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1、(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202180059104.8(22)申请日 2021.07.12(30)优先权数据2020-125414 2020.07.22 JP(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.01.19(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2021/026094 2021.07.12(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/019158 JA 2022.01.27(71)申请人 三井化学东赛璐株式会社地址 日本东京都(72)发明人 安井浩登栗原宏嘉木下仁(74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限公。
2、司 11243专利代理师 李宏轩孔博(51)Int.Cl.C09J 201/00(2006.01)(54)发明名称背面研磨用粘着性膜及电子装置的制造方法(57)摘要一种背面研磨用粘着性膜(50)，其为具备基材层(10)和设置于基材层(10)的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层(20)，且用于保护电子部件(30)的表面的背面研磨用粘着性膜(50)，通过下述方法测定的紫外线固化后的粘着性膜(50)的60 剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下。(方法)按照粘着性树脂层(20)与硅镜面晶片接触的方式，将粘着性膜(50)粘贴于上述硅镜面晶片。接着，对于粘着性膜(50)，在25的环境下，。
3、使用高压水银灯以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线而使粘着性树脂层(20)紫外线固化。接着，使用拉伸试验机，在23、速度150mm/分钟的条件下将粘着性膜(50)从上述硅镜面晶片向60 方向剥离，将此时的强度(N/25mm)设为60 剥离强度。权利要求书1页 说明书15页 附图1页CN 116157486 A2023.05.23CN 116157486 A1.一种背面研磨用粘着性膜，其为具备基材层和设置于所述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层，且用于保护电子部件的表面的背面研磨用粘着性膜，通过下述方法测定的紫外线固化后的所述粘着性膜的6。
4、0 剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下，方法：按照所述粘着性树脂层与硅镜面晶片接触的方式，将所述粘着性膜粘贴于所述硅镜面晶片，接着，对于所述粘着性膜，在25的环境下，使用高压水银灯以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线而使所述粘着性树脂层紫外线固化，接着，使用拉伸试验机，在23、速度150mm/分钟的条件下将所述粘着性膜从所述硅镜面晶片向60 方向剥离，将此时的强度(N/25mm)设为60 剥离强度。2.根据权利要求1所述的背面研磨用粘着性膜，所述粘着性树脂层包含分子中具有聚合性碳碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂和光引发剂。3.根。
5、据权利要求1或2所述的背面研磨用粘着性膜，所述电子部件被半切割、或形成有改性层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的背面研磨用粘着性膜，所述粘着性树脂层的厚度为5 m以上300 m以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的背面研磨用粘着性膜，构成所述基材层的树脂包含选自聚烯烃、聚酯、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、离子交联聚合物、聚砜、聚醚砜和聚苯醚中的一种或两种以上。6.一种电子装置的制造方法，其为至少具备如下工序的电子装置的制造方法：工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的电。
6、子部件和贴合于所述电子部件的所述电路形成面侧的粘着性膜，工序(B)，将所述电子部件的与所述电路形成面侧相反一侧的面进行背面研磨，以及工序(C)，对所述粘着性膜照射紫外线之后，从所述电子部件除去所述粘着性膜，所述粘着性膜为权利要求1至5中任一项所述的背面研磨用粘着性膜。7.根据权利要求6所述的电子装置的制造方法，所述工序(A)包含如下工序：工序(A1)，选自将所述电子部件进行半切割的工序(A11)和对所述电子部件照射激光而在所述电子部件形成改性层的工序(A12)中的至少一种；工序(A2)，在所述工序(A1)之后，在所述电子部件的所述电路形成面侧粘贴所述背面研磨用粘着性膜。权利要求书1/1 页2C。
