NDFEB系烧结磁体.pdf

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1、10申请公布号CN104221100A43申请公布日20141217CN104221100A21申请号201380018248422申请日20130326201208235720120330JPH01F1/057200601B22F3/00200601B22F3/24200601B22F9/04200601C22C33/02200601C22C38/00200601H01F1/08200601H01F41/0220060171申请人因太金属株式会社地址日本岐阜县72发明人佐川真人藤本尚辉绀村一之沟口彻彦74专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所普通合伙11277代理人刘新宇李茂家54发明名称。

2、NDFEB系烧结磁体57摘要本发明的目的在于提供一种在高温环境下不容易产生不可逆退磁、发热的NDFEB系烧结磁体。本发明的NDFEB系烧结磁体的特征在于，其为使DY和/或TB附着到基材的表面并通过晶界扩散处理使其扩散到该基材内部的晶界的NDFEB系烧结磁体，且矩形比为95以上，所述基材通过将NDFEB系合金的粉末在磁场中进行取向、烧结而制造。这种NDFEB系烧结磁体可以如下来制造使用以规定的间隔大致均等地分散有富稀土相的薄片的NDFEB系合金作为起始合金，并且在使该合金吸存氢后直至烧结工序为止保持不进行用于使吸存的氢脱附的加热，制作NDFEB系烧结磁体的基材，并对其进行晶界扩散处理。30优先权。

3、数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014092986PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0587772013032687PCT国际申请的公布数据WO2013/146781JA2013100351INTCL权利要求书1页说明书8页附图4页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书8页附图4页10申请公布号CN104221100ACN104221100A1/1页21一种NDFEB系烧结磁体，其特征在于，其为使DY和/或TB附着到基材的表面并通过晶界扩散处理而使其扩散到该基材内部的晶界的NDFEB系烧结磁体，其矩形比为95以上，所述基材通过将NDFEB系合金的。

4、粉末在磁场中进行取向、烧结而制造。2根据权利要求1所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述矩形比为96以上。3根据权利要求1或2所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述NDFEB系合金是利用薄带铸造法、以使富稀土相的薄片以规定的间隔排列的方式而制作的。4根据权利要求3所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述间隔的平均值为37M以下。5根据权利要求3或4所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述粉末的通过激光衍射法测定的粒度分布的中值D50为所述间隔以下。6根据权利要求15中任一项所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，使所述NDFEB系合金吸存氢并将该NDFEB系合金粗粉碎，并且。

5、直至所述烧结为止保持不进行用于使该吸存的氢脱附的加热，制造所述基材。7根据权利要求16中任一项所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述NDFEB系烧结磁体中的氧、碳和氮的含量的总计为1150PPM以上且3000PPM以下。8根据权利要求7所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述碳的含量为500PPM以上。9根据权利要求7或8所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述氧的含量为500PPM以上。10根据权利要求79中任一项所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述氮的含量为150PPM以上。11根据权利要求110中任一项所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，在制作所述粉末后添加的润。

6、滑剂的量为001WT以上且06WT以下。12根据权利要求111中任一项所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述NDFEB系烧结磁体的取向度为95以上。13根据权利要求112中任一项所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述NDFEB系合金的厚度的平均值为350M以下。14根据权利要求113中任一项所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述NDFEB系烧结磁体中的成为主相的粒子的平均粒径为45M以下。15根据权利要求114中任一项所述的NDFEB系烧结磁体，其特征在于，所述NDFEB系烧结磁体的厚度为1MM以上且10MM以下。权利要求书CN104221100A1/8页3NDFEB系烧结磁。

