具有浮动栅极的金属氧化物半导体 晶体管的参考电压发生电路 本发明涉及装在半导体集成装置上的参考电压发生电路，用于产生只呈现由外部变化所引起的微小波动的参考电压。
在半导体集成装置中，在半导体集成装置中的电路操作是会受外部电源电压或外部温度的波动的影响的。特别是在模拟电路中，外部波动会使电路操作不稳定，从而导致失灵。因此需要一种受外部变化所引起的波动小的参考电压。在日本专利公开296491/89中公开了一种用于产生较不受外界波动影响的参考电压的参考电压发生电路。
图1示出此种已有技术参考电压发生电路的电路图。
此参考电压发生电路包括P沟道MOS晶体管11-13、n沟道MOS晶体管21-24,45,46和电阻1。
P沟道MOS晶体管11其源极接电源VCC，其栅极接参考电压发生电路启动信号BVREF。在此情况下，当启动参考电压发生电路时，参考电压发生电路启动信号BVREF为低电平(以下简称为“L”)，当使参考电压发生电路停止工作时则为高电平(以下简称为“H”)。电阻1连接在P沟道MOS晶体管11的漏极和n沟道MOS晶体管23的漏极之间。N沟道MOS晶体管23的栅极和源极连在一起，且其源极接地。N沟道MOS晶体管21其栅极接n沟道MOS晶体管23的栅极，从而与n沟道MOS晶体管23一起构成一个电流镜电路。
P沟道MOS晶体管12的栅极和漏极连在一起，其源极接VCC而漏极接n沟道MOS晶体管21的漏极。P沟道MOS晶体管13的源极接VCC，其栅极接P沟道MOS晶体管12的栅极，从而与P沟道MOS晶体管12一起构成一电流镜电路。N沟道MOS晶体管45地漏极接P沟道MOS晶体管13的漏极，其栅极和漏极连在一起。N沟道MOS晶体管46的漏极接P沟道MOS晶体管13的漏极，其栅极和漏极连在一起，其源极接地。n沟道MOS晶体管45和46的阈值电压设为不同值，分别标为VT45和VT46。N沟道MOS晶体管22其漏极接n沟道MOS晶体管45的源极，其源极接地，其栅极接n沟道MOS晶体管23的栅极。N沟道MOS晶体管22的栅极宽度设为n沟道MOS晶体管21和23的一半，因此，当栅压相同时，n沟道MOS晶体管21和23的电流的一半将流过漏极和源极。
在已有技术的参考电压发生电路中，n沟道MOS晶体管45的源电压被当作参考电压VREF。
N沟道MOS晶体管24其栅极加有参考电压发生电路启动信号BVREF，其源极接地，而其漏极接n沟道MOS晶体管23的栅极。
当参考电压发生电路启动信号BVREF变为H使参考电压发生电路的工作停止时，N沟道MOS晶体管24使n沟道MOS晶体管21、22、33的栅压变为L。
下面将描述已有技术参考电压发生电路的工作。
为了使参考电压发生电路工作，参考电压发生电路启动信号BVREF首先为L，以使P沟道MOS晶体管11导通，n沟道MOS晶体管24关断。
由电阻1和n沟道MOS晶体管23确定的电流I流过n沟道MOS晶体管23的漏极和源极以产生低于电源电压VCC的电压V1。电压V1被加到n沟道MOS晶体管21的栅极，使电流2I流过n沟道MOS晶体管21的源极和漏极。在n沟道MOS晶体管22中，电压V1也加到其栅极以使电流I流过源极和漏极。电流I还流过n沟道MOS晶体管45的漏极。由于规则使电流镜电路仅使同水平的电流流到P沟道MOS晶体管12和P沟道MOS晶体管13，电流2I将仅流过P沟道MOS晶体管13的源极和漏极。
n沟道MOS晶体管45的漏极和n沟道MOS晶体管46的漏极都连到n沟道MOS晶体管13的漏极，它作为一个恒流源。因此，同水平的电流I(2I-I=I)则流过n沟道MOS晶体管45再流到n沟道MOS晶体管46。
假定n沟道MOS晶体管45和46都工作在晶体管饱和区，流过源极和漏极的电流相等，则有以下方程：
β45/2×(V2-VREF-｜VT45｜)=β46/2×(V2-｜VT46｜)
其中，β45和β46分别为MOS晶体管45和46的导通系数，而V2为P沟道MOS晶体管13的漏极电压。
如果β45和β46基本相等，则n沟道MOS晶体管45和46的阈值的差电压｜VT46｜-｜VT45｜则作为参考电压VREF，它是从n沟道MOS晶体管45的源极输出的。VREF值仅相决于n沟道MOS晶体管45和46之间的阈值电压差。结果，在制造半导体器件时，尽管由外界温度或变化会引起MOS晶体管的阈值中的波动，但参考电压VREF的值则几乎不变。
已有技术的参考电压发生电路的问题在于，由于n沟道MOS晶体管45是固定的，因此只能产生一个特定的固定参考电压VREF。此外，上面已有技术的参考电压发生电路的问题还在于电路元件特性的改变将导致所获的参考电压的改变，因而不能获得理想的参考电压。
本发明的目的在于提供一种参考电压发生电路，借此能获得任何值的参考电压。
为了实现上述目的，本发明的参考电压发生电路包括其栅极和漏极连在一起的第一MOS晶体管，以及其栅极和漏极连在一起且具有不同于第一MOS晶体管的阈值的第二MOS晶体管。
借助于电流镜电路，可使基本相同水平的电流可在第一和第二MOS晶体管中流动，且第一MOS晶体管的源电压作为参考电压。
