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1、(10)申请公布号 CN 102881794 A (43)申请公布日 2013.01.16 C N 1 0 2 8 8 1 7 9 4 A *CN102881794A* (21)申请号 201210242004.1 (22)申请日 2012.07.12 10-2011-0068962 2011.07.12 KR H01L 33/14(2010.01) H01L 33/04(2010.01) (71)申请人三星电子株式会社 地址韩国京畿道 (72)发明人李哉勋 (74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理 有限公司 11112 代理人陈源 张天舒 (54) 发明名称 氮化物半导体发光器件 (57。
2、) 摘要 本发明提供了一种氮化物发光器件，其包括： N型氮化物半导体层；有源层，其布置在所述N型 氮化物半导体层上；以及P型氮化物半导体层，其 布置在所述有源层上。所述P型氮化物半导体层 包括异质结结构，所述异质结结构具有GaN层和 掺有N型掺杂剂的N型Al x In y GaN层，以及二维电 子气层，所述二维电子气层形成在所述GaN层和 所述N型Al x In y GaN层之间的界面中。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书6页 附图8页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 8 页 1/2页 2 。
3、1.一种氮化物发光器件，其包括： N型氮化物半导体层； P型氮化物半导体层；以及 有源层，其布置在所述N型氮化物半导体层和所述P型氮化物半导体层之间， 其中，所述P型氮化物半导体层包括： 异质结结构，其包括：GaN层和掺有N型掺杂剂的N型Al x In y GaN层，其中，0x1， 0y1，并且x+y=1；以及二维电子气层，其布置在所述GaN层和所述N型Al x In y GaN层 之间的界面中。 2.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述P型氮化物半导体层包括形成在所述有源 层上的P型包覆层和形成在所述P型包覆层上的P型接触层。 3.权利要求2的氮化物发光器件，其中，在所述P型接触层内部形成。
4、所述异质结结构。 4.权利要求2的氮化物发光器件，其中，在所述P型包覆层内部形成所述异质结结构。 5.权利要求3的氮化物发光器件，其中，所述P型接触层包括第一P型接触层和第二P 型接触层，所述第一P型接触层布置在所述异质结结构的上侧，所述第二P型接触层布置在 所述异质结结构的下侧，并且所述第一P型接触层和所述第二P型接触层具有相同的成分。 6.权利要求2的氮化物发光器件，其中，所述P型接触层由P + -GaN形成。 7.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述P型氮化物半导体层包括布置在所述有源 层上的P型包覆层和布置在所述P型包覆层上的P型接触层， 其中，所述异质结结构处在所述P型包覆层中。 。
5、8.权利要求1的氮化物发光器件，其中，利用所述异质结结构在所述有源层处形成所 述GaN层。 9.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述GaN层是未掺杂层。 10.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述GaN层具有5nm到50nm的厚度。 11.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述GaN层具有7nm到15nm的厚度。 12.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述N型Al x In y GaN层的N型掺杂剂是Si。 13.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述N型Al x In y GaN层由包含从15%到45%的 Al含量的AlGaN形成。 14.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述N型Al。
