坐标检测装置.pdf

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摘要
申请专利号:

CN200910134590.6

申请日:

2009.04.23

公开号:

CN101566904A

公开日:

2009.10.28

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情:

授权|||实质审查的生效|||公开

IPC分类号:

G06F3/045

主分类号:

G06F3/045

申请人:

富士通电子零件有限公司

发明人:

近藤幸一; 古川正三; 关泽光洋; 中岛孝

地址:

日本东京都

优先权:

2008.4.23 JP 2008-112957

专利代理机构:

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人:

郭 放

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内容摘要

本发明提供一种坐标检测装置,其中,在绝缘材料制的基板上形成有电阻膜。公共电极对上述电阻膜施加电压,该公共电极沿多个电阻膜去除区域延伸,该多个电阻膜去除区域是通过去除了上述电阻膜的一部分而形成的。电压施加部对上述公共电极施加电压。从上述电压施加部经由上述公共电极对上述电阻膜施加电压,以在上述电阻膜中发生电位分布。通过检测上述电阻膜的接触位置处的电位,来检测上述电阻膜的接触位置的坐标位置。

权利要求书

1.  一种坐标检测装置,包括:
电阻膜,形成在绝缘材料制的基板上;
公共电极,被配置为对上述电阻膜施加电压,该公共电极沿多个电阻膜去除区域延伸,该多个电阻膜去除区域是通过去除了上述电阻膜的一部分而形成的;以及
电压施加部,被配置为对上述公共电极施加电压,
其中,从上述电压施加部经由上述公共电极对上述电阻膜施加电压,以在上述电阻膜中产生电位分布;以及
通过检测上述电阻膜的接触位置处的电位,来检测上述电阻膜被接触的位置的坐标位置。

2.
  根据权利要求1所述的坐标检测装置,其中,所述公共电极在所述电阻膜去除区域中延伸。

3.
  根据权利要求1所述的坐标检测装置,其中,所述公共电极在所述电阻膜去除区域附近延伸,并且其中上述公共电极与上述电阻膜去除区域之间的间隔大于等于0mm且小于等于5mm。

4.
  根据权利要求1~3的任一项所述的坐标检测装置,其中,
在被上述公共电极围绕的区域的内侧上,沿着上述公共电极形成有多个第二电阻膜去除区域,
上述公共电极与上述第二电阻膜去除区域之间的间隔大于等于0mm且小于等于5mm。

5.
  根据权利要求1~4的任一项所述的坐标检测装置,还包括形成在所述公共电极上的绝缘膜,所述绝缘膜具有位于所述公共电极的预定位置处的贯通孔,以便于通过在所述贯通孔内填充导电材料来形成驱动电压施加部,通过该驱动电压施加部对电阻膜施加电压。

6.
  根据权利要求1~5的任一项所述的坐标检测装置,其中,
所述电阻膜去除区域被配置为使得当通过所述电压施加部对所述电阻膜施加电压时,在所述电阻膜中产生均匀的电位分布。

7.
  根据权利要求6所述的坐标检测装置,其中,
所述电阻膜去除区域被配置为使得所述公共电极与所述电阻膜间的接触面积从所述基板的每个边的中间部分向所述边的两端部逐渐减小。

8.
  根据权利要求6所述的坐标检测装置,其中,
所述电阻膜去除区域被配置为使得每单位长度上所述电阻膜去除区域的数量从所述基板的每个边的中间部分向所述边的两端部减少。

9.
  根据权利要求6所述的坐标检测装置,其中,
分别形成有所述电阻膜去除区域的部分的节距相互相等,
所述电阻膜去除区域被配置为使得在所述电阻膜中产生均匀的电位分布。

10.
  根据权利要求6所述的坐标检测装置,其中,
相邻的所述电阻膜去除区域间的间隔相互相等,
分别形成有所述电阻膜去除区域的部分的节距被设置为使得在所述电阻膜中产生均匀的电位分布。

11.
  根据权利要求6所述的坐标检测装置,其中,
所述电阻膜去除区域具有相同的形状,
分别形成有所述电阻膜去除区域的部分的节距被设置为使得在所述电阻膜中产生均匀的电位分布。

12.
  根据权利要求6所述的坐标检测装置,其中,
所述电阻膜去除区域沿弯曲的线排列。

13.
  根据权利要求6所述的坐标检测装置,其中,
相邻的所述电阻膜去除区域间的间隔相互相等,
所述电阻膜去除区域的数量被设置为使得在所述电阻膜中产生均匀的电位分布。

