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摘要
申请专利号:

CN02137770.7

申请日:

2002.10.31

公开号:

CN1494159A

公开日:

2004.05.05

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情:

授权|||实质审查的生效|||公开

IPC分类号:

H01L27/14; G01J1/02

主分类号:

H01L27/14; G01J1/02

申请人:

上海华虹集成电路有限责任公司;

发明人:

陈良生; 任建军

地址:

200233上海市宜山路800号

优先权:

专利代理机构:

上海专利商标事务所

代理人:

陈亮

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内容摘要

本发明提供一种在集成电路内部实现的光检测电路。传统的光检测电路采用光电二极管的形式,存在着成本高、制作难度大以及使用不便的问题。本发明的目的在于提供一种能完全在集成电路内部实现的、而且可采用常规CMOS工艺制作的光检测电路。本发明的光检测电路包括:电子脉冲开关、在CMOS工艺中实现的双极型晶体管、电容器以及整形电路;所述CMOS工艺晶体管与所述电容器并联后与所述电子脉冲开关串联,所述脉冲电子开关的另一端接电源;所述CMOS工艺晶体管与所述电容器的串联电路的另一端接地,所述整形电路连接到所述脉冲电子开关与所述CMOS工艺晶体管和所述电容器的串联电路的连接点上。

权利要求书

1: 一种光检测电路包括:电子脉冲开关、在CMOS工艺中实现的双极型 晶体管、电容器以及整形电路;所述CMOS工艺晶体管与所述电容器并联后与 所述电子脉冲开关串联,所述脉冲电子开关的另一端接电源;所述CMOS工艺 晶体管与所述电容器的串联电路的另一端接地,所述整形电路连接到所述脉冲 电子开关与所述CMOS工艺晶体管和所述电容器的串联电路的连接点上。
2: 如权利要求1所述的光检测电路,其特征在于,所述CMOS工艺晶体 管为PNP型晶体管,连接成二极管的形式。
3: 如权利要求1所述的光检测电路,其特征在于,所述CMOS工艺晶体 管为NPN型晶体管,连接成二极管的形式。
4: 如权利要求1、2或3所述的光检测电路,其特征在于,所述电容器为 MOS电容器。
5: 如权利要求4所述的光检测电路,其特征在于,所述整形电路包括反 相器。

说明书


光检测电路

    【技术领域】

    本发明涉及光检测电路,尤其涉及在集成电路内部实现的光检测电路。

    背景技术

    传统的光检测电路采用光电二极管的方式,将光信号转为电流信号。图1示出了一种传统的光检测电路的示意图。D为光电二极管,当光电二极管检测到光信号后,转换成电流信号,提供给后续的电流/电压转换电路11,经转换后,输出有幅度值的电压,从而检测光信号。这种电路一般都需要外接元器件(光电二极管)。而如果要将该光电二极管在集成电路内部实现,则需要采用特殊的工艺。因此无论那种方法,都会带来成本上的增加,前者还会造成使用上的不便。

    【发明内容】

    因此,基于上述背景技术,本发明的目的在于提供一种能完全在集成电路内部实现的、而且可采用常规CMOS工艺制作的光检测电路。

    根据本发明地上述目的,本发明的光检测电路包括:电子脉冲开关、在CMOS工艺中实现的双极型晶体管、电容器以及整形电路;所述CMOS工艺晶体管与所述电容器并联后与所述电子脉冲开关串联,所述脉冲电子开关的另一端接电源;所述CMOS工艺晶体管与所述电容器的串联电路的另一端接地,所述整形电路连接到所述脉冲电子开关与所述CMOS工艺晶体管和所述电容器的串联电路的连接点上。

    如上所述的光检测电路中,所述CMOS工艺晶体管为PNP型晶体管,连接成二极管的形式。

    如上所述的光检测电路中,所述CMOS工艺晶体管为NPN型晶体管,连接成二极管的形式。

    如上所述的光检测电路中,所述电容器为MOS电容器。

    如上所述的光检测电路中,所述整形电路包括反相器。

    本发明的光检测电路利用CMOS工艺的晶体管具有对光的敏感性,将其用作为传统意义上的光电元件,从而实现对光信号的检测,同时又解决了在集成电路内部实现光电二极管的工艺问题,可以在制造集成电路的同时完成光检测电路的制作,无需另外的工艺来完成。大大节省了成本,同时也可以减少系统体积。在检测外界光的明暗、漏光报警、芯片防跟踪等方面有着广泛的应用。

