透明基板的制造方法及透明基板、 以及具有此透明基板的有机场致发光元件 【技术领域】
本发明涉及透明基板的制造方法及透明基板、以及具有此透明基板的有机场致发光(Electroluminescence：场致发光，以下称为“EL”)元件，特别涉及在表面上形成透明导电膜的透明基板的制造方法及透明基板、以及具有此透明基板的有机EL元件。
背景技术
有机EL元件通常是在玻璃基板等透明基板表面上形成作为阳极使用的透明导电膜的元件，作为平面光源或下一代地平板显示器等中使用的元件而为人们所关注。透明导电膜中使用光透过率高、具有低电阻特性的材料，作为此种材料，已知有在氧化铟(In2O3)中添加了锡(Sn)的氧化铟锡(Indium Tin Oxide：以下称为“ITO”)等。在这种有机EL元件中，由阳极注入的空穴经由空穴传递层到达发光层，另外，由阴极注入的电子经由电子传递层到达发光层，在此发光层处空穴与电子进行再结合，由此实现发光。
但是，在现有的有机EL元件中，如果阳极的表面高低差(表面凹凸)大，则电场集中在凸部(凸起)处，使得EL元件被破坏；或此凸部与阴极发生短路，出现非发光点(在EL元件表面上不发光的点)。由于一旦引发这些现象，就会显著降低有机EL元件的耐久性，因此要求形成作为阳极的透明导电膜(ITO膜)的透明基板具有优良的平滑性。
对于作为透明基板的玻璃基板而言，为了除去制造时产生的凹凸等，通常使用研磨剂，利用研磨垫等对表面进行研磨，在这种情况下，在玻璃基板表面出现由研磨剂或研磨残渣等异物引起的划伤，或发生研磨剂残留。如果在此被划伤的玻璃基板或残留研磨剂的玻璃基板上形成ITO膜，则划伤或研磨剂会影响ITO膜的平滑性，产生局部凸起部，因此有必要对ITO膜进行表面研磨。
但是，使用研磨剂，利用研磨垫等研磨ITO膜表面时，由于因研磨剂或混入玻璃基板与研磨垫之间的异物在ITO膜表面产生划伤，因此在制造有机EL元件时，存在产生非发光点等、有机EL元件的成品率降低之类问题。另外，由于必须进行研磨ITO膜表面的研磨步骤，因此也成为成本提高的原因。
本发明的目的在于提供一种不产生非发光点、能够提高耐久性的透明基板制造方法及透明基板、以及具有此透明基板的有机EL元件。
【发明内容】
为了实现上述目的，根据本发明的第1方案，提供了一种透明基板的制造方法，是在表面上形成透明导电膜的透明基板的制造方法，其中，将所述透明基板表面的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内。
在第1方案中，优选通过省略研磨所述透明基板表面的步骤而进行所述表面平滑性的控制。
在第1方案中，更优选用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对所述透明基板的表面进行浸蚀(etching)处理。
在第1方案中，进行所述浸蚀处理后，更优选进行碱洗涤，即用碱性溶液洗涤所述透明基板的表面。
在第1方案中，优选通过主要研磨所述透明基板表面的方式，控制所述表面平滑性。
在第1方案中，更优选如下进行：使用规定平均粒径的氧化铈粉末研磨所述透明基板的表面，在研磨所述透明基板的表面后，用硫酸及抗坏血酸的混合液或硝酸及抗坏血酸的混合液洗涤所述透明基板的表面，在洗涤所述透明基板的表面后，用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对所述透明基板的表面进行浸蚀处理。
在第1方案中，更优选在使用规定平均粒径的氧化铈粉末研磨所述透明基板的表面后，再使用小于所述规定平均粒径的氧化铈粉末进行研磨。
在本方案中，更优选在研磨所述透明基板的表面后，使用硫酸及抗坏血酸的混合液或硝酸及抗坏血酸的混合液洗涤所述透明基板的表面。
在第1方案中，更优选在洗涤所述透明基板的表面后，对所述透明基板的表面进行碱洗涤，即用碱性溶液洗涤所述透明基板的表面。
在第1方案中，更优选在洗涤所述透明基板的表面后，用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对所述透明基板的表面进行浸蚀处理。
在第1方案中，更优选在研磨所述透明基板的表面后，用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对所述透明基板的表面进行浸蚀处理。
为了实现上述目的，根据本发明的第2方案，提供一种根据本发明第1方案的透明基板制造方法制成的透明基板。
在第2方案中，优选在表面上形成透明导电膜，所述成膜的透明导电膜表面的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤8nm的范围内。
为了实现上述目的，根据本发明的第3方案，提供一种透明基板，是在表面上形成透明导电膜的透明基板，其中，将所述透明基板表面的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内。
在第3方案中，优选省略研磨所述表面的步骤。
在第3方案中，更优选用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对所述表面进行浸蚀处理。
在第3方案中，更优选在进行所述浸蚀处理后，对所述表面进行碱洗涤，即用碱性溶液洗涤所述表面。
在第3方案中，优选研磨所述表面。
在第3方案中，更优选如下进行：使用规定平均粒径的氧化铈粉末研磨所述表面，在研磨所述表面后，用硫酸及抗坏血酸的混合液或硝酸及抗坏血酸的混合液洗涤所述表面，在洗涤所述透明基板的表面后，用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对所述表面进行浸蚀处理。
在第3方案中，更优选在使用规定平均粒径的氧化铈粉末研磨所述表面后，再使用小于所述规定平均粒径的氧化铈粉末进行研磨。
