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1、(10)申请公布号 CN 102851635 A (43)申请公布日 2013.01.02 CN 102851635 A *CN102851635A* (21)申请号 201210351285.4 (22)申请日 2012.09.20 C23C 12/00(2006.01) (71)申请人 河北联合大学 地址 063009 河北省唐山市新华西道 46 号 (72)发明人 张颖异 李运刚 赵杰 (74)专利代理机构 石家庄冀科专利商标事务所 有限公司 13108 代理人 李桂芳 (54) 发明名称 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料及其制备方法 (57) 摘要 本发明公开了一种 Mo-C-N。
2、-Si-Nb 梯度涂层 材料及其制备方法， 其在 Mo-Nb 合金一侧或两侧 为复合涂层 ； 所述复合涂层为由内向外 Mo-Nb 合 金方向 Si、 C、 N 含量逐渐升高， Mo、 Nb 含量逐渐 降低的梯度涂层。本发明材料的梯度涂层与基体 结合紧密， 梯度涂层具有很高的抗弯强度， 基体材 料的稳态蠕变率较纯 Mo 单晶降低了 3 个数量级 ； 涂层表面具有高硅含量， 涂层表层物相为 MoSi2、 SiC、 Si3N4和 Si， 中 间 层 以 MoSi 2、 SiC 和 Si3N4 为主， 过渡层为 Mo5Si3、 MoSi3以及少量的 NbSi2； 500低温氧化实验中不会出现低温粉化现。
3、象， 涂 层具有良好的高温抗氧化性。本方法具有梯度层 形成速度快、 制备时间短、 涂层厚度可随意控制的 特点 ； 本材料具有材料表面结构致密、 高温抗蠕 变性好、 高温抗氧化性能良好等特点。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 5 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 5 页 附图 3 页 1/1 页 2 1. 一种 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料， 其特征在于 ： 其在 Mo-Nb 合金一侧或两侧为复合 涂层 ； 所述复合涂层为由内向外 Mo-Nb 合金方向 Si、 C、 N 含量逐渐升高， Mo、 。
4、Nb 含量逐渐降 低的梯度涂层。 2. 根据权利要求所述的 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料， 其特征在于 ： 所述复合涂 层为 MoSi2 SiC Si3N4 Si 梯度涂层 ; 所述涂层材料由内向外相组成变化规律为 ： Mo-NbMo5Si3 Mo3Si 微量 NbSi2 SiC Si3N4 MoMo5Si3 MoSi2微量 SiC Si3N4 NbSi2 MoSi2 Si 微量 SiC+Si3N4。 3. 根据权利要求所述的 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料， 其特征在于 ： 所述复合涂层为 MoSi2 SiC Si 梯度涂层或 MoSi2 Si3N4 Si 梯度涂层。 4.。
5、根据权利要求、 2或3所述的Mo-C-N-Si-Nb梯度涂层材料， 其特征在于 ： 所述复合 涂层厚度为 200m 1000m。 5.权利要求4任意一项所述的Mo-C-N-Si-Nb梯度涂层材料的制备方法， 其特征在 于 ： 其以乙炔、 氨气作为真空碳氮共渗的碳氮渗源， 以纯度为 7N 的熔融多晶硅作为渗 Si 的 渗源， Mo-Nb 合金经过碳氮共渗和热浸镀渗硅后， C、 N、 Si 通过在 Mo-Nb 合金基体中的反应 扩散或物理扩散形成复合涂层。 6. 根据权利要求 5 所述的 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料的制备方法， 其特征在于， 该方 法步骤为 ： a 将Mo-3Nb合金板。
