研磨电子元件用的磨具 本发明涉及树脂粘合的多孔磨具，它适于硬质材料，例如陶瓷、金属和含有陶瓷或金属的复合物的表面研磨和抛光。该磨具用于硅和氧化铝碳化钛(AlTiC)片的背磨，供制造电子元件之用。这种磨具研磨陶瓷和半导体时，材料磨削率和磨具磨损率都是工业上合适的，而工件的损伤会小于使用常规的超硬磨具。
U.S.-A-2806772揭示了设计成能在研磨过程中产生迅速且较冷切割作用的一种磨具。该磨具含有约25-54体积％磨粒和约15-45体积％树脂粘结剂，磨粒颁在该粘结剂中。该磨具还含有约1-30体积％的有孔支撑颗粒，例如玻璃态粘土薄壁的空心球(例如Kanamite泡粒)或热膨胀珍珠岩(火山二氧化硅玻璃)，用来分隔磨粒，为的是改进磨削作用，并减少来自工件的碎屑嵌在研磨面上。选择的有孔支撑颗粒，其粒度约为磨粒粒度的0.25-4倍。
U.S.-A-2986455揭示了仅含有熔凝氧化铝泡粒但无磨粒的磨具。该磨具具有敞开的多孔结构和顺畅磨削的性能。根据该专利制成的树脂粘合磨轮可用来研磨橡胶、纤维纸板和塑料。
U.S.-A-4799939揭示了用于制造磨具的可腐蚀团粒。这种团粒中含有在树脂粘结剂中的磨粒和高达8重量％的空心颗粒材料。该团粒据称尤其适用于涂覆磨具。
授予Li的US-A-5607489揭示了适于研磨蓝宝石和其他陶瓷材料表面的磨具。该磨具含有粘合在玻璃态基质中的金属和金刚石，其中含有2-20体积％固态润滑剂和至少10体积％孔隙。
现有技术中已知地磨具证明不能完全满足陶瓷元件精密表面研磨或抛光的要求。这些磨具不能满足工业研磨和抛光过程中关于形状、尺寸和表面质量的严格技术要求。建议用于这些研磨操作的大多数商品磨具是树脂粘合的超硬磨轮，该磨轮设计成以较低研磨效率进行研磨，目的是避免陶瓷元件的表面和表面下的损伤。这些商品磨具一般含有15体积％以上的金刚石磨粒，其最大粒度约为8微米。由于陶瓷工件的碎屑会粘附在磨轮表面上，研磨效率会进一步降低，所以需要时常修整和整饰磨轮以保持其精确的形状。
由于市场对一些产品例如电子仪器用精密陶瓷和半导体元件(例如薄片、磁头和显示窗)的需求增大，所以对陶瓷和其他硬脆材料进行精密研磨和抛光用的磨具也日益需要加以改进。
本发明涉及一种磨具，它包括背衬和磨边，所述磨边最多含有约2-15体积％最大粒度为60微米的磨粒，，磨边中为树脂粘结剂和至少40体积％空心填料，磨边内磨粒对树脂粘结剂之比为1.5∶1.0-0.3∶1.0。
本发明的磨具是磨轮，它包括一个背衬，背衬中央具有将磨轮固定到研磨机上的一个孔，背衬设计成沿其周边面支撑着树脂粘合的磨边作为研磨面。制造磨具的该背衬可以是平面形状或杯状的芯盘或环，也可以是拉长的轴或一些其他刚性的预成形形状。背衬优选由金属制成，例如铝或钢，但是也可以由聚合物、陶瓷或其他材料制成，也可以是这些材料的复合物或叠层物或混合物。所述背衬可以含有对基质起增强作用的颗粒或纤维，或空心填料例如空心的玻璃、二氧化硅、莫来石、氧化铝和Zeolite 球，以便降低背衬密度和磨具重量。
优选的磨具是表面研磨式磨轮，例如2A2T型超硬磨轮。这些磨具具有一条连续或分段的磨边，在环状或杯状背衬的窄边上固定着。用于这里的其他磨具包括1A型超硬磨轮，它具有平面芯型背衬，环绕芯的周边上是磨边；内径(I.D.)磨具，它具有固定在胫背衬上的磨边；外径(O.D.)圆柱状精磨磨轮；具有固定在背衬板面上的研磨“钮”的表面磨具；以及用来在硬质材料上进行精磨和抛光的其他构型的磨具。