在第3方案中，更优选在研磨所述表面后，使用硫酸及抗坏血酸的混合液或硝酸及抗坏血酸的混合液洗涤所述表面。
在第3方案中，更优选在洗涤所述表面后，对所述透明基板的表面进行碱洗涤，即用碱性溶液洗涤所述透明基板的表面。
在第3方案中，更优选在洗涤所述表面后，用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对所述表面进行浸蚀处理。
在第3方案中，更优选在研磨所述表面后，用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对所述表面进行浸蚀处理。
在第3方案中，更优选在表面上形成透明导电膜，所述成膜的透明导电膜表面的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤8nm的范围内。
为了实现上述目的，根据本发明的第4方案，提供一种具有本发明第2及第3方案的透明基板的场致发光元件。
【附图说明】
图1是示出本发明实施方案的有机EL元件构成的简要剖面图。
图2是图1中带ITO膜的基板4的制造中使用的离子镀敷装置的内部构造图。
【具体实施方式】
本发明者为了实现上述目的进行了深入研究，结果发现在表面上形成透明导电膜的透明基板的制造方法中，如果将所述透明基板表面的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内，则能够不产生非发光点，提高耐久性。
另外，本发明者发现如果通过省略研磨所述透明基板表面的步骤而控制所述表面平滑性，则不需要研磨透明基板的表面，能够降低成本，同时可以提高透明基板的生产效率；如果通过主要研磨所述透明基板表面的方式控制所述表面平滑性，则能够确实地控制透明基板表面的表面平滑性。
而且，本发明者提出了一种透明基板，所述透明基板表面的表面平滑性被控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内，且在表面上形成透明导电膜；并发现如果将成膜的所述透明导电膜表面的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤8nm的范围内，则能够将其用于无非发光点、耐久性更高的有机EL元件中。
本发明是基于上述研究结果而完成的。
下面，参照附图，说明本发明实施方案的透明基板制造方法。
图1是示出本发明实施方案的有机EL元件构成的简要剖面图。
在图1中，有机EL元件10具有如下构成：带ITO膜的基板4(成膜了透明导电膜的透明基板)，所述带ITO膜的基板4由玻璃基板(由碱石灰等构成)1(透明基板)、成膜在所述玻璃基板1的表面用于碱钝化的SiO2膜(氧化硅膜)2、及成膜在SiO2膜2表面的ITO膜3(透明导电膜)构成；成膜在ITO膜3的表面用于高效地将空穴注入发光层6的空穴传递层5；成膜在空穴传递层5的表面用于将电子注入发光层6的金属薄膜层7；利用被注入的空穴与电子的再结合而发光的发光层6；由可变直流电源，在ITO膜3与金属薄膜层7之间施加直流电压。
空穴传递层5及发光层6均由有机材料形成，作为构成空穴传递层5的有机材料，使用TPD(三苯基二胺)或m-MTDATA(例如，4，4’，4”-三-(N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯基胺)。另外，发光层6的母材中含有掺杂物，作为构成母材的有机材料，可以使用羟基喹啉铝配位化合物(Alq3)或DPVBi(例如，4，4’-二(2，2’-二苯基乙烯基)联苯)。作为构成金属薄膜层7的金属材料，可以使用Al、Mg、In、Ag、In-Li、Mg-Sr、Al-Sr等金属材料。
对于如上构成的有机EL元件10而言，如果以ITO膜3为阳极，以金属薄膜层7为阴极，在ITO膜3和金属薄膜层7之间施加直流电压，则ITO膜3产生的空穴经由空穴传递层5到达发光层6，同时由金属薄膜层7发出的电子到达发光层6，则空穴和电子在发光层6处进行再结合，大部分的光朝图1中箭头A方向放出。
但是，如果作为阳极的带ITO膜的基板4的表面凹凸显著，表面高低差大，则电场集中在此凸部，产生微小的放电，可能会破坏有机EL元件10本身，或产生非发光点，使此有机EL元件10的耐久性显著降低。因此，为了维持良好的发光状态，并提高耐久性，要求带ITO膜的基板4表面具有极小的表面高低差，即作为表面平滑性的Rz(10点平均粗糙度)优良。作为表面平滑性的10点平均粗糙度Rz是指由对应于基准高度的超出部分的最高值开始至第5高度为止的山顶标高平均值，与由对应于基准高度的超出部分的最低值开始至第5深度为止的谷底标高平均值的差。
在本发明的第1实施方案中，首先使用预先将表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内的玻璃基板1。这是由于作为带ITO膜基板4的表面平滑性的Rz受作为玻璃基板1的表面平滑性的Rz的影响较大。通过使用此玻璃基板1，可以提高作为带ITO膜基板4的表面平滑性的Rz。
然后，省略研磨0nm≤Rz≤4nm的玻璃基板1的表面的研磨处理步骤。这是由于由所述研磨处理后残留的研磨剂(例如氧化铈粉末)或研磨残渣、研磨导致表面产生的划伤等，在玻璃基板1的表面产生局部凸起等。通过省略研磨步骤，能够防止玻璃基板1及作为带ITO膜基板4的表面平滑性的Rz降低。
然后，根据需要，优选用作为浸蚀液的氢氟酸水溶液(酸性水溶液)对表面进行浸蚀处理，控制作为玻璃基板1的表面平滑性的Rz，从而进一步改善作为玻璃基板1的表面平滑性的Rz。在进行浸蚀处理时，更优选用规定的碱性溶液进行表面洗涤(以下称为“碱洗涤”)，由此，能够修复因浸蚀液而变粗糙的玻璃基板1的表面，从而可以提高透明度。
