像素结构及其制造方法.pdf

本发明公开了一种像素结构，包含第一图案化金属层、栅极绝缘层、半导体通道层、第二图案化金属层、保护层、多个第一接触孔和第二接触孔以及导电层。第一接触孔和第二接触孔同时形成于第一图案化金属层上的部分区域和第二图案化金属层上的部分区域上。第二图案化金属层中的栅极线通过导电层经第一接触孔和第二接触孔，与第一图案化金属层中的栅极延伸电极电性连接。第二图案化金属层中的源极通过导电层经第一接触孔和第二接触孔，与第一图案化金属层中的数据线段电性连接。此外，一种像素结构的制造方法也在此揭露。

1.  一种像素结构的制造方法，其特征在于，包含：
形成一第一图案化金属层于一基板上，该第一图案化金属层包含一栅极、一栅极延伸电极、一第一数据线段以及一第二数据线段；
形成一栅极绝缘层覆盖于该基板以及该第一图案化金属层上；
形成一半导体通道层于该栅极上方的该栅极绝缘层上；
形成一第二图案化金属层于该栅极绝缘层和该半导体通道层上，该第二图案化金属层包含一源极、一漏极、一栅极线以及一共通电极，其中该源极和该漏极对应于该栅极两侧上方的该半导体通道层上，该共通电极位于该第一数据线段的上方；
形成一保护层覆盖于该栅极绝缘层和该第二图案化金属层上；
同时形成多个第一接触孔以及多个第二接触孔，其中该些第一接触孔分别露出该第一图案化金属层中的该栅极延伸电极和该第二数据线段，该些第二接触孔分别露出该第二图案化金属层中的该栅极线、部分该源极以及部分该漏极；以及
形成一导电层覆盖该些第一接触孔和该些第二接触孔，使得该第二图案化金属层中的该栅极线通过该导电层经该第一接触孔和该第二接触孔与该第一图案化金属层中的该栅极延伸电极电性连接，且该第二图案化金属层中的该源极通过该导电层经该第一接触孔和该第二接触孔与该第一图案化金属层中的该第二数据线段电性连接。

2.  根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，同时形成该些第一接触孔和该些第二接触孔的步骤更包含：
蚀刻该第一图案化金属层上方的该栅极绝缘层和该保护层。

3.  根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该导电层为一图案化透明导电层。

4.  根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该导电层包含一栅极线连接电极，该栅极线连接电极电性连接该栅极线和该栅极延伸电极。

5.  根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该导电层包含一数据线连接电极，该数据线连接电极电性连接该源极和该第二数据线段。

6.  根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，同时形成该些第一接触孔以及该些第二接触孔的步骤利用同一道光掩模工艺完成。

7.  根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，形成该些第一接触孔以分别露出该第一图案化金属层中的该栅极延伸电极和该第二数据线段的步骤包含：
移除该栅极延伸电极上方的部分该栅极绝缘层及该保护层以及移除该第二数据线段上方的部分该栅极绝缘层及该保护层。

8.  根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，形成该些第二接触孔以分别露出该第二图案化金属层中的该栅极线、部分该源极以及部分该漏极的步骤包含：
移除该栅极线上方、该源极上方以及该漏极上方的部分该保护层。

9.  根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该导电层包含一像素电极，该像素电极覆盖该漏极上的该第二接触孔。

10.  一种像素结构，其特征在于，包含：
一第一图案化金属层，配置于一基板上，并包含一栅极、一栅极延伸电极、以及一第一数据线段以及一第二数据线段；
一栅极绝缘层，覆盖于该基板以及该第一图案化金属层上；
一半导体通道层，配置于该栅极上方的该栅极绝缘层上；
一第二图案化金属层，配置于该栅极绝缘层和该半导体通道层上，并包含一源极、一漏极、一栅极线以及一共通电极，其中该源极和该漏极位于对应该栅极两侧上方的该半导体通道层上，该共通电极位于该第一数据线段的上方；
一保护层，覆盖于该栅极绝缘层和该第二图案化金属层上；
多个第一接触孔以及第二接触孔，同时形成于该第一图案化金属层上的部分区域和该第二图案化金属层上的部分区域上，该些第一接触孔露出该第一图案化金属层中的该栅极延伸电极和该第二数据线段，该些第二接触孔露出该第二图案化金属层中的该栅极线、该源极以及该漏极；以及
一导电层，覆盖该些第一接触孔和该些第二接触孔，该第二图案化金属层中的该栅极线通过该导电层经该第一接触孔和该第二接触孔与该第一图案化金属层中的该栅极延伸电极电性连接，且该第二图案化金属层中的该源极通过该导电层经该第一接触孔和该第二接触孔与该第一图案化金属层中的该第二数据线段电性连接。