6、放入真空渗碳淬火炉内进行碳氮共渗， 共渗结束后经油淬气 冷取出得到 Mo-Nb-C-N 合金板 ； b把装有纯度为 7N 的块状多晶硅的刚玉坩锅在氩气保护的条件下在加热炉内进行加 热， 待达到渗镀温度后， 恒温使刚玉干锅中的多晶硅彻底熔化成硅液 ； 将 Mo-Nb-C-N 合金板 插入硅液中进行渗镀， 得到 Mo-Nb-C-N-Si 合金板 ； c. 渗硅结束后， 将 Mo-Nb-C-N-Si 合金板从硅液中取出， 在加热炉内停留降温， 然后 用氩气喷吹 Mo-Nb -C-N-Si 合金板表面进行冷却， 最后取出在室温冷却， 即可得到所述的 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料。 7. 根据。
7、权利要求 6 所述的 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料的制备方法， 其特征在于 ： 所述 步骤 a 中， 共渗温度为 800 1000， 共渗时间为 60 180min。 8. 根据权利要求 6 所述的 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料的制备方法， 其特征在于 ： 所述 步骤 b 中， 渗镀温度为 1450 1550， 多晶硅的恒温时间为 20min 60min， 渗镀时间为 20min 60min。 9. 根据权利要求 6 所述的 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料的制备方法， 其特征在于 ： 所述 步骤 c 中， Mo-Nb-C-N-Si 合金板在加热炉 500的温度段停留。
8、 5 15min， 氩气的喷吹流 量为 8L/min， 喷吹至 Mo-Nb-C-N-Si 合金板表面温度降至 200以下后取出材料。 权 利 要 求 书 CN 102851635 A 2 1/5 页 3 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料及其制备方法 技术领域 0001 本发明涉及一种梯度涂层材料及其制备方法， 尤其是一种 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂 层材料及其制备方法。 背景技术 0002 晶向为 Mo-Nb 合金 （钼铌合金） 具有十分高的耐热性， 可以应用于工作温 度为 1600的结构件， 在各种介质中的耐腐性、 抗震性、 导热性和导电性能高， 同时具有较 好的机械加工性能。在。
9、 1500， 10MPa 时， Mo-3Nb（3 为质量百分数） 合金单晶的稳态蠕变 率较纯 Mo 单晶降低了 3 个数量级， 大大提高了材料的高温抗蠕变性能， 具有很高的高温强 度。 被广泛用作空间热离子反应堆中的发射极、 导弹尾喷管、 卫星火箭推进器以及进气口温 度超过 1400的发动机叶片材料等领域。但是， 当它在氧化介质中温度超过 500时， 制品 表面容易形成高挥发性的三氧化钼， 起不到防护作用， 不能在氧化介使用。 0003 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层的制备研究目前国内外尚无报道， 但在钼及其钼合金的纯 MoSi2涂层材料的制备方面国内有较少的报道。 目前， 国内外钼及其合。
10、金涂层的制备方法主 要有等离子体喷涂法、 化学气相沉积法 （CVD） 、 激光熔覆法和熔盐电沉积法等。 0004 等离子体喷涂法制备钼及其合金的 MoSi2涂层， 是将金属 Si 粉在高温下受热熔 化， 高速撞击到钼及其钼合金基材表面形成Si层， 然后在真空下包渗硅化制备 MoSi2涂层。 采用这种方法制备的 MoSi2涂层疏松多孔， 涂层表面粗糙， 力学性能和抗氧化性能都比较 差。主要原因是喷涂的 Si 层是由无数变形粒子相互交错堆叠在一起的层状组织结构， 颗粒 之间不可避免地存在孔隙或空洞 ； 另外， 喷涂过程中涂层表面的部分气体来不及排出， 导致 Si 层多孔不致密。由此进行真空包渗硅化。