由此，可以将第1实施方案中使用的玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内。
另外，在第2实施方案中，主要对0nm≤Rz≤4nm的玻璃基板1的表面实施研磨处理，使用将表面平滑性改善为0nm≤Rz≤4nm的玻璃基板1。这是由于作为带ITO膜的基板4的表面平滑性的Rz受作为玻璃基板1的表面平滑性的Rz的影响较大。通过使用此玻璃基板1，可以提高作为带ITO膜的基板4的表面平滑性的Rz。
在实施此研磨处理时，优选用硫酸及抗坏血酸的混合液洗涤表面(以下称为“混合液洗涤”)或进行上述浸蚀处理，更优选在混合液洗涤后进行浸蚀处理。利用混合液洗涤，可以有效地除去研磨处理后残留在玻璃基板1表面上的研磨剂。另外，进行此混合液洗涤后，更优选进行碱洗涤，由此可以修复因混合液而变粗糙的玻璃基板1的表面，从而能够提高透明度。
需要说明的是，在实施上述研磨处理时，作为研磨剂，使用例如平均粒径约1μm的氧化铈粉末(第1阶段研磨)。但是，仅进行此第1阶段研磨时，必须依次对研磨后的玻璃基板1的表面进行混合液洗涤及浸蚀处理。因此，在此第1阶段研磨后，实施最终研磨处理时，作为研磨剂，可以使用例如平均粒径小的、约0.6μm的氧化铈粉末(第2阶段研磨)。通过实施最终研磨处理，可以更确实地将玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内。
由此，可以将第2实施方案中使用的玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内。
如果使用如上所述将表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内的玻璃基板1来制造带ITO膜的基板4，则不会在其表面观察到任何局部凸起部(凸起)等，并且可以获得ITO膜的表面平滑性在0nm≤Rz≤8nm的范围内、非常平滑的带ITO膜的基板4。
玻璃基板1的母材玻璃只要是薄片状的玻璃即可，可以为采用任何制备方法制成的平板玻璃，例如优选使用由在熔融金属上成形为规定厚度的浮法制成的玻璃材料。
浮法是如下的成形方法：将原料调合成规定组成，投入熔融炉，在熔融炉中实施长时间的高温熔融·均质化。然后，使熔融玻璃流到成形槽的熔融金属(例如锡(Sn))上并成形为规定厚度，所述成形槽为密闭结构且为还原气体气氛。然后，边防止退火炉发生变形，边冷却至常温。就此平板玻璃的生产方式而言，由于能够在熔融金属上成形为规定厚度，因此能够制造厚度均匀性和玻璃平滑性良好的高品质玻璃，并且，由于能够连续生产大量玻璃，因此生产率极高。
接下来说明图1中带ITO膜的基板4的制造方法。
图2是图1中带ITO膜的基板4的制造中使用的离子镀敷装置的内部构造图。
在图2中，11是由碱石灰等构成的玻璃基板。在作为成膜室的真空容器18的一侧内壁处设置排气口19，另一侧内壁处设置筒状部20。在此筒状部20处安装压力梯度型等离子枪22，同时在所述筒状部20的周围配置会聚线圈21。
等离子枪22具有内藏电磁线圈23、与筒状部20连接的第2中间电极24，内藏环状永久磁铁25、与所述第2中间电极24并列设置的第1中间电极26，阴极27和介于所述阴极27和所述第1中间电极26之间的圆筒状玻璃管28。
电磁线圈23由电源29被励磁，会聚线圈21由电源30而被励磁。需要说明的是电源29及电源30均为可变电源。
第2中间电极24及第1中间电极26分别经由悬垂电阻器31、32连接可变电压型主电源33的一端(正极侧)，所述主电源33的另一端(负极侧)连接阴极27。另外，主电源33经由开关36与辅助放电电源34及悬垂电阻器35并联。
另外，在玻璃管28的内部设置固定在阴极27上的由Mo(钼)构成的圆筒部件37、由Ta(铊)构成的管38、和位于所述管38的前端固定在所述圆筒部件37上的由LaB6构成的圆盘状部件39，放电气体(例如含有规定量氧的Ar气)由箭头B所示的方向，经由管38供给至等离子枪22的内部。
真空容器18的底部配置用于收容作为小片(tablet)(被蒸发物质)的ITO烧结体40的主炉41，另外在主炉41的周围设置辅助炉42。主炉41由热传导率良好的导电性材料例如铜形成，同时具有入射由等离子枪22发出的等离子束的凹部，而且，与主电源33的正极侧连接形成阳极，吸引等离子束。
辅助炉42与主炉41同样，也由热传导率良好的铜等导电性材料形成，同时收容环状永久磁铁43及电磁铁44，所述电磁铁44由作为可变电源的炉线圈电源45被励磁。即，辅助炉42具有如下构成：在同轴上层合环状永久磁铁43和电磁铁44，并将其配置在围绕主炉41的环状容器内，同时电磁铁44与炉线圈电源45连接，由环状永久磁铁43形成的磁场与由电磁铁44形成的磁场重叠。在此情况下，由环状永久磁铁43产生的中心侧磁场方向与电磁铁44的中心侧磁场方向相同，通过使炉线圈电源45的电压发生变化，能够改变供给至电磁铁44的电流。
另外，辅助炉42也经由悬垂电阻器46与主炉41同样地被连接在主电源33的正极侧，构成阳极。
需要说明的是在真空容器18的上部设置加热器47，利用所述加热器47，将玻璃基板10加热至规定温度。
在如上所述构成的离子镀敷装置中，氧化锡(SnO2)的含有率为4～6质量％的ITO烧结体40收容在主炉41的凹部内，如果由等离子体22的阴极27侧将放电气体供给至管38，则在与主炉41之间发生放电，由此生成等离子束。此等离子束因环状永久磁铁25及电磁线圈23而会聚，被由会聚线圈21与辅助炉42内的环状永久磁铁43及电磁铁44决定的磁场引导而到达主炉41。
然后，收容在主炉41内的ITO烧结体40被等离子束加热而蒸发，蒸发粒子被等离子束离子化，在被加热器41加热的玻璃基板11上形成ITO膜。