背衬可以以多种方式与磨边连接。本行业内已知的用来将研磨部件结合到金属芯或其他类型背衬的任何粘结剂，都可以使用。一种合适的粘结剂即Araldite TM 2014 Epoxy粘结剂购自密歇根州East Lansing的Ciba SpecialtyChemicals Corporation。其他的连接方式包括机械连接(例如磨边可以用螺栓穿过排列在磨边和背衬片上的洞或者以楔形榫头结构机械连接到背衬片上)。背衬部件上，磨边或多段的磨边(如果磨边不连续的话)可以插入那些凹槽内，并用粘结剂固定在位。如果使用的磨边形式是用于表面研磨的一个个钮，那么这些钮也可以用粘结剂或机械方式固定到背衬上。
用在磨边中的磨粒优选是超硬磨粒，选自天然或人造的金刚石、立方氮化硼(CBN)及它们的组合。常规磨粒也可使用，包括而不局限于氧化铝、烧结的溶胶凝胶法α氧化铝、碳化硅、莫来石、二氧化硅、氧化铝氧化锆、氧化铈及它们的组合和它们与超硬磨粒的混合物。粒度较细的磨粒，即最大粒度约120微米的磨粒，是适用的。最大粒度优选约为60微米。
金刚石磨具用来研磨陶瓷片。优选采用树脂粘合的金刚石类型(例如Amplex金刚石，购自康涅狄格州Bloomfield的Saint-Gobain IndustrialCeramics；CDAM或CDA金刚石磨料，购自英国Berkshire的DeBeers IndustrialDiamond Division；IRV金刚石磨料，购自日本Tokyo的Tomei Diamond Co.，Ltd.，)。
能够使用有金属覆层(例如镍、铜或钛)的金刚石(例如IRM-NP或IRM-CPS金刚石磨料，购自日本Tokyo的Tomei Diamond Co.，Ltd.；CDA55N金刚石磨料，购自英国Berkshire的DeBeers Industrial Diamond Division)。
磨粒粒度和类型的选择随工件的性质、研磨方法类型和工件的最终用途而异(即材料的磨削速率、表面光洁度、表面平坦度和表面下的损伤情况这些技术要求的相对重要性决定着研磨参数)。例如，在硅片或AlTiC片的背磨和抛光时，0/1-60微米的超硬颗粒粒度(根据Norton Company金刚石粒度级，即小于400)是合适的，优选0/1-20/40微米，最优选3/6微米。可以使用金属粘合或“块状”的金刚石磨料类型(例如MDA金刚石磨料，购自英国Berkshire的DeBeers Industrial Diamond Division)。当电子元件装接到陶瓷片或半导体片的前表面以后，优选采用较细粒度的磨具来对其背面进行表面精加工和抛光。金刚石粒度在此范围时，磨具对从硅片上磨掉材料，从而抛光硅片的表面，但是由于AlTiC片的硬度更高，磨具从AlTiC片上磨掉的材料就较少。本发明的磨具可在AlTiC片上获得14埃的表面光洁度。
在本发明的磨具中，空心填料的形式优选为脆的空心球，例如空心的二氧化硅球或微球。可使用的其他空心填料包括空心的玻璃球、氧化铝球、莫来石球及其混合物。对于一些用途，例如硅片的背磨，优选用二氧化硅球，球的直径优选大于磨粒粒度。在其他的用途中，空心填料球的直径可以以大于、等于或小于磨粒直径。将购来的填料过筛，就可获得均匀的直径尺寸，也可以使用混合尺寸。硅片研磨用的空心填料的直径优选4-130微米。合适的材料购自马萨诸塞州Canton的Emerson & Cuming Composite Materials Inc.(Eccosphere TM SID-311Z-S2二氧化硅球，其平均直径为44μ)。
磨粒与空心填料用树脂粘结剂粘合起来。可以将本行业内已知的各种粉末填料少量加入到树脂粘结剂材料中，用来帮助磨具的制造或改善磨具的研磨性能。用于这些磨具的优选树脂包括酚醛树脂、醇酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂和它们的混合物。合适的树脂包括Durez TM 33-344酚醛树脂粉末，购自纽约州North Tonawanda的Occidental Chemical Corp.；Varcum TM 29345短暂流变(short flow)酚醛树脂粉末，购自纽约州NorthTonawanda的Occidental Chemical Corp.。
