用于测试存储器件的方法.pdf

本发明公开了一种通过仅仅在激活之后才自动执行预充电来利用长周期时钟信号测试存储器件的方法。在该方法中，仅仅在施加了用于激活存储体的信号时的外部信号的下降沿，才自动产生用于对存储器件的存储体进行预充电的信号。因此，本发明确保了存储器件的稳定测试，从而缩短了测试时间。

1.  一种用于测试存储器件的方法，包括步骤：
将外部时钟施加到存储器件中；
施加用于控制存储器件的操作的命令信号；
产生相应于命令信号的第一脉冲信号；以及
施加用于测试存储器件的测试模式信号，
其中，如果测试模式处于第一电平，那么仅仅当命令信号为预充电命令信号时，才对存储器件的存储体进行预充电，并且如果测试模式处于第二电平，那么即使当命令信号不是预充电命令信号时，也自动执行存储体的预充电操作。

2.  根据权利要求1的方法，其中，如果所述测试模式处于第二电平，那么在施加了用于激活存储器件的存储体的激活命令信号之后，当经过预定周期时间时，自动执行预充电操作。

3.  根据权利要求2的方法，其中，如果所述测试模式处于第二电平，那么通过与所述外部时钟的下降沿同步地产生的第二脉冲信号，来触发预充电操作。

4.  根据权利要求1的方法，其中，如果所述测试模式处于第一电平，那么通过与所述外部时钟的下降沿同步地产生的第二脉冲信号，来触发预充电操作。

5.  一种用于测试具有多个存储体的存储器件的方法，包括步骤：
将外部时钟施加到存储器件中；并且
施加用于控制存储器件的操作的命令信号，
其中，如果用于存储器件的测试模式信号被解除激活，那么仅仅当命令信号是预充电命令时才执行多个存储体的预充电，并且如果测试模式信号被激活，那么在施加了用于激活存储体的激活命令信号之后，当经过预定周期时间时，自动执行存储体的预充电。

6.  一种用于测试存储器件的方法，该方法通过仅仅在施加了用于激活存储器件的存储体的信号时的外部时钟信号的下降沿，自动产生用于对存储体进行预充电的信号，来测试存储器件。

7.  根据权利要求6的方法，其中，当没有施加用于激活存储器件的存储体的信号时，在外部时钟信号的下降沿不执行预充电。

8.  根据权利要求6的方法，其中，表示存储体的低激活的信号通过在外部时钟信号的上升沿施加激活命令而被激活，并且通过在外部时钟信号的下降沿自动执行预充电而被解除激活。

9.  根据权利要求6的方法，其中，所述外部时钟是具有比存储器件的操作频率低的频率的长周期时钟信号，并且所述长周期时钟信号是从用于测试存储器件的系统中输出的，并且被施加到存储器件中。

