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本发明公开一种耐磨SiC/TiO2/Ti缓冲材料及其制备方法,所述材料包括Ti金属基底,生长Ti金属基底上的缓冲层以及沉积于缓冲层上的多孔SiC薄膜组成,所述缓冲层为多孔SiC/TiO2薄膜,由多壁韧性TiO2纳米纤维以及包覆TiO2纳米纤维的SiC水泥构成。缓冲层与多孔SiC薄膜均有较大的空隙,为细胞生长提供了良好环境,外侧的多孔SiC薄膜具有耐磨特性,防止材料损耗,中间的多孔SiC/TiO2薄。