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本发明公开了一种集成电路结构及其制作方法，用以解决金属熔断过程中，金属熔丝与衬底之间发生短路的问题。该集成电路结构包括：衬底、绝缘保护层、金属熔丝及隔离金属部件，该金属熔丝与衬底和绝缘保护层均绝缘；该隔离金属部件设置于金属熔丝与衬底之间，且该隔离金属部件与上述金属熔丝及衬底绝缘；该金属熔丝裸露在对绝缘保护层的预定区域进行刻蚀形成的空间中，该预定区域的尺寸不大于隔离金属部件相对于绝缘保护层一面的尺寸。

1.  一种集成电路结构，其特征在于，包括：
衬底、绝缘保护层、金属熔丝和隔离金属部件：
所述金属熔丝与所述衬底和所述绝缘保护层均绝缘；
所述隔离金属部件设置于所述金属熔丝与所述衬底之间，且所述隔离金属部件与所述金属熔丝及所述衬底均绝缘；
所述金属熔丝裸露在对绝缘保护层的预定区域进行刻蚀形成的空间中，所述预定区域的尺寸不大于所述隔离金属部件相对于所述绝缘保护层一面的尺寸。

2.  如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述集成电路结构包括多个金属熔丝，每个金属熔丝对应一个隔离金属部件及对应所述绝缘保护层的一个预设区域；
每个金属熔丝对应的预设区域的尺寸不大于该金属熔丝对应的隔离金属部件相对于所述绝缘保护层一面的尺寸。

3.  如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述集成电路结构包括多个金属熔丝，每个金属熔丝对应所述绝缘保护层的一个预设区域，且设置一个隔离金属部件；
包含所有金属熔丝对应的预设区域的总区域的尺寸，不大于所述隔离金属部件相对于所述绝缘保护层一面的尺寸。

4.  如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述集成电路结构在所述衬底与绝缘保护层之间包含有至少两层金属层，所述隔离金属部件由所述集成电路结构的其中一层金属层形成，所述金属熔丝由所述集成电路结构的其中的另外一层金属层形成。

5.  如权利要求1～4任一项所述的集成电路结构，其特征在于，所述预设区域为矩形。

6.  如权利要求1～4任一项所述的集成电路结构，其特征在于，所述隔离 金属部件相对于所述绝缘保护层一面为平面。

7.  如权利要求1～4任一项所述的集成电路结构，其特征在于，所述隔离金属部件相对于所述绝缘保护层一面为曲面。

8.  一种集成电路结构的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成第一介质层、隔离金属部件、第二介质层、金属熔丝以及绝缘保护层；
对绝缘保护层的预设区域进行刻蚀，使得所述金属熔丝裸露在刻蚀后形成的空间中，所述预定区域的尺寸不大于所述隔离金属部件相对于所述绝缘保护层一面的尺寸。

9.  如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底上依次形成第一介质层、隔离金属部件、第二介质层、金属熔丝以及绝缘保护层，具体包括：
在衬底上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层以及绝缘保护层；所述第一金属层包括隔离金属部件，所述第二金属层包括金属熔丝。