14.
  根据权利要求6所述的坐标检测装置,其中,
所述电阻膜去除区域具有相同的形状,
所述电阻膜去除区域的数量被设置为使得在所述电阻膜中产生均匀的电位分布。

15.
  根据权利要求1~14的任一项所述的坐标检测装置,其中,
所述电阻膜由在可见光域透明的材料制成,所述电阻膜去除区域是通过照射紫外激光或红外激光来去除电阻膜的一部分而形成的。

16.
  根据权利要求1~15的任一项所述的坐标检测装置,其中,
所述公共电极沿弯曲的线延伸。

17.
  根据权利要求1~16的任一项所述的坐标检测装置,其中,
残留在相邻的所述电阻膜去除区域之间的所述电阻膜的部分与所述电阻膜电绝缘。

18.
  根据权利要求1~17的任一项所述的坐标检测装置,还包括隔着绝缘膜层叠在所述公共电极上的布线。

19.
  根据权利要求1~18的任一项所述的坐标检测装置,还包括被配置为检测坐标位置的电阻膜型或电容型的坐标检测部。

说明书

坐标检测装置
技术领域
本发明涉及用于检测输入位置的坐标的坐标检测装置。
背景技术
触摸面板在许多情况下被用作计算机系统的输入设备。触摸面板被安装于显示器上,对显示器上的坐标位置进行检测,并取得与坐标位置相对应的检测信号。触摸面板允许进行坐标位置的简单而直观的输入。
触摸面板有各种类型,诸如电阻膜型、光学型、电容耦合型等。在这些类型中,电阻膜触摸面板因其具有简单的结构和简单的控制系统而被许多情况所使用。
电阻膜触摸面板包括在低电阻类型的,并被分类为四线系统、五线系统、八线系统等。
其中,与使用四线系统、八线系统的电阻膜触摸面板相比,使用五线系统的电阻膜触摸面板(以下称为五线电阻膜触摸面板)具有配置在操作面一侧的上部基板的导电膜,该导电膜专用于读取电位。因此,五线电阻膜触摸面板不存在边缘滑动的问题,这一问题是四线系统、八线系统等其他系统中存在的缺点。这样,五线电阻膜触摸面板可以用于要求严格的使用环境、长期的服务寿命的应用中。
图1示出五线电阻膜触摸面板的结构图。五线电阻膜触摸面板1包括上部基板11和下部基板12。在下部基板12的玻璃基板21的整个表面上形成了透明电阻膜22,在透明电阻膜22上形成了X轴坐标检测电极23、24以及Y轴坐标检测电极25、26。另外,在上部基板11的膜基板31上形成了透明电阻膜32,在透明电阻膜32上形成了坐标检测电极33。
首先,对X轴坐标检测电极23、24施加电压,从而在下部基板12的透明电阻膜22中在X轴方向上发生电位分布。因此,通过检测下部基板12的透明电阻膜22上的电位,可以检测上部基板11与下部基板12相接触的位置的X坐标。接下来,对Y轴坐标检测电极25、26施加电压,从而在下部基板12的透明电阻膜22中在Y轴方向上发生电位分布。因此,通过检测下部基板12的透明电阻膜22上的电位,可以检测上部基板11与下部基板12相接触的位置的Y坐标。
对于这种触摸面板来说,如何在下部基板12的透明电阻膜22中均匀地发生电位分布成为课题。为了使下部基板12的透明电阻膜22中的电位分布均匀化,提出了在下部基板12的外围设置多个电位分布校正图案的方案(参见专利文献1)。
另外,提出了设置围绕输入表面的公共电极的方案(参见专利文献2)。还提出了在设置于透明电阻膜上的绝缘膜中形成开口部,并从形成该开口部的部分供给电位的方案(参见专利文献3)。
专利文献1:日本特开平10-83251号公报
专利文献2:日本特开2001-125724号公报
专利文献3:日本特开2007-25904号公报
由于搭载坐标输入装置的装置的小型化,要求坐标输入装置具有更小的外部边框结构。然而,现有的坐标输入装置由于需要在外围设置多个电位分布图案,所以其外部边框的尺寸难以减小。
另外,在设置围绕输入表面的公共电极的方法中,存在以下问题,即:如果不将透明电阻膜的电阻与图案电阻器的电阻之间的电阻比设定得足够大,则透明电阻膜的电位分布会变得不均匀。
在绝缘膜中设置开口部的方法虽然可以解决上述问题,但制造工艺变得复杂,尤其是因材料和制造工艺的偏差造成的电阻值的偏差会破坏产品性能,这会降低成品率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种解决了上述问题的坐标检测装置。
本发明的更加具体的目的在于提供一种具有减小了的边框尺寸并能够以改善了的检测精度检测坐标位置的坐标检测装置。