7、体技术领域0001本发明涉及NDFEB系烧结磁体。此处，“NDFEB系”不限于仅含有ND、FE和B的物质，也可以是包含ND以外的稀土元素、CO、NI、CU、AL等其它元素的物质。背景技术0002NDFEB系烧结磁体于1982年被佐川本发明人等发现，其具有显著超越当时的永久磁体的高磁特性，具有能够由ND稀土类的一种、铁和硼之类的较丰富且廉价的原料来制造的优点。因此，被应用于电动辅助型汽车用马达、产业用马达、硬盘等的音圈马达、高级扬声器、耳机、永久磁体式磁共振诊断装置等各种制品中。0003作为NDFEB系烧结磁体的制造方法，已知有这3种方法烧结法、铸造热加工时效处理的方法、对急冷合金进行热变形加工。

8、DIEUPSETPROGRESS的方法。这些方法之中，烧结法的磁特性和生产性优异、且是工业上确立的制造方法。烧结法中可以得到永久磁体所需的致密且均匀的微细组织。0004另外，有如下方法专利文献1将通过烧结法制造的NDFEB系烧结磁体作为基材，在其表面通过涂布、蒸镀等来使DY和/或TB以下，将“DY和/或TB”称为“RH”附着，通过加热使RH从基材表面穿过晶界扩散到基材内部的方法晶界扩散法。通过该晶界扩散法可以进一步提高NDFEB系烧结磁体的矫顽力。0005现有技术文献0006专利文献0007专利文献1国际公开WO2011/004894号公报0008专利文献2日本特开2005320628号公报发。

9、明内容0009发明要解决的问题0010NDFEB系烧结磁体由于其高磁特性，预计混合动力汽车、电动汽车的马达用的永久磁体等今后的需要会越来越扩大。然而，必须假定汽车在苛酷的载荷下使用，其马达也必须保证在高的温度环境例如180下的运作。然而，在这样的高温下使用NDFEB系烧结磁体时，磁力磁化减少，并且存在会产生即使温度降低也不复原的现象不可逆退磁之类的问题。另外，由于来自电枢的磁场而导致磁体发热，有时该热也会导致产生上述那样的磁化的减少、不可逆退磁。0011本发明要解决的课题是提供一种在高温环境下不易产生不可逆退磁的NDFEB系烧结磁体。0012用于解决问题的方案0013本发明的NDFEB系烧结磁。

10、体是为了解决上述课题而完成的，其特征在于，0014其为使DY和/或TB附着到基材的表面并通过晶界扩散处理而使其扩散到该基材内部的晶界的NDFEB系烧结磁体，其矩形比为95以上，所述基材通过将NDFEB系合金的粉说明书CN104221100A2/8页4末在磁场中进行取向、烧结而制造。0015需要说明的是，这里所说的矩形比是指如图7所示，在从第1象限横穿第2象限的JH磁化强度磁场曲线中，用对应于磁场为0的磁化强度值降低10时的磁场的绝对值HK除以矫顽力HCJ的值HK/HCJ来定义的值。0016由电流线圈对马达用永久磁体施加相反的磁场。不可逆退磁是通过对磁体施加与磁体的JH曲线的第2象限中出现的拐点。

11、C相对应的磁场以上的相反磁场而产生的。矫顽力、矩形比越高，则拐点C的磁场强度变得越大。因此，矫顽力与矩形比越高则越不容易产生不可逆退磁。0017另外，虽然随着磁体的温度上升而矫顽力降低，但一般在常温室温下矫顽力与矩形比越高，则高温下的矫顽力与矩形比越高。因此，若同时提高常温的矫顽力与矩形比，则即使磁体的温度变高也不容易产生不可逆退磁。0018通过使用晶界扩散法提高NDFEB系烧结磁体的矫顽力也如专利文献1等中所记载。然而，在通过以往的晶界扩散法制造的NDFEB系烧结磁体中，未能得到高矩形比。例如，专利文献1中，通过晶界扩散法制造的NDFEB系烧结磁体的矩形比为815934。0019本发明的ND。

