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1、(10)申请公布号 CN 102729342 A(43)申请公布日 2012.10.17CN102729342A*CN102729342A*(21)申请号 201210183776.2(22)申请日 2012.06.06B28D 5/00(2006.01)(71)申请人海润光伏科技股份有限公司地址 214407 江苏省无锡市江阴市徐霞客镇璜塘工业园区环镇北路178号(72)发明人李晓辉 黄东 孙海知 潘欢欢宋江 邢国强(74)专利代理机构江阴市同盛专利事务所 32210代理人唐纫兰 曾丹(54) 发明名称用于制造高效多晶硅硅片的制备方法(57) 摘要本发明涉及一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方。
2、法，该方法包括以下步骤：利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，在多晶炉中进行多晶硅铸锭制备；将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块约为的长方体；对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区；利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取硅锭；将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片；最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。这种制备方法既能增大多晶硅片的晶粒尺寸，又能减小多晶硅片的缺陷密度，提高多晶硅片的质量，提升多晶硅电池片效率。(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书2页 附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请。
3、权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页1/1页21.一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：、利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，进行多晶硅铸锭制备；、将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块长方体；、对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区；、利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取硅锭；、将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片；、最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。权 利 要 求 书CN 102729342 A1/2页3用于制造高效多晶硅硅片的制备方法技术领域0001 本发明涉及一种。
4、用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，属于多晶硅铸锭设备技术领域。背景技术0002 太阳能是人类取之不尽，用之不竭的清洁能源，在使用过程中对环境不会造成任何污染。因此，太阳能的光电利用近几年得到了飞速发展，但和常规能源相比，其成本相对较高制约了太阳电池的发展。0003 多晶硅片是目前太阳能电池行业最主要的两种衬底材料之一，多晶硅片由铸造制得，具有产量高、成本低等特点，然而多晶硅电池片的转化效率较低。因此，如何改善多晶硅片的质量，从而提高多晶硅电池片的转化效率便成了一大问题。发明内容0004 本发明的目的在于克服上述不足，提供一种既能增大多晶硅片的晶粒尺寸，又能减小多晶硅片的缺陷密度，提高多晶硅片的。
5、质量，提升多晶硅电池片效率的用于制造高效多晶硅硅片的制备方法。0005 本发明的目的是这样实现的：本发明用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，该方法包括以下步骤：、利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，进行多晶硅铸锭制备。0006 、将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块长方体。0007 、对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区。0008 、利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取硅锭。0009 、将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片。0010 、最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。0011 本发明用于制造高效多晶硅硅片的制备。
6、方法具有以下优点：本发明用于制造高效多晶硅硅片的制备方法将切方完成后的多晶铸锭沿铸锭长晶方向按一定长度进行截取，待硅锭粘棒、切割时旋转90，即切片时，切割线切割方向平行于铸锭长晶方向，工艺简便易行所得硅片晶粒尺寸比传统切片工艺的大两倍以上，并且缺陷密度小，成本低、硅片质量高电池片绝对转换效率得到了明显提升。附图说明0012 图1为本发明用于制造高效多晶硅硅片的制备方法的切片工艺示意图。0013 其中：A为长晶方向，B为切割线切割方向。具体实施方式说 明 书CN 102729342 A2/2页40014 参见图1，本发明涉及一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，该方法包括以下步骤：、利用传统DS。
7、S铸造多晶硅方法生产硅锭，在多晶炉中的投料量为820Kg，进行多晶硅铸锭制备。0015 、将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块约为156.1*156.1*360mm的长方体，共36块。0016 、对该36块多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区。0017 、利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取长度约156.1mm的硅锭。0018 、将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片。0019 、最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。0020 所得硅片晶粒尺寸比传统切片工艺的大两倍以上，并且缺陷密度小。0021 将传统切片工艺和使用本发明得到的多晶硅电池片电性能参数对比如下表：表1.两种多晶硅片制备方法所产硅片制造的电池片电性能对比：切片工艺转换效率短路电流开路电压填充因子传统制备工艺16.82 8.407 0.6203 78.49本发明制备工艺17.09 8.500 0.6258 78.20通过对比，使用本方法后，电池片绝对转换效率得到了明显提升0.27%；同时，短路电流和开路电压提升比较明显。说 明 书CN 102729342 A1/1页5图1说 明 书 附 图CN 102729342 A。