    【附图说明】

    下面将结合附图详细描述本发明的实施例,本发明的上述和其它目的、特征以及优点将通过下面的实施例得以进一步体现。附图中:

    图1是传统的光检测电路的结构示意图;

    图2是本发明的光检测电路的结构示意图;

    图3是图2所示的光检测电路的具体电路图;

    图4是本发明的光检测电路的工作波形图。

    【具体实施方式】

    图2示出了本发明的光检测电路的结构示意图。如图2所示,本发明的光检测电路包括有脉冲电子开关K、CMOS工艺晶体管Q1、电容器C和整形电路21。CMOS工艺晶体管Q1与电容器C并联,然后与电子脉冲开关K串联。脉冲电子开关K的另一端接电源。CMOS工艺晶体管Q1与电容器C的串联电路的另一端接地。整形电路21连接到脉冲电子开关K与CMOS工艺晶体管Q1和电容器的串联电路的连接点E上。

    在上述电路中,Q1是一个用常规CMOS工艺制作的晶体管,这类晶体管在有光照的情况下,具有反向导通的特性。本发明光电检测电路就是利用这类晶体管的反向导通特性。下面介绍本发明的光检测电路的工作原理。

    脉冲电子开关K在外接方波形下的控制下周期性的导通和截止。当脉冲电子开关K导通时,电源通过该脉冲电子开关K向电容器C充电,电容器C电压升高,连接点E处的电压为高电平,通过整形电路21向外输出低电平。当脉冲电子开关K截止时,如果此时无光照射到晶体管Q1上,则晶体管Q1反向不导通,电容器C上的电荷无从释放,仍将维持高电平,整形电路21的输出仍为低电平。如果此时有光照射到晶体管Q1上,则由于CMOS工艺的晶体管Q1的见光反向导通的特性,晶体管Q1上会产生反向漏电流,电容器C上的电荷通过晶体管Q1释放,连接点E上的电压快速下降成低电平,使整形电路21输出高电平。由于晶体管Q1在不同强度的光照下,其反向漏电流的大小也随之变化,因此,整形电路21输出的方波信号的占空比也会变化。图4示出了不同光照时整形电路21的输出波形。波形A为脉冲电子开关的方波控制信号,波形B为光较强时的输出信号;波形C为光较弱时的输出信号。

    如上所述,虽然本发明的光检测电路中未使用传统的光电二极管,但同样可以对光进行检测,而且,本发明的光检测电路可以利用常规的CMOS工艺与集成电路同时制作,大大简化了制作过程。

    图3是图2所示的光检测电路的一种实现方式。在图3的实施例中,用PNP型CMOS晶体管M1作为图2中的脉冲电子开关K,用MOS电容器M2实现图2中的电容器C,整形电路21为一个三级反向器。

    图3虽然以一具体的电路图作为实施例,但应当理解,本技术领域的普通技术人员在图2的基础上,利用其具有的该技术领域的常识,还可以有多种实现方式或者对其进行变型和修饰,例如电容器C也可以就一个分立器件;CMOS工艺晶体管Q1可以就PNP型晶体管,也可以就NPN型晶体管;整形电路21也可以采用其它形式,只要能实现其输出与输入相对应。

    另外,本发明与传统的光检测电路相比,有如下特点:

    1.不需要外接或在电路内部制作光电二极管;

    2.有光照时输出频率为一方波,不易误触发电路;

    3.使用方便,成本低。

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资源描述

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本发明提供一种在集成电路内部实现的光检测电路。传统的光检测电路采用光电二极管的形式,存在着成本高、制作难度大以及使用不便的问题。本发明的目的在于提供一种能完全在集成电路内部实现的、而且可采用常规CMOS工艺制作的光检测电路。本发明的光检测电路包括:电子脉冲开关、在CMOS工艺中实现的双极型晶体管、电容器以及整形电路;所述CMOS工艺晶体管与所述电容器并联后与所述电子脉冲开关串联,所述脉冲电子开关的。

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