10.  一种用于测试存储器件的方法，该方法通过仅仅在施加了用于激活存储器件的存储体的信号时，才自动产生用于对存储体进行预充电的信号，来测试存储器件。

用于测试存储器件的方法
技术领域
本发明涉及一种用于测试存储器件的方法，并且特别涉及一种通过仅仅在激活之后才自动执行预充电来利用长周期时钟信号(long-term clock signal)测试存储器件的方法。
背景技术
如本领域中公知的，在存储器件作为最终产品发行之前，要在特定条件下对存储器件进行严格的测试。这种测试之一，就是在比那些实际施加到该设备的条件更恶劣的条件下，在圆晶片级对存储器件所执行的老化测试。在存储器芯片被提供给最终用户之前，该老化测试在较高温度下施加较高电压，以检测这些存储器芯片中存在的任何缺陷，并且因此保证存储器件的可靠性和生产能力。
对存储器件进行的老化测试是利用老化系统来执行的。在现有技术中，随着存储器件的工作频率增加，需要购买新的老化系统来测试这些器件，因此导致了测试费用的增加。
在现有技术中，为了解决该成本问题，利用在低频工作的系统来测试在高频工作的存储器件。这样的测试通常需要长周期时钟(低频时钟)“tm_ltck”的测试模式。
下面将结合附图1对存储器件的一般操作做出详细的说明。
图1为表示当存储器件(例如，SDRAM)正常工作时该存储器件的激活(activation)和预充电的时序图。
参考图1，CLK为外部时钟信号。tCLK指CLK的周期。CMD为命令信号。ACT指激活命令，而PCG指预充电命令。tm_ltck为测试模式长周期时钟的缩写，它指的是长周期时钟信号的测试模式。atvp是激活脉冲的缩写，它指的是根据ACT命令产生的用于执行激活命令的脉冲信号。pcgp代表根据PCG命令产生的用于执行预充电命令的脉冲信号。
如图1所示，当tm_ltck为低电平时，也就是，当利用长周期时钟的测试模式被禁止时，存储器件响应于ACT命令信号而产生用于激活存储器件的atvp信号，并且响应于PCG命令信号而产生用于给存储器件预充电的pcgp信号。然而，如上所述，当使用以低频驱动的老化系统时，将在长周期时钟信号的测试模式下测试高频存储器件。
图2表示在长周期时钟信号的测试模式中的激励和预充电的时序图。
如图2所示，在tm_ltck为高电平的测试模式下，使用从在低频工作的老化系统所输出的CLK。
当在长周期时钟信号(长tCK)的上升沿施加ACT命令时，存储器件产生用于执行低激活(low activation)的atvp信号。
随后，存储器件在长周期时钟信号的下降沿自动产生pcgp信号，以执行预充电操作。
参考图2对tm_ltck的高电平激活进行详细的说明。
当在外部时钟信号1的上升沿施加激活命令时，激活存储器件中的atvp信号以执行低激活。在经过时间周期tRAS之后，在外部时钟信号1的下降沿激活存储器件中的pcgp信号，以自动执行预充电。因此，能够在外部时钟信号2的上升沿施加另一个激活命令。换句话说，有可能在缩减的测试时间内，利用在低频工作的系统对存储器件执行老化测试。
现在解释tm_ltck的低电平激活。
当在外部时钟信号1的上升沿施加激活命令时，激活存储器件中的atvp信号以执行低激活。在经过时间周期tRAS之后，在外部时钟信号2的上升沿施加预充电命令，以激活存储器件中的pcgp信号以及执行预充电。然后，在外部时钟信号3的上升沿施加另一个命令，例如激活命令。当利用在低频工作的系统来测试存储器件时，需要减小tCK以最小化tRAS。在这种情况下，就不能够缩减总测试时间。
如图2所示，当施加长周期时钟信号来测试存储器件时，使该长周期时钟信号与外部时钟信号的下降沿同步，以自动执行预充电操作，而不施加单独的预充电命令。
然而，这种自动预充电会引起如图3中所示的问题。
图3是表示现有技术的在长周期时钟信号的测试模式中的激活和预充电操作的时序图。根据现有技术，即使当不需要进行预充电时，仍然使长周期时钟信号与外部时钟信号的下降沿同步以自动执行预充电。
由于在进入tm_ltck测试模式(即tm_ltck＝高电平)之后，即使在不需要预充电地操作中，例如在MRS(mode register set，模式寄存器组)或者EMRS(extended mode register set，扩展模式寄存器组)操作中，仍然在外部时钟CLK的下降沿自动执行预充电，因此，有可能存在将导致测试结果的可靠性降低的不正确的操作或者不稳定的测试模式操作。
发明内容
因此，为解决现有技术中存在的上述问题而做出本发明，并且本发明的目的是提供一种通过仅仅在需要时才执行预充电来测试存储器件的方法。
