碳氮化物荧光粉、其制造方法及其发光装置.pdf

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摘要
申请专利号:

CN200910112961.0

申请日:

2009.12.14

公开号:

CN101735812A

公开日:

2010.06.16

当前法律状态:

驳回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C09K 11/77申请公布日:20100616|||实质审查的生效IPC(主分类):C09K 11/77申请日:20091214|||公开

IPC分类号:

C09K11/77; H01L33/48(2010.01)I; H01L33/50(2010.01)I

主分类号:

C09K11/77

申请人:

福建华映显示科技有限公司; 中华映管股份有限公司

发明人:

陈登铭; 吴昀铮; 邱创弘; 李怀安; 莫启能

地址:

350015 福建省福州市马尾科技园区77号地

优先权:

专利代理机构:

福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212

代理人:

翁素华

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内容摘要

本发明涉及一种荧光粉,具体是提供一种碳氮化物荧光粉,可用化学通式(M1-x-yNxCey)2(CN2)3表示,且0.005≤x≤0.20,0.005≤y≤0.15,其中M与N分别选自钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镏(Lu)各元素的其中一种。此种荧光材料为一种非氧化物的荧光粉,比纯氧化物具有更强的共价性,可以在高温中稳定,并同样能够与其它荧光粉有效搭配并应用于发光二极管上。

权利要求书

1: 一种碳氮化物荧光粉,应用于发光二极管,其特征在于:该碳氮化物荧光粉可用化学通式(M 1-x-y N x Ce y ) 2 (CN 2 ) 3 表示,且0.005≤x≤0.20,0.005≤y≤0.15; 其中M选自钇、镧、铈、镨、钕、钐、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镏各元素的其中一种; N选自钇、镧、铈、镨、钕、钐、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镏各元素的其中一种。
2: 如权利要求1所述的碳氮化物荧光粉,其特征在于:所述碳氮化物荧光粉为(Y 0.97 Ce 0.03 ) 2 (CN 2 ) 3 或(Y 0.965 Gd 0.005 Ce 0.03 ) 2 (CN 2 ) 3 。
3: 如权利要求1所述的碳氮化物荧光粉,其特征在于:所述碳氮化物荧光粉在的激发光波长介于240nm至480nm之间。
4: 如权利要求1所述的碳氮化物荧光粉,其特征在于:所述碳氮化物荧光粉的色坐标包括(0.48,0.47)。
5: 如权利要求1所述的碳氮化物荧光粉,其特征在于:所述碳氮化物荧光粉的主要发光波长为550nm。
6: 一种碳氮化物荧光粉的制造方法,其特征在于:包括: 依化学剂量秤取MF 3 或MCl 3 、碱金族碳氮化物或碱土族碳氮化物及氟化铈或氯化铈,其中M选自钇、镧、铈、镨、钕、钐、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镏各元素的其中一种; 将上述各秤取物混合均匀后并进行一研磨步骤;及 放入一坩埚中,再置入一高温炉进行一烧结步骤。
7: 如权利要求6所述的碳氮化物荧光粉的制造方法,其特征在于:所述研磨步骤的研磨时间为10至30分钟。
8: 如权利要求6所述的碳氮化物荧光粉的制造方法,其特征在于:所述烧结步骤在一还原气氛下进行,高温炉的烧结温度为600至800℃,烧结时间为6至12小时。
9: 如权利要求6所述的碳氮化物荧光粉的制造方法,其特征在于:所述坩埚为一氧化铝坩埚。
10: 一种发光装置,包括一LED芯片及一光致发光荧光粉层,其特征在于:所述光致发光荧光粉层,由如权利要求1所述的碳氮化物荧光粉所制备,配置于该LED芯片上,其中该光致发光荧光粉层由吸收所述LED芯片所发出光的至少一部份,而发出与吸收光波长相异波长的光。
11: 如权利要求10所述的发光装置,其特征在于:所述LED芯片的发光光谱主峰值介于360nm至560nm的范围内。
12: 如权利要求10所述的发光装置,其特征在于:所述LED芯片为一蓝光LED芯片或一紫光LED芯片。