根据本发明的一个方面,提供一种坐标检测装置,具有:电阻膜,形成在绝缘材料制的基板上;公共电极,被配置为对上述电阻膜施加电压,该公共电极沿多个电阻膜去除区域延伸,该多个电阻膜去除区域是通过去除了上述电阻膜的一部分而形成的;以及电压施加部,被配置为对上述公共电极施加电压,其中从上述电压施加部经由上述公共电极对上述电阻膜施加电压,以在上述电阻膜中发生电位分布;其中,通过检测上述电阻膜的接触位置处的电位,来检测上述电阻膜的接触位置的坐标位置。
根据上述的发明,能够使通过施加电压而在上述电阻膜中产生的电位分布均匀,从而能够实现精确的坐标检测。
实施方式的目的和有益效果将通过所附的权利要求所具体记载的要素及其组合而实现和获得。
应该理解的是,前述的发明内容以及下述的具体实施方式仅是示例性的说明,而并对所要求保护的发明构成限制。
附图说明
图1是五线电阻膜触摸面板的分解透视图。
图2是本发明的第一实施方式的坐标检测装置的分解透视图。
图3A是图2中的下部基板的俯视图。
图3B是沿图3A的I-I线截取的剖面图。
图3C是沿图3A的II-II线截取的剖面图。
图3D是沿图3A的III-III线截取的剖面图。
图3E是沿图3A的IV-IV线截取的剖面图。
图4A是说明电阻膜去除区域的节距的图。
图4B是说明电阻膜去除区域的节距的图。
图5A是图2中的上部基板的俯视图。
图5B是图2中的上部基板的侧视图。
图6是图2所示的接口板所执行的处理的流程图。
图7A表示了图2所示的下部基板中,在X坐标检测中的电位分布。
图7B表示了图2所示的下部基板中,在Y坐标检测中的电位分布。
图8A是电阻膜去除区域和公共电极的第一例的俯视图。
图8B是电阻膜去除区域和公共电极的第二例的俯视图。
图8C是电阻膜去除区域和公共电极的第三例的俯视图。
图9A是电阻膜去除区域和公共电极的第四例的俯视图。
图9B是电阻膜去除区域和公共电极的第五例的俯视图。
图9C是电阻膜去除区域和公共电极的第六例的俯视图。
图10A~10F是说明图2所示的下部基板的制造工艺的工序图。
具体实施方式
接下来,参照附图,对本发明的具体实施方式进行说明。
(第一实施方式)
下面对本发明的第一实施方式进行说明。
图2是本发明的第一实施方式的坐标检测装置的分解透视图。图2所示的坐标检测装置是具有五线模拟电阻膜型触摸面板的坐标输入系统100。本实施方式中的坐标输入系统100包括面板部111和接口板112。
面板部111包括下部基板121、上部基板122、间隔件123、FPC电缆124。下部基板121与上部基板122经由间隔件123接合在一起。间隔件123例如由绝缘性的双面胶带制成,以在下部基板121与上部基板122之间具有规定的间隙的方式将下部基板121与上部基板122相接合。FCP电缆124具有在柔性印刷电路板上形成有第一~第五布线的结构。FCP电缆124通过将各向异性导电膜热压键合在下部基板121上而连接至下部基板121。
下面对下部基板121进行说明。图3A是下部基板121的俯视图。图3B是沿图3A中的线I-I截取的剖面图。图3C是沿图3A中的线II-II截取的剖面图。图3D是沿图3A中的线III-III截取的剖面图。图3E是沿图3A中的线IV-IV截取的剖面图。
下部基板121包括玻璃基板131、透明电阻膜132、电阻膜去除区域133、公共电极134、第一绝缘膜135、布线136、以及第二绝缘膜137。透明电阻膜132形成在玻璃基板131的大致整个表面上。透明电阻膜132例如由通过真空淀积法所淀积的ITO(Indium TinOxide,氧化铟锡)形成。透明电阻膜132有预定的电阻并透射可见光域的光。在本实施方式中,不将电阻膜去除区域133中的透明电阻膜132全部去除。在残留于电阻膜去除区域133中的透明电阻膜132的一部分与处于电阻膜去除区域133外部的透明电阻膜132的一部分之间形成电绝缘。通过将残留于电阻膜去除区域133中的透明电阻膜132的一部分与处于电阻膜去除区域133外部的透明电阻膜132的一部分电绝缘开来,可以获得与将电阻膜去除区域133内的透明电阻膜全部去除时所获得的相同的效果;据此,由于所要去除的透明电阻膜132的量小,所以改善了生产能力。
电阻膜去除区域133设置在玻璃基板131的形成有公共电极134的边缘区域中。具体而言,在透明电阻膜132中形成有电阻膜去除区域133的部分之上,形成有公共电极134。由此,相邻的电阻膜去除区域133之间的透明电阻膜132与公共电极134被相互连接,从而形成电位供给部141。在本实施方式中,如图4A所示,相邻的电阻膜去除区域133间的间隔W相等。即,如下所述,电位供给部141具有相同的宽度。第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端附近的电阻膜去除区域133的节距大;而朝着第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的中心,节距逐渐减小。具体而言,从每个边的两端朝向中心部,节距P1、P2、P3、P4…逐渐减小(P1>P2>P3>P4…)。
