抛光用磨皮及采用此磨皮的微小陶瓷产品弧面抛光方法.pdf

本发明的第一目的在于提供一种抛光用磨皮，包括依次设置的第一层、第二层以及第三层，第一层的材质为海绵，第二层的材质为粘合胶，第三层的材质为树脂。本发明抛光用磨整体结构精简，生产方便；采用海绵和树脂的结合，使得抛光用磨皮在抛光过程中能根据待加工产品的弧面的形状进行变形，实现全局弧面化无损伤抛光，实用性强。本发明的第二目的在于提供一种微小陶瓷产品弧面抛光方法，工艺精简，生产周期短；部件容易获得，成本低；结合机械磨削和化学腐蚀技术，采用精准的压力控制，实现全局弧面化超光滑纳米级无损伤精密抛光，能实现陶瓷产品15～50微米的去除量，一次性合格率大于90％，表面粗糙度达到5纳米以下。

1.  一种抛光用磨皮，其特征在于：包括由远离待加工产品至靠近待加工产品依次设置的第一层(11)、第二层(12)以及第三层(13)，所述第一层(11)的材质为海绵，所述第二层(12)的材质为粘合胶，所述第三层(13)的材质为树脂。

2.  根据权利要求1所述的抛光用磨皮，其特征在于：所述第一层(11)的厚度为2.0-4.0毫米，其压缩率为10％-30％，其压缩弹性为70％-95％。

3.  根据权利要求2所述的抛光用磨皮，其特征在于：所述第三层(13)的材质为聚氨酯，其厚度为1.0-2.0毫米，其硬度为50-80度。

4.  根据权利要求3所述的抛光用磨皮，其特征在于：所述第二层(12)的厚度为30～200微米；所述粘合胶为亚克力粘胶。

5.  一种采用如权利要求1-4任意一项所述抛光用磨皮的微小陶瓷产品弧面抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：
第一步：将所述抛光用磨皮固定在抛光机的下抛光盘上；将直径为3～60毫米且加工面为弧面的待加工微小陶瓷产品成批贴在陶瓷盘上，并将贴有待加工微小陶瓷产品的陶瓷盘固定在抛光机的压头里，所述待加工微小陶瓷产品的加工面位于所述抛光用磨皮的正上方；
第二步：设置抛光机的压头的压力为50～170千克力；注入抛光液使得抛光液在所述抛光用磨皮的上表面上流动；
第三步：启动抛光机的开关，采用所述抛光用磨皮配合抛光液对待加工微小陶瓷产品进行抛光，获得微小陶瓷产品。

6.  根据权利要求5所述的微小陶瓷产品弧面抛光方法，其特征在于：所述抛光液为含有二氧化硅微粒的抛光液，其中二氧化硅微粒的直径为30～100纳米，其流量为2-10升每分钟。

