磁头 本发明涉及一种具有由磁芯片层叠构成的磁芯，和覆盖在上述磁芯滑动面上的保护层的磁头；特别是涉及一种可防止上述保护层剥离，提高上述磁头耐磨性的磁头。
图7为从与磁媒体(磁带)的滑动面一侧看的，现有的四磁道四通道立体声盒式磁带放音机或磁带录音机中所用的磁头的主视图；图8为从箭头8-8方向看的图7所示的磁头中心线处的剖面。
在图7所示的磁头中，屏蔽罩20的前表面(图7的纸面)为与磁媒体(磁带)的滑动面20a；磁带的行走方向为X方向。
如图7所示，在沿着X方向的屏蔽罩20的两端，设有磁带导向装置26。另外，在上述屏蔽罩20的滑动面20a上，露出与各个磁道对应的两组记录重现部分21,22。一组记录重现部分是磁带向前行走用的，另一组记录重现部分为反向行走用的。
在两组记录重现部分21和22的各自部分上，设有左通道用的磁芯21L,22L和右通道用的磁芯21R,22R；在各个磁芯地中心部分形成磁隙G。
在磁芯21R和22R之间，设有中央屏蔽板23；在磁芯21L和21R之间，以及磁芯22R和22L之间，分别设有通道间的屏蔽板24，以防止各个磁芯间的串音。在屏蔽罩20上，由滑动面20a形成一个矩形的窗口20b；在该窗口20b的内部和各个磁芯与屏蔽板之间填充环氧树脂类等树脂25。
如图8所示，在屏蔽罩20内，设有座27。这个座27是在X方向的两侧，对称地成对设置的，它们在中心线8-8上互相接合。各个磁芯21L,21R,22L,22R和各个磁性屏蔽板23,24,24插入并保持在上述座27中做出的槽内，使各个磁芯和屏蔽板分别在屏蔽罩20内定位。各个磁芯21L,21R,22L,22R的根部向屏蔽罩20的内部延伸，在这些根部上，装有线圈骨架28,28,28,28。有外皮包裹的导线，以规定的圈数，绕在各个线圈骨架上形成线圈。线圈绕线的末端，与固定在线圈骨架28,28,28,28上的金属端子29,29,29,29连接。各个金属端子向屏蔽罩20的外面延伸。另外，在屏蔽罩20内，屏蔽板23,24,24在各个线圈骨架间延伸。
又如图8所示，在磁头滑动面20a上形成一层保护膜30。这个保护膜30是用CrN膜、TiN膜或HfN膜等制成的。
这个保护膜30是为了改善磁带的滑动性(行走性)，防止磁粉附着在磁隙G附近和磨耗而设置的。
另外，这个保护膜30是利用蒸着法或飞溅法等，在整个磁头滑动面20a上形成的。
如图7和图8所示，上述磁芯21L,21R,22L,22R是多个薄磁芯片层叠形成的所谓层压磁芯。
这样层叠形成的磁芯，在高频区域可以减小涡流损失，改善频率特性。
以往，在将各个磁芯片接合时，都使用利用聚胺类固化剂的环氧树脂。
但是，利用聚胺类固化剂的环氧树脂，其耐湿性和耐水性非常差，在湿度高的环境下，上述环氧树脂容易吸收水分。
因此，在用上述环氧树脂接合的各个磁芯片之间，会产生位置偏移，在磁芯21L,21R,22L,22R的上表面(滑动面20a)上会产生层差。
另外，利用上述聚胺类固化剂的环氧树脂，由于其玻璃化转移温度也低，当例如，放置在如装在车辆中用的收录机等那样的高温环境下时，上述环氧树脂软化，各个磁芯片产生位置偏移，在磁芯21L,21R,22L,22R的上表面(滑动面20a)上，也容易产生层差。
这样，当在磁芯21L,21R,22L,22R的上表面(滑动面20a)上，产生层差时，在做在上述滑动面20a上的保护膜30的粘接强度弱的情况下，在磁带行走时，上述保护膜30会从上述磁芯部分上剥离；最后，在磁头滑动面20a上形成的整个保护膜30会剥离。
在上述保护膜30剥离的状态下，当磁带在磁头的滑动面20a上行走时，上述磁带的磁粉附着在磁隙G附近，并且磁隙G附近的磨耗加剧，磁隙G与磁带的间隔增大，这将使记录和重现特性变坏。
本发明是为了解决上述现有技术问题而提出的，其目的是要提供一种可防止保护膜剥离，提高磁头的耐磨性，能得到良好磁特性的磁头。