6、 x In y GaN层具有10nm到50nm的 厚度。 15.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述N型Al x In y GaN层具有15nm到30nm的 厚度。 16.权利要求1的氮化物发光器件，还包括： N型电极，其布置在所述N型氮化物半导体层上，以及 P型电极，其布置在所述P型氮化物半导体层上并且由透明导电材料形成， 其中，光通过所述P型电极发出。 17.权利要求1的氮化物发光器件，还包括： N型电极，其布置在所述N型氮化物半导体层上，以及 P型电极，其布置在所述P型氮化物半导体层上， 其中，光通过所述N型氮化物半导体层发出。 权 利 要 求 书CN 102881794 A 2/2页。
7、 3 18.权利要求1的氮化物发光器件，还包括： N型电极，其布置在所述N型氮化物半导体层上，以及 P型电极，其布置在所述P型氮化物半导体层上。 19.一种氮化物发光器件，其包括： N型氮化物半导体层； P型氮化物半导体层；以及 有源层，其布置在所述N型氮化物半导体层和所述P型氮化物半导体层之间， 其中，所述P型氮化物半导体层包括： 第一P型半导体层，其布置在所述有源层上； 异质结结构，其包括：GaN层和掺有N型掺杂剂的N型Al x In y GaN层，其中，0x1， 0y1，并且x+y=1；以及二维电子气层，其布置在所述GaN层和所述N型Al x In y GaN层 之间的界面中；以及 第二。
8、P型半导体层，其布置在所述异质结结构上。 权 利 要 求 书CN 102881794 A 1/6页 4 氮化物半导体发光器件 0001 相关申请的交叉引用 0002 本申请要求于2011年7月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第 10-2011-0068962号的优先权，通过引用将其公开的全部内容合并于此。 技术领域 0003 本公开涉及发光器件，更具体地，涉及氮化物发光器件。 背景技术 0004 氮化物发光二极管（LED）是通过利用氮化物半导体的PN结来构成发光源而能够 发出各种颜色的光的半导体器件。氮化物LED已经得到不断的发展，从而氮化物LED不但 用于短波长光，而且用于长波长光。。
9、得益于氮化物LED的物理优点，氮化物LED不但可以广 泛应用于光学器件，而且可以广泛应用于电子器件。 0005 随着由氮化物半导体形成的蓝色LED的引入，LED的应用变得更加广泛，LED被应 用于各种领域，诸如小键盘、液晶显示（LCD）器件的背光、交通灯、飞机、汽车和灯。尤其是， 白色LED可以代替现有的白炽灯泡和荧光灯，这将是一种形式的照明变革。 0006 因为氮化物发光二极管（LED）在P型半导体的P掺杂中有局限性，所以存在用于 通过降低导通电压和改善电流扩散效应来减少电流崩塌现象的技术需求。 发明内容 0007 本发明提供了能够改善电流扩散效应和提高光功率的氮化物发光器件。 0008 在。
10、下面的描述中，将部分陈述其它方面，根据下面的描述，其它方面在某种程度上 将变得显而易见，或通过实施所提供的实施例可以得知。 0009 本公开的一方面包括一种氮化物发光器件。所述氮化物发光器件包括：N型氮化 物半导体层；P型氮化物半导体层；以及有源层，其形成在所述N型氮化物半导体层和所述 P型氮化物半导体层之间。在所述P型氮化物半导体层中形成异质结结构。所述异质结结 构包括：GaN层和掺有N型掺杂剂的N型Al x In y GaN层，其中，0x1，0y1，并且 x+y=1；以及二维电子气（2DEG）层，其形成在所述GaN层和所述N型Al x In y GaN层之间的界 面中。 0010 所述P型。