根据上述实施方案，有机EL元件10由带ITO膜的基板4(所述带ITO膜的基板4由玻璃基板1、成膜在所述玻璃基板1的表面用于碱钝化的SiO2膜2、及成膜在SiO2膜2表面的ITO膜3构成)、成膜在ITO膜3的表面用于高效地将空穴注入发光层6的空穴传递层5、成膜在空穴传递层5的表面用于将电子注入发光层6的金属薄膜层7、利用被注入的空穴与电子的再结合而发光的发光层6构成；由于玻璃基板1的表面平滑性在0nm≤Rz≤4nm的范围内，因此能够不产生非发光点，并使耐久性提高，且可以降低成本。而且，由于有机EL元件10具有表面平滑性在0nm≤Rz≤4nm的范围内的玻璃基板1、及表面平滑性在0nm≤Rz≤8nm的范围内的带ITO膜的基板4，因此能够防止制造方面的成品率降低，同时能够提高耐久性，并降低成本。
在上述实施方案中，将混合液洗涤和浸蚀处理设定为不同的步骤，但是也可以通过使用混合了混合液洗涤中的混合液与浸蚀处理中的浸蚀液的水溶液，而将其设定为同一步骤。由此，可以将研磨剂的去除与浸蚀处理同时进行。
另外，在上述实施方案中，混合液洗涤中使用的混合液为硫酸与抗坏血酸的混合液，但是也可以使用硝酸与抗坏血酸的混合液。另外，作为浸蚀液，使用含有氢氟酸等强酸的酸性水溶液，但是也可以使用含有氢氧化钾或氢氧化钠等强碱的碱性水溶液。
实施例
下面，说明本发明的第1组实施例(实施例1～7，比较例1～4)。
本发明者们使用作为表面平滑性的Rz及制造条件不同的玻璃基板1来制造带ITO膜的基板4，同时，用制成的带ITO膜的基板4制造有机EL元件10(实施例1～7、比较例1～4)。
即，用浸渍式超声波洗涤机，使用碱洗涤剂洗涤作为表面平滑性的Rz及制造条件不同的玻璃基板1，进行暖风干燥。然后，将玻璃基板1投入内嵌型真空成膜装置，加热排气至约220℃后，导入Ar气，调节至压力为0.4～0.7Pa，利用高频磁控溅镀法形成用于碱钝化的SiO2膜2。然后，在不使成膜了SiO2膜2的玻璃基板1暴露在大气中的情况下，使用图2的离子镀敷装置，形成ITO膜3。由此制成使用玻璃基板1的带ITO膜的基板4。
然后，将制成的带ITO膜的基板4放置在真空蒸镀装置内，排气至压力达到1.3×10-4Pa或1.3×10-4Pa以下后，使作为空穴传递层5的三苯基二胺(TPD)和作为发光层6的羟基喹啉铝配位化合物(Alq3)成膜。接下来，在这些有机层上形成作为金属薄膜层7的MgAg合金膜(Mg∶Ag＝10∶1)，以此为阴极。不使成膜后的带ITO膜的基板4暴露在大气中，将氮气导入真空室内，用环氧树脂将带ITO膜的基板4固定并密封在玻璃基板上。利用由此制成的带ITO膜的基板4制成有机EL元件10。
使用原子间力显微镜测定作为表面平滑性的Rz及制造条件不同的玻璃基板1及制成的带ITO膜的基板4的ITO膜3的表面平滑性Rz，同时在制成的有机EL元件10上施加直流电流，评价有机EL元件10的发光特性。结果如表1所示。
表1 玻璃基板制造条件 玻璃基 板的Rz ITO膜 的Rz 非发光点 的有无 第1阶段研磨 混合液洗涤 浸蚀 碱洗涤实施例 1 - - - - 4nm 7nm 无 2 - - ○ - 3nm 6nm 无 3 - - ○ ○ 2nm 4nm 无 4 ○ ○ ○ - 4nm 8nm 无 5 ○ ○ ○ ○ 2nm 4nm 无 6 ○ ○ ○ ○ 3nm 7nm 无 7 ○ ○ ○ 3nm 6nm 无比较例 1 - - - - 8nm 14nm 有 2 ○ - - - 10nm 17nm 有 3 ○ - ○ ○ 5nm 9nm 有 4 ○ ○ - ○ 8nm 15nm 有
需要说明的是表1中，玻璃基板1的制造条件中“第1阶段研磨”是指使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨玻璃基板1的表面；“混合液洗涤”是指用硫酸与抗坏血酸的混合液洗涤玻璃基板1的表面；“浸蚀”是指使用氢氟酸水溶液对玻璃基板1的表面进行浸蚀处理；“碱洗涤”是指在对玻璃基板1的表面进行了混合液洗涤或浸蚀处理后，用规定的碱性溶液对玻璃基板1的表面进行洗涤。另外，对于有机EL元件10的发光特性而言，通过确认有机EL元件10处是否有非发光点，评价非发光点的有无。
实施例1
使用由浮法制成的表面平滑性Rz＝4nm的碱石灰制玻璃基板1。ITO膜3的表面平滑性Rz＝7nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例2
使用如下制成的玻璃基板：用氢氟酸水溶液，对由浮法制成的表面平滑性Rz＝8nm的碱石灰制玻璃基板1进行浸蚀处理，由此将表面平滑性控制为Rz＝3nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝6nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例3
使用如下制成的玻璃基板：用氢氟酸水溶液，对由浮法制成的表面平滑性Rz＝4nm的碱石灰制玻璃基板1进行浸蚀处理后，进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝2nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝4nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例4
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面，使用硫酸与抗坏血酸进行混合液洗涤，除去氧化铈粉末，用氢氟酸水溶液进行浸蚀处理，由此将表面平滑性控制为Rz＝4nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝8nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例5