说明书


碳氮化物荧光粉、其制造方法及其发光装置

    【技术领域】

    本发明特别是有关于一种荧光粉,且特别是有关于一种碳氮化物荧光粉。

    【背景技术】

    发光二极管(LED)产品具有寿命长、省电、较耐用、耐震、牢靠、适合量产、体积小、反应快等优点,为日常生活各种应用设备中常见的发光组件。

    目前,日亚公司所研发的钇铝石榴石(YAG)黄光荧光粉为目前市面上常用的白色转换荧光粉,其主要利用蓝光发光二极管激发钇铝石榴石荧光粉,以产生与蓝光互补的555nm波长的黄光,再利用透镜原理,将互补的黄光和蓝光予以混合,得到所需之白光。

    但是,钇铝石榴石(YAG)荧光粉为一种氧化物的荧光粉,其易与空气中水气反应,在高温时稳定性不高。因此业界急需寻求一种非氧化物的荧光粉,使其能够同样与其它荧光粉有效搭配而应用于发光二极管。

    【发明内容】

    本发明要解决的技术问题之一,在于提供一种碳氮化物荧光粉,此碳氮化物荧光粉为一种非氧化物的荧光粉,在高温时稳定性较高,可应用于发光二极管上。

    本发明要解决的技术问题之二,在于提供一种碳氮化物荧光粉的制造方法,用于制造一种非氧化物的荧光粉,该荧光粉在高温时稳定性较高,可应用于发光二极管上。

    本发明要解决的技术问题之三,在于提供一种发光装置,由碳氮化物荧光粉制备,该荧光粉在高温时稳定性较高。

    本发明要解决的技术问题之一是这样实现的:一种碳氮化物荧光粉,应用于发光二极管,该碳氮化物荧光粉可用化学通式(M1-x-yNxCey)2(CN2)3表示,且0.005≤x≤0.20,0.005≤y≤0.15;其中M或N均选自钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镏(Lu)各元素的其中一种。

    所述碳氮化物荧光粉为(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3或(Y0.965Gd0.005Ce0.03)2(CN2)3。

    所述碳氮化物荧光粉在的激发光波长介于240nm至480nm之间。

    所述碳氮化物荧光粉的色坐标包括(0.48,0.47)。

    所述碳氮化物荧光粉的主要发光波长为550nm。

    本发明要解决的技术问题之二是这样实现的:一种碳氮化物荧光粉的制造方法,其特征在于:包括:依化学剂量秤取MF3或MCl3、碱金族碳氮化物或碱土族碳氮化物及氟化铈(CeF3)或氯化铈(CeCl3),其中M选自钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镏(Lu)各元素的其中一种;将上述各秤取物混合均匀后并进行一研磨步骤;及放入一坩埚中,再置入一高温炉进行一烧结步骤。

    所述研磨步骤的研磨时间为10至30分钟。

    所述烧结步骤在一还原气氛下进行,高温炉的烧结温度为600至800℃,烧结时间为6至12小时。

    所述坩埚为一氧化铝坩埚。

    本发明要解决的技术问题之三是这样实现的:一种发光装置,包括一LED芯片及一光致发光荧光粉层,其特征在于:所述光致发光荧光粉层,由如权利要求1所述的碳氮化物荧光粉所制备,配置于该LED芯片上,其中该光致发光荧光粉层由吸收所述LED芯片所发出光的至少一部份,而发出与吸收光波长相异波长的光。

    所述LED芯片的发光光谱主峰值介于360nm至560nm的范围内。

    所述LED芯片为一蓝光LED芯片或一紫光LED芯片。

    本发明的优点在于:本发明的碳氮化物荧光粉,此种荧光材料为一种非氧化物的荧光粉,此种碳氮化物荧光粉比纯氧化物具有更强的共价性,可以在高温中稳定,并同样能够与其它荧光粉有效搭配并应用于发光二极管上。

    【附图说明】

    下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。

    图1为(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3的X光衍射光谱图。

    图2为(Y0.965Gd0.005Ce0.03)2(CN2)3的X光衍射光谱图。

    图3为(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3的激发光谱图。

    图4为不同Ce3+离子浓度与(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3发光强度的关系图。

    【具体实施方式】

    本发明提供的一种碳氮化物荧光粉,可用化学通式(M1-x-yNxCey)2(CN2)3表示,且0.005≤x≤0.20,0.005≤y≤0.15,其中M与N分别选自钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镏(Lu)各元素的其中一种。

