高密度光磁记录再现装置及高密度光磁记录再现方法 【技术领域】
本发明涉及高密度光磁记录再现装置及高密度光磁记录再现方法，尤其涉及适于记录再现微小标记的高密度光磁记录再现装置及高密度光磁记录再现方法。
背景技术
向光磁盘记录信息的方法主要有光调制方式和磁场调制方式两种。
光调制方式是指根据记录的信息来调制激光的照射量的方式。在该方式中，由光学系统的特性决定了可记录的最小标记的大小。
另一方面，在磁场调制方式中，通过照射恒定值的激光，并翻转磁场来记录信息。但是，由于翻转磁场需要有限的翻转时间，因此若调制磁场的频率变高，则根据磁场翻转所形成的边缘区域将变得不确定。因此，在再现具有这样高频率的被记录地信号时，存在再现信号的跳动增加的问题。为解决这个问题，提出了将激光以脉冲状进行照射的方式。
当向记录面照射激光时，记录面的温度升高，而且在该温度超过居里点时，存在于记录面上的磁化将消失。然后，停止照射激光，在记录面的温度下降到低于居里点时，随着记录面上的磁化方向形成记录标记。
因此，若照射脉冲状的激光来进行磁场调制记录，则上述磁化的翻转时间并不影响记录磁化的形成，从而能够仅根据照射激光脉冲的时刻来决定记录磁化。由此，可减少再现信号的跳动。从而，磁场调制方式更适于微小标记的记录。
另一方面，在再现已记录的信息时，可检测出的记录标记的最小尺寸，一般由读取激光的波长和开口数NA的光学系统的参数来决定。被聚焦的激光的光斑尺寸与激光波长成正比，且与NA成反比。因此，激光波长越短，并且NA越大，被聚焦的激光的光斑尺寸就越小，所以能够读取更小的已记录标记。
而且，为了再现已记录的微小标记，还存在如下方法，该方法通过与上述再现装置的技术有所不同的被称为MSR(磁致超解像方式)、DWDD(磁畴壁移动检测方式)、以及MAMMOS(磁畴放大再生方式)的介质技术，可检测出由再现光学系统的参数所决定的界限以下的小尺寸的标记。
从而，如上所述，使用磁场调制方式进行记录，并使用短波长激光及高NA的光学系统或者使用DWDD等介质技术，可实现高密度光磁记录再现。
如上所述，磁场调制方式与光调制方式不同，其是可以不根据记录模式而使标记的边缘位置最优化的方式。但是，当被记录的标记长度是微小的记录标记时，即使使用上述磁场调制方式也存在所记录的标记的边缘位置发生变动的问题。其原因如下。
图1是根据现有技术的磁场调制方式进行信息记录的示意图。图1(A)表示激光束光斑101入射到光盘上时的光盘的温度分布102，Tc表示居里温度。此外，箭头103表示将入射的激光束101作为基准时，光盘上的记录轨道的前进方向。图1(B)和(C)表示记录于光盘上的轨道的记录层104上的标记。在图1(B)中，参考标号110表示目前正要记录的标记，并且参考标号111表示在标记110之前已记录的标记，参考标号112表示在标记111之前已记录的标记。此外，箭头105表示记录标记110的记录磁场的方向。在图1(C)中，参考标号120表示目前正要记录的标记，并且参考标号121表示在标记120之前记录的标记，参考标号122表示在标记121之前记录的标记。此外，箭头105表示记录标记110的记录磁场的方向。图1(D)表示记录磁场105从前面已记录的标记111或者121的记录磁场向目前正记录的标记110或者120的记录磁场的转换。此外，图1(E)表示使得在磁场调制方式中使用的激光发光的脉冲130。在图1(E)中，脉冲130为高电平时使激光发光。
在磁场调制方式中，前面已记录的标记的退磁磁场比目前正记录的标记的磁场对目前正记录的标记影响更大。例如，如图1(B)所示，当在目前正记录的标记110紧前面已记录的标记是短标记111时，该短标记111和其前面的标记112双方的退磁磁场影响目前正记录的标记110。具体地说，标记111的退磁磁场113和标记112的退磁磁场114被叠加在记录磁场105上。但是，当标记111较短时，由于标记111的退磁磁场113和标记112的退磁磁场114的大小相近，所以所述两个磁场将相互抵消，从而，在如图1(D)所示的，记录磁场105发生变化的点上通过磁场105形成标记110。即，从标记111向标记110的变化点接近磁场105的变化点。