用于含高体积百分率空心填料(例如55-70％(体积)球)的磨具的优选树脂是能够润湿二氧化硅填料球和磨粒表面，并易于在填料球表面上铺展，从而将金刚石磨粒粘结到填料球表面上的树脂。这个特性在含有很低体积百分率例如5-10％(体积)树脂的磨轮中尤其重要。
以磨边中的体积百分率计，磨具含有2-15％(体积)磨粒，优选4-11％(体积)磨粒。磨具含有5-20％(体积)，优选6-10％(体积)的树脂粘结剂，40-75％(体积)，优选50-65％(体积)的空心填料，树脂粘合基质的体积余量是成型和固化后的残留孔隙(即12-30％(体积)孔隙)。金刚石磨粒与树脂粘结剂之比可以为1.5∶1.0-0.3∶1.0，优选1.2∶1.0-0.6∶1.0。
本发明磨具的磨边由下述方式制造：混合磨粒、空心填料和树脂粘结剂，将混合物成型然后固化。磨边可以这样制造：在有溶剂(例如水或苯甲醛)或没有溶剂存在条件下，将磨边各组分与或可加入的润湿剂例如液态甲阶酚醛树脂混合，形成磨料混合物，在选用的模具中热压该混合物，并加热成形好的磨边，使树脂固化，形成可有效地进行研磨的磨边。所述混合物一般在模压之前过筛。模具优选由不锈钢或者高碳或高铬钢制成。对于含有50-75％(体积)空心填料的磨轮，在成形和固化期间必须小心操作，避免将空心填料压碎。
磨边优选最高加热至约150-190℃温度，时间应足以使树脂粘结剂交联和固化。也可以采用其他相似的固化温度和时间。接着，将固化的磨边从模具中取出，空气冷却之。将磨边(或钮或段)装接到背衬上，组装成最终的磨具。在完成的磨具上进行整饰或边饰和修整，制成成品。
通过选择树脂和填料以及固化条件，可以使树脂粘结剂较脆，可以更快地破碎，磨具就不太会带上研磨碎屑。用于精加工陶瓷或半导体的商品磨具常常需要用修整工具进行修整，从研磨面上清除累积的研磨碎屑。在微磨轮例如本发明磨轮中，修整操作对磨轮的磨损常常比研磨操作还快。由于本发明树脂粘合的磨具，不太经常需要修整操作，所以与过去使用的树脂粘合磨具包括金刚石含量较高或者粘合较牢固不太脆的磨具相比，其消耗较慢，使用寿命较大。本发明最优选的磨具，其固化的粘合性能能在磨具使用寿命与脆性或研磨时粘合断裂这两方面产生最佳的综合效果。
用较高体积百分率空心填料(例如55-70％(体积))制成的磨具在陶瓷或半导体片上进行表面研磨和抛光时是自修整性的。可以认为，与磨具接触的粗糙的陶瓷或半导体片起着修整工具的作用，能将磨具面上粘附的碎屑掘出除去。这样，在一般的研磨操作中，每个新工件起始都呈现出其粗糙表面，对磨具起修整作用，接着随着研磨的进行，碎屑就开始附着在磨具在表面上，而磨具开始研磨工件表面，功率消耗开始增大。用本发明的磨具，在不引起工件灼伤的情形下，在研磨机的功率容许范围内，就会出现这种循环。一个工件的这个循环结束后，下一个工件就会以其新的粗糙表面修整磨具表面，重复之个循环。在制造陶瓷或半导体片过程中，本发明的磨具不需要单独的修整操作就能够研磨陶瓷或半导体片的表面，这样就提供了很大的益处。
在空心填料含量较低的情形下(即低于55％(体积))，当陶瓷片要研磨成更高的表面光洁度时，使用本发明的磨具还是需要修整操作的，因为陶瓷片的研磨碎屑仍会附着在磨具面上，功率消耗也会增大。
本发明的磨具优选用于研磨陶瓷材料，这些陶瓷材料包括但不局限于氧化物、碳化物、硅化物例如氮化硅、氧氮化硅、稳定型氧化锆、氧化铝(例如蓝宝石)、碳化硼、氮化硼、二硼化钛以及氮化铝和这些陶瓷的复合物，还有一些金属基质复合材料例如胶结的碳化物、多晶金刚石和多晶立方氮化硼。单晶陶瓷或多晶陶瓷都能够用这些改进的磨具研磨。