    举例来说,本发明的碳氮化物荧光粉可为化学通式(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3或(Y0.965Gd0.005Ce0.03)2(CN2)3。请分别参考图1及图2,图1为(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3的X光衍射光谱图,图2为(Y0.965Gd0.05Ce0.03)2(CN2)3的X光衍射光谱图。由这些X光衍射光谱图可辨别碳氮化物荧光粉的组成相及成分。

    本发明的碳氮化物荧光粉主要利用高温固态法(solid-state method)并配合弱还原环境条件所制备,以下举例说明其制备方法。

    本发明的碳氮化物荧光粉的制造方法包括下列步骤:首先,依化学剂量秤取MF3或MCl3、碱金族碳氮化物或碱土族碳氮化物,及氟化铈(CeF3)或氯化铈(CeCl3),其中M选自钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镏(Lu)各元素的其中一种。

    之后,将上述物混合均匀后并进行一研磨步骤,研磨时间为10至30分钟。

    最后,将研磨后的粉末放入一氧化铝坩埚中,再置入一高温炉进行一烧结步骤,高温炉的烧结温度为600至800℃,烧结时间为6至12小时,且烧结步骤在一还原气氛下进行。需特别说明的是,这里所指的还原气氛是指在氢气、氮气与氢气或是氢气与氩气混合的条件下进行。

    本发明的碳氮荧光粉可经使用作为发光装置中的光致发光荧光体。发光装置包括:一LED芯片及一光致发光荧光粉层。光致发光荧光粉层由如上述的碳氮化物荧光粉所制备,并配置于该LED芯片上,其中该光致发光荧光粉层是由吸收该LED芯片所发出光中的至少一部份,而发出与吸收光的波长相异波长的光。

    需特别说明的是,这里所指的LED芯片,其发光光谱主峰值是介于360nm至560nm的范围内,或者LED芯片为一蓝光LED芯片或一紫光LED芯片。将本发明的碳氮化物荧光粉配置在LED芯片上,透过这样的配置关系,可以将互补的黄光和蓝光予以混合,得到所需地白光,因此本发明的碳氮化物荧光粉可用于发光二极管,尤其是白光发光二极管。

    另外,为了达到较佳的光色效果,本发明的碳氮化物荧光粉亦可与其它红光荧光体、蓝光荧光体、或绿光荧光体搭配使用。

    以下,将以(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3为一实施例进行说明。

    (Y0.97Ce0.03)2(CN2)3的合成步骤包括:依化学讨量秤取YF3(或YCl3)、Li2CN2以及CeF3(或CeCl3),均匀混合研磨10到30分钟后,放入外埚盛装石墨粉之双层氧化铝坩埚中,于600℃~800℃还原气氛下烧结6到12小时,即可合成化学组成为(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3荧光材料,再针对上述产物进行荧光光谱分析与色度坐标测量,然后反复上述步骤,可以调出最适合的Ce3+离子浓度之组成。

    请参考图3,图3为(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3的激发光谱图,碳氮化物荧光粉的激发光波长介于240nm至480nm之间,其中,较佳激发之二波段分别为波长335±10nm、与波长410±10nm,而(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3的主要发光波长为550nm。

    请参考图4,图4为不同Ce3+离子浓度与(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3发光强度的关系图,由图4可知,Ce3+离子浓度为3mol%时,(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3具有较佳之发光强度。

    通过观察(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3的色度坐标图,可得出(Y0.97Ce0.03)2(CN2)3的色度坐标值为(0.48,0.47),属于黄光的色度值。

    综上所述,本发明的碳氮化物荧光粉,此种荧光材料为一种非氧化物的荧光粉,此种碳氮化物荧光粉比纯氧化物具有更强的共价性,可以在高温中稳定,并同样能够与其它荧光粉有效搭配并应用于发光二极管上。

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本发明涉及一种荧光粉,具体是提供一种碳氮化物荧光粉,可用化学通式(M1-x-yNxCey)2(CN2)3表示,且0.005x0.20,0.005y0.15,其中M与N分别选自钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镏(Lu)各元素的其中一种。此种荧光材料为一种非氧化物的荧光粉,比纯氧化。

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