电位供给部141形成在相邻的电阻膜去除区域133之间的透明电阻膜132与公共电极134的接触区域中。在本实施方式中,如图4B所示,电位供给部141在第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端附近以大的节距形成,而在这些边的中央部以小的节距形成。根据电位供给部141的上述结构,可以抑制第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4处的电位分布的畸变,使得透明电阻膜132中的电位分布能够均匀化。据此,可以实现准确的坐标位置检测。
电位供给部141的结构不限于图4B所示的结构,也可以是去除了透明电阻膜132的一部分而使得透明电阻膜132与公共电极134间的接触面积在第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端附近窄、而在这些边的中央部宽的任何结构。
公共电极134例如由Ag-C制成,且形成在电阻膜去除区域133中以及电阻膜去除区域133之间。
第一绝缘膜135以覆盖公共电极134的方式层叠形成在电阻膜去除区域133中。在下部基板121的四个角部,分别形成有四个贯通孔151-1至151-4。贯通孔151-1至151-4构成驱动电压施加部。
第一布线136-1由诸如Ag等低电阻材料制成,且沿着下部基板121的第一边171-1形成在第一绝缘膜135上。第一布线136-1形成为填充第一贯通孔151-1,并与FPC电缆124的第一布线相连接。
第二布线136-2由诸如Ag等低电阻材料制成,且沿着下部基板121的与第一边171-1对置的第二边171-2形成在第一绝缘膜135上。第二布线136-2形成为填充第二贯通孔151-2,并与FPC电缆124的第二布线相连接。
第三布线136-3由诸如Ag等低电阻材料制成,且沿着下部基板121的与第一边171-1、第二边171-2正交的第三边171-3在第二边171-2一侧的一半形成在第一绝缘膜135上。第三布线136-3形成为填充第三贯通孔151-3,并与FPC电缆124的第三布线相连接。
第四布线136-4由诸如Ag等低电阻材料制成,且沿着下部基板121的与第一边171-1、第二边171-2正交的第三边171-3在第一边171-1一侧的一半形成在第一绝缘膜135上。第四布线136-4形成为填充第四贯通孔151-4,并与FPC电缆124的第四布线相连接。
第二绝缘膜137形成在第一绝缘膜135的上以覆盖第一布线136-1、第二布线136-2、第三布线136-3、以及第四布线136-4。上部基板122经由间隔件123而与在第二绝缘膜137相接合。
接下来,参照图5A和图5B对上部电极122的结构进行说明。上部基板122包括膜基板211、透明电阻膜212、以及电极213。膜基板211由诸如PET膜等柔性的树脂膜制成。透明电阻膜212形成在膜基板211的与下部基板121相对置的一侧的整个面上。透明电阻膜212由诸如ITO等透明导电材料制成。电极213设置在透明电阻膜212上,在上部基板122沿X1方向的端部处,并与经由触点(未图示)与下部基板121相连接的FPC电缆124的第五布线相连接。通过使用上部基板122作为探针并利用接口板112检测下部基板121的电位,可以检测坐标位置。
接下来,对检测本实施方式的坐标检测装置中的坐标位置的步骤进行说明。
图6示出了由接口板112执行的处理的流程图。图7A和图7B示出了下部基板121的电位分布。图7A示出X坐标检测时的电位分布,图7B示出了Y坐标检测时的电位分布。
在步骤S1-1中,接口板112对第一布线136-1以及第二布线136-2施加电压Vx,将第三布线136-3、第四布线136-4接地。由此,在透明电阻膜132中产生图7A中用虚线表示的均匀的电位分布。要注意的是,在现有装置中产生的电位分布如图7A中用单点划线表示的那样产生畸变。将本实施方式的坐标检测装置中产生的电位分布与在现有装置中产生的电位分布相比较可知,本实施方式的坐标检测装置可以实现准确的X坐标检测。
接下来,接口板112在步骤S1-2中检测下部基板121的电位,并在步骤S1-3中根据下部基板121的电位检测X坐标。
