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1、10申请公布号CN104157069A43申请公布日20141119CN104157069A21申请号201310177342622申请日20130514G07D7/0420060171申请人北京嘉岳同乐极电子有限公司地址100083北京市海淀区信息路甲28号科实大厦B座10层A172发明人刘乐杰时启猛曲炳郡54发明名称高灵敏度磁传感器57摘要本发明提供一种高灵敏度磁传感器包括芯片、永磁体和导磁部件，其中，芯片用于感应被测物体内防伪标识的磁场；永磁体用于预磁化所述防伪标识；导磁部件采用导磁材料制作，所述导磁部件与所述永磁体叠置，且所述导磁部件设于靠近所述防伪标识一侧；所述导磁部件包括底部、折弯。
2、部和凸部，所述折弯部自所述底部向同侧折弯，所述凸部设于所述折弯部远离所述底部一端的内侧，所述底部、所述折弯部和所述凸部形成设有开口的容腔，所述开口朝向所述防伪标识，所述芯片设于所述容腔，而且所述芯片的感应面朝向所述防伪标识。该磁传感器灵敏度高，抗干扰能力强。51INTCL权利要求书1页说明书4页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书4页附图1页10申请公布号CN104157069ACN104157069A1/1页21一种高灵敏度磁传感器，包括芯片，用于感应被测物体内防伪标识的磁场；永磁体，用于预磁化所述防伪标识；导磁部件，采用导磁材料制作，所述导磁部件与所。
3、述永磁体叠置，且所述导磁部件设于靠近所述防伪标识一侧；其特征在于，所述导磁部件包括底部、折弯部和凸部，所述折弯部自所述底部向同侧折弯，所述凸部设于所述折弯部远离所述底部一端的内侧，所述底部、所述折弯部和所述凸部形成设有开口的容腔，所述开口朝向所述防伪标识，所述芯片设于所述容腔，而且所述芯片的感应面朝向所述防伪标识。2根据权利要求1所述的高灵敏度磁传感器，其特征在于，所述导磁材料为硅钢片、坡莫合金或铁氧体。3根据权利要求1所述的高灵敏度磁传感器，其特征在于，所述芯片包括磁敏感膜和芯片焊盘，所述芯片焊盘作为所述芯片的输入端和输出端与所述磁感应膜对应电连接。4根据权利要求3所述的高灵敏度磁传感器，其。
4、特征在于，所述磁敏感膜为霍尔效应薄膜、各向异性磁电阻薄膜、巨磁电阻薄膜、隧道磁电阻薄膜、巨磁阻抗薄膜或巨霍尔效应薄膜。5根据权利要求1所述的高灵敏度磁传感器，其特征在于，还包括线路板，所述芯片固定于所述线路板，而且所述芯片的输入、输出端与设于所述线路板的线路板焊盘对应电连接，所述线路板设于所述容腔内。6根据权利要求5所述的高灵敏度磁传感器，其特征在于，还包括壳体，所述芯片、所述永磁体、所述导磁部件和所述线路板设于所述壳体内，所述芯片位于所述壳体的检测面一侧。7根据权利要求6所述的高灵敏度磁传感器，其特征在于，所述壳体采用导磁材料制作；或者采用非导磁材料制作，并在其表面设有磁性层；在所述壳体的检。
5、测面一侧设有开口，所述芯片的感应面与所述开口相对。8根据权利要求7所述的高灵敏度磁传感器，其特征在于，所述导磁材料为坡莫合金、铁氧体或硅钢片材料。9根据权利要求7所述的高灵敏度磁传感器，其特征在于，所述非导磁材料为金属、非金属或者聚合物，所述磁性层为镀镍层或镀铬层。10根据权利要求7所述的高灵敏度磁传感器，其特征在于，所述壳体采用金属、非金属或者聚合物制作。权利要求书CN104157069A1/4页3高灵敏度磁传感器技术领域0001本发明属于精密测量领域,具体涉及一种用于检测设置于钞票、票据等内的防伪标识的高灵敏磁传感器。背景技术0002目前，设置于钞票等有价票据内部的防伪标识主要为磁标识，通。
6、过检测磁标识可以判断有价票据的真伪。随着防伪技术的进步，防伪标识逐渐由硬磁标识向软磁防伪标识发展，以提高防伪能力。0003软磁防伪标识本身不具有磁性，但在磁场的作用下会被磁化，被磁化后的软磁防伪标识能够被磁传感器感应。由于软磁传感器具有这一特性，目前市场上出售的磁传感器还无法对软磁防伪标识进行检测。0004为此，相关技术人员对现有磁传感器进行了改进，并开发了用于检测软磁防伪标识的磁传感器。即，在磁传感器中增设了永磁体，利用永磁体来磁化软磁防伪标识。但是，永磁体在磁化软磁防伪标识的同时，会影响芯片的灵敏度，即芯片会感应永磁体的磁场而输出差分信号，从而降低磁传感器的灵敏度。发明内容0005本发明要。