本发明的磁头具有磁芯和保护层。该磁芯是通过树脂，将多个磁芯片层叠起来，在与记录媒体的滑动面上形成磁隙而构成的。该保护层覆盖在与上述磁芯的记录媒体的滑动面上形成的。其中，用于接合各个磁芯片的上述树脂，由利用酸酐类固化剂的环氧树脂形成。上述保护层是由含有金属和氮的保护膜形成的，该金属具有Cr,Ti,Hf中至少一种元素。上述保护膜的(200)面/(111)面的结晶定向强度比在3.0以上。
另外，本发明的用于接合各磁芯片的上述树脂，是由利用聚胺类固化剂的环氧树脂形成的，而上述保护层由含有金属和氮的保护膜形成，所述金属具有Cr、Ti、Hf中至少一种元素，且上述保护膜的(200)面/(111)面的结晶定向强度比在4.5以上。
以前，在接合磁芯的各个磁芯片时所使用的树脂为利用聚胺类固化剂的环氧树脂。
这种环氧树脂是通过环氧基和胺基的反应进行硬化的，在这个过程中，生成氢氧基(-OH)(参见化1)。因此，一般来说，在环氧树脂中，硬化物的吸湿性、吸水性较高，初期的粘接强度也高。但当进行耐湿试验时，许多情况下由于水分引起的粘接界面的恶化，会造成粘接强度降低。
化1
φ环氧双酚
R1：聚胺基团
另外，使用聚胺类固化剂的环氧树脂，硬化前的混合初期粘度非常低，几乎成为液体状态。因此，用于接合的粘接量，很难在各个磁芯片上保持一定，并且，其余地方会附着树脂，会使作业性变得繁杂。
针对这点，使用酸酐类固化剂的环氧树脂，利用酸酐的开环，与环氧基反应，通过醚结合(-O-)进行交联反应(参见化2)。
酸酐类固化剂的聚合反应，理论上不生成氢氧基(-OH)，因此，硬化物(环氧树脂)的吸湿性和吸水性，在环氧树脂中具有最低的倾向。化2
φ：环氧双酚A基团
R2：酸酐基团
另外，使用酸酐类固化剂的环氧树脂中，因为是利用酸酐的开环进行交联反应的，由于反应前/反应后的分子填密情况变化不大，因此，比使用其它类固化剂的环氧树脂，硬化收缩小。也就是说，因为在树脂硬化物的弹性系数相等的情况下，使用酸酐类固化剂的环氧树脂，其内部应力小，所以对粘接有利。
本发明者利用使用上述聚胺类固化剂的环氧树脂(以下称为“胺类环氧树脂”)，和使用酸酐类的环氧树脂(以下称为“酸酐类环氧树脂”)，对硬化时间与煮沸吸水率的关系进行研究。
表1 项目 聚胺类环氧树脂 酸酐类环氧树脂主剂环氧双酚A环氧双酚A固化剂胺类(双氰胺)酸酐类配合比(重量比)主剂∶固化剂∶稀释剂=100∶30∶500(稀释剂：丙酮)主剂∶固化剂=100∶90混合初期粘度(25℃)1cps(厘泊)附近400cps(厘泊)适用期(25℃)4星期20小时
如表1所示，在聚胺类环氧树脂中，使用环氧双酚A作为主剂，胺类(双氰胺)作为固化剂，配合比(重量比)为主剂∶固化剂∶稀释剂(丙酮)=100∶30∶500。
聚胺类环氧树脂的混合初期粘度(25℃)为约1cps(厘泊)，适用期(25℃)为四星期。
另，酸酐类环氧树脂中，使用环氧双酚A作为主剂，酸酐作为固化剂，混合比(重量比)为主剂∶固化剂=100∶90。
上述酸酐类环氧树脂的混合初期粘度(25℃)为400cps(厘泊)，适用期(25℃)为20小时。
在实验中，取酸酐类环氧树脂的硬化温度为170℃，测定硬化温度为1小时，3小时，5小时，7小时，10小时的煮沸吸收率。
对胺类环氧树脂，取其硬化温度为180℃，测定硬化时间为1小时，3小时，5小时，10小时的煮沸吸收率。
如图4所示，酸酐类环氧树脂和胺类环氧树脂都是硬化时间越长，煮沸吸收率(100℃纯水中浸渍1小时)越低；但与胺类环氧树脂比较，酸酐环氧树脂因硬化时间延长而煮沸吸收率降低的程度大。当硬化时间为3小时以上时，酸酐类环氧树脂可以使煮沸吸收率减小。在酸酐类环氧树脂的情况下，特别是当硬化时间在5小时以上时，煮沸吸收率可达0.3％以下。
其次，来研究酸酐类环氧树脂和胺类环氧树脂的硬化时间与玻璃化转移温度的关系。
在实验中，取酸酐类环氧树脂的硬化温度为170℃，测定硬化时间为30分钟，1小时，3小时，5小时，10小时的玻璃化转移温度。