11、制备的 MoSi2涂层也不致密， 因为 Si 只能和 Mo 存在的区域反应形成 MoSi2， 而孔隙、 空洞等缺陷仍将成为氧气向内扩散的直接通道， 严重 影响涂层的力学性能和抗氧化性能。 0005 化学气相沉积法 （CVD） 制备钼及其合金的MoSi2涂层， 是以CVD还原反应在金属Mo 及其合金基体上沉积硅， 再通过硅在钼基体内的扩散而形成MoSi2。 气相渗硅制备 MoSi2涂 层主要要是发生硅的固态扩散和界面化学反应 （2SiCl4+Mo+2H2 MoSi2+4 HCl） 。 0006 Yoon Jin-Kook 等利用这种方法成功在 Mo 基体上制备了 MoSi2涂层。研究表明， 该涂。
12、层从外至内其生成物都会有变化， 表层为 MoSi2， 内层为低硅含量的 Mo-Si 化合物， 如 Mo5Si、 Mo3Si 等， 这种成分的变化在一定程度上减小了基体与涂层的热应力作用。但是， 气 相渗硅法由于受硅固态扩散的影响， 不同区域涂层由外向内的成分相差较大， 容易引起较 大的内应力， 并且由于与基体材料热膨胀的不匹配， 加上涂层常为柱状晶结构， 很易导致涂 层产生破落和穿透型的裂纹， 影响涂层的力学性能和抗氧化性能。 0007 激光熔覆法制备 MoSi2涂层， 是利用高能激光束熔覆 Mo、 Si 粉末在合金基体上制 备了耐高温结构用MoSi2涂层。 采用激光熔覆法在钼及其合金上制备M。
13、oSi2涂层是完全可行 的， 根据 MoSi2涂层结构可以发现， 涂层表面相对致密平整， 表面成分主要由 MoSi2和 Mo5Si3 组成。 主要缺点是工艺设备复杂昂贵， 工艺复杂， 涂层表面的Mo5Si3对其高温抗氧化性有不 说 明 书 CN 102851635 A 3 2/5 页 4 利影响。 0008 熔盐电沉积法制备钼及其合金的 MoSi2涂层， 是利用电化学原理将熔盐中的 Si 离 子沉积到阴极 Mo 基板上并发生界面化学反应生成 MoSi2涂层的过程。李运刚等采用熔盐 电沉积渗硅的方法在钼基体上成功的制备了 Mo-MoSi2功能梯度材料， 并获得了发明专利， 这种方法在制备梯度层厚。
14、度为 80m 110m 的 Mo-MoSi2功能梯度材料时具有梯度层 厚度容易控制， 工艺参数控制范围宽， 易操作， 材料表面结构致密、 平整等特点， 但由于这种 方法的制备温度较低、 Si 在基体中的浓度梯度小、 扩散速度慢， 致使在制备梯度层厚度大于 200m 的 Mo-MoSi2功能梯度材料时， 需要很长的时间。 0009 上面的分析表明， 目前尚无 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料及其制备方法， 即使在制 备与此材料类似的纯 MoSi2涂层材料上也存在如下的不足 ：（1） 涂层材料的孔隙、 空洞等缺 陷较多， 力学性能和高温抗氧化性都相对较差， 材料的使用寿命短 （2） 工艺条件。
15、复杂， 生产 成本高， 容易产生有毒气体， 污染环境。 （3） 制备过程中不能制备出合金表面具有高硅含量 的复合高温涂层。 发明内容 0010 本发明要解决的技术问题是提供一种具有良好的导电导热性、 高温抗蠕变性和高 温抗氧化性能的 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料 ； 本发明还提供了该 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层 材料的制备方法。 0011 为解决上述技术问题， 本发明所采取的技术方案是 ： 其在 Mo-Nb 合金一侧或两侧 为复合涂层 ； 所述复合涂层为由内向外 Mo-Nb 合金方向 Si、 C、 N 含量逐渐升高， Mo、 Nb 含量 逐渐降低的梯度涂层。 0012 本发明。
16、材料所述复合涂层为 MoSi2 SiC Si3N4 Si 梯度涂层 ; 所述涂层 材料由内向外相组成变化规律为 ： Mo-NbMo5Si3 Mo3Si 微量 NbSi2 SiC Si3N4 MoMo5Si3 MoSi2微量 SiC Si3N4 NbSi2 MoSi2 Si 微量 SiC+Si3N4。 0013 本发明材料所述复合涂层为 MoSi2 SiC Si 梯度涂层或 MoSi2 Si3N4 Si 梯 度涂层。 0014 本发明材料所述复合涂层厚度为 200m 1000m。 0015 本发明材料的制备方法为 ： 其以乙炔、 氨气作为真空碳氮共渗的碳氮渗源， 以纯度 为 7N 的熔融多晶硅作。