7、N 116157486 A2背面研磨用粘着性膜及电子装置的制造方法技术领域0001本发明涉及背面研磨用粘着性膜以及电子装置的制造方法。背景技术0002在电子装置的制造工序中，在磨削电子部件的工序中，为了固定电子部件、或防止电子部件的损伤，会在电子部件的电路形成面粘贴粘着性膜。0003这样的粘着性膜一般使用在基材膜上层叠有粘着性树脂层而成的膜。0004伴随着高密度安装技术的进步，要求半导体晶片等电子部件的薄厚度化，例如要求薄厚度加工至50 m以下的厚度。0005作为这样的薄厚度加工之一，有先切割法，即：在电子部件的磨削加工之前，在电子部件的表面形成预定深度的槽，接着进行磨削从而将电子部件单片化。。
8、另外，还有先隐形法，即：在磨削加工之前，对电子部件内部照射激光从而形成改性区域，接着进行磨削从而将电子部件单片化。0006作为这样的先切割法、先隐形法用的粘着性膜相关的技术，例如可列举专利文献1(日本特开201475560号公报)和专利文献2(日本特开201672546号公报)所记载的技术。0007专利文献1中记载了一种表面保护片，其为在基材上具有粘着剂层的表面保护片，满足下述要件(a)(d)。0008(a)上述基材的杨氏模量为450MPa以上0009(b)上述粘着剂层的25时的储能模量为0.10MPa以上0010(c)上述粘着剂层的50时的储能模量为0.20MPa以下0011(d)上述粘着剂。
9、层的厚度为30 m以上0012专利文献1中记载了：这样的表面保护片在工件的背面磨削工序时，能够抑制水从工件被割断而形成的间隙浸入工件的被保护表面(废渣浸入)，防止工件的被保护表面的污染。0013专利文献2中记载了一种半导体晶片表面保护用粘着胶带，其特征在于，具有基材树脂膜和形成于上述基材树脂膜的至少单面侧的放射线固化性的粘着剂层，上述基材树脂膜具有至少一层拉伸弹性模量为110GPa的刚性层，使上述粘着剂层放射线固化之后的剥离角度30 时的剥离力为0.13.0N/25mm。0014专利文献2中记载了：根据这样的半导体晶片表面保护用粘着胶带，能够在应用了先切割法或先隐形法的半导体晶片的背面磨削工序。
10、中，抑制被单片化的半导体芯片的划痕移动(kerf shift)，并且没有破损、污染地对半导体晶片进行加工。0015现有技术文献0016专利文献0017专利文献1：日本特开201475560号公报0018专利文献2：日本特开201672546号公报说明书1/15 页3CN 116157486 A3发明内容0019发明要解决的课题0020根据本发明人等的研究，例如明确了在使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序之后从电子部件剥离粘着性膜时，电子部件侧容易产生残胶。0021本发明是鉴于上述情况而完成的发明，提供能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的。
11、残胶的背面研磨用粘着性膜。0022用于解决课题的方法0023本发明人等为了实现上述课题而反复深入研究。其结果发现：在具备基材层和紫外线固化型的粘着性树脂层的粘着性膜中，通过使用紫外线固化后的60 剥离强度处于特定范围的粘着性树脂层，从而能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶，由此完成了本发明。0024根据本发明，提供以下所示的背面研磨用粘着性膜和电子装置的制造方法。002510026一种背面研磨用粘着性膜，其为具备基材层和设置于上述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层，且用于保护电子部件的表面的背面研磨用粘着性膜，0027通过下述方法测定的紫外线固化后的上。
12、述粘着性膜的60 剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下。0028(方法)0029按照上述粘着性树脂层与硅镜面晶片接触的方式，将上述粘着性膜粘贴在上述硅镜面晶片。接着，对于上述粘着性膜，在25的环境下，使用高压水银灯以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线，使上述粘着性树脂层紫外线固化。接着，使用拉伸试验机，在23、速度150mm/分钟的条件下将上述粘着性膜从上述硅镜面晶片向60 方向剥离，将此时的强度(N/25mm)设为60 剥离强度。003020031根据上述1所述的背面研磨用粘着性膜，0032上述粘着性树脂层包含分子中具有聚合。