11、氮化物半导体层包括形成在所述有源层上的P型包覆层和形成在所述P 型包覆层上的P型接触层，其中，在所述P型接触层或所述P型包覆层内部形成所述异质结 结构。例如，所述P型接触层由P + -GaN形成，并且所述异质结结构形成在所述P型接触层 内部。 0011 在所述异质结结构中，所述GaN层形成于所述有源层处。 0012 所述GaN层是未掺杂层。所述GaN层具有大约5nm到大约50nm的厚度。 0013 所述N型Al x In y GaN层的N型掺杂剂是Si。所述N型Al x In y GaN层由包含从大约 15%到大约45%的Al含量的AlGaN形成。所述N型Al x In y GaN层具有在大约。
12、10nm到大约 说 明 书CN 102881794 A 2/6页 5 50nm的范围内的厚度。 0014 本公开的另一方面涉及所述氮化物发光器件还包括：N型电极，其形成在所述N型 氮化物半导体层上；以及P型电极，其形成在所述P型氮化物半导体层上并且由透明导电材 料形成，其中，光通过所述P型电极发出。 0015 根据本公开的另一方面，所述氮化物发光器件还包括：N型电极，其形成在所述N 型氮化物半导体层上；以及P型电极，其形成在所述P型氮化物半导体层上，其中，所述氮化 物发光器件可以具有外延向下（epi-down）型垂直结构。 0016 根据本公开的另一方面，所述氮化物发光器件还包括：N型电极，其。
13、形成在所述N 型氮化物半导体层上；P型电极，其形成在所述P型氮化物半导体层上；以及布线衬底，其接 合到所述P型电极，其中，所述氮化物发光器件可以包括具有倒装芯片结构的阵列。 0017 在根据本公开的各实施例的氮化物发光器件中，在P型氮化物半导体层中形成 N-Al x In y GaN/GaN的异质结结构以引发2DEG，从而由于所述2DEG的高载流子迁移率而增强 了所述P型氮化物半导体层中的电流扩散效应。因而，即使施加了高功率，也能够防止电流 集聚（current crowding）现象，因而可以提高氮化物发光器件的可靠性。同样，在所述异 质结结构和所述P型氮化物半导体层之间形成了N + /P 。
14、+ 的隧道（tunneling）结，因而可以提 高对有源层的空穴注入效率，从而提高了光功率。 附图说明 0018 结合附图并根据下文对各实施例的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见并 且更易于理解，在附图中： 0019 图1是示出了根据本公开的一个实施例的氮化物发光器件的结构的示意图； 0020 图2是图1的氮化物发光器件的能带图； 0021 图3是示出了图1的氮化物发光器件的光学特性的曲线图； 0022 图4是用于说明受焦耳加热影响的图1的氮化物发光器件的曲线图； 0023 图5是示出了图1的氮化物发光器件的电气特性的曲线图； 0024 图6是示出了根据存在P型接触层的图1的氮化物发光器件。
15、的电气特性的曲线 图； 0025 图7是示出了根据AlGaN的厚度的图1的氮化物发光器件的电气特性的曲线图； 0026 图8是示出了根据GaN的厚度的图1的氮化物发光器件的电气特性的曲线图； 0027 图9是示出了根据本公开的另一个实施例的垂直型氮化物发光器件的示意图；以 及 0028 图10是示出了根据本公开的又一个实施例的包括具有倒装芯片结构的阵列的氮 化物发光器件的示意图。 具体实施方式 0029 现在，参考附图来详细描述各示例实施例。在附图中，相同的附图标记表示相同的 元件，并且为了清楚起见夸大了各层和各区域的厚度。 0030 图1是示出了根据一个实施例的氮化物发光器件100的结构的示。
16、意图。 0031 参考图1，氮化物发光器件100包括衬底110、N型氮化物半导体层120、有源层 说 明 书CN 102881794 A 3/6页 6 130、P型包覆层140、P型接触层150和在P型接触层150内部形成的异质结结构160。 0032 衬底110可以是例如蓝宝石（Al 2 O 3 ）衬底、SiC衬底、GaN衬底等。可以在衬底110 的上表面中形成凹凸图案以便减少衬底110和在衬底110上生长的氮化物半导体层之间的 晶格失配，并且提高光提取效率。 0033 N型氮化物半导体层120可以是例如掺有N型掺杂剂的GaN层或GaN/AlGaN层。 可以将用于N型氮化物半导体层120的晶。