经本发明的磨具而改善性能的陶瓷或半导体部件中，有电子元件，包括但不局限于硅片、磁头和基片。
本发明的磨具也可以用于由金属或其他硬质材料制成的元件的抛光或精磨。
除非另有说明，下述实施例中所有的份数和百分率都是指重量。这些实施例仅用于说明本发明，而不限制本发明。
实施例1
采用下述材料和方法制成11×1.125×9.002英寸(27.9×2.86×22.9cm)的树脂粘合金刚石磨轮作为本发明的磨轮。
为了制成磨边，先制备重量比为醇酸树脂粉末(Bendix 1358树脂，从纽约州Troy的Allied Signal Automotive Braking Systems Corp.，获得)4.17％和短暂流变酚醛树脂粉末(Varcum 29345，从纽约州North Tonawanda的Occidental Chemical Corp.获得)11.71％的混合物。再将33.14重量％二氧化硅球形式的中空填料(Eccosphere SID-311Z-S2二氧化硅，平均直径44μ，从马萨诸塞州Canton的Emerson & Cuming Composite Materials Inc.得到)和50.98重量％金刚石磨粒(D3/6μ，Amplex lot #5-683，从康涅狄格州Bloomfield的Saint-Gobain Industrial Ceramics得到)与所得树脂粉末混合物混合。得到均匀的混合物后，将其通过US#170筛网过筛，以备成形到背衬上，构成磨轮的磨边部分。
支撑磨边用的背衬是个铝环(外径11.067英寸)，设计成构造2A2T型超硬磨轮之用。环底有一个螺栓孔可用来，将磨轮装接到用于研磨陶瓷片用的表面研磨机上。
在成形磨边之前，将铝环要承载磨边的表面进行喷砂处理，接着用溶剂基酚醛粘结剂涂布，以便将树脂粘结剂和磨粒的混合物粘合到铝环上。铝环放入钢模具内，该模具的结构使得铝环作为模具的底板。室温下将磨料混合物置入模具内涂有粘结剂的环的表面上，将侧部和顶部的模件装接到钢模具上，将整个模具放入预先加热的蒸汽压机(162-167℃)中。在起始加热阶段，不对磨边施加压力。当温度达到75℃后，施加初始压力。然后将压力增大至20吨以便达到设定的密度(例如0.7485g/cm3)，将模具温度升高至160℃，保温10分钟。然后从磨具中将趋热取出。
将铝背衬和磨边的内径和外径加工成磨轮成品的尺寸。在磨边表面上磨出总共36个凹槽(每个约0.159cm(1/16英寸)宽)，制成带凹槽的磨边。
本发明这些磨轮和其他磨轮以及一些商品对比磨轮各组分的体积百分率如下面的表1所示。
实施例2
采用下述2-A磨轮的材料和方法制成11×1.125×9.002英寸(27.9×2.86×22.9cm)的树脂粘合金刚石磨轮作为本发明的磨轮。
为了制成磨边，将16.59重量％酚醛树脂粉末(Durez 33-344树脂，从纽约州North Tonawanda的Occidental Chemical Corp.获得)和53.34重量％二氧化硅球(Eccosphere SID-311Z-S2二氧化硅球，平均直径44微米，从马萨诸塞州Canton的Emerson & Cuming Composite Materials Inc.得到)和30.07重量％金刚石磨粒(D3/6μ，Amplex lot #5-683，从康涅狄格州Bloomfield的Saint-Gobain Industrial Ceramics得到)一同混合。得到均匀的混合物后，通过US#170筛网过筛，以备成形到背衬上构成磨轮的磨边部分。
用该磨料混合物，使用实施例1的铝环背衬与成形和固化方法制备磨轮。作为磨轮2-A的其他类型，还使用比磨轮2-A较高的金刚石和粘结剂含量制造2-B磨轮；使用比2-A磨轮较高的二氧化硅球含量以制造2-C磨轮。这些磨轮的组分的体积百分率如下面表1所示。