13、性碳碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂和光引发剂。003330034根据上述1或2所述的背面研磨用粘着性膜，0035上述电子部件被半切割或形成有改性层。003640037根据上述1至3中任一项所述的背面研磨用粘着性膜，0038上述粘着性树脂层的厚度为5 m以上300 m以下。003950040根据上述1至4中任一项所述的背面研磨用粘着性膜，0041构成上述基材层的树脂包含选自聚烯烃、聚酯、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、离子交联聚合物、聚砜、聚醚砜和聚苯醚中的一种或两种以上。说明书2/15 页4CN。
14、 116157486 A4004260043一种电子装置的制造方法，其至少具备如下工序：0044工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的电子部件以及贴合于上述电子部件的上述电路形成面侧的粘着性膜，0045工序(B)，将上述电子部件的与上述电路形成面侧相反一侧的面进行背面研磨；以及0046工序(C)，对上述粘着性膜照射紫外线之后，从上述电子部件除去上述粘着性膜，0047上述粘着性膜为上述1至5中任一项所述的背面研磨用粘着性膜。004870049根据上述6所述的电子装置的制造方法，0050上述工序(A)包含如下工序：0051工序(A1)，选自将上述电子部件进行半切割的工序(A11)以。
15、及对上述电子部件照射激光而在上述电子部件形成改性层的工序(A12)中的至少一种，0052工序(A2)，在上述工序(A1)之后，在上述电子部件的上述电路形成面侧粘贴上述背面研磨用粘着性膜。0053发明效果0054根据本发明，能够提供一种背面研磨用粘着性膜，其在背面研磨工序之后，能够抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶。附图说明0055图1是示意性表示本发明涉及的实施方式的粘着性膜的结构的一例的截面图。0056图2是示意性表示本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。具体实施方式0057以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，全部附图中，同样的构成要素附上共。
16、同的符号，适当省略说明。另外，图为概略图，与实际的尺寸比率不一致。需要说明的是，只要没有特别说明，数值范围的“AB”就表示A以上B以下。另外，本实施方式中，所谓“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸、甲基丙烯酸或丙烯酸和甲基丙烯酸这两者。00581.粘着性膜0059图1是示意性表示本发明涉及的实施方式的粘着性膜50的结构的一例的截面图。0060如图1所示，本实施方式涉及的背面研磨用粘着性膜50为具备基材层10和设置于基材层10的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层20，且用于保护电子部件30的表面的背面研磨用粘着性膜50，通过下述方法测定的紫外线固化后的粘着性膜50的60 剥离强度为0.4N/25mm以上。
17、5.0N/25mm以下。0061(方法)0062按照粘着性树脂层20与硅镜面晶片接触的方式，将粘着性膜50粘贴在上述硅镜面晶片。接着对于粘着性膜50，在25的环境下，使用高压水银灯以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线而使粘着性树脂层20紫外线固化。接着，使用说明书3/15 页5CN 116157486 A5拉伸试验机，在23、速度150mm/分钟的条件下将粘着性膜50从上述硅镜面晶片向60 方向剥离，将此时的强度(N/25mm)设为60 剥离强度。0063如上所述，根据本发明人等的研究，明确了例如在使用先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中。
18、，在背面研磨工序之后从电子部件30剥离粘着性膜50时，在电子部件30侧容易产生残胶。0064其理由尚不清楚，但与通常的电子部件30的背面研磨工序不同，需要从被割断的电子部件30剥离背面研磨用粘着性膜50，因此认为在被割断的电子部件30的边缘部容易产生残胶。0065本发明人等为了实现上述课题而反复深入研究。其结果首先发现，在具备基材层10和紫外线固化型的粘着性树脂层20的粘着性膜50中，通过使紫外线固化后的粘着性树脂层20的60 剥离强度处于上述范围，从而能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件30剥离粘着性膜50时的电子部件30侧的残胶。0066本实施方式涉及的粘着性膜50中，从防止对各种表面状。
19、态的晶片的残胶的观点考虑，紫外线固化后的粘着性膜50的60 剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下，但优选为3.0N/25mm以下，更优选为2.5N/25mm以下。0067紫外线固化后的粘着性膜50的60 剥离强度例如可以通过控制构成粘着性树脂层20的粘着性树脂、交联剂、光引发剂的种类、配合比例、粘着性树脂中的各单体的种类、含有比例来控制于上述范围内。0068从机械特性与操作性的平衡考虑，本实施方式涉及的粘着性膜50整体的厚度优选为50 m以上600 m以下，更优选为50 m以上400 m以下，进一步优选为50 m以上300 m以下。0069本实施方式涉及的粘着性膜50可以在不。