与此相对，如图1(C)所示，当位于目前正记录的标记120紧前面的标记121为长标记时，只有紧前面的标记121的退磁磁场123影响目前正记录的标记120的形成，标记122的退磁磁场124不影响目前正记录的标记120的形成。因此，在这种情况下，紧前面的标记121的退磁磁场123被加到为形成标记120而施加的记录磁场105上，从而实质上增加了记录磁场。因此，如图1(C)所示，当位于目前正记录的标记120紧前面的标记121是长标记时，将在图1(D)的记录介质105的转换点之前形成目前正记录的标记120。即，存在如下问题：根据位于目前正记录的标记紧前面的标记是短标记还是长标记，目前正记录的标记的边缘位置会发生变化。
【发明内容】
本发明的目的是提供一种解决了上述现有技术的问题的高密度光磁记录再现装置及高密度光磁记录再现方法。
本发明的目的是提供一种能够使得从记录介质再现的标记的边缘位置不发生变化地向记录介质记录标记的高密度光磁记录再现装置及高密度光磁记录再现方法。
此外，本发明的另一目的是提供一种从记录介质再现标记时能够补偿标记的边缘位置的变化的高密度光磁记录再现装置及高密度光磁记录再现方法。
为了达到所述目的，向光磁记录介质记录信息标记或者再现该信息标记的光磁记录再现装置包括：判断记录信息标记的长度的单元；以及根据在该记录信息标记紧前面的已记录的标记的长度来改变记录该标记的记录磁场强度的单元。
由此，由于再现的标记的边缘位置不发生变化，因此能够向记录介质高密度地记录数据。
附图的简单说明
若参照所附的附图来阅读以下的详细说明的话，将能够更加清楚地了解本发明的其他目的、特征以及优点。
图1是根据现有技术的磁场调制方式的信息记录的示意图；
图2是本发明第一实施例的示意图；
图3是本发明第二实施例的示意图；
图4是本发明第二实施例的示意图；
图5是本发明第三实施例的示意图；
图6是本发明第四实施例的示意图；
图7是本发明第五实施例的示意图；
图8是本发明第六实施例的示意图；
图9是本发明第七实施例的信号格式的示意图；
图10是本发明第七实施例的相位检测模式的再现信号时序示意图；
图11是本发明第七实施例的简要结构示意图。
【具体实施方式】
下面，利用附图说明用于实施本发明的实施方式。
图2示出了本发明第一实施例。在第一实施例中，在将标记记录到记录介质上时，通过对要记录的标记进行校正来使再现的标记的位置保持在规定位置上。特别是，图2示出了在目前正记录的标记120紧前面已记录了长标记121的情况下，使用对正记录的标记进行校正的方法的例子。图2(A)示出了在向光盘入射激光束斑点时的光盘的温度分布102，Tc表示居里温度。此外，箭头103表示将入射的激光束作为基准时，光盘上的记录轨道的前进方向。图2(B)示出了被记录在光盘上的轨道记录层104上的标记。参考标号120表示目前正记录的标记，并且参考标号121表示在标记120之前记录的标记，标记121为长标记。此外，箭头105表示记录标记120的记录磁场。此外，图2(C)的参考标号105表示记录磁场105从前面已记录的标记121的记录磁场向目前正记录的标记120的记录磁场的转换。当在紧前面记录的标记为短标记时，假设记录磁场的强度为-M、+M。此外，图2(C)的参考标号130表示脉冲130，该脉冲130使得在磁场调制方式中使用的激光发光，并且在脉冲130为高电平时激光发光。当在紧前面记录的标记为短标记时，将使激光发光的脉冲130的强度设定为A。此外，从图2(A)延伸到图2(F)的虚线201表示在标记121为短标记时，记录磁场105的转换以及使激光发光的脉冲130的发光时刻。
图2(C)示出了记录标记120时的校正的例子。图2(C)是控制记录介质105的振幅的方法。在图2(C)中，将记录磁场105从用于记录长标记121的记录磁场-M向用于记录标记120的记录磁场+M转换的时刻与紧前面记录的标记为短记录的时候保持相同时刻。但是，与紧前面记录的标记为短标记的时候相比，使记录标记120的磁场的强度下降并仅下降预定值m，从而使所述强度成为(M-m)。