17、体生长的缓冲层（未示出）插在衬底110和N型氮 化物半导体层120之间。有源层130可以具有例如包括InGaN/GaN层的多量子阱结构。 0034 P型包覆层140可以具有掺有P型掺杂剂的AlGaN/GaN的应变层超晶格（SLS）结 构。可替换地，P型包覆层140可以具有SLS结构或者可以是P-GaN层。 0035 P型接触层150可以是掺有P型掺杂剂的P + -GaN层。当在P型接触层150中形成 异质结结构160时，P型接触层150被分成布置在异质结结构160的下侧的第一P型接触 层151和布置在异质结结构160的上侧的第二P型接触层155。第一P型接触层151和第 二P型接触层155可以。
18、具有相同的成分，但本发明不限于此。 0036 异质结结构160可以具有N-Al x In y GaN/GaN结构，其中，0x1，0y1，并且 x+y=1。例如，异质结结构160可以具有在未掺杂的GaN层161和N型AlGaN层165之间的 接合结构。在P型接触层150中形成异质结结构160以提高电流扩散和空穴注入效率。可 以通过考虑形成二维电子气（2DEG）层163或隧道现象来确定未掺杂的GaN层161的厚度。 未掺杂的GaN层的厚度可以是例如在大约5nm到大约50nm的范围内。未掺杂的GaN层161 的厚度可以优选在大约7nm到大约15nm的范围内。N型AlGaN层165可以由掺有诸如Si 。
19、之类的N型掺杂剂的AlGaN层形成。当N型AlGaN层165中的Al的量增加时，2DEG层163 的电子强度增加。在此情况下，AlGaN层的晶体质量会恶化，因而可以通过考虑AlGaN层的 晶体质量来确定未掺杂的GaN层161的厚度。例如，N型AlGaN层165可以包含从大约15% 到大约45%的Al含量，并且可以被形成为具有大约10nm到大约50nm的厚度。可以优选地 将N型AlGaN层165形成为具有大约15nm到大约30nm的厚度。 0037 图2是图1的氮化物发光器件100的能带图。参考图2，由于未掺杂的GaN层161 和N型AlGaN层165之间的能带的不连续性，因此在未掺杂的GaN层。
20、161和N型AlGaN层 165之间的界面中形成了2DEG层163。因为2DEG层163具有高载流子迁移率，所以改善了 P型接触层150中的电流扩散。当电流扩散改善时，即使施加了高功率，也能够防止电流集 聚现象，因而提高了氮化物发光器件100的可靠性。而且，因为2DEG层163是包括太多电 子的区域，所以在异质结结构160和P型接触层150之间形成了N + /P + 的隧道结，因而提高 了对有源层130的空穴注入效率，从而在相同的电流强度下给予了更高的亮度。 0038 在当前实施例中，异质结结构160具有在未掺杂的GaN层161和N型AlGaN层165 之间的接合结构，但本公开不限于此。例如，。
21、在具有这样的能带结构的范围内掺有GaN的 GaN层与未掺杂的GaN层161可以替换：在该能带结构中可以在未掺杂的GaN层161和N型 AlGaN层165之间的界面中形成了2DEG层163。可替换地，由掺有N型掺杂剂的AlInGaN形 成的N-AlInGaN层或由掺有N型掺杂剂的AlInN形成的N-AlInN层与未掺杂的GaN层161 可以替换。 0039 同时，在当前实施例中，可以在N型氮化物半导体层120的一侧形成N型电极（未 示出），并且可以在P型接触层150的一侧形成P型电极（未示出）。如果衬底110是诸如SiC 说 明 书CN 102881794 A 4/6页 7 衬底或GaN衬底之类。