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面，使用硫酸与抗坏血酸进行混合液洗涤，除去氧化铈粉末，用氢氟酸水溶液进行浸蚀处理后，进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝2nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝4nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例6
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面，使用硫酸与抗坏血酸进行混合液洗涤，除去氧化铈粉末，用氢氟酸水溶液进行浸蚀处理后，进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝3nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝7nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例7
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面，将研磨后的玻璃基板1浸渍在由硫酸、抗坏血酸及氢氟酸组成的混合水溶液中，然后将玻璃基板1的表面进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝3nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝6nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
比较例1
使用由浮法制成的表面平滑性Rz＝8nm的碱石灰制玻璃基板1。ITO膜3的表面平滑性Rz＝14nm，确认有机EL元件10上有非发光点。
比较例2
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面，由此将表面平滑性控制为Rz＝10nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝17nm，确认有机EL元件10上有非发光点。
比较例3
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面，用氢氟酸水溶液进行浸蚀处理后，进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝5nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝9nm，确认有机EL元件10上有非发光点。
比较例4
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面，使用硫酸与抗坏血酸进行混合液洗涤，除去氧化铈粉末后，进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝8nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝15nm，确认有机EL元件10上有非发光点。
由上述实施例1～7及比较例1～4可知，如果使用表面平滑性在0nm≤Rz≤4nm的范围内的玻璃基板1或将玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内的材料，则能够制成ITO膜3的表面平滑性在0nm≤Rz≤8nm的范围内的带ITO膜的基板4，能够不使有机EL元件10的表面上出现非发光点，并提高耐久性。而且，由比较例1～4可知，如果使用将玻璃基板1的表面平滑性控制在Rz＞4nm的范围内的材料，则无法制成ITO膜3的表面平滑性在0nm≤Rz≤8nm的范围内的带ITO膜的基板4。
另外，根据实施例1～3可知，如果省略研磨玻璃基板1的表面的步骤，则不需要研磨玻璃基板1的表面，能够降低成本，同时可以提高生产效率。而且，由实施例2、3可知，如果通过用作为浸蚀液的氢氟酸水溶液对玻璃基板1的表面进行浸蚀处理而将玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内，则可以除去研磨步骤中产生的玻璃基板1的划伤等；优选在所述浸蚀处理后对玻璃基板1的表面进行碱洗涤，由此可以修复因浸蚀液而变粗糙的玻璃基板1的表面，能够提高玻璃基板1的透明度。
由实施例4～6可知，在使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨玻璃基板1的表面的情况下，如果用硫酸及抗坏血酸对玻璃基板1的表面进行混合液洗涤，则可以除去作为研磨剂的氧化铈粉末等；然后，如果通过用作为浸蚀液的氢氟酸水溶液对玻璃基板1的表面进行浸蚀处理而将玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内，则可以除去研磨步骤中产生的玻璃基板1的划伤等；优选在所述浸蚀处理后对玻璃基板1的表面进行碱洗涤，由此可以修复因浸蚀液而变粗糙的玻璃基板1的表面，能够提高玻璃基板1的透明度。
由实施例7可知，在使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨玻璃基板1的表面的情况下，如果在将玻璃基板1浸渍在由硫酸、抗坏血酸及氢氟酸组成的混合水溶液中之后，对玻璃基板1的表面进行碱洗涤，则可以在除去研磨剂的同时进行浸蚀处理，能够发挥与实施例4～6同等的效果。