20、损害本发明的效果的范围内，在各层之间设置凹凸吸收性树脂层、粘接层、抗静电层(未图示)等其他层。根据凹凸吸收性树脂层，能够提高粘着性膜50的凹凸吸收性。根据粘接层，能够提高各层之间的粘接性。另外，根据抗静电层，能够提高粘着性膜50的抗静电性。0070本实施方式涉及的粘着性膜50在电子装置的制造工序中用于保护电子部件30的表面，更具体地说，在作为电子装置的制造工序之一的磨削电子部件30的工序(也称为背面研磨工序)中，作为用于保护电子部件30的电路形成面30A(即包含电路图案的电路面)的背面研磨胶带来使用。具体地说，在电子部件30的电路形成面30A粘贴粘着性膜50来进行保护，用于对与该电路形成面30。
21、A相反一侧的面进行磨削的工序中。特别是在使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序之后从电子部件30剥离粘着性膜50时，在电子部件30侧容易产生残胶，因此在使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，可以适合应用本实施方式涉及的粘着性膜50。0071这里，先切割法中，电子部件30如图1所示被半切割。另外，先隐形法中，电子部件30形成有通过激光照射而形成的改性层(在电子部件30的内部通过激光进行了内部加工的区域)。0072接着，对于构成本实施方式涉及的粘着性膜50的各层进行说明。0073基材层0074基材层10是以使粘着性膜50的操作性、机械特性、耐热性等特性变得更良。
22、好为目的而设置的层。说明书4/15 页6CN 116157486 A60075基材层10只要具有能够耐受加工电子部件30时施加的外力的机械强度就没有特别限定，例如可列举树脂膜。0076作为构成基材层10的树脂，例如可列举选自聚乙烯、聚丙烯、聚(4甲基1戊烯)、聚(1丁烯)等聚烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；尼龙6、尼龙66、聚间苯二甲酰胺等聚酰胺；(甲基)丙烯酸系树脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；乙烯乙酸乙烯酯共聚物；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；离子交联聚合物；聚砜；聚醚砜；聚醚醚酮等中的一种或两种以上。0077其中，从使机械物性。
23、和透明性变得良好的观点考虑，优选为选自聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚酰亚胺、乙烯乙酸乙烯酯共聚物和聚对苯二甲酸丁二醇酯中的一种或两种以上，更优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或两种以上。0078基材层10可以为单层，也可以为两种以上的层。0079另外，作为用于形成基材层10的树脂膜的形态，可以为拉伸膜，也可以为沿单轴方向或双轴方向拉伸的膜，但从提高基材层10的机械强度的观点考虑，优选为沿单轴方向或双轴方向拉伸的膜。从抑制磨削后的电子部件30的翘曲的观点考虑，基材层10优选为预先进行了退火处理的层。为了改良与其他层的粘接性，基材层10也可以进。
24、行表面处理。具体地说，可以进行电晕处理、等离子体处理、下涂(under coat)处理、底涂(primer coat)处理等。0080从获得良好的膜特性的观点考虑，基材层10的厚度优选为20 m以上250 m以下，更优选为30 m以上200 m以下，进一步优选为50 m以上150 m以下。0081粘着性树脂层0082本实施方式涉及的粘着性膜50具备紫外线固化型的粘着性树脂层20。0083粘着性树脂层20是设置于基材层10的一面侧的层，是在将粘着性膜50粘贴在电子部件30的电路形成面30A时，与电子部件30的电路形成面30A接触并粘着的层。0084构成粘着性树脂层20的粘着剂，可列举(甲基)丙烯。
25、酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂、苯乙烯系粘着剂等。其中，从能够容易地调节粘接力方面等出发，优选为将(甲基)丙烯酸系树脂作为基础聚合物的(甲基)丙烯酸系粘着剂。0085另外，作为构成粘着性树脂层20的粘着剂，优选使用通过紫外线使粘着力降低的紫外线交联型粘着剂。0086由紫外线交联型粘着剂构成的粘着性树脂层20由于通过紫外线的照射而交联，粘着力显著地减少，因此容易从粘着性膜50剥离电子部件30。0087作为(甲基)丙烯酸系粘着剂中所含的(甲基)丙烯酸系树脂，例如可列举(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物与共聚单体的共聚物等。作为(甲基)丙烯酸酯化合物。