一种集成电路结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种集成电路结构及其制作方法。
背景技术
在集成电路中，通常设置有若干个金属熔丝，金属熔丝是位于集成电路中的金属电阻。采取特定的方法，可使得金属熔丝发生熔断，即达到断路的目的，而当金属熔丝没有发生熔断时，它是导通的，即通过不熔断、或熔断金属熔丝，可达到调整集成电路的功能或参数之目的，这一调整的过程称之为“修调”。
如图1及图2所示（该图1所示的为集成电路结构的平面结构示意图，图2所示为图1所示平面结构示意图沿AB线的切面图）的结构，现有技术中集成电路结构包括衬底101、绝缘保护层102及介质层103（介质层的材料一般采用氧化硅，用于隔离金属层与衬底）、金属熔丝104，其中金属熔丝104是一定长度、宽度的金属条，金属熔丝104位于衬底101与绝缘保护层102之间。为使金属熔丝104在发生熔断的时候，其金属可以充分的发挥，需要对绝缘保护层102进行刻蚀，使得金属熔丝104裸露在对绝缘保护层102进行刻蚀形成的空间中。
由于绝缘保护层102刻蚀工艺对金属层具有较高的选择比，而对介质层103的选择比很低，因此在绝缘保护层102刻蚀工艺中，除金属熔丝104覆盖区域之外的区域的介质层103也会被一并刻蚀掉，裸露出衬底101，如图2所示。
在集成电路修调时，部分金属熔丝快速的由固态转化为液态、然后又快速的由液态转化为气态。在此过程中，绝大部分的金属熔丝以气态形式挥发掉了，但也可能有少部分的金属熔丝在由液态转化气态时未能及时转化，其金属液渗 透到衬底的表面，当渗透到衬底表面的金属液较多时，金属熔丝与衬底之间会发生短路，使得修调之后集成电路的合格率下降。
发明内容
本发明实施例提供了一种集成电路结构及其制作方法，用以解决金属熔丝熔断的过程中，金属熔丝与衬底之间发生短路的问题。
本发明实施例提供了一种集成电路结构，该集成电路结构包括：
衬底、绝缘保护层、金属熔丝和隔离金属部件；
该金属熔丝与衬底和绝缘保护层均绝缘；该隔离金属部件设置于金属熔丝与衬底之间，且该隔离金属部件与上述金属熔丝及衬底均绝缘；
该金属熔丝裸露在对绝缘保护层的预定区域进行刻蚀形成的空间中，该预定区域的尺寸不大于隔离金属部件相对于绝缘保护层一面的尺寸。
上述方案利用在金属熔丝与衬底之间设置隔离金属部件，并且该隔离金属部件与金属熔丝及衬底均绝缘，从而在集成电路进行修调时，金属熔丝由固态转化为液态再转化为气态时，即使有少部分的金属熔丝的金属液向下渗透，也不会接触到衬底造成金属熔丝与衬底之间短路。提高了集成电路修调后的合格率。
较佳的，集成电路结构可以包括多个金属熔丝，每个金属熔丝均对应一个隔离金属部件及对应上述绝缘保护层的一个预设区域；
每个金属熔丝对应的预设区域的尺寸不大于该金属熔丝对应的隔离金属部件相对于上述绝缘保护层一面的尺寸。
较佳的，集成电路结构包括多个金属熔丝，每个金属熔丝对应绝缘保护层的一个预设区域，且设置一个隔离金属部件；
包含所有金属熔丝对应的预设区域的总区域的尺寸，不大于隔离金属部件相对于绝缘保护层一面的尺寸。
基于上述任意实施例，较佳的，集成电路结构在上述衬底与绝缘保护层之 间包含有至少两层金属层，该隔离金属部件由上述集成电路结构的其中一层金属层形成，该金属熔丝由集成电路结构的其中的另外一层金属层形成。
基于上述任意实施例，较佳的，预设区域为矩形。
基于上述任意实施例，较佳的，隔离金属部件相对于绝缘保护层一面为平面。
基于上述任意实施例，较佳的，隔离金属部件相对于绝缘保护层一面为曲面。
基于与结构实施例同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种集成电路结构的制作方法，该方法包括：
在衬底上依次形成第一介质层、隔离金属部件、第二介质层、金属熔丝以及绝缘保护层；
对绝缘保护层的预设区域进行刻蚀，使得金属熔丝裸露在刻蚀后形成的空间中，该预定区域的尺寸不大于隔离金属部件相对于绝缘保护层一面的尺寸。