12、FEB系烧结磁体中，通过晶界扩散处理得到高矫顽力，并且具有95以上的高矩形比，因此与以往的NDFEB系磁体相比，不容易产生不可逆退磁。例如调节RH的添加量，使矫顽力为20KOE以上时，即使暴露在汽车等中假定的最高使用温度180下也不会引起不可逆退磁。因此，作为马达用磁体可以发挥NDFEB系烧结磁体的高磁特性。0020本发明的NDFEB系烧结磁体例如可以通过如下方法制造得到将晶界中的RH的浓度差抑制为低，用以富稀土相为主的晶界相均匀地将构成NDFEB系烧结磁体的多数ND2FE14B系立方晶化合物的晶粒以下将其称作“主相粒子”的周围覆盖。以下说明其理由。0021对于晶界扩散法，其通过使RH从构成N。

13、DFEB系烧结磁体的各主相粒子的边界晶界仅扩散到各主相粒子的内部的、极其接近晶界的区域，从而抑制最大磁能积、残留磁通密度等一部分的磁特性降低，并提高各主相粒子的矫顽力例如参照专利文献1。以往，通过晶界扩散法制造的NDFEB系烧结磁体中，RH并未充分从磁体表面扩散到处于远深位置的晶界，在接近磁体表面的晶界与远离磁体表面的晶界之间，晶界扩散处理后的RH的浓度产生了大的差异。由此，对于处于接近附着面的部位的主相粒子与处于远离附着面的部位的主相粒子而言，各主相粒子的矫顽力产生差异。另外，晶界中以高浓度存在碳等杂质时，有时RH的扩散在该部分受到阻拦，周围的RH的浓度会局部增高。这也成为各主相粒子的矫顽力。

14、产生差异的原因。0022决定NDFEB系烧结磁体整体的JH曲线中的矩形性的要因尚不明确，但晶界组织的不均匀性、晶界相中的RH元素浓度的差别越显著，则NDFEB系烧结磁体整体的JH曲线越是平缓地变化。专利文献1的NDFEB系烧结磁体的晶界扩散处理后的矩形比停留在815934左右，可认为其原因是该晶界组织的不均匀性、晶界相中的RH元素浓度不同。0023与此相对，本发明的NDFEB系烧结磁体是以将晶界中的RH的浓度差抑制为低并使晶界组织均匀化的方式制造的，因此能够得到95以上这样的高矩形比。而且，通过晶界扩散处理也能够得到高矫顽力，因此能够得到不容易产生高温环境下的不可逆退磁的NDFEB系烧结磁体。。

15、说明书CN104221100A3/8页50024发明的效果0025本发明的NDFEB系烧结磁体通过晶界扩散处理而具有高矫顽力，并且具有95以上的高矩形比，因此不容易产生高温环境下的不可逆退磁。因此，能够适宜地用作汽车的马达等需要高磁特性的磁体。附图说明0026图1为表示用于制造本发明的NDFEB系烧结磁体的方法的一个实施例的流程图A、以及表示以往的NDFEB系烧结磁体的制造方法的流程图B。0027图2为表示具有富稀土相的薄片的合金板A、以及通过将该合金板进行微粉碎而得到的合金粉末粒子B的示意图。0028图3为表示分别使用薄片间隔为约3M的薄带铸造合金STRIPCASTINGALLOY、以及使用。

16、薄片间隔为约4M的薄带铸造合金作为起始合金时磁特性的变化的图表。0029图4为进行晶界扩散处理后产生粗大粒的NDFEB系烧结磁体的光学显微镜照片。0030图5为表示NDFEB系烧结磁体中的碳含量相对于在制造工序中添加的润滑剂的添加量的变化的图表。0031图6为制作成未产生粗大粒的、晶界扩散处理后的NDFEB系烧结磁体的光学显微镜照片。0032图7为表示矩形比与拐点关系的JH曲线的图表。具体实施方式0033参照各图对用于制造本发明的NDFEB系烧结磁体的方法进行说明。0034实施例0035为了比较，首先，使用图1的B的流程图对使用以往的晶界扩散法的NDFEB系烧结磁体的制造方法进行说明。使用以往。

