063S3如图4所示，所述多孔硅隔热层5的上表面和孔壁12表面形成有二氧化硅薄膜层13；制备二氧化硅薄膜层13的具体方法为采用热氧化工艺在所述多孔硅隔热层5的上表面和孔壁表面氧化，形成二氧化硅薄膜层13；具体条件为将硅片使用热氧化工艺退火，其温度为1000，时间为7小时；0064S4如图5所示，采用化学气相沉积的方法，在所述衬底1的上表面制备绝缘层2；具体步骤为首先在所述衬底1的上表面制备二氧化硅层6，再采用化学气相沉。
28、积的方法，在所述二氧化硅层6的上表面制备氮化硅层7；说明书CN104155472A6/6页90065S5如图6所示，采用化学气相沉积的方法，在所述绝缘层2的上表面形成多晶硅层10；如图7所示，通过光刻所述多晶硅层10制作形成加热元件4和测温元件3；0066S6如图8所示，采用ICP硅深槽刻蚀技术，在所述测温元件3和加热元件4之间制作形成ICP槽14；所用方法具体为电感耦合等离子体ICP硅深槽刻蚀技术；0067S7如图9所示，采用磁控溅射的方法，在所述多晶硅层的上表面溅射形成金属层11；如图10所示，通过进行光刻、刻蚀、去胶形成金属电极8；0068S8如图1所示，采用气相沉积的方法，在步骤S7所。
29、得上表面上制备一定厚度的碳化硅层9，通过进行光刻、刻蚀、去胶形成压焊区。0069本发明的传感器是基于MEMS加工制作的热膜风速风向传感器，尤其是采用多孔硅实现隔热和采用多晶硅制作加热元件和测温元件的热膜风速风向传感器。本发明的传感器，通过在衬底中设置多孔硅隔热层，使从衬底上部传来的热量在多孔硅隔热层处无法继续向下扩散，从而实现了热隔离；多孔硅层中孔隙孔壁上形成的二氧化硅薄膜层凭借低于单晶硅的热导率进一步保证了隔热效果。同时由于测温元件和加热元件均设置于多孔硅隔热层正上方的氮化硅绝缘层上，绝缘层也有利于减少热量向下扩散。如此一来，本发明的传感器在工作过程中，热量向衬底扩散比较小，传感器基本不受衬。
30、底高热导率的影响。这在提高传感器灵敏度的同时减小了功耗。采用多晶硅制作加热元件和测温元件，使得测温元件的测温是基于多晶硅材料的本征塞贝克效应，这种测温方式除了具有灵敏度高、不受干挠的优点外，还不像铂电阻测温那样需要外加偏压，因而不会产生因偏压导致的输出信号偏移，使测量变得简单。另外，二维分布的对称结构设计，使得传感器可以同时得到相互正交的两组温度测量值，可据此计算得出风速和风向的信息。0070实施本发明实施例，具有如下有益效果00711功耗小。现有的基于为机械加工的热流量传感器，测温元件和加热元件直接设置在硅衬底上，或设置在衬底的空穴上方，前者由于硅衬底的高导热率，使得传感器热量向衬底传递较多。
31、，温升功率较大，传感器的灵敏度较低；后者虽解决了传感器功率问题，但空穴的存在使传感器结构强度较为脆弱，更容易损坏。本发明制备的的传感器，通过在衬底中设置多孔硅隔热层，使从衬底上部传来的热量在多孔硅隔热层处无法继续向下扩散，从而实现了热隔离；多孔硅层中孔隙孔壁上形成的二氧化硅薄膜层凭借低于单晶硅的热导率进一步保证了隔热效果。同时由于测温元件和加热元件均设置于多孔硅隔热层正上方的氮化硅绝缘层上，二氧化硅、氮化硅绝缘层也有利于减少热量向下扩散。因此，本发明的传感器在工作过程中，热量向衬底扩散比较小，传感器基本不受衬底高热导率的影响。这在提高传感器灵敏度的同时减小了功耗。00722结构稳定性好。本发明。
32、的传感器，衬底表面未开槽，与衬底表面开槽的传感器相比，结构稳定性好，不易损坏，也更有利于后道工艺和封装。00733灵敏度高、反应快。本发明传感器测温元件和加热元件采用一次光刻工艺成型，避免了工艺上的对准问题，加工精度高。该传感器表面为感风面，热量主要向空气中传播，且面积仅为几个平方毫米，因此灵敏度高，响应快。0074以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。说明书CN104155472A1/5页10图1图2说明书附图CN104155472A102/5页11图3图4说明书附图CN104155472A113/5页12图5图6说明书附图CN104155472A124/5页13图7图8说明书附图CN104155472A135/5页14图9图10说明书附图CN104155472A14。