22、的导电衬底，则可以在衬底110的反面上形成N型电极（未示出）。 0040 P型电极（未示出）可以是透明电极，该透明电极被完整地掺在P型接触层150的 上表面上，并且可以由诸如氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）之类的透明导电材料形成。在 此情况下，氮化物发光器件100可以具有这样的结构，在该结构中光向上发出到氮化物发 光器件100。可替换地，氮化物发光器件100可以具有外延向下型垂直结构，在该结构中光 向N型氮化物半导体层120发出，类似于根据另一个实施例的图9所示的氮化物半导体层 200。在此情况下，P型电极（未示出）可以由银（Ag）、铝（Al）或它们的合金形成，或者可替 换地，P型电极（未。
23、示出）可以由具有高反射率的金属形成。 0041 图3到图8是示出了氮化物发光器件100的光学和电气特性的曲线图。 0042 在图3到图5中，一个比较示例的Ref-LED是一般的氮化物发光器件，其中在作为 P型接触层的P + -GaN层中没有形成其它层，并且另一个比较示例的GaN-LED是氮化物发光 器件，其中在作为P型接触层的P + -GaN层中仅形成未掺杂的GaN层。同时，作为根据该实 施例的氮化物发光器件100的示例的2DEG-LED是氮化物发光器件，其中在作为P型接触层 的P + -GaN层中形成包括N-AlGaN和未掺杂的GaN的异质结结构160（见图1）。 0043 图3是示出了关于。
24、Ref-LED、GaN-LED和2DEG-LED的光学特性的曲线图。 0044 参考图3，Ref-LED、GaN-LED和2DEG-LED在20mA的电流下分别显示出光功率值 9.7mW、9.2mW和11.4mW。与作为一般的发光器件的Ref-LED相比，在作为根据当前实施例的 氮化物发光器件100的示例的2DEG-LED中，亮度提高了大约17%。同样，Ref-LED、GaN-LED 和2DEG-LED分别显示出外部量子效率（EQE）值17.3%、16.2%和20.3%。与作为一般的发 光器件的Ref-LED相比，在作为根据当前实施例的氮化物发光器件100的示例的2DEG-LED 中，EQE值。
25、提高了3%。这样的亮度提高可能得自于电流扩散的增加，而电流扩散的增加是由 于通过在P型接触层150中形成的N-AlGaN/GaN的异质结结构160而形成2DEG层163所 引起的。亮度提高还可能得自于由异质结结构160和P型接触层150之间的隧道结所引起 的2DEG层163的高电子强度的增加和对有源层130的空穴注入效率的提高。 0045 在图3中，在大约200mA的相对较高的电流下，2DEG-LED示出了比Ref-LED的光功 率值提高了大约20%的光功率值，如上所述，这显示出电流扩散通过形成于N-AlGaN/GaN的 异质结结构160中的2DEG层163得到了改善，因而减少了电子的散射并且。
26、防止了电流集聚 现象。 0046 图4是用于说明相对于Ref-LED、GaN-LED和2DEG-LED的热辐射的波长变化的曲 线图，该图示出了由焦耳加热引起的影响。 0047 参考图4，当电流从20mA增加到200mA时，Ref-LED示出了波长从438nm改变到 452nm，改变了14nm。同时，2DEG-LED示出了波长从443nm改变到453nm，改变了10nm。即， 2DEG-LED的波长的变化小于Ref-LED的波长的变化，这示出了由于通过形成于N-AlGaN/ GaN的异质结结构160中的2DEG层163增强了电流扩散效应，防止了电流集聚现象，因而热 辐射减小了。这样，在2DEG-。
27、LED中，即，在根据当前实施例的氮化物发光器件100中，电流 扩散会增加，因而即使作为高功率LED可靠性也会提高。 0048 图5是示出了关于Ref-LED、GaN-LED和2DEG-LED的电气特性的曲线图。在根 据该实施例的氮化物发光器件100中，在P型接触层150中形成N-AlGaN/GaN的异质结结 构160，因而工作电压可能稍微增加或者漏电流可能增加。参考图5，Ref-LED、GaN-LED和 说 明 书CN 102881794 A 5/6页 8 2DEG-LED在20mA的电流下分别显示出3.20V、3.24V和3.28V的工作电压。即，2DEG-LED 和Ref-LED之间的工作。