26、，例如可列举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2乙基己酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。这些(甲基)丙烯酸酯化合物可以单独使用一种，也可以并用两种以上来使用。0088另外，作为构成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚单体，例如可列举乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯酰胺、羟甲基(甲基)丙烯酰胺、马来说明书5/15 页7CN 116157486 A7酸酐等。这些共聚单体可以单独使用一种，也可以并用两种以上来使用。0089作为紫外线交联型的(甲基)丙烯酸。
27、系粘着剂，可以例示如下的粘着剂，即：包含分子中具有聚合性碳碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂和光引发剂，且根据需要通过交联剂使上述(甲基)丙烯酸系树脂交联而获得的粘着剂。紫外线交联型的(甲基)丙烯酸系粘着剂可以进一步包含分子内具有两个以上聚合性碳碳双键的低分子量化合物。0090分子中具有聚合性碳碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂具体如下操作而获得。首先，使具有乙烯性双键的单体与具有官能团(P)的共聚性单体共聚。接着，使该共聚物中所含的官能团(P)和具有能够与该官能团(P)发生加成反应、缩合反应等的官能团(Q)的单体在残留该单体中的双键的状态下进行反应，向共聚物分子中导入聚合性碳碳双键。0091作为上述具有。
28、乙烯性双键的单体，例如从(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸2乙基己酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸烷基酯和甲基丙烯酸烷基酯单体、乙酸乙烯酯那样的乙烯基酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、苯乙烯等具有乙烯性双键的单体中，使用一种或两种以上。0092作为上述具有官能团(P)的共聚性单体，可列举(甲基)丙烯酸、马来酸、(甲基)丙烯酸2羟基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、N羟甲基(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯等。它们可以为一种，也可以组合两种以上来使用。0093上述具有乙烯性双键的单体与具有官能团(P)的共聚性单体的比例优选的是：上述具有乙烯性双键的单体为7099。
29、质量，具有官能团(P)的共聚性单体为130质量。进一步优选的是：上述具有乙烯性双键的单体为8095质量，具有官能团(P)的共聚性单体为520质量。0094作为上述具有官能团(Q)的单体，例如可列举与上述具有官能团(P)的共聚性单体同样的单体。0095作为在具有乙烯性双键的单体与具有官能团(P)的共聚性单体的共聚物中导入聚合性碳碳双键时发生反应的官能团(P)与官能团(Q)的组合，期望为羧基与环氧基、羧基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等容易发生加成反应的组合。另外，不限于加成反应，如羧酸基与羟基的缩合反应等，只要是能够容易导入聚合性碳碳双键的反应就可以使用任何反应。0096作为分子中具有两个以上聚合。
30、性碳碳双键的低分子量化合物，例如可列举三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二(三羟甲基丙烷)四丙烯酸酯等。它们可以使用一种或两种以上。分子中具有两个以上聚合性碳碳双键的低分子量化合物的添加量相对于上述(甲基)丙烯酸系树脂100质量份，优选为0.120质量份，更优选为518质量份。0097作为光引发剂，例如可列举苯偶姻、异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯乙酮二乙基缩酮、苯偶酰二甲基缩酮。
31、、1羟基环己基苯基酮、2羟基2甲基1苯基丙烷1酮、2苄基2二甲基氨基4吗啉代苯丁酮、2,2二甲氧基2苯基苯乙酮、2二甲基氨基2(4甲基苄基)1(4吗啉4基苯基)丁烷1酮等。它们可以使用一种或两种以上。光引发剂的添加量相对于上述(甲基)丙烯酸系树脂100质量份优选为0.115质量份，更优选为110质量份，进说明书6/15 页8CN 116157486 A8一步优选为410质量份。0098可以在上述紫外线固化型粘着剂中添加交联剂。作为交联剂，例如可列举山梨糖醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚缩水甘油醚、季戊四醇聚缩水甘油醚、二甘油聚缩水甘油醚等环氧系化合物；四羟甲基甲烷三 氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷三 氮。