为了实现这个目的，提供一种用于测试存储器件的方法，该方法通过仅仅当在外部时钟信号CLK的上升沿施加激活命令以执行低激活时，才在外部时钟信号CLK的下降沿执行预充电，来测试存储器件。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细说明，本发明的上述和其他的目的、特征和优点将会更加清楚，其中：
图1是表示当存储器件正常工作时，根据现有技术的激活和预充电操作的时序图。
图2是表示根据现有技术在长周期时钟信号的测试模式中的激活和预充电的时序图。
图3是表示根据现有技术在长周期时钟信号的测试模式中的激活和预充电操作的时序图。
图4是表示根据本发明在长周期时钟信号的测试模式中的激活和预充电操作的时序图。
图5表示仅仅在激活时才执行预充电的预充电脉冲信号发生器的一个例子。
图6是外部时钟信号和内部时钟信号的波形。
图7表示长周期时钟预充电控制器的一个例子。
图8是表示在根据本发明的用于测试存储器件的方法中产生预充电信号的过程的波形。
具体实施方式
在此，将参考附图说明本发明的优选实施例。在接下来的描述和附图中，相同的标号用于指示相同或者相似的元件，因此将省略对相同或者相似元件的重复描述。
本发明的第一个实施例提供一种用于测试存储器件的方法，其包括步骤：将外部时钟施加到存储器件中；施加用于控制存储器件的操作的命令信号；产生对应于命令信号的第一脉冲信号；并且施加用于测试存储器件的测试模式信号。如果测试模式是第一电平，仅仅当命令信号是预充电命令信号时，才给存储器件的存储体预充电。如果测试模式是在第二电平，那么即使当命令信号不是预充电命令信号时，也自动执行存储体的预充电操作。
在第二电平测试模式中，在施加了用于激活存储器件的存储体的激活命令信号之后，当经过预定周期的时间时，自动执行预充电操作。
同样，在第二电平测试模式中，通过与外部时钟的下降沿同步产生的第二脉冲信号，来触发预充电操作。
在本发明的第一实施例中，如果测试模式是在第一电平，那么通过与外部时钟的下降沿同步产生的第二脉冲信号来触发预充电操作。
本发明的第二实施例提供一种用于测试具有多个存储体的存储器件的方法，包括步骤：将外部时钟施加到存储器件中；并且施加用于控制存储器件操作的命令信号。如果用于存储器件的测试模式信号被解除激活(deactivate)，那么仅仅当命令信号为预充电命令时，才执行多个存储体的预充电。如果测试模式信号被激活，那么在施加了用于激活存储体的激活命令信号之后，当经过预定周期时间时，就自动执行存储体的预充电。
根据本发明，当施加了用于激活存储体的信号时，仅仅在外部时钟信号的下降沿自动产生用于给存储器件的存储体预充电的信号。
当没有施加用于激活存储器件的存储体的信号时，在外部时钟信号的下降沿不执行预充电操作。
根据本发明，表示存储体的低激活的信号，通过在外部时钟信号的上升沿施加激活命令而被激活，并且通过在外部时钟信号的下降沿自动执行预充电而被解除激活。
外部时钟为具有比存储器件的工作频率低的频率的长周期时钟信号。该长周期时钟信号是从用于测试存储器件的系统中输出的，并且被施加到该存储器件中。
根据本发明的用于测试存储器件的方法仅仅当施加了用于激活存储体的信号时，才自动产生用于给存储器件的存储体预充电的信号。
下面将参考附图对本发明的优选实施例进行更详细的说明。
图4是表示根据本发明在长周期时钟信号的测试模式中的激活和预充电操作的时序图。在图4中，rast<i>，其中i是0、1、2和3，代表显示存储器件(具有四个存储体)的每个存储体的低激活状态的信号。例如，rast<1>显示存储体1(没有示出)的低激活状态。
如在图4中所示，在进入tm_ltck测试模式之后，仅仅当施加了ACT命令信号时，才在时钟信号的下降沿自动执行预充电。换句话说，当施加了信号例如MRS或者EMRS时，在时钟的下降沿不执行预充电。
在根据本发明的用于测试存储器件的方法中，如果不需要，则在外部时钟的下降沿不执行预充电。仅仅在施加了激活命令时，才与外部时钟信号的下降沿同步地自动执行预充电操作。
图5显示了用于仅仅在激活时才执行预充电的预充电脉冲信号(pcgp)发生器的例子。
根据本发明的预充电脉冲信号发生器包括时钟缓冲器10、长周期时钟预充电控制器20和预充电命令(PCG命令)接收器30。
时钟缓冲器10接收外部时钟信号CLK，并且产生将在存储器件内部使用的内部时钟clkmz和clkp。图6为外部时钟信号CLK以及内部时钟信号clkmz和clkp的波形。如图6所示，一个内部时钟信号clkp是与外部时钟信号CLK的上升沿同步产生的脉冲信号，而另一个内部时钟信号clkmz是以相反的相位响应于外部时钟信号CLK的信号。