17、的晶界扩散法的NDFEB系烧结磁体的制造方法大致分为氢吸存工序、脱氢工序、微粉碎工序、填充工序、取向工序、烧结工序、晶界扩散工序这7个工序。0036氢吸存工序中，使通过薄带铸造法等预先制作的NDFEB系合金起始合金的薄板以下称为“NDFEB系合金板”吸存氢步骤B1。脱氢工序中，将吸存了氢的NDFEB系合金板加热至500左右，从而使氢从NDFEB系合金板脱附步骤B2。通过该过程，NDFEB系合金板被粉碎成最大数MM左右的宽度的金属片。微粉碎工序中，向如此得到的金属片中添加润滑剂，并利用喷射式粉碎法等将其微粉碎至目标粒径步骤B3。0037填充工序中，向通过微粉碎工序得到的微粉末以下将其称为“合金粉。

18、末”中添加以辛酸甲酯、肉豆蔻酸甲酯等羧酸烷基酯为主成分的润滑剂，提高合金粉末的流动性，并且将合金粉末填充到为了得到目标尺寸而具有所需的形状的填充容器中步骤B4。取向工序中，连同填充容器一起对合金粉末施加磁场，使合金粉末的各粒子取向为同一方向步骤B5。烧结工序中，将合金粉末连同填充容器一起加热至9501050左右步骤B6。由此，制作使RH扩散前的NDFEB系烧结磁体块。晶界扩散工序中，将该块作为基材，通过对其规定的面进行蒸镀、涂布等来使RH附着，并加热到900左右步骤B7。说明书CN104221100A4/8页60038需要说明的是，有时在烧结工序后、晶界扩散工序后还进行时效处理。时效处理有时也。

19、分多次进行。0039与此相对，本实施例的NDFEB系烧结磁体的制造方法的第一特征在于，使用合金板10作为用于氢吸存工序的NDFEB系合金板，所述合金板10如图2的A所示，在主相11内以规定的间隔大致均等地分散有板状也称薄片LAMELLA的富稀土相12。这种合金板10可以如专利文献2所记载的那样通过薄带铸造法制作。另外，薄片之间的平均间隔以下称作“平均薄片间隔”L可以通过调节薄带铸造法中使用的冷却辊的旋转速度、向该冷却辊供给NDFEB系合金的熔液的速度来进行控制。0040本实施例的NDFEB系烧结磁体的制造方法的第二特征在于，不进行脱氢工序图1的A。即，本实施例的NDFEB系烧结磁体的制造方法中。

20、，通过氢吸存工序吸存氢后，不经过利用加热的脱氢工序，进行到烧结工序为止。吸存在合金粉末中的氢通过烧结工序时的加热而脱附。以下，将不进行脱氢工序而制造NDFEB系烧结磁体的基材的方法称作“无脱氢基材制造方法”。与此相对，将以往的进行利用加热的脱氢工序而制造NDFEB系烧结磁体的基材的方法称作“有脱氢基材制造方法”。0041氢吸存工序中，使用以规定的间隔大致均等地分散有富稀土相的薄片的合金板的理由如下。0042如上所述，氢吸存工序中，使氢吸存在NDFEB系合金中。由此NDFEB系合金会脆化，但由于富稀土相比主相吸存更多的氢，因此尤其在富稀土相薄片的部分中会增进脆化。因此，在接下来的微粉碎工序中，以。

21、与富稀土相薄片的间隔几乎相同的大小被微粉碎。其结果，得到粒径几乎一致的合金粉末、并且如图2的B所示，在合金粉末的各粒子13的表面附着有富稀土相薄片的一部分14。0043通过得到粒径几乎一致的合金粉末，烧结工序后得到的基材中的主相粒子的大小也变得均匀。由此，磁区的大小变得均匀，烧结后的基材的磁特性提高。另外，通过使合金粉末的各粒子的表面附着有富稀土相，富稀土相在基材中的晶界均匀分散。由于富稀土相在晶界扩散工序中是使RH扩散时的主要通路，因此通过使富稀土相在基材中的晶界均匀分散，在晶界扩散工序中RH从附着面扩散到足够深，变得不易产生相对于深度方向的RH的浓度差。0044微粉碎工序中，将制作的合金粉。

