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1、10申请公布号CN104064458A43申请公布日20140924CN104064458A21申请号201410323417122申请日20140708H01L21/314200601C23C16/51320060171申请人上海先进半导体制造股份有限公司地址200233上海市徐汇区虹漕路385号72发明人梁建雄周冰74专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人徐洁晶54发明名称PECVD薄膜淀积设备及其热盘57摘要本发明提供一种PECVD薄膜淀积设备及其热盘，该热盘位于设备的工艺腔内，热盘上均匀地分布有八个工艺位置，每个工艺位置上的晶圆通过铝叉旋转传递到与之相邻的下一工艺位置上。
2、；其中，在热盘的每个工艺位置上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕。本发明使得晶圆放置于设备的热盘表面后能通过疏气痕向四周均匀地放气，避免由于气垫效应导致的晶圆滑片。51INTCL权利要求书1页说明书3页附图2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图2页10申请公布号CN104064458ACN104064458A1/1页21一种PECVD薄膜淀积设备的热盘100，位于工艺腔内，所述热盘100上均匀地分布有八个工艺位置101，每个所述工艺位置101上的晶圆通过铝叉102旋转传递到与之相邻的下一工艺位置101上；其中，在所述热盘100的每个所述工艺位置101上分布。
3、有多道贯穿工艺区域的疏气痕103。2根据权利要求1所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘100，其特征在于，在每个所述工艺位置101上，均匀分布有纵向四道、横向七道所述疏气痕103。3根据权利要求2所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘100，其特征在于，每道所述疏气痕103的宽度为1MM，深度为1MM。4根据权利要求3所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘100，其特征在于，所述热盘100的材质为铝，所述疏气痕103是由钨钢刀具刻划出来的。5根据权利要求4所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘100，其特征在于，所述热盘100的表面被打磨至无突起。6一种PECVD薄膜淀积设备，包括位于工艺腔内的一热盘100。
4、，所述热盘100上均匀地分布有八个工艺位置101，每个所述工艺位置101上的晶圆通过铝叉102旋转传递到与之相邻的下一工艺位置101上；其中，在所述热盘100的每个所述工艺位置101上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕103。7根据权利要求6所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，在每个所述工艺位置101上，均匀分布有纵向四道、横向七道所述疏气痕103。8根据权利要求7所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，每道所述疏气痕103的宽度为1MM，深度为1MM。9根据权利要求8所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，所述热盘100的材质为铝，所述疏气痕103是由钨钢刀具刻划出来的。10根据权利要。
5、求9所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，所述热盘100的表面被打磨至无突起。权利要求书CN104064458A1/3页3PECVD薄膜淀积设备及其热盘技术领域0001本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体来说，本发明涉及一种PECVD薄膜淀积设备及其热盘。背景技术0002在薄膜淀积工艺中，若晶圆WAFER背面已生长有某种薄膜如TEOS等，则由于无法在其后续的退火工艺中完全去除薄膜上吸附的气体，或在常温环境下放置，薄膜又重新吸附气体，造成晶圆在放入真空400度的腔体热盘上集中大量的放气，形成气垫效应。这会导致晶圆在热盘表面发生位移滑片，严重的情况下会造成废品及碎片，影响了工艺产品的在线合格。
6、率。发明内容0003本发明所要解决的技术问题是提供一种PECVD薄膜淀积设备及其热盘，使得晶圆放置于设备的热盘表面后能向四周均匀地放气，避免由于气垫效应导致的晶圆滑片。0004为解决上述技术问题，本发明提供一种PECVD薄膜淀积设备的热盘，位于工艺腔内，所述热盘上均匀地分布有八个工艺位置，每个所述工艺位置上的晶圆通过铝叉旋转传递到与之相邻的下一工艺位置上；其中，在所述热盘的每个所述工艺位置上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕。0005可选地，在每个所述工艺位置上，均匀分布有纵向四道、横向七道所述疏气痕。0006可选地，每道所述疏气痕的宽度为1MM，深度为1MM。0007可选地，所述热盘的材质为铝，。