32、丙啶基丙酸酯、N,N二苯基甲烷4,4双(1氮丙啶羧基酰胺)、N,N六亚甲基1,6双(1氮丙啶羧基酰胺)等氮丙啶系化合物；四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、多异氰酸酯等异氰酸酯系化合物等。上述紫外线固化型粘着剂可以为溶剂型、乳液型、热熔型等的任一者。0099交联剂的含量通常优选为交联剂中的官能团数不多于(甲基)丙烯酸系树脂中的官能团数的程度的范围。但是，在因交联反应而新产生官能团的情况下、交联反应慢的情况下等也可以根据需要过量地含有。0100从提高粘着性树脂层20的耐热性、与密合力的平衡的观点考虑，(甲基)丙烯酸系粘着剂中的交联剂的含量相对于(甲基)丙烯酸系树脂100质量份，优选为0.1质。
33、量份以上15质量份以下，优选为0.5质量份以上5质量份以下。0101粘着性树脂层20例如可以通过在基材层10上涂布粘着剂涂布液而形成。0102作为涂布粘着剂涂布液的方法，例如可以采用辊涂法、反向辊涂法、凹版辊法、棒涂法、缺角轮涂布法、模涂法等以往公知的涂布方法。涂布后的粘着剂的干燥条件没有特别限制，一般而言，优选在80200的温度范围内，干燥10秒10分钟。进一步优选在80170干燥15秒5分钟。为了充分促进交联剂与(甲基)丙烯酸系树脂的交联反应，也可以在粘着剂涂布液的干燥结束后，在4080加热5300小时左右。0103本实施方式涉及的粘着性膜50中，粘着性树脂层20的厚度优选为5 m以上30。
34、0 m以下，更优选为10 m以上100 m以下，进一步优选为10 m以上50 m以下。如果粘着性树脂层20的厚度在上述范围内，则对于电子部件30的表面的粘着性与操作性的平衡良好。01042.电子装置的制造方法0105图2是示意性表示本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。0106本实施方式涉及的电子装置的制造方法例如至少具备以下三个工序。0107(A)准备结构体100的工序，所述结构体100具备具有电路形成面30A的电子部件30和贴合于电子部件30的电路形成面30A侧的粘着性膜50，0108(B)将电子部件30的与电路形成面30A侧相反一侧的面进行背面研磨的工序，以及0109(。
35、C)对粘着性膜50照射紫外线之后从电子部件30除去粘着性膜50的工序。0110而且，作为粘着性膜50，使用本实施方式涉及的粘着性膜50。本实施方式涉及的电子装置的制造方法的特征在于，将电子部件30的背面进行磨削时，使用本实施方式涉及的粘着性膜50作为所谓的背面研磨胶带。0111以下，对本实施方式涉及的电子装置的制造方法的各工序进行说明。0112(工序(A)0113首先，准备结构体100，所述结构体100具备具有电路形成面30A的电子部件30和贴合于电子部件30的电路形成面30A侧的粘着性膜50。0114这样的结构体100例如可以如下制作：从粘着性膜50的粘着性树脂层20剥离脱模膜，使粘着性树脂。
36、层20的表面露出，在该粘着性树脂层20上粘贴电子部件30的电路形成面说明书7/15 页9CN 116157486 A930A而制作。0115这里，在粘着性膜50粘贴电子部件30的电路形成面30A时的条件没有特别限定，例如可以设为：温度为2080、压力为0.050.5MPa、粘贴速度为0.520mm/秒。0116工序(A)优选进一步包含工序(A1)和工序(A2)，工序(A1)是选自将电子部件30进行半切割的工序(A11)以及对电子部件30照射激光而在电子部件30形成改性层的工序(A12)中的至少一种；工序(A2)是在工序(A1)之后，在电子部件30的电路形成面30A侧粘贴背面研磨用粘着性膜50。。
37、0117如上所述，本实施方式涉及的粘着性膜50可以适合用于使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺。因此，优选进行作为先切割法的上述工序(A11)、作为先隐形法的上述工序(A12)的制造方法。0118工序(A2)中，能够将粘着性膜50加热而粘贴在电子部件30的电路形成面30A。由此，能够使粘着性树脂层20与电子部件30的粘接状态长时间地良好。作为加热温度没有特别限定，例如为6080。0119虽然将粘着性膜50粘贴在电子部件30的操作也有时通过人工来进行，但一般能够通过安装有卷状的粘着性膜的被称为自动粘贴机的装置来进行。0120作为粘贴于粘着性膜50的电子部件30没有特别限定，优选为具有电。
38、路形成面30A的电子部件30。例如可列举半导体晶片、环氧模塑晶片、模塑面板、模塑阵列封装、半导体基板等，优选为半导体晶片和环氧模塑晶片。0121另外，半导体晶片例如可列举硅晶片、蓝宝石晶片、锗晶片、锗砷晶片、镓磷晶片、镓砷铝晶片、镓砷晶片、钽酸锂晶片等，但适合用于硅晶片。关于环氧模塑晶片，可列举通过作为扇出型WLP的制作方法之一的eWLB(Embedded Wafer Level Ball Grid Array，嵌入式晶片级球栅阵列)工艺来制作的晶片。0122作为具有电路形成面的半导体晶片和环氧模塑晶片没有特别限定，例如用于表面形成有配线、电容器、二极管或晶体管等电路的晶片。另外，也可以对电路。