另一方面，关于使激光发光的脉冲130，其发光时刻与在紧前面记录的标记为短标记时的发光时刻相同，且强度也和记录短标记时的强度A相同。
图2(D)示出了记录标记120时的校正的其他实施例。图2(D)是控制记录介质105的变化时刻的方法。在图2(D)中，与紧前面记录的标记为短标记的时候相比，将使记录磁场105从用于记录长标记121的记录磁场-M向用于记录标记120的记录磁场+M变化的时刻延迟并仅延迟了t1时间。但是，不改变记录标记120的磁场的强度，而使其保持+M。
另一方面，关于使激光发光的脉冲130，其发光时刻与在紧前面记录的标记为短标记时的发光时刻相同，且强度也和在紧前面记录的标记为短标记时的强度A相同。
图2(E)示出了记录标记120时的校正的其他实施例。图2(E)是控制使激光发光的脉冲130的振幅的方法。在图2(E)中，将使激光发光的脉冲130的发光时刻保持在与紧前面记录的标记为短标记的时候相同的时刻上。但是，与紧前面记录的标记为短标记的时候相比，将使激光发光的脉冲130的强度减小并仅减小预定值a，从而使其为(A-a)。
另一方面，关于记录磁场105，其转换时刻与在紧前面记录的标记为短标记时的转换时刻相同，且振幅也和在紧前面记录的标记为短标记时的振幅-M、+M相同。
图2(F)示出了记录标记120时的校正的其他实施例。图2(F)是控制使激光发光的脉冲130的发光时刻的方法。在图2(F)中，与紧前面记录的标记为短标记的时候相比，将使激光发光的脉冲130的发光时刻延迟并仅延迟t2时间。但是，将使激光发光的脉冲130的强度保持在与紧前面记录的标记为短标记的时候相同的值A上。
另一方面，关于记录磁场105，其转换时刻与在紧前面记录的标记为短标记时的转换时刻相同，且振幅也和在紧前面记录的标记为短标记时的振幅-M、+M相同。
通过如上所述，在紧前面记录的标记121为长标记的情况下，可在记录时进行校正，使得在再现接下来记录的标记120时被再现的标记的边缘位置不发生变化。
此外，上述的实施例这样构成：即，将紧前面记录的标记为短标记的情况作为基准，在紧前面记录的标记为长标记的时候，控制被记录的标记的记录磁场105或者使激光发光的脉冲130。但是，也可以如下构成：即，将紧前面记录的标记为长标记的场合作为基准，在紧前面记录的标记为短标记的时候，与上述的实施例相反地控制被记录的标记的记录磁场105或者使激光发光的脉冲130，根据这样的构成，也同样能够在记录时进行校正，以使被再现的标记的边缘位置不发生变化。
此外，在上述的实施例中，虽然只将在紧前面记录的标记的长度作为基准，但是通过组合其再前面的标记的长度，能够更加精确地进行控制。
此外，虽然将紧前面的标记的长度划为两级，但也可以将其划为其他级。
此外，也可以将最佳校正量m、t1、a、t2固定存储在高密度光磁记录再现装置内，并根据在该模式的紧前面记录的模式来读取并使用。此外，为了更加精确地进行控制，也可以在记录介质的文本区域中记录文本模式，并从中读取这些文本模式来进行确定。由此，可针对每个记录介质更加精确地确定最佳校正量m、t1、a、t2。
接下来，利用图3和图4来说明本发明的第二实施例。图3示出了本发明的高密度光磁记录再现装置的简要框图。本发明的高密度光磁记录再现装置主要由记录系统310、磁头311、光头312以及再现系统320构成。在进行记录时，向记录系统310输入要记录的用户数据301。记录系统310将输入进来的用户数据301处理成记录信号并输出给磁头311和光头312。磁头311和光头312向光磁记录介质313记录由记录系统310处理的信号。在进行再现时，由光头312读出记录于光盘中的信号。通过光头读出的MO信号314和时钟标记315被送给再现系统320进行再现信号处理，并输出用户数据321。