接下来,接口板112在步骤S1-4中对第一布线136-1以及第四布线136-4施加电压Vy,将第二布线136-2、第三布线136-3接地。由此,可以在透明电阻膜132中产生图7B中用虚线表示的那样的均匀的电位分布。要注意的是,在现有装置中产生的电位分布如图7B中用单点划线表示的那样产生畸变。将本实施方式的坐标检测装置中产生的电位分布与在现有装置中产生的电位分布相比较可知,本实施方式的坐标检测装置可以实现准确的Y坐标检测。
接着,接口板112在步骤S1-5中检测下部基板121的电位,在步骤S1-6中根据下部基板121的电位检测X坐标。
根据本实施例,由于第一~第四布线136-1~136-4层叠在公共电极134上,所以减小了面板部121的外部尺寸,使得坐标检测装置能够小型化。另外,由于可以使通过电源供给部141供电而在下部基板121的透明电阻膜132中产生的电位分布在检测区域中均匀,所以可以实现准确的坐标检测。
在上述实施例中,对五线电阻膜模拟触摸面板进行了说明,但本发明不限于五线电阻膜模拟触摸面板,也可以适用于诸如四线电阻膜触摸面板、七线电阻膜触摸面板等其他触摸面板。
(第二实施方式)
下面说明本发明的第二实施方式的坐标检测装置。在第二实施方式中,电阻膜去除区域133的图案、以及电源供给部141的图案与第一实施方式中的不同。另外,在第二实施方式中,电阻膜去除区域133与公共电极134不相互重叠。
图8A是电阻膜去除区域133和公共电极134的第一例的俯视图。在图8A中,电阻膜去除区域133的形状相同,且具有相同的宽度WH。电阻膜去除区域133被形成为在第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端部附近具有小的节距PE1,而在每个边的中间部具有大的节距PE2。这样,通过在形成有电阻膜去除区域133的透明电阻膜132上形成公共电极134,可以形成电位供给部141使得透明电阻膜132与公共电极134接触的面积在每个边的两端处窄、而在每个边的中间部宽。因此,可以抑制在面板部121的第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每一个的两端部附近的电位分布的畸变,使透明电阻膜132中的电位分布均匀化。据此,可以实现准确的坐标检测。
图8B是电阻膜去除区域133和公共电极134的第二例的俯视图。在图8B中,以使电位供给部141具有相同宽度E的方式形成电阻膜去除区域133。为了形成具有相同宽度E的电位供给部141,电阻膜去除区域133被形成为在第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端部附近具有大的节距PH1,而在每个边的中间部具有小的节距PH2。这样,通过在形成有电阻膜去除区域133的透明电阻膜132之上形成公共电极134,可以形成电位供给部141使得由透明电阻膜132与公共电极134形成的电位供给部141的面积相同、但电位供给部141在每个边的两端部附近形成得稀疏而在每个边的中间部形成得稠密。由此,可以抑制在面板部121的第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端部附近的电位分布的畸变,使透明电阻膜132中的电位分布均匀化。据此,可以实现正确的坐标检测。
图8C是电阻膜去除区域133和公共电极134的第三例的俯视图。在图8C中,电阻膜去除区域133被形成为具有相同的节距PT,而电阻膜去除区域133被形成为在面板部121的第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端部附近具有大的宽度WH1而在每个边的中间部具有小的宽度WH2。这样,通过在如此形成有电阻膜去除区域133的透明电阻层132上形成公共电极134,由透明电阻膜132和公共电极134形成的电位供给部141的在面板部121的每个边的两端部附近的宽度E1小,而电位供给部141在每个边的中间部的宽度E2大。因此,电位供给部141在面板部121的每个边的两端部附近面积小,而电位供给部141在每个边的中间部面积大。因此,可以抑制面板部121的第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端部附近的电位分布的畸变,使透明电阻膜132中的电位分布均匀化。据此,可以实现准确的坐标检测。