对胺类环氧树脂，取其硬化温度为180℃，测定硬化时间为30分钟，1小时，3小时，5小时和10小时的玻璃化转移温度。
如图5所示，酸酐类和胺类都是硬化时间越长，玻璃化转移温度就越高。但是，与胺类环氧树脂比较，酸酐类环氧树脂的玻璃化转移温度非常高，说明它的耐热性很好。
从以上实验结果可知，与使用聚胺类固化剂的环氧树脂比较，使用酸酐类固化剂的环氧树脂的耐湿性、耐水性和耐热性都很好。
因此，在用于接合图3所示的各个磁芯片9的树脂10中，使用酸酐类固化剂的环氧树脂，例如在湿度高的环境下，各个磁芯片9之间也很难产生层差，因而与现有技术比较，由磁芯的层叠层差引起的保护膜14(参见图2)的剥离减小。
但是，上述保护膜14的剥离问题不仅与用于接合各个磁芯片9的树脂10的材质有关，而且上述保护膜14的膜的性质也有很大影响。
即，为了防止上述保护膜14的剥离，必须适当调节用于接合各个磁芯片9的树脂10的材质，和上述保护膜14本身的膜质二者。
再其次，从磁头(滑动面)的耐磨性方面来研究利用聚胺类固化剂的环氧树脂接合图3所示的各个磁芯片9的情况下，与图2所示的CrN膜、TiN膜和HfN膜(保护膜14)的膜质的关系；以及在用酸酐类固化剂的环氧树脂接合各个磁芯片9的情况下，与CrN保护膜的膜质的关系。
表2 样品 气压 (Toor) 投入电力 (W) 基板偏压 (V) 氮比 (％) 结晶结构 结晶定向峰值强度比 膜厚 () 硬化剂耐磨性耐磨性模式 (111) (200) (220) (311) 1 1.0×10-3 1000 -30 54 CrN 1 2.25 1.08 0.25 1200 酸酐 × B 聚胺 × B 2 6.0×10-3 1000 -30 54 CrN 1 0.92 0.76 0.25 1200 酸酐 × B 聚胺 × B 3 1.0×10-3 1000 -30 54 CrN 1 3.02 0.99 0.18 1200 酸酐 ○ A 聚胺 × B 4 1.0×10-3 500 -30 54 CrN 1 0.40 0.51 - 1200 酸酐 × B 聚胺 × B 5 1.0×10-3 2000 -30 43 Cr - - - - 1200 酸酐 × C 聚胺 × C 6 1.0×10-3 1000 -100 54无结晶合金 - - - - 1200 酸酐 × C 聚胺 × C 7 1.0×10-3 2000 -100 42 Cr - - - - 1200 酸酐 × C 聚胺 × C 8 8.7×10-4 2000 -30 39 Cr - - - - 1400 酸酐 × C 聚胺 × C 9 1.2×10-3 2000 -30 55无结晶合金 - - - - 1400 酸酐 × C 聚胺 × C 10 1.8×10-3 2000 -30 55 CrN 1 2.02 1.13 0.38 1400 酸酐 × B 聚胺 × B 11 2.8×10-3 2000 -30 55 CrN 1 5.23 1.35 0.34 1400 酸酐 ○ A 聚胺 ○ A 12 3.0×10-3 2000 -10 55 CrN 1 4.55 1.09 0.41 1400 酸酐 ○ A 聚胺 ○ A 13 3.0×10-3 2000 -30 55 CrN 1 5.88 1.27 0.29 1400 酸酐 ○ A 聚胺 ○ A 14 3.0×10-3 2000 -100 55 CrN 1 3.33 1.53 0.20 1400 酸酐 ○ A 聚胺 × B