11.  根据权利要求10所述的像素结构，其特征在于，该导电层为一图案化透明导电层。

12.  根据权利要求10所述的像素结构，其特征在于，该导电层包含一栅极线连接电极，该栅极线连接电极电性连接该栅极线和该栅极延伸电极。

13.  根据权利要求10所述的像素结构，其特征在于，该导电层包含一数据线连接电极，该数据线连接电极电性连接该源极和该第二数据线段。

14.  根据权利要求10所述的像素结构，其特征在于，该导电层包含一像素电极，该像素电极覆盖该漏极上的该第一接触孔。

像素结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示结构及其制造方法，尤其涉及一种液晶显示器中的像素结构及其制造方法。
背景技术
对液晶显示器而言，其中像素开口率的大小会直接影响到背光源的利用率，也会影响显示器的显示亮度，而影响开口率设计大小的最主要因素，在于像素电极与数据线之间的距离。不过，当像素电极与数据线过于接近，其间的杂散电容会变大，导致像素电极上充饱的电荷在下个画面转换前，会因数据线传送不同电压信号而受到影响，进而产生串音效应(cross talk)。
现有技术是在像素电极和数据线之间加入一层共通电极，并通过所加入的共通电极来遮蔽杂散电容Cpd所产生的效应。然而，以上述方法来制作像素结构，不仅需要使用多层的绝缘层，同时更需要额外的金属层来作为遮蔽用的共通电极。如此一来，不仅使得工艺的步骤和复杂度增加，也直接增加了制作的时间和成本。
发明内容
本发明的目的是在提供一种像素结构的制造方法，借以节省像素结构的制作时间和成本。
本发明的目的是在提供一种像素结构，借以获得较佳的像素显示质量。
为实现上述目的，本发明提供一种像素结构的制造方法，其包含：形成一第一图案化金属层于一基板上，其中第一图案化金属层包含一栅极、一栅极延伸电极、一第一数据线段以及一第二数据线段；形成一栅极绝缘层覆盖于基板以及第一图案化金属层上；形成一半导体通道层于栅极上方的栅极绝缘层上；形成一第二图案化金属层于栅极绝缘层和半导体通道层上，其中第二图案化金属层包含一源极、一漏极、一栅极线以及一共通电极，且源极和漏极对应于栅极两侧上方的半导体通道层上，共通电极位于第一数据线段的上方；形成一保护层覆盖于栅极绝缘层和第二图案化金属层上；同时形成多个第一接触孔以及多个第二接触孔，其中该些第一接触孔分别露出第一图案化金属层中的栅极延伸电极和第二数据线段，而该些第二接触孔分别露出第二图案化金属层中的栅极线、部分源极以及部分漏极；以及形成一导电层覆盖该些第一接触孔和该些第二接触孔，使得第二图案化金属层中的栅极线通过导电层经第一接触孔和第二接触孔与第一图案化金属层中的栅极延伸电极电性连接，且第二图案化金属层中的源极通过导电层经第一接触孔和第二接触孔与第一图案化金属层中的第二数据线段电性连接。
为实现上述目的，本发明提供一种像素结构，其包含一第一图案化金属层、一栅极绝缘层、一半导体通道层、一第二图案化金属层、一保护层、多个第一接触孔和第二接触孔以及一导电层。第一图案化金属层配置于一基板上，并包含一栅极、一栅极延伸电极、一第一数据线段以及一第二数据线段。栅极绝缘层覆盖于基板以及第一图案化金属层上。半导体通道层配置于栅极上方的栅极绝缘层上。第二图案化金属层配置于栅极绝缘层和半导体通道层上，并包含一源极、一漏极、一栅极线以及一共通电极，其中源极和漏极位于对应栅极两侧上方的半导体通道层上，共通电极位于第一数据线段的上方。保护层覆盖于栅极绝缘层和第二图案化金属层上。该些第一接触孔和第二接触孔同时形成于第一图案化金属层上的部分区域和第二图案化金属层上的部分区域上，且该些第一接触孔露出第一图案化金属层中的栅极延伸电极和第二数据线段，该些第二接触孔露出第二图案化金属层中的栅极线、源极以及漏极。导电层覆盖该些第一接触孔和该些第二接触孔，且第二图案化金属层中的栅极线通过导电层经第一接触孔和第二接触孔与第一图案化金属层中的栅极延伸电极电性连接，第二图案化金属层中的源极通过导电层经第一接触孔和第二接触孔与第一图案化金属层中的第二数据线段电性连接。
根据本发明的技术内容，应用前述像素结构及其制造方法，可减少制作像素结构所需的步骤和复杂度，减低制作时间和成本。
附图说明
图1A至图1E为依照本发明的实施例绘示一种像素结构其制作流程的上视示意图。
图2A至图2E为分别为图1A至图1E中沿剖线AA’、剖线BB’以及剖线CC’所绘示的剖面示意图。
其中，附图标记：