图4是本发明第二实施例的示意图，该图与上述图3所示的记录系统310相对应。在图4中标注了与图3相同标号的结构单元表示相同的结构单元。本实施例示出了如下记录部分的实施例，该记录部分如在上述第一实施例中所说明的那样，用于在向记录介质记录标记时，对要记录的标记进行校正。图4所示的记录系统主要由调制电路401和记录补偿电路400构成。记录补偿电路400主要由标记长度检测器402、记录控制电路403、磁头驱动电路404以及激光驱动电路构成。
将用户数据301输入到调制电路401中来进行记录调制。标记长度检测器402检测通过调制电路401调制的用户数据的标记长度。在本实施例中，当通过标记长度检测电路402所检测出的标记长度具有预定的阈值以上的长度时，向记录控制电路送出表示检测出了长标记的信号。若从标记长度检测电路402输入了表示检测出了长标记的信号，则在记录所述长标记的下一个标记时，记录控制电路403进行在第一实施例中由图2(C)至图2(F)示出的对记录磁场或者使激光发光的脉冲的振幅或者延迟时间的控制。而且，记录控制电路403在进行了第一实施例的图2(C)至图2(F)所示的控制之后，分别向磁头控制电路404和激光驱动电路405提供驱动信号。磁头控制电路404和激光驱动电路405通过被提供的驱动信号来驱动磁头311和光头312，从而向光磁记录介质313记录信号。
如上所述，根据本发明，通过检测长标记并对其后的记录标记进行校正，可对光磁记录介质313进行记录。
接下来，利用图5至图8来说明记录补偿电路400的实施例。在图5至图8中，标注了与图4相同标号的结构单元表示相同的结构单元。
图5是本发明第三实施例的示意图，该图示出了记录补偿电路400的一个实施例，在该实施例中执行与图2(C)相对应的操作。
图5所示的记录补偿电路400主要由标记长度检测器402、磁场强度设定部分501、磁头驱动电路404、激光驱动电路405以及时钟生成器502构成。由图4的调制电路401输出的记录数据411被提供给长度检测器402和磁场强度设定电路501中。此外，由时钟生成电路502生成的时钟503被提供给磁场强度设定电路501和激光驱动电路405中。磁场强度设定电路501和激光驱动电路405以所提供的时钟503为基准进行操作。
若由标记长度检测电路402检测出了具有预定长度以上的标记长度的长标记，则检测信号504被提供给磁场强度设定电路501中。若磁场强度设定电路501接收到检测信号504，则在记录下一个标记时，使记录磁场从用于记录长标记的记录磁场-M向用于记录所述标记的记录磁场+M变化的时刻保持在与紧前面记录的标记为短标记的时候相同的时刻上。但是，为磁头驱动电路404设定磁场强度，使得与紧前面记录的标记为短标记的时候相比，使记录标记的磁场的强度下降并仅下降预定值m，从而使所述强度成为(M-m)。磁头驱动电路404驱动磁头311从而产生具有对应此设定值的磁场强度(M-m)的磁场。
与此相对，由于向激光驱动电路405只提供时钟503，因此与紧前面记录的标记为短标记的时候相同，光头通过激光驱动电路405驱动。
接下来，图6是本发明第四实施例的示意图，该图示出了记录补偿电路400的一个实施例，在该实施例中执行与图2(D)相对应的操作。
图6所示的记录补偿电路400主要由标记长度检测器402、磁场翻转位置调节部分601、磁头驱动电路404、激光驱动电路405以及时钟生成器502构成。从图4的调制电路401输出的记录数据411被提供给标记长度检测器402和磁场翻转位置调节部分601中。此外，由时钟生成器502生成的时钟503被提供给磁场翻转位置调节部分601和激光驱动电路405中。磁场翻转位置调节部分601和激光驱动电路405以所提供的时钟503为基准进行操作。
若由标记长度检测电路402检测出了具有预定长度以上的标记长度的长标记，则检测信号504被提供给磁场翻转位置调节部分601。若磁场翻转位置调节部分601接收到检测信号504，则在记录下一个标记时，与紧前面记录的标记为短标记的时候相比，将使记录磁场从用于记录长标记的记录磁场-M向用于记录所述标记的记录磁场+M变化的时刻延迟并仅延迟t1时间。但是，不改变记录标记的磁场的强度，使其保持+M。
与此相对，由于向激光驱动电路405只提供时钟503，因此与紧前面记录的标记为短标记的时候相同，光头通过激光驱动电路405驱动。