上述方案利用在金属熔丝与衬底之间制作隔离金属部件，并且该隔离金属部件通过第一介质层、第二介质层与金属熔丝及衬底均绝缘，从而在集成电路进行修调时，金属熔丝由固态转化为液态再转化为气态时，即使有少部分的金属熔丝的金属液向下渗透，也不会接触到衬底造成金属熔丝与衬底之间短路。提高了集成电路修调后的合格率。
较佳的，在衬底上依次形成第一介质层、隔离金属部件、第二介质层、金属熔丝以及绝缘保护层，具体包括：
在衬底上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层以及绝缘保护层；且第一金属层包括隔离金属部件，第二金属层包括金属熔丝。
附图说明
图1为现有技术中集成电路结构的平面结构示意图；
图2为图1所示平面结构示意图沿AB线的切面图；
图3为本发明实施例提供的集成电路结构的平面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的图3所示平面结构示意图沿AB线的切面图；
图5为本发明实施例提供的集成电路结构包含多个金属熔丝的第一种切面图；
图6为本发明实施例提供的集成电路结构包含多个金属熔丝的第二种切面图；
图7为本发明实施例提供的集成电路结构的制作方法流程图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种集成电路结构，用以解决现有技术中存在的在集成电路修调时，金属熔丝熔断的过程中，金属熔丝与衬底之间发生短路的问题。
以下结合附图对本发明实施例作进一步说明。以下附图仅是一种示例，并不对结构、形状作具体限定。
本发明实施例提供了一种集成电路结构，如图3所示及图4所示，该集成电路结构包括：
衬底101、绝缘保护层102，介质层103、金属熔丝104和隔离金属部件105。
该金属熔丝104与衬底101和绝缘保护层102均绝缘。
该隔离金属部件105设置于金属熔丝104与衬底101之间，且该隔离金属部件105与上述金属熔丝104及衬底101均绝缘；该隔离金属部件105也不与其它任何电位连接。
金属熔丝104裸露在对绝缘保护层102的预定区域进行刻蚀形成的空间中，该预定区域的尺寸不大于隔离金属部件105相对于绝缘保护层102一面的尺寸。
上述隔离金属部件105相对于绝缘保护层102一面的尺寸是指：隔离金属部件105在垂直于绝缘保护层102方向上投影到绝缘保护层102上的面积。所 谓预定区域的尺寸不大于隔离金属部件105相对于绝缘保护层102一面的尺寸，是指预定区域落入隔离金属部件105在绝缘保护层102上的投影的范围内，且投影方向为垂直于绝缘保护层102的方向。
可以设置预设区域的尺寸等于隔离金属部件105相对于绝缘保护层102一面的尺寸，当然可以设置小于隔离金属部件105相对于绝缘保护层102一面的尺寸（如图3所示，虚线框为隔离金属部件105相对于绝缘保护层102一面的实际尺寸）
较佳的，若集成电路结构包括多个金属熔丝104（本发明实施例中以3个金属熔丝为例），则集成电路结构中可以设置一个隔离金属部件105，也可以设置多个隔离金属部件105：
第一种实现方式（对应于设置多个隔离金属部件105），如图5所示：每个金属熔丝104均对应一个隔离金属部件105及对应上述绝缘保护层102。
每个金属熔丝104对应的预设区域的尺寸不大于该金属熔丝104对应的隔离金属部件105相对于上述绝缘保护层102一面的尺寸。从而使得位于预设区域的衬底101完全被隔离金属部件105覆盖而未裸露。
第二种实现方式（对应于仅设置一个隔离金属部件105），如图6所示：每个金属熔丝104对应绝缘保护层102的一个预设区域，且设置一个隔离金属部件105；
包含所有金属熔丝104对应的预设区域的总区域的尺寸，不大于隔离金属部件105相对于绝缘保护层102一面的尺寸。从而使得位于预设区域的衬底完全被隔离金属部件105覆盖而未裸露。
第三种实现方式（对应于设置多个隔离金属部件105）：将多个金属熔丝104进行分组，每组金属熔丝104对应一个隔离金属部件105，并且包含每组中的金属熔丝104对应的预设区域的总区域的尺寸，不大于该组对应的隔离金属105相对于绝缘保护层102一面的尺寸。