需要说明的是虽然在上述第1组实施例中使用硫酸及抗坏血酸的混合液，但是使用硝酸及抗坏血酸的混合液，也可以获得与上述第1组实施例同样的结果。
下面，说明本发明的第2组实施例(实施例8～16，比较例5～7)。
本发明者们使用作为表面平滑性的Rz及制造条件不同的玻璃基板1，制造带ITO膜的基板4，同时，用制成的带ITO膜的基板4制造有机EL元件10(实施例8～16、比较例5～7)。
即，用浸渍式超声波洗涤机，使用碱洗涤剂洗涤制造条件不同的玻璃基板1，进行暖风干燥。然后，将玻璃基板1投入内嵌型真空成膜装置，加热排气至约220℃后，导入Ar气，调节至压力为0.4～0.7Pa，利用高频磁控溅镀法形成用于碱钝化的SiO2膜2。不使成膜了SiO2膜2的玻璃基板1暴露在大气中，使用图2的离子镀敷装置形成ITO膜3。由此制成使用玻璃基板1的带ITO膜的基板4。
然后，将制成的带ITO膜的基板4放置在真空蒸镀装置内，排气至压力达到1.3×10-4Pa或1.3×10-4Pa以下后，使作为空穴传递层5的三苯基二胺(TPD)和作为发光层6的羟基喹啉铝配位化合物(Alq3)成膜。接下来，在这些有机膜上形成作为金属薄膜层7的MgAg合金膜(Mg∶Ag＝10∶1)，以此为阴极。在不使成膜后的带ITO膜的基板4暴露在大气中的情况下，将氮气导入真空室内，用环氧树脂将带ITO膜的基板4固定并封止在玻璃基板上。用由此制成的带ITO膜的基板4制成有机EL元件10。
使用原子间力显微镜测定作为表面平滑性的Rz及制造条件不同的玻璃基板1及制成的带ITO膜的基板4的ITO膜3的表面平滑性Rz，同时在制成的有机EL元件10上施加直流电流，评价有机EL元件10的发光特性。结果如表2所示。
表2 玻璃基板制造条件 玻璃基 板的Rz ITO膜 的Rz 非发光点 的有无 第1阶 段研磨 第2阶 段研磨 混合液 洗涤 浸蚀 碱洗涤实施例 8 ○ ○ - - - 4nm 8nm 无 9 ○ ○ ○ - - 3nm 6nm 无 10 ○ ○ ○ - ○ 2nm 5nm 无 11 ○ ○ - ○ - 3nm 7nm 无 12 ○ ○ - ○ ○ 2nm 5nm 无 13 ○ ○ ○ ○ - 2nm 6nm 无 14 ○ ○ ○ ○ - 2nm 6nm 无 15 ○ ○ ○ - 2nm 6nm 无 16 ○ ○ ○ ○ 2nm 5nm 无比较例 5 - - - - - 6nm 10nm 有 6 ○ - - - - 10nm 19nm 有 7 ○ - - ○ ○ 7nm 12nm 有
需要说明的是表2中，玻璃基板1的制造条件中的“第1阶段研磨”是指使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨玻璃基板1的表面；“第2阶段研磨”是指使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨玻璃基板1的表面后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨；“混合液洗涤”是指用硫酸与抗坏血酸的混合液洗涤玻璃基板1的表面；“浸蚀”是指使用氢氟酸水溶液对玻璃基板1的表面进行浸蚀处理；“碱洗涤”是指在进行了混合液洗涤或浸蚀处理后，用规定的碱性溶液对玻璃基板1的表面进行洗涤。另外，对于有机EL元件10的发光特性而言，通过确认有机EL元件10上是否有非发光点，评价非发光点的有无。
实施例8
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末对由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面进行第1阶段研磨后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨(第2阶段研磨)，由此将表面平滑性控制为Rz＝4nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝8nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例9
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末对由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面进行第1阶段研磨后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨，再用硝酸及抗坏血酸进行混合液洗涤，除去氧化铈粉末，将表面平滑性控制为Rz＝3nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝6nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例10
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末对由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面进行第1阶段研磨后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨，再用硝酸及抗坏血酸进行混合液洗涤，除去氧化铈粉末，进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝2nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝5nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例11