7、解决的技术问题就是针对磁传感器中存在的上述缺陷，提供一种高灵敏度磁传感器，其可以减小永磁体对芯片的影响，从而灵敏度高。0006为此，本发明提供一种高灵敏度磁传感器，包括0007芯片，用于感应被测物体内防伪标识的磁场；0008永磁体，用于预磁化所述防伪标识；0009导磁部件，采用导磁材料制作，所述导磁部件与所述永磁体叠置，且所述导磁部件设于靠近所述防伪标识一侧；0010所述导磁部件包括底部、折弯部和凸部，所述折弯部自所述底部向同侧折弯，所述凸部设于所述折弯部远离所述底部一端的内侧，所述底部、所述折弯部和所述凸部形成设有开口的容腔，所述开口朝向所述防伪标识，所述芯片设于所述容腔，而且所述芯片的感应。
8、面朝向所述防伪标识。0011其中，所述导磁材料为硅钢片、坡莫合金或铁氧体。0012其中，所述芯片包括磁敏感膜和芯片焊盘，所述芯片焊盘作为所述芯片的输入端和输出端与所述磁感应膜对应电连接。0013其中，所述磁敏感膜为霍尔效应薄膜、各向异性磁电阻薄膜、巨磁电阻薄膜、隧道磁电阻薄膜、巨磁阻抗薄膜或巨霍尔效应薄膜。0014其中，还包括线路板，所述芯片固定于所述线路板，而且所述芯片的输入、输出端与设于所述线路板的线路板焊盘对应电连接，所述线路板设于所述容腔内。0015其中，还包括壳体，所述芯片、所述永磁体、所述导磁部件和所述线路板设于所述说明书CN104157069A2/4页4壳体内，所述芯片位于所述壳。
9、体的检测面一侧。0016其中，所述壳体采用导磁材料制作；或者采用非导磁材料制作，并在其表面设有磁性层；0017在所述壳体的检测面一侧设有开口，所述芯片的感应面与所述开口相对。0018其中，所述导磁材料为坡莫合金、铁氧体或硅钢片材料。0019其中，所述非导磁材料为金属、非金属或者聚合物，所述磁性层为镀镍层或镀铬层。0020其中，所述壳体采用金属、非金属或者聚合物制作。0021本发明具有以下有益效果0022本发明提供的高灵敏度磁传感器，利用导磁部件来约束永磁体的磁场，折弯部减少了平行于芯片的感应面的磁场分量，同时凸部可以使平行于芯片的感应面的磁场分量相互抵消，进一步削弱平行于芯片的感应面的磁场分量。
10、，将芯片设于容腔可以减少永磁体对芯片的影响，从而提高磁传感器的灵敏度。此外，导磁部件使得芯片仅能接收大体上垂直于芯片的感应面的外界磁场，其它方向的磁场被导磁部件屏蔽，从而提高磁传感器的抗干扰能力。附图说明0023图1为本发明实施例高灵敏度磁传感器的结构示意图；0024图2为高灵敏度磁传感器中导磁部件的放大图。具体实施方式0025为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的高灵敏度磁传感器进行详细描述。0026如图1所示，本实施例高灵敏度磁传感器包括芯片11、线路板12、永磁体13、导磁部件14、壳体15和引针16。其中，芯片11固定于线路板12，芯片11的输入端、。
11、输出端与线路板12电连接。芯片11、线路板12、永磁体13、导磁部件14置于壳体15内，且芯片11靠近传感器检测面（壳体15的顶面，即与壳体开口相对的面）一侧。0027如图2所示，导磁部件14采用诸如硅钢片、坡莫合金或铁氧体等导磁材料制作。导磁部件14包括底部141、折弯部142和凸部143，两个折弯部142自底部141向同侧折弯，底部141和折弯部142形成“U”型结构，底部141和折弯部142形成了容腔145，导磁部件14的顶端和前后两个侧面开口。本实施例将导磁部件14的顶端的开口定义为容腔开口146。两个凸部143分别设于折弯部142远离底部141一端的内侧，凸部143缩小了容腔开口14。