表2(续) 15 3.0×10-3 2000 -200 55 CrN 1 1.92 1.85 0.27 1400 酸酐 × B 聚胺 × B 16 3.0×10-3 2000 无 55 CrN 1 3.28 0.87 0.52 1400 酸酐 ○ A 聚胺 × B 17 1.4×10-3 1000 -150 51 TiN 1 3.05 - - 1200 酸酐 ○ A 聚胺 × B 18 2.0×10-3 2000 -100 51 TiN 1 1.15 - - 1400 酸酐 × B 聚胺 × B 19 2.0×10-3 2000 -150 51 TiN 1 3.28 - - 1400 酸酐 ○ A 聚胺 × B 20 2.0×10-3 2000 -200 51 TiN 1 5.31 1.12 - 1400 酸酐 ○ A 聚胺 ○ A 21 2.0×10-3 2000 -250 51 TiN 1 2.88 1.89 - 1400 酸酐 × B 聚胺 × B 22 2.0×10-3 2000 无 51 TiN 1 - - - 1400 酸酐 × C 聚胺 × C 23 1.6×10-3 1000 -50 48 HfN 1 3.33 0.81 0.09 1200 酸酐 ○ A 聚胺 × B 24 1.0×10-3 2000 -50 28 Hf - - - - 1400 酸酐 × C 聚胺 × C 25 2.4×10-3 2000 -50 48 HfN 1 3.48 0.72 0.05 1400 酸酐 ○ A 聚胺 × B 26 2.4×10-3 2000 -100 48 HfN 1 5.11 1.21 0.21 1400 酸酐 ○ A 聚胺 ○ A 27 2.4×10-3 2000 -200 48 HfN 1 2.91 1.48 0.32 1400 酸酐 × B 聚胺 × B 28 2.4×10-3 2000 无 48 HfN 1 0.40 0.39 0.11 1400 酸酐 × B 聚胺 × B
实验中使用的磁头总共为56种，其中28种使用聚胺类环氧树脂作为接合图3所示的各个磁芯片9用的树脂10；而其余28种磁头中，使用酸酐类环氧树脂作为接合图3所示的各磁芯片9的树脂10。
另外，以1个使用聚胺类环氧树脂的磁头，和1个使用酸酐类环氧树脂的磁头作为一组(样品)，分成28种，改变在各样品的磁头滑动面上形成CrN膜，TiN膜和HfN膜(保护膜14，参见图2)的“成膜条件”。
表2所示的“成膜条件”一栏的右端栏的“膜质”，就是指保护膜的膜质。
“膜质”栏中的“氮比”是指形成保护膜中的M(Cr,Ti,Hf)与N(氮)的比率，用N/(N+M)×100％表示。
“膜质”栏中的“结晶定向峰值强度比”是说明用X射线衍射来研究与(111)面，(200)面，(220)面和(311)面的膜面平行的方向的定向性，以(111)面为基准时的各面的结晶定向强度比。
如表2所示，样品5～9号及24号中，保护膜的“结晶结构”是整体为无结晶合金或结晶化的Cr或Hf与无结晶合金混在一起的状态。
这样，作为不完全结晶化的原因之一，是“氮比”低于50％以下。
其次，当观察各个样品的“结晶定向峰值强度比”时，在样品2,4,28号中，(111)面比(200)面的结晶定向强度比大。
与此相对，样品1,3,10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21,22,23,25,26,27号中，(200)面比(111)面的结晶定向强度比大。
本发明研究了在聚酯等的基体薄膜上形成γ-Fe2O3磁性层的磁带，在表2所示的各磁头的滑动面上行走，在室温为50℃和湿度为50％的环境下，磁带的行走时间和F特性(重现频率特性)的关系。
另外，所谓重现频率特性是指用某一基准频率下的输出差的值，来表示某一频率的重现灵敏度。在实验测定时，利用对于该基准频率的重现输出的各频率下的输出差的值，来重现和表示重现特性试验记录器(磁带层面)。
在本测定中，取基准频率为315Hz，取与14KHz的输出差的值，在行走时间为0小时(初期值)时，求相对于基准值(0dB)，不同行走时间的输出变化的差。
图6为表示任意选择的三种磁头的磁带行走时间与F特性的关系的图。
如图6所示，对模式A的磁头，即使磁带行走时间长，F特性仍大约为0(dB)，可以保持非常良好的重现频率特性。