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末对由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面进行第1阶段研磨后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨，再用氢氟酸水溶液进行浸蚀处理，由此将表面平滑性控制为Rz＝3nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝7nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例12
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末对由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面进行第1阶段研磨后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨，用氢氟酸水溶液进行浸蚀处理后，进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝2nm。ITO成膜后的表面平滑性Rz＝5nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例13
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末对由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面进行第1阶段研磨后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨，再使用硝酸与抗坏血酸进行混合液洗涤，除去氧化铈粉末后，用氢氟酸水溶液进行浸蚀处理，由此将表面平滑性控制为Rz＝2nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝6nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例14
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末对由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面进行第1阶段研磨后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨，再用氢氟酸水溶液进行浸蚀处理后，进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝2nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝4nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例15
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末对由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面进行第1阶段研磨后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨，再将研磨后的玻璃基板1浸渍在由硫酸、抗坏血酸及氢氟酸组成的混合水溶液中，由此将表面平滑性控制为Rz＝2nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝6nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
实施例16
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末对由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面进行第1阶段研磨后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨，再将研磨后的玻璃基板1浸渍在由硫酸、抗坏血酸及氢氟酸组成的混合水溶液中之后，对玻璃基板1的表面进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝2nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝5nm，未发现有机EL元件10上有非发光点。
比较例5
使用由浮法制成的表面平滑性Rz＝6nm的碱石灰制玻璃基板1。ITO膜3的表面平滑性Rz＝10nm，确认有机EL元件10上有非发光点。
比较例6
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面，由此将表面平滑性控制为Rz＝10nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝19nm，确认有机EL元件10上有非发光点。
比较例7
使用如下制成的玻璃基板：使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末研磨由浮法制成的碱石灰制玻璃基板1的表面后，用氢氟酸水溶液进行浸蚀处理后，进行碱洗涤，由此将表面平滑性控制为Rz＝7nm。ITO膜3的表面平滑性Rz＝12nm，确认有机EL元件10上有非发光点。