图9A是电阻膜去除区域133和公共电极134的第四例的俯视图。在图9A中,电阻膜去除区域133以及公共电极134沿在面板部121的第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个处向内侧方向弯曲的线排列。即,在各个边的两端部附近,电阻膜去除区域133和公共电极134远离面板部121的中心;而在每个边的中间部,电阻膜去除区域133和公共电极134靠近面板部121的中心。因此,可以抑制面板部121的第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端部附近的电位分布的畸变,使透明电阻膜132中的电位分布均匀化。据此,可以实现准确的坐标检测。
图9B是电阻膜去除区域133和公共电极134的第五例的俯视图。在图9B中,电阻膜去除区域133不与公共电极134重叠。电阻膜去除区域133的图案可以是第一例至第三例中的任意一种图案。通过形成上述的电阻膜去除区域133,在面板部121的第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端部附近,电阻膜去除区域133不易受到从公共电极134供给的电位的影响。而在每个边的中间部,电阻膜去除区域133倾向于受到从公共电极134供给的电位的影响。因此,可以降低面板部121的第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端部附近的电位分布的畸变,使透明电阻膜132中的电位分布均匀化。这样,可以实现准确的坐标检测。在公共电极134与电阻膜去除区域133不相互重叠的情况下,为了得到上述的效果,公共电极134与电阻膜去除区域133之间的间隔S必须大于等于0mm且小于等于5mm。
图9C是电阻膜去除区域133和公共电极134的第六例的俯视图。在图9C中,在公共电极134的内侧上,形成有另外一组电阻膜去除区域233(第二电阻膜去除区域)。即,第六例组合了上述的第一~第三例和第五例。因此,可以进一步抑制面板部121的第一边171-1、第二边171-2、第三边171-3、第四边171-4每个的两端部附近的电位分布的畸变,使透明电阻膜132中的电位分布均匀化。这样,可以实现更加准确的坐标检测。在图9C中设置了一行第二电阻膜去除区域233,但也可以在公共电极134的内侧进一步设置多行第二电阻膜去除区域233。
下面说明下部基板121的制造工艺。图10A~图10F是用于说明制造下部基板121的制造工序的图。
首先,如图10A所示,利用溅射法或真空气相淀积法淀积诸如ITO的材料,在玻璃基板131上形成透明电阻膜132。
接下来,如图10B所示,在透明电阻膜132中形成电阻膜去除区域133。具体而言,对透明电阻膜132中要将透明电阻膜132去除的部分照射紫外线(UV)激光或红外线激光,从而利用烧蚀或加热来去除透明电阻膜132。可以通过在与电阻膜去除区域133相对应的区域以外的区域中形成抗蚀剂图案之后进行化学蚀刻以去除透明电阻膜132,来形成电阻膜去除区域133。
然后,如图10C所示,利用Ag-C在透明电阻膜132上形成公共电极134。具体而言,利用丝网印刷法在透明电阻膜132上印刷包含Ag-C的糊剂,然后对糊剂进行烘焙。由此,在相邻的电阻膜去除区域133之间的透明电阻膜132上形成电位供给部141。
接着,如图10D所示,形成具有第一~第四贯通孔151-1~151-4的第一绝缘膜135。具体而言,在通过根据丝网印刷法的图案印刷来印刷了绝缘糊剂之后,对绝缘糊剂进行烘焙。
接下来,如图10E所示,在第一绝缘膜135上形成由Ag制成的第一~第四布线136-1~136-4。具体而言,在通过根据丝网印刷法的图案印刷来印刷了导电糊剂之后,对导电糊剂进行烘焙。
接下来,如图10F所示,形成第二绝缘膜137。在通过根据丝网印刷法的图案印刷来印刷了绝缘糊剂之后,对绝缘糊剂进行烘焙。
通过执行上述步骤,可以制作下部基板121。

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本发明提供一种坐标检测装置,其中,在绝缘材料制的基板上形成有电阻膜。公共电极对上述电阻膜施加电压,该公共电极沿多个电阻膜去除区域延伸,该多个电阻膜去除区域是通过去除了上述电阻膜的一部分而形成的。电压施加部对上述公共电极施加电压。从上述电压施加部经由上述公共电极对上述电阻膜施加电压,以在上述电阻膜中发生电位分布。通过检测上述电阻膜的接触位置处的电位,来检测上述电阻膜的接触位置的坐标位置。 。

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