7.  根据权利要求5所述的微小陶瓷产品弧面抛光方法，其特征在于：所述抛光盘的转速为30～50转每分钟；所述抛光机为4头抛光机。

抛光用磨皮及采用此磨皮的微小陶瓷产品弧面抛光方法
技术领域
本发明涉及抛光技术领域，具体涉及一种抛光用磨皮及采用此磨皮的微小陶瓷产品弧面抛光方法。
背景技术
陶瓷具有很好的耐磨性，硬度仅次于金刚石达到莫氏9级，同时陶瓷致密性使其具有比钢化玻璃更强的强度，上述两个特性十分适用于高端手表、手机及其他电子产品的按键等。因此，采用更加环保的陶瓷，取代传统的塑料，钢化玻璃材料作为电子产品的按键，逐渐由概念变为现实。
微小陶瓷产品因为产品细小，普通抛光技术难度大，产能低，如直径3～8mm，厚度0.3～1.0mm的手表按键。
为了满足高端微小陶瓷产品器件发展的要求，获得高光亮，低粗糙度的弧面，须对陶瓷进行化学机械抛光，现有技术中，采用的是磨皮和抛光液的结合，现有的磨皮均只能实现平面抛光，且其采用的工艺是：分两个工序实现，即先通过粗抛工序去除10～40微米，再通过精抛工序以达到表面粗糙度5纳米以下，工艺复杂。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种抛光用磨皮，具体技术方案如下：
一种抛光用磨皮，包括由远离待加工产品至靠近待加工产品依次设置的第一层、第二层以及第三层，所述第一层的材质为海绵，所述第二层的材质为粘合胶，所述第三层的材质为树脂。
以上技术方案中优选的，所述第一层的厚度为2.0-4.0毫米，其压缩率为10％-30％，其压缩弹性为70％-95％。
以上技术方案中优选的，所述第三层的材质为聚氨酯，其厚度为1.0-2.0毫米，其硬度为50-80度。
以上技术方案中优选的，所述第二层的厚度为30～200微米；所述粘合胶为亚克力粘胶。
应用本发明的抛光用磨皮，具有以下有益效果：
(1)本发明抛光用磨皮包括由下至上设置的第一层、第二层以及第三层，所述第一层的材质为海绵，所述第二层的材质为粘合胶，所述第三层的材质为树脂，整体结构精简，生产 方便；抛光用磨皮采用海绵和树脂的结合，使得抛光用磨皮在抛光过程中能根据待加工产品的弧面的形状进行变形，实现全局弧面化无损伤抛光，实用性强。
(2)本发明中所述第一层的厚度为2.0-4.0毫米，其压缩率为10％-30％，其压缩弹性为70％-95％，能满足现实工艺中抛光过程中变形的需求。
(3)本发明中所述第三层的材质为聚氨酯，其厚度为1.0-2.0毫米，其硬度为50-80度，抛光过程中，结合第一层的变形能很好地配合待加工产品的弧面变形，实现全局弧面化无损伤抛光。
(4)本发明中所述第二层的厚度为30～200微米，所述粘合胶为亚克力粘胶，能很好地将第一层和第三层进行固定，且实现很好地变形。
本发明的第二目的在于提供一种采用上述抛光用磨皮的微小陶瓷产品弧面抛光方法，包括以下步骤：
第一步：将所述抛光用磨皮固定在抛光机的下抛光盘上；将直径为3～60毫米且加工面为弧面的待加工微小陶瓷产品成批贴在陶瓷盘上，并将贴有待加工微小陶瓷产品的陶瓷盘固定在抛光机的压头里，所述待加工微小陶瓷产品的加工面位于所述抛光用磨皮的正上方；
第二步：设置抛光机的压头的压力为50～170千克力；注入抛光液使得抛光液在所述抛光用磨皮的上表面上流动；
第三步：启动抛光机的开关，采用所述抛光用磨皮配合抛光液对待加工微小陶瓷产品进行抛光，获得微小陶瓷产品。
以上技术方案中优选的，所述抛光液为含有二氧化硅微粒的抛光液，其中二氧化硅微粒的直径为30～100纳米，其流量为2-10升每分钟。
以上技术方案中优选的，所述抛光盘的转速为30～50转每分钟；所述抛光机为4头抛光机。
应用本发明的微小陶瓷产品弧面抛光方法，具有以下有益效果：(1)本发明的工艺精简，生产周期短；(2)结合机械磨削和化学腐蚀技术，采用精准的压力控制，实现全局弧面化超光滑纳米级无损伤精密抛光，能实现陶瓷产品15～50微米的去除量，一次性合格率大于90％，表面粗糙度达到5纳米以下；(3)抛光液采用含有二氧化硅微粒的抛光液，其中二氧化硅微粒的直径为30～100纳米，抛光液容易获得，成本低；(4)抛光盘的转速为30～50转每分钟，抛光机为4头抛光机，工艺参数容易控制，设备容易获得，实用性强。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是本发明优选实施例1的抛光用磨皮的整体结构示意图；
图2是本发明优选实施例2中抛光过程中抛光用磨皮与待加工微小陶瓷产品接触处的局部结构示意图；
1-抛光用磨皮，11-第一层，12-第二层，13-第三层，2-待加工微小陶瓷产品。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
实施例1：
一种抛光用磨皮1，其结构详见图1，包括使用时由远离待加工产品(待加工微小陶瓷产品)至靠近待加工产品(待加工微小陶瓷产品)依次设置的第一层11、第二层12以及第三层13，整体结构精简。
所述第一层11的材质为海绵，其厚度为2.0-4.0毫米，其压缩率为10％-30％，其压缩弹性为70％-95％。
所述第二层12的材质为粘合胶，其厚度为30～200微米，所述粘合胶为亚克力粘胶。
所述第三层13的材质为树脂，最好为聚氨酯，其厚度为1.0-2.0毫米，其硬度为50-80度。
本发明抛光用磨皮整体结构精简，生产方便；抛光用磨皮采用海绵和树脂的结合，使得抛光用磨皮在抛光过程中能根据待加工产品的弧面的形状进行变形，实现全局弧面化无损伤抛光；海绵、亚克力粘胶以及聚氨酯的厚度及其他参数的选择，能完全满足现实工艺中抛光过程中变形的需求，实用性强。
实施例2：
本实施例公开了一种采用如实施例1所述抛光用磨皮的微小陶瓷产品弧面抛光方法，其抛光过程中抛光用磨皮与待加工微小陶瓷产品接触处的示意图详见图2。
本发明方法具体包括以下步骤：
第一步：将所述抛光用磨皮1固定在抛光机的下抛光盘上；将直径为3～60毫米且加工面为弧面的待加工微小陶瓷产品2成批贴在陶瓷盘上，并将贴有待加工微小陶瓷产品2的陶瓷盘固定在抛光机的压头里，所述待加工微小陶瓷产品2的加工面位于所述抛光用磨皮的正上 方；所述抛光盘的转速为40转每分钟；所述抛光机为4头抛光机，其抛光头的转速为40转每分钟；
第二步：设置抛光机的压头的压力为100千克力；注入抛光液使得抛光液在所述抛光用磨皮的上表面上流动，所述抛光液采用含有二氧化硅微粒的抛光液，其中二氧化硅微粒的直径为35.6纳米，其流量为5.0升每分钟；
第三步：启动抛光机的开关，采用所述抛光用磨皮配合抛光液对待加工微小陶瓷产品2进行抛光80分钟，获得微小陶瓷产品。
应用本发明的微小陶瓷产品弧面抛光方法，具有以下有益效果：(1)本发明的工艺精简，抛光工艺参数容易控制，生产周期短；(2)抛光液、抛光机部件容易获得，成本低；(3)结合机械磨削和化学腐蚀技术，采用精准的压力控制，实现全局弧面化超光滑纳米级无损伤精密抛光，能实现陶瓷产品15～50微米的去除量，一次性合格率大于98％，表面粗糙度3.5纳米。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。