这表示，对于模式A的磁头，即使磁带行走时间长，也不会发生图2所示的保护膜14的剥离；因而可维持磁头滑动面的高的耐磨性。
与此相对，模式B的磁头，当磁带行走时间在大约500小时以上时，F特性的变化值大，重现频率特性变坏。
这表示，在模式B的磁头中，重现频率特性变坏。当磁带行走时间在大约500小时以上时，图2所示的保护膜14开始剥离，因而，磁头滑动面的耐磨性降低。
由于耐磨性降低，磁带行走时，磁芯的磨耗量和磁带的磁粉等附着在磁隙G上，磁特性降低。
另外，对于模式C的磁头，在磁带行走时间约数10小时时，F特性的变化值就开始变大。与模式A,B相比，在磁带行走时间最短的阶段，保护膜容易产生剥离，磁头耐磨性急剧降低。
也就是说，在图6中，保护膜难剥离，磁头耐磨性最高的磁头是模式A，其次是模式B，最差的是模式C。
在本发明中，表2所示的各个磁头(56种)的磁带行走时间和F特性的关系，选择图6所示的三种模式中最近的模式，记在表2最右边的“耐磨性模式”栏中。
另外，在“耐磨性模式”栏中，标有A的，在“耐磨性模式”栏左边的“耐磨性好与不好判定”栏中标上○符号；而在“耐磨性模式”栏中，标有B,C的，在“耐磨性好与不好判定”栏中，标上×符号。
如表2所示，在“耐靡性好与不好判定”栏中，标上○符号的磁头，在3号样品中，为使用酸酐作为图3所示的树脂10的“固化剂”的磁头；在11,12,13,20,26号样品的各两种磁头，为在14,16,17,19,23,25号样品中，使用酸酐作为“固化剂”的磁头。
这些磁头中，图2所示的磁芯5L,5R,6L,6R和保护膜14的贴紧性非常好，磁带行走时，上述保护膜很难剥离，具有高的耐磨性。
这些磁头的耐磨性高的理由是与保护膜的结晶定向性大有关系的。
如表2所示，在3,11,12,13,14,16,17,19,20,23,25,26号样品中，保护膜的(200)面/(111)面的结晶定向强度比在3.0以上，(200)面是优先定向。
即，在使用酸酐类固化剂的环氧树脂作为接合图3所示的各个磁芯片9的树脂10的情况下，保护膜的(200)面/(111)面的结晶定向强度比在3.0以上时，如果形成上述保护膜，则上述保护膜难剥离，可以制造耐磨性好的磁头。
另外，以前在使用聚胺类固化剂的环氧树脂作为接合磁芯片9的树脂10的情况下，如11,12,13,20,26号样品那样，当保护膜的(200)面/(111)面的结晶定向强度比在4.5以上时，如果形成上述保护膜，则上述保护膜也难以剥离，可以制造耐磨性好的磁头。
下面结合附图对本发明进行详细说明。
图1为从与磁媒体的滑动面方向看的本发明的磁头的一个实施例的主视图；
图2为从Ⅱ方向看的图1的中心线2-2处的剖面图；
图3为图1和图2所示磁芯的立体图；
图4为表示酸酐类环氧树脂和胺类环氧树脂的硬化时间与煮沸吸收率的关系的坐标图；
图5为表示酸酐类环氧树脂和胺类环氧树脂的硬化时间与玻璃化转移温度的关系的坐标图；
图6为表示磁带的行走时间与磁头的F特性(重现频率特性)的关系的坐标图；
图7为从与磁媒体的滑动面看的现有的磁头的主视图；
图8为从Ⅷ方向看的图7的中心线8-8处的剖面图。
图1和图2所示的磁头为用在四磁道四通道的立体声盒式磁带放音机或磁带录音机上的磁头。
图1和图2所示的屏蔽罩1由坡莫合金等磁性材料制成，在其X方向的两侧面上，固定着磁带导向装置3。在屏蔽罩1的滑动面1a的中心处设有一个窗口4，向前行走用和反向行走用的两组记录重现部分5和6在窗口4中显露出来。
在上述记录重现部分5中，设有左通道磁芯5L和右通道磁芯5R；在两个磁芯5L和5R之间，放置着通道间的磁性屏蔽板7。另一个记录重现部分6中，也设有左通道磁芯6L和右通道磁芯6R；在两个磁芯6L和6R之间，放置着通道间的磁性屏蔽板7。在磁头5R和6R之间，则放置着中心屏蔽板15。
如图3所示，各个磁芯5L,5R,6L,6R是通过树脂10，将多块薄的坡莫合金等的磁芯片9层叠起来形成的，在上述磁芯的中心部分处形成磁隙G。