12、6，但未使容腔145封闭，从而形成口小肚大的容腔145。导磁部件14和永磁体13叠置，导磁部件14的底部141朝向永磁体13，容腔开口146朝向被测物体。导磁部件14采用导磁材料制作，其可以吸引永磁体13产生的磁场，使磁场在导磁部件14内传导，而且折弯部142减少了平行于芯片11的感应面的磁场分量，凸部143使平行于芯片的感应面的磁场分量相互抵消，换言之，折弯部142是主动地削弱了平行于芯片11的感应面的磁场分量，凸部143是被动地削弱了平行于芯片11的感应面的磁场分量，凸部143进一步削弱了平行于芯片的感应面的磁场分量，从而减小容腔145内以及容腔开口146处平行于芯片11的感应说明书CN1。
13、04157069A3/4页5面的磁场分量。将芯片11设于容腔145，可以减小永磁体13对芯片11灵敏度的影响，从而提高磁传感器的灵敏度。折弯部142和凸部143削弱了容腔145内和容腔开口146处平行于芯片11的感应面的磁场分量，而且在容腔开口146的上方区域平行于芯片11的感应面的磁场分量也较小。因此，芯片11的感应面与导磁部件14的上表面齐平或高于导磁部件14的上表面，也可以低于导磁部件14的上表面。0028芯片11包括磁感应膜和芯片焊盘，磁感应膜用于感应被测物体内防伪标识的磁场；芯片焊盘作为芯片11的输入端和输出端与磁感应膜电连接。芯片11可以包括一条（个）磁感应膜，也可以包括两条或更多。
14、条磁感应膜。当芯片11包括一条磁感应膜时，设置的两个芯片焊盘分别电连接磁感应膜的顶面和底面，磁感应膜因感应磁场而产生的电流沿芯片11的垂直方向流动。当芯片11包括两条或更多条磁感应膜时，设置的三个芯片焊盘对应地电连接磁感应膜的端部，磁感应膜因感应磁场而产生的电流沿芯片11的水平方向流动。本实施例磁感应膜为霍尔效应薄膜、各向异性磁电阻薄膜、巨磁电阻薄膜、隧道磁电阻薄膜、巨磁阻抗薄膜或者巨霍尔效应薄膜。0029芯片11固定于线路板12，芯片焊盘与设于线路板12的第一线路板焊盘（图中未示出）对应电连接。引针16作为磁传感器的输入输出端，其一端与设于线路板12的第二线路板焊盘（图中未示出）对应电连接，。
15、另一端自壳体15伸出。换言之，引针16通过线路板12将芯片的输入端、输出端对应电连接。第一线路板焊盘和第二线路板焊盘通过设于线路板12的布线对应电连接。0030如图1所示,在线路板12上设有通孔121，导磁部件14嵌入通孔121内，部分线路板12插入容腔145，芯片11设于容腔145并固定于线路板12。导磁部件14的顶面高于线路板12。实际上，根据灵敏度的要求和装配的难易，导磁部件14的顶面可以与线路板12齐平或低于线路板12或高于线路板12。0031壳体15可以为屏蔽壳体或非屏蔽壳体。采用导磁材料制作，如坡莫合金、铁氧体或硅钢片材料；或者采用非导磁材料制作，如金属（铜）、非金属或者聚合物，并。
16、在其表面设有磁性层，如镀镍层或镀铬层，获得屏蔽壳体。再如直接采用金属（铜）、非金属或者聚合物制作，不在其表面设磁性层，获得非屏蔽壳体。当壳体15为屏蔽壳体时，在壳体15上还设置窗口151。0032芯片11和线路板12设于导磁部件14的容腔145内，永磁体13和导磁部件14叠置，再将芯片11、线路板12、永磁体13和导磁部件14设于壳体15内，而且芯片11位于壳体15的检测面一侧，永磁体13设于远离壳体15的检测面一侧。当壳体15上设有窗口151时，芯片11的感应面与窗口151相对，以通过窗口151感应外界的磁场。0033本实施例提供的高灵敏度磁传感器，利用导磁部件来约束永磁体的磁场，折弯部减少。
17、了平行于芯片的感应面的磁场分量，同时凸部可以使平行于芯片的感应面的磁场分量相互抵消，进一步削弱平行于芯片的感应面的磁场分量，将芯片设于容腔可以减少永磁体对芯片的影响，从而提高磁传感器的灵敏度。此外，导磁部件使得芯片仅能接收大体上垂直于芯片的感应面的外界磁场，其它方向的磁场被导磁部件屏蔽，从而提高磁传感器的抗干扰能力。0034可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精说明书CN104157069A4/4页6神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。说明书CN104157069A1/1页7图1图2说明书附图CN104157069A。