22、末的粒径的目标值设定为NDFEB系合金的平均薄片间隔以下。这是因为，若将合金粉末的粒径设定为大于NDFEB系合金的平均薄片间隔，则在内部包含富稀土相的合金粉末粒子变多，在烧结后的基材中，分散在晶界中的富稀土相相对变少，因此无法充分得到上述效果。0045另外，为了得到上述效果，理想的是使合金板10的平均薄片间隔为与合金粉末的粒径数M同等水平。由于合金板10的厚度与平均薄片间隔存在相关性，因此为了使合金板10的平均薄片间隔为数M的水平而将合金板10的厚度调节为平均350M以下。0046另外，使用无脱氢基材制造方法的理由如下所述。0047如上所述，在微粉碎工序与填充工序中添加润滑剂。润滑剂通常为有机。

23、物，大量含碳。在以往的有脱氢基材制造方法中，该碳的一部分残留在基材的内部，造成基材的磁特性降低。另外，残留在基材内部的碳在晶界中形成碳浓度高的富碳相。该富碳相在使RH穿过晶界而扩散时起到像堤坝一样的作用，会阻碍RH的扩散。由此，RH难以从附着面到达至足说明书CN104221100A5/8页7够深。另外，由于被富碳相阻拦，因此在富碳相附近，RH的局部浓度增高，RH的浓度变得不均匀。0048为了防止碳残留在基材中，可考虑减少润滑剂的使用量，但为了提高粉末的流动性，必须混入一定程度的润滑剂。0049与此相对，在无脱氢基材制造方法中，由于不进行脱氢工序，因而合金粉末成为氢化合物。该氢化合物中的氢通过烧。

24、结工序时的加热而与润滑剂包含的碳反应，成为烃化合物而被排出。其结果，基材中残留的碳的浓度降低，基材的磁特性提高。另外，由于在晶界中难以形成富碳相，因此通过晶界扩散处理，RH均匀地扩散，晶界扩散处理后的NDFEB系烧结磁体中的主相粒子的矫顽力变得大致相同。需要说明的是，作为杂质，有时会混入氧、氮，但它们也会与氢反应成为H2O、氮化氢化合物等气体而被排出。0050本实施例的NDFEB系烧结磁体的制造方法中，通过具有以上2个特征富稀土相薄片合金、和无脱氢基材制造方法，在晶界扩散工序时，可以使RH均匀地从RH附着的面扩散至足够深。由此，本实施例的制造方法制造的NDFEB系烧结磁体如后所述，能够得到95。

25、以上的矩形比。0051以下，对于本实施例的NDFEB系烧结磁体的制造方法，参照图1的A并列举具体例子进行说明。0052本实施例中，使用平均薄片间隔为37M的NDFEB系合金以下，称作“3M薄片合金”，通过氢吸存工序步骤A1和微粉碎工序步骤A3，制作用激光衍射法测定的粒度分布的中值D50为3M的NDFEB系合金粉末。另外，对薄片间隔为45M的NDFEB系合金以下称作“4M薄片合金”，制作用激光衍射法测定的粒度分布的中值D50为3M的NDFEB系合金粉末。需要说明的是，平均薄片间隔的评价按照日本特许第2665590号公报记载的方法进行。另外，3M薄片合金与4M薄片合金的合金组成分别如以下的表1所示。