表1 磨轮组分的体积百分率磨轮样品实施例1实施例2-A实施例2-B实施例2-C 商品磨轮(b)粘合树脂A6.96.122.2(a)6.1 29.5(c)粘合树脂B2.3000 -金刚石磨粒11.04.014.54.0 19.4二氧化硅球63.463.450.471.0 0(d)自然孔隙度16.426.512.919.9 27.8金刚石对树脂之比1.2∶1.00.66∶1.00.65∶1.00.66∶1.0 0.66∶1.0
(a)用作粘结剂的酚醛树脂是锌催化的甲阶酚醛树脂；
(b)由伊利诺斯州Elmhurst的Fujimi Inc.商品的分析估算的磨轮组成；
(c)分析表明是酚醛树脂；
(d)用于该磨轮中的填料是晶态石英颗粒，该填料颗粒不是空心的。填料颗粒和磨粒的直径大约相等(各约为3微米)。
实施例3
将根据实施例1制成的磨轮(2个带有凹槽磨边的磨轮)和根据实施例2制成的磨轮(2个带有凹槽磨边的2-A磨轮，和1个带有无凹槽磨边的2-A)磨轮修整成27.9×2.9×22.9cm(11×1.125×9英寸)尺寸，在硅片背磨过程中，与购买的树脂粘合金刚石磨轮(FPW-AF-4/6-279ST-RT 3.5H磨轮，购自伊利诺斯州Elmhurst的Fujimi Inc.)进行对比。
研磨试验的条件是：
研磨试验条件：
机器：Strasbaugh 7AF Model
磨轮的规格：2A2TS型，27.9×2.9×22.9cm(11×1.125×9英寸)
精磨：
磨轮说明：见表1
磨轮速度：4350rpm
冷却剂：去离子水
冷却剂流量：3-5加仑/分钟
磨削除去的材料：步骤1：10μ，步骤2：5μ，步骤3：5μ，提升：2μ
进给速率：步骤1：1μ/s，步骤2：0.7μ/s，步骤3：0.5μ/s，提升：0.5μ/s
保持：100转/分钟(提升前)
工件材料：硅片，N型100取向，(15.2cm(6英寸)直径的表面，边缘平坦)；表面光洁度Ra约为4000埃
工件速率：699rpm，恒定
粗磨：
磨轮速度：3400rpm
冷却剂：去离子水
冷却剂流量：3-5加仑/分钟
磨削除去的材料：步骤1：10μ，步骤2：5μ，步骤3：5μ，提升：10μ
进给速率：步骤1：3μ/s，步骤2：2μ/s，步骤3：1μ/s，提升：5μ/s
保持：50转/分钟(提升前)
工件材料：硅片，N型100取向，(15.2cm(6英寸)直径的表面，边缘平坦)
工件速率：590rpm，恒定
当磨具需要修整时，研磨试验所要求的修整条件如下所述：
修整操作：
修整盘：38A240-HVS(从Norton Company获得)
修整盘尺寸：15.2cm直径(6英寸)
磨轮速度：1200rpm
磨削除去的材料：步骤1：150μ，步骤2：10μ，提升：20μ
进给速率：步骤1：5μ/s，步骤2：0.2μ/s，提升：2μ/s；
保持：25转/分钟(提升高)
修整盘的整饰：用手持棒(38A150-HVBE棒，从Norton Company获得)
在硅片上以立轴全面进磨方式进行试验，测量达到稳态研磨条件后的磨轮工作性能。必须用每个磨轮研磨至少200个15.2cm(6英寸)直径、起始表面光洁度约4000埃的硅片，以达到测量细磨性能所需的稳态操作。在上述精磨步骤中，用每个磨轮从片上磨掉共20μ的材料。
表12示出了各磨轮的性能，对于三种不同类型的磨轮都由研磨峰值力、磨轮磨损率(研磨25片后测得的平均值)、研磨片数、G-比率和片的灼伤表示，每个参数都是达到稳态研磨条件后进行记录或测得的。在硅片背磨过程中，当磨轮的研磨面附着了从片的表面磨焉的碎屑时，磨轮就变钝，研磨所需的力增大，而且磨轮还会开始使片灼伤。为了防止对片的损伤，当研磨过程中引发的力超过预定的最大值(244牛顿55磅)时，试验用的Strasbaugh磨机就自动停车。对于所有磨轮以及被磨的片，所需功率(即最高的马达电流，安培)均在Strasbaugh研磨机的限度内。