28、电压的差小到0.08V。同时，Ref-LED、GaN-LED和2DEG-LED在-10V 的反电压下分别显示出-18nA、-20nA和-17nA的漏电流。即，2DEG-LED和Ref-LED之间的 漏电流的差小到1nA。因此，由于在P型接触层150中形成N-AlGaN/GaN的异质结结构160 而引起的工作电压的增加和漏电流的增加会是不显著的。 0049 图6是示出了在其中形成了异质结结构160的氮化物发光器件100的电气特性的 曲线图。在图6中，2DEG-LED是根据当前实施例的氮化物发光器件100的示例。2DEG-LED 是其中在P + -GaN层中形成N-AlGaN/GaN的异质结结构1。
29、60（见图1）并且在P + -GaN层上形 成ITO电极的氮化物发光器件，P + -GaN层是P型接触层。比较示例的Ref2-LED是这样的氮 化物发光器件，在该氮化物发光器件中，在作为P型接触层的P + -GaN层和ITO电极之间形 成N-AlGaN/GaN的异质结结构160（见图1）。参考图6，当2DEG-LED示出了在20mA的电流 下的工作电压3.28V时，Ref2-LED示出了高达大约7V的工作电压。因而，当在诸如P + -GaN 之类的P型接触层内形成N-AlGaN/GaN的异质结结构时，发光器件的工作电压会下降。 0050 图7是示出了根据异质结结构的N型AlGaN的厚度的氮化物。
30、发光器件100的电气 特性的曲线图。参考图7，当AlGaN层的厚度增加时，氮化物发光器件100的工作电压增加。 例如，当AlGaN层的厚度为50nm时，工作电压大约为4V，并且当AlGaN层的厚度大约为25nm 时，工作电压大约为3V。因此，如果AlGaN层的厚度为低于30nm，则工作电压可能小于4V。 同时，如果AlGaN层的厚度太小，则工作电压低，但2DEG减少，因而由异质结结构带来的其 它有益效果可能减少。因此，AlGaN层的厚度可以在大约10nm到大约50nm的范围内，并且 可以优选在15nm到大约30nm的范围内，从而降低氮化物发光器件100的工作电压。 0051 图8是示出了根据异。
31、质结结构的GaN层的厚度的氮化物发光器件100的电气特性 的曲线图。参考图8，当GaN层的厚度增加时，氮化物发光器件100的工作电压增加。例如， 当GaN层的厚度为20nm时，氮化物发光器件100的工作电压大约为4V。同时，2DEG的深度 大约为7nm。因此，当GaN层的厚度在大约7nm到大约15nm时，2DEG的形成可能是安全的 并且工作电压会降低。 0052 在当前实施例中，在诸如P + -GaN之类的P型接触层150中形成N-AlGaN/GaN的异 质结结构160，但本发明不限于此，并且可以在P型包覆层140中形成异质结结构160。 0053 图9是示出了根据另一个实施例的氮化物发光器件。
32、200的示意图。参考图9，氮化 物发光器件200具有垂直型结构，该垂直型结构包括布线衬底210和在布线衬底210上形 成的氮化物外延结构220。 0054 除了各层层叠的顺序之外，氮化物外延结构220实质上具有与图1所示的N型氮 化物半导体层120相同的结构。即，氮化物外延结构220可以包括N型氮化物半导体层 221、有源层222、P型包覆层223、第一P型接触层224a、未掺杂的GaN层225a、N型AlGaN 层225b和第二P型接触层224b，这些层按所述次序顺序地层叠在诸如蓝宝石衬底、SiC衬 底、或GaN衬底之类的生长衬底（未示出）上。同时，可以通过使用激光剥离（LLO）除去在 其上。
33、生长氮化物外延结构220的生长衬底以便改善热导率。参考图9，氮化物外延结构220 的上表面是光从其中发出的表面，并且可以通过使用生长衬底上的凹凸结构来反转拓扑图 像，以便进一步提高光提取效率。 0055 布线衬底210可以是由诸如铜（Cu）、铬（Cr）或镍（Ni）之类的金属形成的导电衬 说 明 书CN 102881794 A 6/6页 9 底，或者可替换地，布线衬底210可以是Si或GaAs半导体衬底。通过使用由诸如Au-Au或 AuSn之类的材料形成的接合金属层230将布线衬底210接合到外延结构220。替代通过使 用接合金属层230的晶片接合，可以使用诸如Cu、Ni或Cr之类的金属将氮化物。
