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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201610570308.9 (22)申请日 2016.07.20 (71)申请人 长春海谱润斯科技有限公司 地址 130000 吉林省长春市高新北区盛北 大街3333号北湖科技园A5栋 (72)发明人 刘喜庆郭建华 (51)Int.Cl. C07D 221/18(2006.01) C07D 401/12(2006.01) C07D 409/12(2006.01) C07D 405/12(2006.01) C07D 401/14(2006.01) C07D 409/14(2006。
2、.01) C07D 405/14(2006.01) C09K 11/06(2006.01) H01L 51/54(2006.01) (54)发明名称 一种含氮杂环类衍生物及其制备方法和应 用 (57)摘要 本发明提供一种含氮杂环类衍生物及其制 备方法和应用， 属于有机电致发光材料技术领 域。 通过优化分子结构设计， 本发明所得到的含 氮杂环类衍生物具有更好的成膜性及其薄膜的 热稳定性， 可用于制备有机电致发光器件， 尤其 是作为有机电致发光器件中的空穴传输材料， 能 够有效提高OLED器件的发光效率， 优于现有常用 OLED器件。 本发明还提供一种含氮杂环类衍生物 的制备方法， 该制备方法简单。
3、、 原料易得。 权利要求书6页 说明书25页 CN 105968045 A 2016.09.28 CN 105968045 A 1.一种含氮杂环类衍生物， 其特征在于， 结构式如式 所示： 其中， Ar为碳原子数为1030的稠环化合物； R1、 R2独立的选自取代或未取代的碳原子 数650的芳基、 取代或未取代的五元杂环、 取代或未取代的六元杂环、 取代或未取代的碳 原子数830的稠杂环； R3为氢原子或碳原子数为130的烃基。 2.根据权利要求1所述的一种含氮杂环类衍生物， 其特征在于， Ar为碳原子数为1014 的稠环化合物； R1、 R2独立的选自取代或未取代的碳原子数为630的芳基、 。
4、取代或未取代的 五元杂环、 取代或未取代的六元杂环、 取代或未取代的碳原子数820的稠杂环； R3为氢原 子或碳原子数为110的烃基。 3.根据权利要求1所述的一种含氮杂环类衍生物， 其特征在于， Ar为碳原子数为14的稠 环化合物； R1、 R2独立的选自碳原子数为618的芳基、 五元杂环、 六元杂环、 碳原子数820 的稠杂环； R3为氢原子。 4.根据权利要求1所述的一种含氮杂环类衍生物， 其特征在于， Ar为菲； R1、 R2独立的选 自苯基、 萘基、 联苯基、 三联苯基、 吡咯基、 吡啶基、 噻吩基、 呋喃基、 吲哚基、 苯并噻吩基、 苯 并呋喃基、 喹啉基、 异喹啉基、 咪唑基、 。
5、噻唑基、 噁唑基或芴基； R3为氢原子。 5.根据权利要求1所述的一种含氮杂环类衍生物， 其特征在于， 所述含氮杂环类衍生物 选自如下TM1TM43所示结构中的任意一种： 权利要求书 1/6 页 2 CN 105968045 A 2 权利要求书 2/6 页 3 CN 105968045 A 3 权利要求书 3/6 页 4 CN 105968045 A 4 权利要求书 4/6 页 5 CN 105968045 A 5 6.权利要求1-5任一项所述的含氮杂环类衍生物的制备方法， 其特征在于， 通过如下路 线合成得到所述含氮杂环类衍生物： 权利要求书 5/6 页 6 CN 105968045 A 6。
6、 其中， Ar为碳原子数为1030的稠环化合物； R1、 R2独立的选自取代或未取代的碳原子 数650的芳基、 取代或未取代的五元杂环、 取代或未取代的六元杂环、 取代或未取代的碳 原子数830的稠杂环； R3为氢原子或碳原子数为130的烃基。 7.权利要求1-5任意一项所述的含氮杂环类衍生物在有机电致发光器件中的应用。 8.根据权利要求7所述的含氮杂环类衍生物在有机电致发光器件中的应用， 其特征在 于， 所述有机电致发光器件包括阳极、 阴极和有机物层， 有机物层包含空穴注入层、 空穴传 输层、 电子阻挡层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 电子注入层中的至少一层； 所述有机物层中的至少。