17、为渗 Si 的渗源， Mo-Nb 合金经过碳氮共渗和热浸镀渗硅后， C、 N、 Si 通过在 Mo-Nb 合金基体中的反应扩散或物理扩散形成复合涂层。 0016 本发明材料制备方法的方法步骤为 ： a将 Mo-3Nb 合金板放入真空渗碳淬火炉内 进行碳氮共渗， 共渗结束后经油淬气冷取出得到 Mo-Nb-C-N 合金板 ； b把装有纯度为 7N 的块状多晶硅的刚玉坩锅在氩气保护的条件下在加热炉内进行加 热， 待达到渗镀温度后， 恒温使刚玉干锅中的多晶硅彻底熔化成硅液 ； 将 Mo-Nb-C-N 合金板 插入硅液中进行渗镀， 得到 Mo-Nb-C-N-Si 合金板 ； c. 渗硅结束后， 将 Mo。
18、-Nb-C-N-Si 合金板从硅液中取出， 在加热炉内停留降温， 然后 用氩气喷吹 Mo-Nb -C-N-Si 合金板表面进行冷却， 最后取出再室温冷却， 即可得到所述的 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料。 0017 本发明材料制备方法所述步骤 a 中， 共渗温度为 800 1000， 共渗时间为 60 说 明 书 CN 102851635 A 4 3/5 页 5 180min。 0018 本发明材料制备方法所述步骤 b 中， 渗镀温度为 1450 1550， 多晶硅的恒温 时间为 20min 60min， 渗镀时间为 20min 60min。 0019 本发明材料制备方法所述步骤 c 。
19、中， Mo-Nb-C-N-Si 合金板在加热炉 500的温 度段停留 5 15min， 氩气的喷吹流量为 8L/min， 喷吹至 Mo-Nb-C-N-Si 合金板表面温度降 至 200以下后取出材料。 0020 采用上述技术方案所产生的有益效果在于 ： 本发明针对现有 Mo 合金和纯 MoSi2涂 层的缺陷， 根据扩散基本理论， 以及材料抗高温氧化的机理， 采用更高的制备温度、 更高的 扩散物质浓度 （液态 Si） 和 Mo、 C、 N、 Si、 Nb 共扩散 （固态扩散中多元素扩散时可相互提高 对方的扩散速度） 的方法， 加速高温涂层的增厚， 提高高温涂层的高温强度和高温抗氧化 性的方法， 。
20、研制了一种耐高温防氧化的 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层及其制备方法， 所述材料以 Mo-Nb 合金为基体， 经 C、 N、 Si 在 Mo-Nb 合金基体中扩散， 得到 Si、 C、 N 含量逐渐升高， Mo、 Nb 含量逐渐降低的耐高温梯度涂层。 0021 经检验， 本发明材料的梯度涂层与基体结合紧密， 弥散分布的 SiC、 Si3N4和 NbSi2 颗粒起到了细晶强化的作用， 阻止了 MoSi2柱状晶晶粒的长大， 梯度涂层具有很高的抗弯强 度 （平均抗弯强度为959MPa） ， 较纯MoSi2的815MPa提高了15%， 基体材料的稳态蠕变率较纯 Mo单晶降低了3个数量级 （1500。
21、， 10MPa时） ； 涂层表面具有高硅含量 （85%） ， 涂层表层物 相为 MoSi2、 SiC、 Si3N4和 Si， 中间层以 MoSi2、 SiC 和 Si3N4为主， 过渡层为 Mo5Si3、 MoSi3以 及少量的 NbSi2； 500低温氧化实验中不会出现低温粉化现象， 在 1300 1800空气中， 涂层表面很快形成连续致密的 SiO2保护膜， 该涂层具有良好的高温抗氧化性。本发明方法 具有梯度层形成速度快、 制备时间短、 涂层厚度可随意控制的特点 ； 本发明材料具有材料表 面结构致密、 高温抗蠕变性好、 高温抗氧化性能良好等特点。 附图说明 0022 下面结合附图和具体实施。
22、方式对本发明作进一步详细的说明。 0023 图 1 图 3 是本发明实施例 1 3 梯度涂层中梯度层的钼、 硅、 碳、 氮、 铌分布图 ； 图 4 是本发明梯度涂层的宏观照片 ； 图 5 是本发明梯度涂层的微观照片。 具体实施方式 0024 本发明方法以 Mo-Nb 合金为基体， 它以纯度为 7N 的熔融多晶硅作为渗 Si 的渗源， 以乙炔、 氨气作为真空碳氮共渗的碳氮渗源。 在WZST 系列双室真空渗碳淬火炉内进行碳氮 共渗， 形成Mo-Nb-C-N合金， 在将Mo-Nb-C-N合金浸入液态Si液中， 在温度14501550 下热浸镀渗硅 20min 60min， 得到涂层又内向外， Si、。