由上述实施例8～16及比较例5～7可知，如果使用通过对玻璃基板1的表面进行第2阶段研磨而将表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内的玻璃基板1，则能够制成ITO膜3的表面平滑性在0nm≤Rz≤8nm的范围内的带ITO膜的基板4，能够不使有机EL元件10的表面上发生非发光点，并提高耐久性。而且，由比较例5～7可知，如果使用将玻璃基板1的表面平滑性控制在Rz＞4nm的范围内的材料，则无法制成ITO膜3的表面平滑性在0nm≤Rz≤8nm的范围内的带ITO膜的基板4。
另外，由实施例8～14可知，如果在使用平均粒径约1μm的氧化铈粉末对玻璃基板1的表面进行第1阶段研磨后，使用平均粒径约0.6μm的氧化铈粉末进行最终研磨(第2阶段研磨)，则能够确实地将玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内。
优选在进行第2阶段研磨后用硝酸及抗坏血酸对玻璃基板1的表面进行混合液洗涤，由此可以除去作为研磨剂的氧化铈粉末等；同样，在进行第2阶段研磨后，如果通过用作为浸蚀液的氢氟酸水溶液对玻璃基板1的表面进行浸蚀处理而将玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内，则可以除去研磨步骤中产生的玻璃基板1的划伤等。而且，可知更优选在进行第2阶段研磨后，对玻璃基板1的表面进行上述混合液洗涤，然后进行浸蚀处理。最优选的是在所述混合液洗涤或浸蚀处理后对玻璃基板1的表面进行碱洗涤，由此可以修复因混合液或浸蚀液而变粗糙的玻璃基板1的表面，能够提高玻璃基板1的透明度。
由实施例15、16可知，在进行第2阶段研磨后，将玻璃基板1浸渍在由硫酸、抗坏血酸及氢氟酸组成的混合水溶液中之后，优选对玻璃基板1的表面进行碱洗涤，由此可以在除去研磨剂的同时进行浸蚀处理，能够发挥与实施例13、14同等的效果。
需要说明的是在上述第2组实施例中使用含有硝酸及抗坏血酸的混合液，但是使用硫酸及抗坏血酸的混合液，也可以获得与上述第2组实施例同样的结果。
在上述实施例中，作为所使用的浸蚀液，使用含有氢氟酸等强酸的酸性水溶液，但是使用含有氢氧化钾或氢氧化钠等强碱的碱性水溶液也能够获得与上述实施例同样的结果。
另外，在上述实施例中，用离子镀敷法将ITO膜3成膜在玻璃基板1上，但是并不限定于此，利用溅镀法或电子射线(EB)蒸镀法等成膜，也能够获得与上述实施例同样的结果。
另外，在上述实施例中，使用由硫酸、抗坏血酸、及氢氟酸组成的混合水溶液，但是使用硝酸、硫酸、抗坏血酸、及氢氧化钠或氢氧化钾组成的混合水溶液，抗坏血酸、及氢氟酸组成的混合水溶液，硝酸、抗坏血酸及氢氧化钠或氢氧化钾组成的混合水溶液，也能够获得与上述第1组实施例同样的结果。
如上述详细说明，根据本发明的第1及第3方案，提供了将表面上形成有透明导电膜的透明基板表面的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内的透明基板制造方法及透明基板，因此可以不产生非发光点，并提高耐久性。
另外，在第1及第3方案中，由于省略了研磨透明基板表面的步骤，因此不需要研磨透明基板的表面，能够降低成本，同时提高透明基板的生产效率。
在第1及第3方案中，由于使用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对透明基板的表面进行浸蚀处理，因此，能够确实地省略透明基板表面的研磨步骤。
在第1及第3方案中，由于在浸蚀处理后，进行碱洗涤，即用碱性溶液洗涤透明基板的表面，因此能够提高因浸蚀而变粗糙的透明基板表面的透明度。
在第1及第3方案中，由于研磨透明基板的表面，因此能够确实地控制透明基板表面的表面平滑性。
在第1及第3方案中，由于使用规定平均粒径的氧化铈粉末研磨透明基板的表面，用硫酸及抗坏血酸的混合液或硝酸及抗坏血酸的混合液洗涤透明基板的表面，用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对透明基板的表面进行浸蚀处理，因此能够更确实地控制透明基板表面的表面平滑性。
在第1及第3方案中，由于在使用规定平均粒径的氧化铈粉末对透明基板的表面进行研磨后，使用比规定平均粒径小的氧化铈粉末进行研磨，因此能够更确实地控制透明基板表面的表面平滑性。
在第1及第3方案中，由于研磨透明基板的表面后，用硫酸及抗坏血酸的混合液或硝酸及抗坏血酸混合液洗涤透明基板的表面，因此能够有效地除去透明基板上的研磨剂等。
在第1及第3方案中，由于在洗涤透明基板的表面后，进行碱洗涤，即用碱性溶液洗涤透明基板的表面，因此，能够提高因硫酸及抗坏血酸的混合液或硝酸及抗坏血酸的混合液而变粗糙的透明基板表面的透明度。
在第1及第3方案中，由于在洗涤透明基板的表面后，用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对透明基板的表面进行浸蚀处理，因此，能够有效地除去研磨剂等被除去后的透明基板上的划伤等。
在第1及第3方案中，由于在研磨透明基板的表面后，用含有氢氟酸的酸性水溶液或含有氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液对透明基板的表面进行浸蚀处理，因此，能够有效地除去研磨后的透明基板上的划伤等。
如上述详细说明，根据本发明的第2方案，由于提供了按照本发明第1方案的透明基板制造方法制成的透明基板，因此能够用于无非发光点、耐久性高的有机EL元件。
在第2及第3方案中，由于提供了成膜在表面上的透明导电膜的表面平滑性在0nm≤Rz≤8nm的范围内的透明基板，因此能够用于无非发光点、耐久性高的有机EL元件。
如上述详细说明所述，根据本发明的第4方案，由于提供了具有本发明第2或3方案的透明基板的场致发光元件，因此能够提供无非发光点、耐久性更高的有机EL元件。