接下来，图7是本发明第五实施例的示意图，该图示出了记录补偿电路400的一个实施例，在该实施例中执行与图2(E)相对应的操作。
图7所示的记录补偿电路400主要由标记长度检测器402、发光功率设定部分701、磁头驱动电路404、激光驱动电路405以及时钟生成器502构成。从图4的调制电路401输出的记录数据411被提供给标记长度检测器402和磁头驱动电路404。此外，由时钟生成器502生成的时钟503被提供给发光功率设定部分701和磁头驱动电路404中。发光功率设定部分701和磁头驱动电路404以所提供的时钟503为基准进行操作。
若由标记长度检测电路402检测出了具有预定长度以上的标记长度的长标记，则检测信号504被提供给发光功率设定部分701中。若发光功率设定部分701接收到检测信号504，则在记录下一个标记时，将使激光发光的脉冲的发光时刻保持在与紧前面记录的标记为短标记的时候相同的时刻上。但是，与紧前面记录的标记为短标记的时候相比，将使激光发光的脉冲的振幅减小并仅减小预定值a，从而使所述振幅为(A-a)。
与此相对，由于向磁头驱动电路404提供时钟503和记录数据411，因此与紧前面记录的标记为短标记的时候相同，磁头通过磁头驱动电路404驱动，从而生成基于记录数据的磁场。
接下来，图8是本发明第六实施例的示意图，该图示出了记录补偿电路400的一个实施例，在该实施例中执行与图2(F)相对应的操作。
图8所示的记录补偿电路400主要由标记长度检测器402、脉冲位置调节部分801、磁头驱动电路404、激光驱动电路405以及时钟生成器502构成。从图4的调制电路401输出的记录数据411被提供给标记长度检测器402和磁头驱动电路404。此外，由时钟生成器502生成的时钟503被提供给脉冲位置调节部分801和磁头驱动电路404中。脉冲位置调节部分801和磁头驱动电路404以所提供的时钟503为基准进行操作。
若由标记长度检测电路402检测出了具有预定长度以上的标记长度的长标记，则检测信号504被提供给脉冲位置调节部分801中。若脉冲位置调节部分801接收到检测信号504，则在记录下一个标记时，与紧前面记录的标记为短标记的时候相比，将使激光发光的脉冲的发光时刻延迟并仅延迟t2时间。但是，使激光发光的脉冲的振幅与紧前面记录的标记为短标记的时候保持相同。
与此相对，由于向磁头驱动电路404提供时钟503和记录数据411，因此与紧前面记录的标记为短标记的时候相同，磁头通过磁头驱动电路404驱动，从而生成基于记录数据的磁场。
如在上述的实施例中所说明的那样，可提供一种高密度光磁记录再现装置及高密度光磁记录再现方法，根据该装置及方法，能够使得从记录介质再现的标记的边缘位置不发生变化地向记录介质记录标记。
下面，利用图9至图11来说明本发明的第七实施例。在第七实施例中，从记录介质再现标记时进行校正，以使再现的标记的边缘位于规定位置上。
图9示出了适应本发明的信号格式的一个实施例，所述信号格式中，为了在从记录介质再现标记时，进行使得再现的标记的边缘位于规定位置的校正而记录位置检测模式。本信号格式由配置有ID信号的预制凹坑区域901和MO记录区域902构成。MO记录区域902还包括适应本发明的配置有相位检测模式的相位检测模式部分903和用户数据部分904。
图10是配置于相位检测模式部分903中的相位检测模式的再现信号时序示意图。图10(A)示出了从相位检测模式部分903再现的相位检测模式。例如，如本实施例所示，相位检测模式由作为最短模式的2T信号的重复(模式P1、P2、P3)和作为最长模式的8T信号的重复(模式P4、P5、P6)构成。图10(B)示出了用于检测相位检测模式的时钟信号。
图11是适应本发明的再现系统的一个实施例的简要结构示意图。再现系统与图3的再现系统320相对应。图11所示的再现系统主要由放大器1101、波形均衡器1102、模/数转换器1103、电平检测器1104、锁相环(PLL)1105、延迟器1106、选择器1107、数据检测器1108以及解调电路1109构成。