将薄的磁芯片9层叠起来，形成各个磁芯，可以在高频区域内减少涡流损失，改善高频特性。
如图2所示，在磁芯6L的基体端部，在屏蔽罩1内，安装着线圈骨架11。在该线圈骨架11上，固定着从屏蔽罩1的背面，向外部方向突出的金属端子12。另外，在图2中，在其它磁芯5L,5R,6R上，也安装着线圈骨架11和金属端子12，图中省略了。
又如图1所示，在金属端子12的后端附近，充填了树脂13(绝缘材料)。上述树脂13可从图1所示的窗口4露出来。
如图2所示，磁芯5L,5R,6L,6R的上表面，与磁性屏蔽板7和中心屏蔽板15的上表面在同一平面上。在磁头的滑动面1a上，利用蒸着法或飞溅法等，形成一层保护膜14。
在本发明中，为了防止在磁带行走时，上述保护膜14剥离，和提高磁头的耐磨性，对接合图3所示的磁芯片9所用的树脂10的材质，和图2所示的保护膜14的膜质二者，都进行了改良。
在本发明中，使用利用酸酐类固化剂的环氧树脂，作为接合图3所示的各个磁芯片9的树脂10。
利用酸酐类固化剂的环氧树脂，在硬化时，理论上不会产生氢氧基(-OH)，因此吸水性，吸湿性非常低。
因此，例如即使在高湿度的环境下，图3所示的磁芯5L,5R,6L,6R的各个磁芯片9之间，很难产生层差。
另外，在本发明中，在使用利用酸酐类固化剂的环氧树脂作为接合图3所示的各个磁芯片9用的树脂10的情况下，图2所示的保护膜14，是在其(200)面/(111)面的结晶定向强度比在3.0以上条件下形成的。
这样，使保护膜的(200)面，相对于(111)面优选定向。特别是，当(200)面/(111)面的结晶定向强度比在3.0以上时，如果形成上述保护膜，则完全可防止磁带行走时保护膜剥离，因此，可以制造出具有高耐磨性的磁头。
在本发明中，也可以使用现有利用聚胺类固化剂的环氧树脂作为接合图3所示的各个磁芯片9的树脂10。
利用聚胺类固化剂的环氧树脂，由于硬化时生成氢氧基(-OH)，因此，与利用酸酐类固化剂的环氧树脂相比，耐湿性和耐水性低。
由于这样，在研磨图2所示的滑动面1a后，在各磁芯5L,5R,6L,6R的上表面(滑动面1a)上，由于上述环氧树脂吸收水分，因而容易产生层差。但是，在本发明中，当保护膜14的(200)面/(111)面的结晶定向强度比在4.5以上时，也可以防止上述保护膜的剥离，可以制造出具有高耐磨性的磁头。
以上，根据本发明，通过适当地调节接合磁芯5L,5R,6L,6R的各个磁芯片9用的树脂10的种类，和保护膜的膜质二者，可以防止上述保护膜剥离，并能制造出耐磨性高，具有良好的记录和重现特性的磁头。
另外，在本发明中，还说明了用于接合图3所示的各个磁芯片9所用的树脂10和保护膜14的膜质的关系。在使用利用酸酐类固化剂的环氧树脂作为上述树脂10的情况下，图2所示的树脂13最好使用利用酸酐类固化剂的环氧树脂制成。
又如图8所示，在各磁芯21L,21R,22L,22R之间形成的屏蔽板23,24,24为层叠结构的情况下，最好也使用利用上述酸酐类固化剂的环氧树脂作为接合各个叠层用的树脂。
另外，本发明的保护膜，除了CrN膜，TiN膜，HfN膜以外，也可以是含有Cr、Ti、Hf中的两种以上元素构成的金属和氮的保护膜。
根据以上详细说明的本发明，在使用耐水性和耐湿性好的酸酐类固化剂的环氧树脂作为接合磁性屏蔽的磁芯片用的树脂的情况下，当在磁头滑动面上形成的保护膜的(200)面/(111)面的结晶定向强度比在3.0以上时，可以防止磁带行走时上述保护膜剥离，因而可以制造出耐磨性高，磁特性好的磁头。
另外，在本发明中，在磁芯片的接合中，与利用酸酐类固化剂的环氧树脂相比，即使使用耐水性和耐湿性差的利用聚胺类固化剂的环氧树脂，而当磁头滑动面上形成的保护膜的(200)面/(111)面的结晶定向强度比在4.5以上时，也可以防止磁带行走对上述保护膜剥离，因而，也可制造出耐腐性高，磁特性好的磁头。