用ZygoTM白光干涉仪(NewView 100ld 0 SN6046 SB O型；设置：Min Mod％＝5，Min Area Size＝20，Phase Res.＝高，扫描长度＝10μ双极性(9秒)，FDA Res＝高)测量片的表面光洁度。
表2 样品 力牛顿 (lbs) 磨轮磨损率 μ/片 片数 G- 比率 表面光洁度 (a)Ra埃 片的 灼伤 实施例1 有凹槽 24-31 --(b) 75 - - 无 实施例1 有凹槽 25-33 0.49 200 292 57.7 无 实施例2-A 有凹槽 17-26 0.47 200 306 - 无 实施例2-A 有凹槽 25-33 0.38 200 380 - 无 实施例2-A 无凹槽 24-30 0.40 300 334 69.2 无 商品磨轮 24-30 0.60 200 261 77.1 无
(a)表面光洁度的值是每片测量9次和每项试验8片的平均值，实施例1磨轮表面光洁度是用根据实施例1所述配方和方法制成的另一个磨轮，在相同的研磨条件下进行预先的研磨试验测量的。
(b)用该磨轮研磨的片太少，以致不能得到磨轮磨损率的准确值。
表中数据表明，本发明的磨轮的性能比商品磨轮好。本发明磨轮的研磨峰值力大约与商品磨轮相等，但是其磨轮磨损率、G-比率和精磨操作所得到的片上镜面光洁度都比商品磨轮好。
在同样的研磨条件下，用实施例2的2-B磨轮进行的精磨试验结果，显示了合格的磨轮磨损率、G-比率，并能在硅片上获得50-70埃的表面光洁度。由于该磨轮的二氧化硅球含量较低、粘结剂和金刚石磨粒的含量较高，所以2-B磨轮不能自修整，所以比2-A、2-C磨轮和实施例1的磨轮变钝较快。在同样精磨条件下进行的另一试验结果表明，二氧化硅球含量比2-A磨轮高(71相对于63.4％(体积))的2-C磨轮，其硬度性能与2-A磨轮差不多。
这些数据表明，二氧化硅球含量高的实施例1磨轮、2-A和2-C磨轮不会变钝，即它们是会自磨锐或自修整的。可以认为，磨轮中的二氧化硅球会在研磨过程中破裂，使磨轮表面敞开，而磨轮中高百分率的这些二氧化硅球可通过从被磨的片上带走碎屑，以免磨轮表面带上碎屑。此外，在粗糙表面(即Ra约为4000埃)的片的研磨操作中，可以认为送上的工件片的粗糙表面可有效地修整这些实施例1、2-A和2-C的磨轮的表面，所以也不需要另外的修整操作。
虽然实施例2-A磨轮被认为是总体研磨性能最好的磨轮，但是本发明的所有磨轮都是合格的。本发明含有非常少的金刚石磨粒(即4-14％(体积))的磨具，其性能与含有较多金刚石磨粒(例如约19％(体积))一般用于背磨陶瓷或半导体片的商品磨轮相比，是出乎意外好的。
实施例4
在本发明磨轮(2-A磨轮)随后的研磨试验中，在与上述实施例3同样的操作条件下，从硅片上磨掉约20μ材料，达到50-70埃的表面光洁度，而所用的功率也是可接受的(即没有片的灼伤，在Strasbaugh研磨机的功率限度范围内)。
如实施例2中的磨轮2-A所述，制成一个对比磨轮，只是该对比磨轮含有10.1％(体积)树脂和71.3％(体积)二氧化硅球(即无磨粒)。该磨轮的磨边内不含金刚石磨粒，即使达到机器的最大力244牛顿(55lbs)，从二氧化硅片的表面上磨掉的材料极少。该对比磨轮能将硅片的粗糙表面的表面光洁度(Ra约为4000埃)提高到约188埃，没有任何片灼伤的痕迹。但是，这种不含磨粒的对比磨轮却不能提供合格的精磨性能(磨掉的材料量，磨轮磨损率和G-比率)，其表面抛光性能显著差于商品磨具和本发明的磨具。
因此，所观察到的本发明磨具性能(磨掉的材料量以及能不损伤陶瓷工件表面而进行表面抛光)，仅含二氧化硅球而不含磨粒的磨具是观察不到的。