在本实施例中，首先最初，在从记录介质再现标记时，为了将再现的标记的边缘补到规定的位置上，使用从图9的相位检测模式部分903再现的相位检测模式，并通过选择器1107选择要提供给模/数转换器1103的时钟。下面参照图10来说明该操作。
由光头312向再现系统320提供的时钟标记315被提供给图11的PLL1105，其中所述光头312在图3的本发明高密度光磁记录再现装置的简要框图中示出。PLL 1105生成与时钟标记315同步的时钟CLK。时钟CLK被送给延迟器1106，并从延迟器的各分接抽头1110输出延迟并仅延迟了预定时间的时钟CLK。选择器1107根据来自电平检测器1104的输入信号1111，从经由各分接抽头1110输出的时钟CLK中选择某一时钟。
电平检测器1104在被设定为初始状态时，向选择器1107输出选择预定分接抽头，例如中心分接抽头的信号，并且监视来自模/数转换器1103的输出电平。
首先最初，电平检测器1104控制选择器1107选择延迟器1106的分接抽头1110，以使作为2T的重复模式的短模式P1、P2、P3的采样值全部为+1或者-1中的某一值，而不使它们取零值附近的中间值。由此来确定紧前面的记录模式为短标记时的最佳时钟相位。
在图10(A)中，用圆圈表示的点表示在所述短标记的最佳时钟相位状态下，被模/数转换器1103采样并转换的数字值。时钟CLK的上沿点表示模/数转换器1103的采样点。
如图10(A)所示，当在紧前面记录的标记为2T信号时(P1、P2、P3)，可采样与-1或者+1的期望值几乎相等的值。但是，如圆1001所示，由于P4的模式是8T，因此下一个模式P5的前端边缘向紧前面的模式P4的最后部分内发生边缘偏移，从而尽管期望值为-1，但还是采样0值。下一个模式P6的前端边缘也同样偏移到紧前面的模式P5的最后部分，从而尽管期望值为+1，但还是采样0值。由此，当对模式P5和P6采样时，就提供给模/数转换器1103的时钟而言，在图10的例子中，最好提供向前偏移了半个时钟的时钟。通过提供这样的时钟，由模/数转换器1103采样的由圆圈1002表示的点将提前半个时钟被模/数转换器1103所采样，从而能够可靠地采样与期望值相同的+1。
因此，电平检测器1104在监视模/数转换器1103的输出的同时，控制选择器1107来依次选择延迟器1106的延迟少的分接抽头，从而选择使与圆圈1002相应的采样点为+1的延迟量。
通过上述来确定紧前面的记录模式为长标记时的最佳时钟相位。
如上述确定的紧前面的记录模式为短标记时的最佳时钟相位和紧前面的记录模式为长标记时的最佳时钟相位将分别被存储到电平检测器1104中。
接下来，实际说明再现用户数据904的情况。当再现用户数据904时，由数据检测器1108监视模/数转换器1103的输出。而且，当目前正再现的模式为预定长度以下的短模式时，从数据检测器1108向电平检测器1104发送信号，以便选择上述存储在电平检测器1104之中的、紧前面的记录模式为短标记时的最佳时钟相位。若接收到所述信号，则电平检测器1104选择分接抽头，以使选择器1107选择紧前面的记录模式为短标记时的最佳时钟相位。另一方面，当目前正再现的模式为预定长度以上的长模式时，从数据检测器1108向电平检测器1104发送信号，以便选择上述存储在电平检测器1104之中的、紧前面的记录模式为长标记时的最佳时钟相位。若接收到所述信号，则电平检测器1104选择分接抽头，以使选择器1107选择紧前面的记录模式为长标记时的最佳时钟相位。
这样，不管紧前面的模式是短模式还是长模式，向模/数转换器1103提供的时钟都可选择到最佳相位。这样，被模/数转换并被数据检测器1108检测出的数据被送入解调电路1109中，从而输出检测到的用户数据321。
如上所述，根据本发明，即使再现的标记的边缘位置发生变化，也能够将采样标记的时钟相位调节为最佳，因此可向记录介质高密度地记录数据。
本发明不限于具体公开的实施例，可在不脱离本发明请求保护的范围内考虑各种变形例和实施例。