根据本发明的一个实施例，至少第一和第二MOS晶体管的一个MOS晶体管的结构包括浮动栅极。两个MOS晶体管的阈值电压因此可设成任意值，从而可将参考电压设为任意值。
根据本发明的另一实施例，本发明的参考电压发生电路还包括用于控制对具有浮动栅极的MOS晶体管的浮动栅极注入电荷的装置，以改变阈值电压。本实施例可允许在制成之后随意地重新设定参考电压的电压值。
图1为已有技术参考电压发生电路的电路图；
图2为根据本发明第一实施例的参考电压发生电路的电路图；
图3为根据本发明第二实施例的参考电压发生电路的电路图；
第一实施例：
见图2，根据本实施例的参考电压发生电路包括n沟道MOS晶体管5和6，其浮动栅极分别代替图1所示已有技术的参考电压发生电路中的n沟道MOS晶体管45和46。
浮栅n沟道MOS晶体管5和6的阈值分别用VT5和VT6表示，并设为不同值。
除了浮栅n沟道MOS晶体管5和6的阈值电压的差电压｜VT46｜-｜VT45｜被用作参考电压VREF外，其余的工作与图1所示的已有技术实例中的工作相同。
由于晶体管5和6的阈值是根据对其浮栅的电荷注入量而变的，阈值电压的电压值VT6和VT5可自由设定，且作为这些电压值的差电压的参考电压VREF的值也被设定为任意值。第二实施例
下面参考图3描述本发明的第二实施例。
本实施例的参考电压发生电路包括n沟道MOS晶体管36-38和电压发生电路31-35，用于设定对图2所示第一实施例的参考电压发生电路的浮栅n沟道MOS晶体管5和6的浮栅的电荷注入量，此外，还包括一个阈值设定控制电路26。N沟道MOS晶体管38连在P沟道MOS晶体管13的漏极与浮栅n沟道MOS晶体管5的漏极之间，其栅极上加有阈值设定信号VTSET。
当设定浮栅n沟道MOS晶体管5和6的阈值电压时，阈值设定信号VTSET变为L，当产生参考电压VREF时则变为VPP电平。在此情况下，VPP电平为一个电压电平，足以使n沟道MOS晶体管36、37和38导通。
N沟道MOS晶体管36连在浮栅n淘道MOS晶体管5的栅极和漏极之间，n沟道MOS晶体管37连在浮栅n沟道MOS晶体管6的栅极和漏极之间，而阈值设定信号VTSET则加到n沟道MOS晶体管36和37的各个的栅极上。
当设定阈值电压时，n沟道MOS晶体管36、37和38随着阈值设定信号VTSET变为L而断开，从而使晶体管5和6的栅极和漏极断开，且晶体管13和5也断开。
在产生参考电压VREF的正常过程中，阈值设定信号VTSET变到VPP电平以使n沟道MOS晶体管36、37和38关断。这样，其工作则与图2的参考电压发生电路的工作相同。
阈值设定控制电路26包括写电路27、擦除电路28、和读电路29。这三个电路都起控制作用，这样，电压发生电路31-35分别在写、擦和读期间输出规定电压。
电压发生电路31将电压加到n沟道MOS晶体管5和6的漏极，电压发生电路32将电压加到n沟道MOS晶体管5的栅极，电压发生电路33将电压加到n沟道MOS晶体管6的栅极，电压发生电路34将电压加到n沟道MOS晶体管6的源极，电压发生电路35将电压加到n沟道MOS晶体管5的源极。电压发生电路34在正常工作期间产生地GND电位，其中阈值沿定信号VTSET为VPP电平，并且将GND电位加到浮栅n沟道MOS晶体管6的源极，从而不要将浮栅n沟道MOS晶体管的源极接地。
下表1示出由写电路27、擦除电路28和读电路29控制的电压发生电路31-35在各种模式下产生的电压的实例。
表1模式漏极栅极源极电压发生电路31电压发生电路32,33电压发生电路34,45写6V 12V地擦开地12V读VCC 6V地
下面参考图3描述本实施例的工作。
阈值设定信号VTSET首先从VPP电平切换到L电平，使参考电压发生电路处于阈值电压设定状态。随后由阈值设定控制电路26实施控制。为了提高浮栅n沟道MOS晶体管5和6的阈值电压，为了写而选择电压：栅极加12伏，漏极加6状且源极加地电位。与之类似为了擦除，使晶体管5和6的栅、漏和源极所加的电压都低于阈值电压。浮栅n沟道MOS晶体管5和6的阈值电压就可以这样来改变。
当读出阈值时，就将读出的电压加到晶体管5和6的栅、漏和源极上。虽然图中未示出，也可以通过传感放大器来加以读出。
此处的12伏和6伏的电压值只是例子，用其它的电压也可实现上述操作。此外，晶体管5和6的阈值电压不用同时变，可以通过仅改变一个电压就产生所要的参考电压VREF。
最后，阈值设定信号VTSET从L切换到VPP电平以将参考电压发生电路置于正常操作状态。
根据本发明的参考电压发生电路与上面描述的第一实施例的参考电压发生电路具有相同的技术价值，此外，由于晶体管5和6的阈值电压可变，从而可以再设定参考电压VREF的电压值。
虽然上面参考附图描述了第一和第二实施例，但本发明并不局限于上述描述，它还可用于下面的例子中。
在具有不同的阈值电压的两个MOS晶体管的不同阈值电压用作参考电压的参考电压发生电路中，电路结构可为任何形式，只要两个MOS晶体管的至少一个晶体管为具有浮动栅极的晶体管就可以。本发明甚至在电源电压与地交换而第一和第二实施例的电路结构中的导电性反相的情况下仍可实现。在第二实施例中描述的阈值设定方法可以采用诸如用紫外光照射的方式。