39、形成面进行等离子体处理。0123电子部件30的电路形成面30A例如也可以通过具有凸块电极等而形成凹凸面。0124另外，凸块电极例如是：在将电子装置安装于安装面时，与形成在安装面的电极接合，从而形成电子装置与安装面(印刷基板等的安装面)之间的电连接的凸块电极。0125作为凸块电极，例如可列举球凸块、印刷凸块、钉头凸块(Stud bump)、镀敷凸块、立柱凸块等。即，凸块电极通常为凸电极。这些凸块电极可以单独使用一种也可以并用两种以上。0126凸块电极的高度和直径没有特别限定，分别优选为10400 m，更优选为50300 m。此时的凸块间距也没有特别限定，优选为20600 m，更优选为100500。
40、 m。0127另外，构成凸块电极的金属种类没有特别限定，例如可列举焊料、银、金、铜、锡、铅、铋和它们的合金等，但粘着性膜50适合用于凸块电极为焊料凸块的情况。这些金属种类可以单独使用一种也可以并用两种以上。0128(工序(B)0129接着，将电子部件30的与电路形成面30A侧相反一侧的面(也称为背面。)进行背面研磨。说明书8/15 页10CN 116157486 A100130这里，所谓进行背面研磨是指将电子部件30没有破损地进行薄化加工至预定的厚度。0131例如在磨削机的夹盘台等上固定结构体100，将电子部件30的背面(电路非形成面)进行磨削。0132在这样的背面磨削操作中，电子部件30被磨。
41、削至厚度成为所期望的厚度以下。磨削之前的电子部件30的厚度根据电子部件30的直径、种类等适当确定，磨削之后的电子部件30的厚度根据所获得的芯片的尺寸、电路的种类等适当确定。0133另外，在电子部件30被半切割、或通过激光照射形成改性层的情况下，如图1所示，通过工序(B)，电子部件30被单片化。0134作为背面磨削方式，没有特别限定，可以采用公知的磨削方式。各个磨削能够一边将水施与电子部件30和磨削石进行冷却一边进行。根据需要，在磨削工序的最后可以进行作为不使用磨削水的磨削方式的干式抛光工序。背面磨削结束后，根据需要进行化学蚀刻。化学蚀刻通过如下方法进行，即：在选自由包含氢氟酸、硝酸、硫酸、乙酸。
42、等单独或混合液的酸性水溶液、氢氧化钾水溶液、氢氧化钠水溶液等碱性水溶液组成的组中的蚀刻液中，以贴有粘着性膜50的状态浸渍电子部件30等的方法。该蚀刻出于以下目的而进行：在电子部件30的背面产生的应变的除去、电子部件30的进一步薄层化、氧化膜等的除去、在背面形成电极时的前处理等目的。蚀刻液根据上述目的而适当选择。0135(工序(C)0136接着，对粘着性膜50照射紫外线后，从电子部件30除去粘着性膜50。在工序(C)中，对于粘着性膜50，例如照射200mJ/cm2以上2000mJ/cm2以下的剂量的紫外线从而使粘着性树脂层20紫外线固化，使粘着性树脂层20的粘着力降低之后，从电子部件30除去粘着。
43、性膜50。0137另外，紫外线照射例如可以使用高压水银灯，使用主波长365nm的紫外线来进行。0138紫外线的照射强度例如为50mW/cm2以上500mW/cm2以下。0139也可以在从电子部件30除去粘着性膜之前，在切割胶带、或带晶片粘结膜的切割胶带上安装电子部件30。从电子部件30除去粘着性膜50的操作有时通过人工来进行，但是一般能够通过被称为自动剥离机的装置来进行。0140剥离粘着性膜50后的电子部件30的表面也可以根据需要进行洗涤。作为洗涤方法，可列举水洗涤、溶剂洗涤等湿式洗涤、等离子体洗涤等干式洗涤等。在湿式洗涤的情况下，也可以并用超声波洗涤。这些洗涤方法可以根据电子部件30的表面的。
44、污染状况来适当选择。0141(其他工序)0142在进行工序(A)工序(C)之后，也可以进一步进行将所获得的半导体芯片安装于电路基板的工序等。这些工序能够基于公知的信息来进行。0143以上，对于本发明的优选实施方式进行了描述，但是它们是本发明的例示，也可以采用上述以外的各种构成。0144实施例0145以下，通过实施例和比较例具体地说明本发明，但本发明并不限定于此。0146关于粘着性膜的制作的详细情况如下。0147基材层说明书9/15 页11CN 116157486 A110148基材层1：聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东洋纺公司制，制品名：E7180，厚度：50 m，单面电晕处理品)0149基材层2：。