26、。0053表10054NDPRDYCOCUALBFE3M薄片合金239506242001012017094剩余部分4M薄片合金238498255000010018096剩余部分0055注各数值的单位为WT0056氢吸存工序和微粉碎工序的具体顺序如下。通过氢吸存使表1的合金脆化后步骤A1，不进行脱氢加热步骤A2而直接向得到的金属片中混合005WT羧酸烷基酯，使用HOSOKAWAMICRONCORPORATION制造的100AFG型喷射式粉碎装置在氮气气流中对金属片进行微粉碎步骤A3。此时，微粉碎后的粉末的粒径调节为用激光式粒度分布测定装置SYMPATEC公司制造的HELOSRODOS测定的粒度分。

27、布的中值D50为3M。0057微粉碎工序后，向制作的合金粉末中混合007WT羧酸烷基酯，将该合金粉末填充在填充容器中步骤A4。然后，保持在填充容器中填充有微粉末的状态，在磁场中使粉末取向步骤A5，其后连同填充容器一起在真空中、9501000下加热4小时来进行烧结说明书CN104221100A6/8页8步骤A6。进而，作为烧结后的时效处理，在非活性气体气氛中、800下加热05小时后进行急冷，进而在480580下加热15小时，进行急冷。0058通过以上工序，对3M薄片合金和4M薄片合金，分别制作8个磁极面为7MM见方、厚度为3MM的基材，并调查它们的磁特性。其结果示于以下表2和表3。0059表20。

28、0600061表300620063需要说明的是，表中的基材S1S8为由3M薄片合金制作的基材，基材C1C8为由4M薄片合金制作的基材。另外，表中的BR表示残留磁通密度JH曲线或BH曲线的磁场H为0时的磁化强度J或磁通密度B的大小、JS表示饱和磁化强度磁化强度J的最大值、HCB表示由BH曲线定义的矫顽力、HCJ表示由JH曲线定义的矫顽力、BHMAX表示最大磁能积BH曲线中的磁通密度B与磁场H之积的极大值、BR/JS表示取向度、HK表示磁化J为残留磁通密度BR的90时的磁场H的值、SQ表示矩形比HK/HCJ。这些数值越大，则表示可得到越良好的磁体特性。0064表2和表3的磁特性的测定是通过脉冲磁化。

29、测定装置进行的。脉冲磁化测定装置是日本电磁测器株式会社制造商品名PULSEBHCURVETRACERSBHP1000，最大施加磁场为10T、测定精度为1。脉冲磁化测定装置对于在本发明中作为对象的、高HCJ磁体的评价是适宜的。其中，已知脉冲磁化测定装置与通常的通过施加直流磁场的磁化测定装置也称作直流BHTRACER。相比，存在JH曲线的矩形比SQ显示得低的倾向。例如，用直流磁化测定装置测定的矩形比SQ为95时，脉冲磁化测定装置为90左右。0065这些基材中的任一者均可得到矩形比为95以上这样的高数值。另外，图3是将表2的各基材的磁特性图表化而得到的，如该图所示，可知，对于基材S1S8而言可较高地。

30、得到残留磁通密度BR、对于基材C1C8而言可较高地得到矫顽力HCJ。说明书CN104221100A7/8页90066另外，表1所示的基材均可得到95左右的高取向度BR/JS。这是因为，由于不进行脱氢加热，因此合金粉末的各粒子的磁各向异性降低，各粒子的矫顽力降低。各粒子的矫顽力低时，在使合金粉末取向后，在施加磁场减少的同时各粒子内产生反向磁畴并发生多磁畴化。由此，各粒子的磁化强度减少，因此相邻粒子间的磁相互作用导致的取向度的劣化得以缓和，可得到高取向度。0067对以上的基材S1S8和C1C8分别进行晶界扩散处理步骤A7。晶界扩散处理的具体条件如下所述。0068首先，向按照以重量比计为8020的比。