23、 C、 N 含量逐渐升高， Mo、 Nb 含量逐渐 降低的梯度涂层。 0025 所述涂层的 Mo、 C、 N、 Si、 Nb 含量分布、 厚度的控制以及高温抗蠕变性， 主要通 过调整 Mo-Nb 合金的含 Nb 量、 碳氮共渗时间、 碳氮共渗温度、 热浸镀时间、 热浸镀温度等 参数来实现。本发明工作机理如下 ： 由于高温作用、 C-N-Nb-Mo-Si 含量浓度梯度以及 C-N-Si-Mo-Nb 的学反应扩散和物理扩散， 从而快速形成沿基体 Mo-Nb 向表层相组成变化规 说 明 书 CN 102851635 A 5 4/5 页 6 律为 Mo-NbMo5Si3 Mo3Si 微量 NbSi2+。
24、SiC+Si3N4+MoMo5Si3 MoSi2+ 微量 SiC+Si3N4+ NbSi2 MoSi2 Si+ 微量 SiC+Si3N4（表层） 的组织结构的功能梯度层， 缩短梯度层的形成 时间， 加速梯度层的增厚速度。经检验， 梯度涂层材料具有很高的抗弯强度 （平均抗弯强度 为 937MPa） ， 较纯 MoSi2的 815MPa 提高了 14.97%， 基体材料的稳态蠕变率较纯 Mo 单晶降低 了 3 个数量级 （1500， 10MPa 时） ； 涂层表面具有高硅含量 （ 77%） ， 涂层表面物相为 MoSi2、 SiC、 Si3N4和 Si， 向内逐渐为 MoSi2、 Mo5Si3、 。
25、MoSi3、 SiC 以及少量的 NbSi2； 500低温氧化实 验中不会出现低温粉化现象， 在 1300 1800空气中， 涂层表面很快形成连续致密的 SiO2 保护膜， 该涂层具有良好的高温抗氧化性。另外， 弥散分布的 SiC、 Si3N4和 NbSi2颗粒起到 了细晶强化的作用， 阻止了 MoSi2柱状晶晶粒的长大， 提高了涂层的高温强度和高温抗蠕变 性， 延长材料的寿命。 0026 实施例 1 ： 本 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料采用下述制备方法。 0027 将 Mo-3Nb 合金板 （50mm20mm3mm） 放入 WZST-20 系列双室真空渗碳淬火炉内， 进行 800 。
26、、 60min 渗碳， 经油淬气冷后取出得到 Mo-3Nb-1.7C 合金 （质量百分数） ， 渗层深 度为0.640.69 mm。 取100g纯度为7N的块状多晶硅装入刚玉干锅， 放入氩气保护的高温 电炉内升温至1500， 恒温60min ； 把Mo-3Nb-1.7C合金板 （50mm20mm3mm） 放入熔融Si 液中， 在温度 1500下热浸镀渗硅 20min 后， 将合金基体缓慢从热浸镀液中取出， 在电炉炉 温500的温度段 （靠近炉口位置） 停留10min后， 用刚玉喷头将流量为8L/min的Ar气快 速吹到 Mo-C-Si-Nb 梯度涂层梯度表面进行冷却， 待涂层表面温度降至 20。
27、0时取出材料并 进行室温冷却。图 1、 图 4、 图 5 所示， 对涂层表面形貌、 断面厚度及 Mo、 C、 Si、 Nb 含量分布、 表面物相分析结果表明， 得到的涂层表面致密平整， 涂层表面具有高硅含量 （ 77%） ， 涂层 表面由 MoSi2、 SiC 和纯 Si 组成， 向内逐渐为 MoSi2、 Mo5Si3、 MoSi3、 SiC 以及少量的 NbSi2， 涂 层厚度约120m， 梯度涂层材料具有很高的抗弯强度 （平均抗弯强度为880MPa） ， 较纯MoSi2 的 815MPa 提高了 7.98%， 500低温氧化 240h 后没有出现低温粉化现象， 在 1300 1800 空气。