45、包含低密度聚乙烯膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/低密度聚乙烯膜的层叠膜(总厚度：110 m)0150在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东丽公司制，制品名：Lumirror S10，厚度：50 m)的两侧层压低密度聚乙烯膜(密度：0.925kg/m3，厚度：30 m)而获得。对所获得的层叠膜的单侧实施电晕处理。0151基材层3：包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/乙烯乙酸乙烯酯共聚物膜/丙烯酸膜的层叠膜(总厚度：145 m)0152将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东洋纺公司制，制品名：E7180，厚度：50 m)和乙烯乙酸乙烯酯共聚物(三井陶氏聚合化学株式会社制，MFR：2.5g/10分钟)膜(厚度：70 m)，通过对乙。
46、烯乙酸乙烯酯共聚物膜的与聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的贴合面侧实施电晕处理而层叠。进一步，对于乙烯乙酸乙烯酯共聚物膜的与聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的相反面侧也实施了电晕放电处理。0153接着，在经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(隔膜)的脱模面上，将以下所示的基材用的丙烯酸系树脂涂布液以干厚度成为20 m的方式涂布并干燥，借由乙烯乙酸乙烯酯共聚物膜贴合于上述包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/乙烯乙酸乙烯酯共聚物膜的层叠膜上，进行熟化(40，3天)。接着，剥离隔膜，获得了基材层3。0154基材用的丙烯酸系树脂涂布液0155作为聚合引发剂，使用0.5质量份4,4偶氮双4氰基戊酸(大塚化学公司制，制品名：ACVA)。
47、，使丙烯酸丁酯74质量份、甲基丙烯酸甲酯14质量份、甲基丙烯酸2羟基乙酯9质量份、甲基丙烯酸2质量份、丙烯酰胺1质量份、聚氧乙烯壬基丙烯基苯基醚硫酸铵的水溶液(第一工业制药公司制，制品名：Aquaron HS1025)3质量份在去离子水中在70乳液聚合9小时。聚合结束后，用氨水调节为PH7，获得固体成分浓度42.5的丙烯酸聚合物水系乳液。接着，相对于该丙烯酸聚合物水系乳液100质量份，使用氨水，调节为ph9以上，并且配合氮丙啶系交联剂 日本触媒化学工业制，Chemitite PZ33 0.75质量份、及二乙二醇单丁基醚5质量份，获得了基材用的涂布液。0156(甲基)丙烯酸系树脂溶液0157(甲。
48、基)丙烯酸系树脂溶液1：0158使丙烯酸乙酯49质量份、丙烯酸2乙基己酯20质量份、丙烯酸甲酯21质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯10质量份、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰系聚合引发剂0.5质量份在甲苯65质量份和乙酸乙酯50质量份中，在80反应10小时。反应结束后，将获得的溶液冷却，在冷却后的溶液中添加二甲苯25质量份、丙烯酸5质量份和十四烷基二甲基苄基氯化铵0.5质量份，一边吹入空气一边在85反应32小时，获得(甲基)丙烯酸系树脂溶液1。0159(甲基)丙烯酸系树脂溶液2：0160使丙烯酸正丁酯77质量份、甲基丙烯酸甲酯16质量份、丙烯酸2羟基乙酯16质量份、和作为聚合引发剂的叔丁基过氧化2乙。
49、基己酸酯0.3质量份在甲苯20质量份和乙酸乙酯80质量份中，在85反应10小时。反应结束后，将该溶液冷却，在其中添加甲苯30质量份、甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工制，制品名：karenz MOI)7质量份和二月桂酸二丁说明书10/15 页12CN 116157486 A12基锡0.05质量份，一边吹入空气一边在85反应12小时，获得(甲基)丙烯酸系树脂溶液2。0161(甲基)丙烯酸系树脂溶液3：0162使丙烯酸乙酯30质量份、丙烯酸甲酯11质量份、丙烯酸2乙基己酯26质量份、甲基丙烯酸2羟基乙酯7质量份、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰系聚合引发剂0.8质量份在甲苯7质量份和乙酸乙酯50质。
50、量份中，在80反应9小时。反应结束后，将获得的溶液冷却，在冷却后的溶液中添加甲苯25质量份，获得(甲基)丙烯酸系树脂溶液3。0163粘着性膜的制作0164通过在丙烯酸系树脂溶液中添加表1所示的添加剂，从而调制粘着性树脂层用的粘着剂涂布液。将该涂布液涂布于经有机硅脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(隔膜)上。接着，在120干燥3分钟，形成厚度20 m的粘着性树脂层，贴合于基材层。对于基材层1和2，贴合于电晕处理面。对于基材层3，剥离隔膜，贴合于丙烯酸层侧。利用烘箱将所获得的层叠体在40加热3天，制作粘着性膜。0165粘着性膜的评价方法0166(1)紫外线固化后的60 剥离强度0167将硅镜面晶片。