31、例将TBRH92WT、NI43WT、AL37WT的TBNIAL合金粉末与有机硅润滑脂混合而成的混合物10G中添加007G硅油，将由此得到的糊剂在基材的两磁极面7MM见方的面上分别各涂布10MG。0069接着，将涂布有上述糊剂的长方体基材载置于设置有多个尖形的支撑部的钼制托盘中，用该支撑部支撑长方体基材，并在104PA的真空中加热。加热温度为800950、加热温度为4小时。其后，急冷至室温附近，接着在480560下加热15小时，再次急冷至室温。0070通过以上的晶界扩散处理，制作T1T8和D1D8共计16种试样。T1T8为分别与基材S1S8对应的试样，D1D8为分别与基材C1C8对应的试样。对于。

32、这些试样，利用脉冲磁化测定装置测定的结果示于以下的表4和表5。0071表400720073表500740075如表4所示，对于试样T1T8而言，可得到968985这样的矩形比极高的结果。与此相对，表5所示的试样D1D8的矩形比在904944之间，比表3所示的基材时的矩形比低。0076作为试样D1D8的矩形比低的理由，可列举出相对于平均薄片间隔为45M说明书CN104221100A8/8页10的薄带铸造合金起始合金，微粉碎成粒径的中值D50为3M的合金粉末。微粉碎后的合金粉末的粒径相对于薄带铸造合金的平均薄片间隔过小时，富稀土相薄片从合金粉末剥离。使用富稀土相薄片剥离了的合金粉末制作基材时，无法。

33、得到使富稀土相均匀分散在基材中的晶界中这样的前述效果，其结果，晶界扩散处理中RH变得未均匀扩散。0077因此，本实施例的NDFEB系烧结磁体的制造方法中需要注意的是，相对于薄带铸造合金的平均薄片间隔，微粉碎后的合金粉末粒子的粒径不能过小。0078如上地操作，本实施例的NDFEB系烧结磁体的制造方法中，通过晶界扩散处理提高矫顽力，并且能够得到95以上这样的高矩形比。需要说明的是，本实施例中，通过无脱氢基材制造方法制作基材，在使用该方法时，有需要注意的事项。0079如上所述，通过无脱氢基材制造方法能够减少碳等杂质。然而，若过度减少杂质的量，则有时由于晶界扩散处理的加热而主相粒子生长，如图4所示，有。

34、时会产生粗大粒图4的显微镜照片中为约100M。若如此产生粗大粒则矩形比降低。为了抑制晶界扩散处理时的主相粒子生长，理想的是在基材中混入某种程度的杂质。0080为了不产生粗大粒并得到高磁体特性，在晶界扩散处理后的NDFEB系烧结磁体中，如下设置即可碳为500PPM以上、氧为500PPM以上、氮为150PPM以上、它们的总计在1150PPM以上且3000PPM以下的范围内。作为调节它们的含量的方法，有对将NDFEB系合金微粉碎后向合金粉末中添加的润滑剂的量进行调节的方法。例如，在本实施例使用的羧酸烷基酯的润滑剂的情况下，通过使其添加量为001WT以上且06WT以下，能够在500PPM3000PPM。

35、之间调节晶界扩散处理后的NDFEB系烧结磁体中的碳含量图5。0081需要说明的是，对于试样T1的NDFEB系烧结磁体。分别测定碳、氧和氮的含量，结果碳含量为950PPM、氧含量为820PPM、氮含量为170PPM。另外，拍摄了该试样的光学显微镜照片，结果并未产生粗大粒图6。另外，算出该试样的主相粒子的平均粒径为28M。0082另外，晶界扩散法中，通常随着基材的厚度增加，附着面附近与中心部的RH的浓度差变大、矩形比降低，但本实施例的制造方法中，只要厚度为1MM以上且10MM以下，就能够通过晶界扩散法制造矩形比95以上的NDFEB系烧结磁体。0083附图标记说明008410合金板008511主相008612富稀土相薄片008713合金粉末粒子008814富稀土相薄片的一部分说明书CN104221100A101/4页11图1图2说明书附图CN104221100A112/4页12图3图4说明书附图CN104221100A123/4页13图5图6说明书附图CN104221100A134/4页14图7说明书附图CN104221100A14。