28、中， 涂层表面很快形成连续致密的 SiO2保护膜， 该涂层具有良好的高温抗氧化性。 0028 实施例 2 ： 本 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料采用下述制备方法。 0029 将 Mo-3Nb 合金板 （50mm20mm3mm） 放入 WZST-20 系列双室真空渗碳淬火炉内， 进行 900 、 120min 渗氮， 经油淬气冷后取出得到 Mo-3Nb-0.8N 合金 （质量百分数） ， 渗层深 度为 0.97 1.08 mm。取 100g 纯度为 7N 的块状多晶硅装入刚玉干锅， 放入氩气保护的高 温电炉内升温至 1550， 恒温 30min ； 把 Mo-3Nb-0.8N 合金板 （。
29、50mm20mm3mm） 放入熔 融 Si 液中， 在温度 1550下热浸镀渗硅 40min 后， 将合金基体缓慢从热浸镀液中取出， 在 电炉炉温 500的温度段 （靠近炉口位置） 停留 5min 后， 用刚玉喷头将流量为 8L/min 的 Ar气快速吹到Mo-N-Si-Nb梯度涂层表面进行冷却， 待涂层表面温度降至200时取出材料 并进行室温冷却。图 2 所示， 对涂层表面形貌、 断面厚度及 Mo、 N、 Si、 Nb 含量分布、 表面物 相分析结果表明， 得到的涂层表面致密平整， 涂层表面具有高硅含量 （ 81%） ， 涂层表面由 MoSi2、 Si3N4和纯 Si 组成， 向内逐渐为 M。
30、oSi2、 Mo5Si3、 MoSi3、 Si3N4以及少量的 NbSi2， 涂层厚 度约 250m， 梯度涂层材料具有很高的抗弯强度 （平均抗弯强度为 920MPa） ， 较纯 MoSi2的 815MPa提高了12.88%， 500低温氧化240h后没有出现低温粉化现象， 在13001800空 气中， 涂层表面很快形成连续致密的 SiO2保护膜， 该涂层具有良好的高温抗氧化性。 0030 实施例 3 ： 本 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层材料采用下述制备方法。 说 明 书 CN 102851635 A 6 5/5 页 7 0031 将 Mo-3Nb 合金板 （50mm20mm3mm）放入。
31、 WZST-20 系列双室真空渗碳淬火炉 内， 进行 1000、 180min 碳氮共渗， 经油淬气冷后取出得到 Mo-3Nb-3.4C-1.0N 合金 （质 量百分数） ， 渗层深度为 1.42 1.53 mm。取 100g 纯度为 7N 的块状多晶硅装入刚玉干 锅， 放入氩气保护的高温电炉内升温至 1450， 恒温 20min ； 把 Mo-3Nb-3.4C-1.0N 合金板 （50mm20mm3mm） 放入熔融Si液中， 在温度1450下热浸镀渗硅60min后， 将合金基体缓 慢从热浸镀液中取出， 在电炉炉温 500的温度段 （靠近炉口位置） 停留 15min 后， 用刚玉 喷头将流量为。
32、 8L/min 的 Ar 气快速吹到 Mo-C-N-Si-Nb 梯度涂层表面进行冷却， 待涂层表面 温度降至200时取出材料并进行室温冷却。 图3所示， 对涂层表面形貌、 断面厚度及Mo、 C、 N、 Si、 Nb 含量分布、 表面物相分析结果表明， 得到的涂层表面致密平整， 涂层表面具有高硅 含量 （ 84%） ， 涂层表面由 MoSi2、 SiC、 Si3N4和纯 Si 组成， 向内逐渐为 MoSi2、 Mo5Si3、 MoSi3、 Si3N4、 SiC 以及少量的 NbSi2涂层厚度约 500m， 梯度涂层材料具有很高的抗弯强度 （平均 抗弯强度为 1010MPa） ， 较纯 MoSi2的 815MPa 提高了 23.93%， 500低温氧化 240h 后没有出 现低温粉化现象， 在 1300 1800空气中， 涂层表面很快形成连续致密的 SiO2保护膜， 该 涂层具有良好的高温抗氧化性。 说 明 书 CN 102851635 A 7 1/3 页 8 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 102851635 A 8 2/3 页 9 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 102851635 A 9 3/3 页 10 图 5 说 明 书 附 图 CN 102851635 A 10 。