7、所述疏气痕是由钨钢刀具刻划出来的。0008可选地，所述热盘的表面被打磨至无突起。0009为解决上述技术问题，本发明还提供一种PECVD薄膜淀积设备，包括位于工艺腔内的一热盘，所述热盘上均匀地分布有八个工艺位置，每个所述工艺位置上的晶圆通过铝叉旋转传递到与之相邻的下一工艺位置上；其中，在所述热盘的每个所述工艺位置上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕。0010可选地，在每个所述工艺位置上，均匀分布有纵向四道、横向七道所述疏气痕。0011可选地，每道所述疏气痕的宽度为1MM，深度为1MM。0012可选地，所述热盘的材质为铝，所述疏气痕是由钨钢刀具刻划出来的。0013可选地，所述热盘的表面被打磨至无突起。。
8、0014与现有技术相比，本发明具有以下优点0015本发明通过在热盘表面的工艺位置上刻划出纵横数道疏气痕，使得晶圆放置于热盘表面受热后能向四周均匀地放气，破坏了气垫效应的产生条件，从而避免了由于气垫效应导致的晶圆滑片。0016本发明经过长时间的考察，改进后的热盘再未有类似的滑片现象。经多次大保养周期的观察，改进后的热盘对工艺参数、使用寿命均无影响，取得了良好效果。本发明实现说明书CN104064458A2/3页4过程简单、易实施、成本低廉、不增加工艺成本及占用设备资源。附图说明0017本发明的上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变得更加明显，其中0018图1为本发明。
9、一个实施例的PECVD薄膜淀积设备的热盘的整体平面结构示意图；0019图2为图1所示实施例的PECVD薄膜淀积设备的热盘上一个工艺位置的放大结构示意图。具体实施方式0020下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明，在以下的描述中阐述了更多的细节以便于充分理解本发明，但是本发明显然能够以多种不同于此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下根据实际应用情况作类似推广、演绎，因此不应以此具体实施例的内容限制本发明的保护范围。0021图1为本发明一个实施例的PECVD薄膜淀积设备的热盘的整体平面结构示意图。需要注意的是，这个以及后续其他的附图均仅作为示例，其并非是按照等比。
10、例的条件绘制的，并且不应该以此作为对本发明实际要求的保护范围构成限制。如图1所示，该热盘100可以适用于美国诺发系统NOVELLUSSYSTEMS公司的C1型淀积设备，位于工艺腔未示出内。该热盘100上均匀地分布有八个工艺位置101，每个工艺位置101上的晶圆未示出通过铝叉102旋转传递到与之相邻的下一工艺位置101上。其中，在热盘100的每个工艺位置101上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕103。0022图2为图1所示实施例的PECVD薄膜淀积设备的热盘上一个工艺位置的放大结构示意图。请结合图1和图2一起来理解，在热盘100的每个工艺位置101上，均匀分布有纵向四道、横向七道“纵四横七”疏气痕。
11、103，使得晶圆放置于热盘100的表面后能经过疏气痕103向四周均匀地放气，破坏了气垫效应的产生条件而不产生位移。0023在本实施例中，每道疏气痕103的宽度可以为1MM，深度也可以为1MM。热盘100的材质为铝，疏气痕103是由经特殊磨制的钨钢刀具刻划出来的，之后热盘100的表面被打磨至无突起，以防晶圆和热盘100表面接触不良，造成工艺参数变化。0024该PECVD薄膜淀积设备的热盘100的改制过程可以描述如下00251将PECVD薄膜淀积设备冷却到常温，打开工艺腔；00262在热盘100的八个工艺位置101上用刀具均匀地刻划出纵横多道疏气痕103；00273将疏气痕103的边缘打磨至无突起。
12、；00284清洁热盘100的表面及工艺腔的腔体；00295工艺腔升温，PECVD薄膜淀积设备运行恢复程序。0030综上所述，本发明通过在热盘表面的工艺位置上刻划出纵横数道疏气痕，使得晶圆放置于热盘表面受热后能向四周均匀地放气，破坏了气垫效应的产生条件，从而避免了由于气垫效应导致的晶圆滑片。0031本发明经过长时间的考察，改进后的热盘再未有类似的滑片现象。经多次大保养周期的观察，改进后的热盘对工艺参数、使用寿命均无影响，取得了良好效果。本发明实现说明书CN104064458A3/3页5过程简单、易实施、成本低廉、不增加工艺成本及占用设备资源。0032本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化及修饰，均落入本发明权利要求所界定的保护范围之内。说明书CN104064458A1/2页6图1说明书附图CN104064458A2/2页7图2说明书附图CN104064458A。