长周期时钟预充电控制器20接收rast<0>、rast<1>、rast<2>和rast<3>信号、测试模式信号tm_ltck和内部时钟clkmz。在图7中说明了长周期时钟预充电控制器20的电路例子。长周期时钟预充电控制器20包括：或非门(NOR门)NOR10，用于接收rast<0>、rast<1>、rast<2>和rast<3>信号；反相器INV10，用于反转来自或非门NOR10的输出信号；与非门(NAND门)NAND10，用于接收来自反相器INV10的输出信号、内部时钟信号clkmz和测试模式信号tm_ltck；以及或非门NOR11，用于接收来自与非门NAND10的输出信号以及通过反相器链在预定延迟时间期间根据来自与非门NAND10的所述输出信号进行延迟的信号。
预充电命令接收器30接收并且使能PCG信号。当从外部施加常态预充电命令信号PCG时，预充电命令接收器30根据内部时钟信号clkp产生预充电脉冲信号pcgp，该预充电脉冲信号pcgp激活预充电操作。
将来自长周期时钟预充电控制器20的输出信号21和来自预充电命令接收器30的输出信号31施加到与非门41中。与非门41通过反相器42和43输出最终输出信号pcgp。
图8是显示了在根据本发明的用于测试存储器件的方法中产生预充电信号的过程的波形。
下面将参考图8来详细描述在长周期时钟信号的测试模式中测试模式信号tm_ltck被解除激活(即，tm_ltck＝低电平)的第一种情况。
在第一种情况中，即使在外部时钟信号CLK的上升沿施加了激活命令(ACT<0>)以执行低激活时，也不会在外部时钟信号的下降沿执行预充电。
另外，下面参考图8来详细说明在长周期时钟信号的测试模式中测试模式信号tm_ltck被激活(即，tm_ltck＝高电平)的第二种情况。
在第二种情况下，当在外部时钟信号CLK的上升沿施加了激活命令(ACT<0>、ACT<1>、ACT<2>和ACT<3>)以执行低激活时，在外部时钟信号的下降沿自动执行预充电。
同样，显示被激活的存储体的低激活的信号rast<0>、rast<1>、rast<2>和rast<3>，通过在外部时钟信号的上升沿施加激活命令而被激活，并且通过在外部时钟信号的下降沿自动执行预充电而被解除激活。
参考附图5至8对本发明的优选实施例进行更详细的描述。
将说明当tm_ltck信号被解除激活时出现的预充电操作。
参考附图5至7，当根据来自外部的常态预充电命令在外部时钟信号CLK的上升沿施加PCG命令时，PCG命令接收器30根据内部时钟信号clkp将预定脉冲信号输出到输出线31上。由于tm_ltck信号被解除激活，长周期时钟预充电控制器20的输出线21被维持在解除激活状态。当输出线21被解除激活时，输出线31处于激活状态。因此，最终输出信号pcgp被激活以执行常态预充电操作。
将说明当tm_ltck信号被激活时的预充电操作。
如果即使当tm_ltck信号被激活时也不执行激活，那么显示存储器件存储体的低激活的信号rast<0>、rast<1>、rast<2>和rast<3>将处于解除激活状态，并且将不施加预充电命令。因此，输出线21和31将被维持在解除激活状态。在这种情况下，将不激活最终输出信号pcgp。换句话说，如果即使当tm_ltck信号被激活时也不执行激活，那么将不会在外部时钟信号CLK的下降沿执行预充电。
如果在tm_ltck信号被激活的同时，通过在外部时钟信号CLK的上升沿施加激活命令，来在至少一个存储体中执行低激活，那么至少一个显示存储体的低激活的信号rast<0>、rast<1>、rast<2>和rast<3>将被激活。如在图8中所示，信号rast<0>、rast<1>、rast<2>和rast<3>，在关于相应的存储体或者相应的多个存储体施加了激活命令时被激活，并且通过显示预充电操作的pcgp信号而被解除激活。在施加了激活命令时的外部时钟信号CLK的下降沿，通过具有与外部时钟信号CLK相反的相位的内部时钟信号clkmz来激活输出到输出线21的信号。因此，与处在解除激活状态中的输出线31的电压无关，而自动激活输出信号pcgp。
如上所述，本发明仅仅当在外部时钟信号的上升沿施加了激活命令以执行低激活时，才在外部时钟信号的下降沿执行预充电。因此，本发明确保了存储器件的稳定测试，从而减少了测试时间。
虽然出于例证性的目的对本发明的优选实施例进行了说明，但是本领域的技术人员将会理解，在不脱离如所附权利要求中所揭示的本发明的范围和实质的情形下，有可能进行各种修改、增加以及替换。