34、外延结构 220的下表面镀上数十m的厚度以形成布线衬底210。 0056 为了实现电连接，如图9所示，可以在第二P型接触层224b的下表面上形成P型 电极226，可以通过接合金属层230将P型电极226连接到布线衬底210，并且可以在N型 氮化物半导体层221的至少一部分中形成N型电极227。 0057 如上述参考图1到图8的描述，在第一P型接触层224a和第二P型接触层224b 之间形成包括未掺杂的GaN层225a和N型AlGaN层225b的异质结结构225，并且可以与未 掺杂的GaN层225a和N型AlGaN层225b之间的界面邻接地形成2DEG层225c，因而电流扩 散会增加。同样，在异。
35、质结结构225和P型接触层224之间形成了N + /P + 的隧道结，因而对 有源层222的空穴注入效率会提高，从而在相同的电流下提供更高的亮度。 0058 图10是示出了根据另一个实施例的氮化物发光器件300的示意图。 0059 参考图10，氮化物发光器件300具有倒装芯片型发光器件的阵列结构，并且各个 单元发光器件可以与参考图9描述的具有垂直型结构的氮化物发光器件200实质上相同。 例如，如上所述，可以通过在生长衬底（未示出）上顺序层叠N型氮化物半导体层221、有源 层222、P型包覆层223、第一P型接触层224a、未掺杂的GaN层225a、N型AlGaN层225b、 第二P型接触层22。
36、4b和P型电极226来形成每个氮化物外延结构320，然后蚀刻上述各层 以将它们分成各个氮化物发光器件。同样，可以除去在其上生长了氮化物外延结构320的 生长衬底。氮化物外延结构320的上表面是光从其中发出的表面，并且可以通过使用生长 衬底上的凹凸结构来反转拓扑图像，以便进一步提高光提取效率。 0060 可以通过使用由诸如Au-Au或AuSn之类的材料形成的接合金属层330进行的晶 片接合来将P型电极226和N型接触电极327接合到布线衬底310，因而P型电极226和N 型接触电极327会彼此电连接。在这方面，为了实现电绝缘，布线衬底310可以具有这样的 结构，在该结构中在由诸如Si或AlN之类。
37、的材料形成的绝缘衬底上形成布线电路。为了形 成布线结构，如图10所示，在下表面上形成P型电极226，在N型氮化物半导体层221的一 部分中形成N型接触电极327，并且可以通过绝缘层328将P型电极226和N型接触电极 327彼此电绝缘。 0061 接触布线衬底310的绝缘层328的一部分被除去，以使P型电极226和N型接触 电极327暴露。 0062 在当前实施例中，氮化物外延结构320一般可以包括N型氮化物半导体层221，但 本公开不限于此。可以在平行排列的各个发光器件的每一个中形成N型氮化物半导体层 221。 0063 应当理解，在此描述的各示例实施例应当仅仅从描述的意义上来考虑，而不是出。
38、 于限制的目的。通常应当将每个实施例中的各特征或各方面的描述看作也适用于其它实施 例中的其它类似特征或方面。 说 明 书CN 102881794 A 1/8页 10 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102881794 A 10 2/8页 11 图3 说 明 书 附 图CN 102881794 A 11 3/8页 12 图4 说 明 书 附 图CN 102881794 A 12 4/8页 13 图5 说 明 书 附 图CN 102881794 A 13 5/8页 14 图6 图7 说 明 书 附 图CN 102881794 A 14 6/8页 15 图8 说 明 书 附 图CN 102881794 A 15 7/8页 16 图9 说 明 书 附 图CN 102881794 A 16 8/8页 17 图10 说 明 书 附 图CN 102881794 A 17 。