例如：可以将分布较密集的金属熔丝分为一组，也可以根据需要进行分组， 具体本发明实施例不作具体限定。
较佳的，预设区域为长方形（图3中所示的结构中刻蚀时的预设区域以长方形为例）。
基于上述任意实施例，较佳的，该隔离金属部件105形状是长方体（图3与图4中所示的隔离金属部件105以长方体为例）。上述隔离金属部件105的尺寸是指隔离金属部件105相对于绝缘保护层102矩形面的长度和宽度。在本发明实施例中对于隔离金属部件105的厚度不作具体限制。
当然该隔离金属部件105也可以是其它结构，隔离金属部件105相对于绝缘保护层102一面可以是曲面也可以是平面。
本发明实施例对隔离金属部件105的结构不做具体限定，只需保证隔离金属部件105的尺寸不小于预设区域的尺寸即可。
上述方案利用在金属熔丝104与衬底101之间设置隔离金属部件105，并且该隔离金属部件105与金属熔丝104及衬底101绝缘，从而在集成电路进行修调时，金属熔丝104由固态转化为液态再转化为气态，即使有少部分的金属熔丝104的金属液向下渗透，也不会接触到衬底101造成金属熔丝104与衬底101之间短路。提高了集成电路修调后的合格率。
基于上述任意实施例，较佳的，集成电路结构在上述衬底101与绝缘保护层102之间包含有至少两层金属层，该隔离金属部件105由上述集成电路结构的其中一层金属层形成，该金属熔丝104由集成电路结构的其中的另外一层金属层形成。
例如，集成电路共包含2层金属层，可以采用第二层金属层制作金属熔丝104（假如长为10um、宽为0.5um），对绝缘保护层102的预设区域（本发明实施例中以矩形区域为例，长度可以设置为9.5um、宽度设置为11um）进行刻蚀形成的空间中，则在金属熔丝104与衬底101之间设置由第一层金属层形成的隔离金属部件105（本发明实施例中以长方体结构的隔离金属部件为例），隔离金属部件105相对于绝缘保护层102的矩形面的长度可以设置为15um，宽度 可以设置为16um。
根据该实例可知，金属熔丝104相对于绝缘保护层102的一面可以不完全裸露。
由于对绝缘保护层102的刻蚀工艺对金属层具有较高的选择比，而对介质层103的选择比较低，因此在金属熔丝104与衬底101之间设置隔离金属部件105，防止对绝缘保护层102的预设区域进行刻蚀时，将介质层103刻蚀直到衬底，从而避免修调时金属熔丝有固态转化为液态再转化为气态时，即使有少部分的金属熔丝104的金属液向下渗透，也不会接触到衬底101造成金属熔丝104与衬底101之间短路。提高了集成电路修调后的合格率。
基于与结构实施例同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种集成电路结构制作方法，如图7所示，该方法包括：
701：在衬底上依次形成第一介质层、隔离金属部件、第二介质层、金属熔丝以及绝缘保护层；
702：对绝缘保护层的预设区域进行刻蚀，使得金属熔丝裸露在刻蚀后形成的空间中，该预定区域的尺寸不大于隔离金属部件相对于绝缘保护层一面的尺寸。
上述方案利用在金属熔丝与衬底之间制作隔离金属部件，并且该隔离金属部件通过第一介质层、第二介质层与金属熔丝及衬底均绝缘，从而在集成电路进行修调时，金属熔丝由固态转化为液态再转化为气态时，即使有少部分的金属熔丝的金属液向下渗透，也不会接触到衬底造成金属熔丝与衬底之间短路。提高了集成电路修调后的合格率。
较佳的，在衬底上依次形成第一介质层、隔离金属部件、第二介质层、金属熔丝以及绝缘保护层，具体包括：
在衬底上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层以及绝缘保护层；且第一金属层包括隔离金属部件，第二金属层包括金属熔丝。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发 明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。