7、一层含有权利要求15任一项所述的含氮杂环类衍生物。 9.根据权利要求8所述的含氮杂环类衍生物在有机电致发光器件中的应用， 其特征在 于， 所述含氮杂环类衍生物用于制备有机电致发光器件的空穴传输层。 权利要求书 6/6 页 7 CN 105968045 A 7 一种含氮杂环类衍生物及其制备方法和应用 技术领域 0001 本发明涉及有机光电材料技术领域， 具体涉及一种含氮杂环类衍生物及其制备方 法和应用。 背景技术 0002 近年来， 有机发光二极管(OLED:OrganicLightEmittingDiode)作为一种新型 和有前途的显示技术逐渐进入人们的视野。 OLED是一种由多层有机薄膜结构。
8、形成的电致发 光器件， 其中的有机薄膜是利用蒸镀、 沉积或旋涂工艺在基板上形成的有机发光材料的膜。 1987年， 美国柯达公司的邓青云(C.W.Tang)及SteveVanSlyke以真空蒸镀法首次制成了多 层式结构的OLED。 它与传统的显示技术相比， 在电压特性、 发光亮度、 发光效率、 器件重量、 响应速度以及观赏视角等方面具有显著优势， 并因其低成本潜力， 拥有广阔市场前景。 0003 为了提高有机电致发光器件的亮度、 效率和寿命， 通常在器件中使用多层结构。 这 些多层结构包括发光层及各种辅助有机层， 如： 空穴注入层(holeinjectionlayer)， 空穴 传输层(hole。
9、transportlayer)， 电子传输层(electrontransportlayer)等。 这些辅助 有机层的作用是提高载流子(空穴和电子)在各层界面间的注入效率， 平衡载流子在各层之 间的传输， 从而提高器件的亮度和效率。 0004 目前， 有机电致发光材料的研究已经在学术界和工业界广泛开展， 几乎所有的知 名电子公司和化学公司都投入巨大的资金和人力进入这一领域， 大量性能优良的有机电致 发光材料陆续被开发出来， 但该技术的产业化进程仍面临许多关键问题， 如何设计新的性 能更好的材料进行调节， 一直是本领域技术人员亟待解决的问题。 发明内容 0005 本发明的目的是提供一种含氮杂环类衍。
10、生物及其制备方法和应用， 本发明提供的 有机化合物热稳定性能高、 成膜性好， 制备方法简单， 由该化合物制成的有机发光器件发光 效率优异， 是性能优良的有机发光材料。 0006 本发明首先提供一种含氮杂环类衍生物， 结构式为： 0007 0008 其中， Ar为碳原子数为1030的稠环化合物； R1、 R2独立的选自取代或未取代的碳 原子数650的芳基、 取代或未取代的五元杂环、 取代或未取代的六元杂环、 取代或未取代 说明书 1/25 页 8 CN 105968045 A 8 的碳原子数830的稠杂环； R3为氢原子或碳原子数为130的烃基。 0009 优选的， 所述Ar为碳原子数为1014。
11、的稠环化合物； R1、 R2独立的选自取代或未取 代的碳原子数为630的芳基、 取代或未取代的五元杂环、 取代或未取代的六元杂环、 取代 或未取代的碳原子数820的稠杂环； R3为氢原子或碳原子数为110的烃基。 0010 优选的， 所述Ar为碳原子数为14的稠环化合物； R1、 R2独立的选自碳原子数为618 的芳基、 五元杂环、 六元杂环、 碳原子数820的稠杂环； R3为氢原子。 0011 优选的， 所述Ar为菲； R1、 R2独立的选自苯基、 萘基、 联苯基、 三联苯基、 吡咯基、 吡啶 基、 噻吩基、 呋喃基、 吲哚基、 苯并噻吩基、 苯并呋喃基、 喹啉基、 异喹啉基、 咪唑基、 噻。
12、唑基、 噁唑基或芴基； R3为氢原子。 0012 优选的， 所述含氮杂环类衍生物选自如下TM1TM43所示结构中的任意一种： 0013 说明书 2/25 页 9 CN 105968045 A 9 0014 说明书 3/25 页 10 CN 105968045 A 10 0015 说明书 4/25 页 11 CN 105968045 A 11 0016 0017 本发明还提供一种含氮杂环类衍生物的制备方法， 包括： 说明书 5/25 页 12 CN 105968045 A 12 0018 0019 通过如下路线合成得到含氮杂环类衍生物： 0020 其中， Ar为碳原子数为1030的稠环化合物； 。
13、R1、 R2独立的选自取代或未取代的碳 原子数650的芳基、 取代或未取代的五元杂环、 取代或未取代的六元杂环、 取代或未取代 的碳原子数830的稠杂环； R3为氢原子或碳原子数为130的烃基。 0021 本发明还提供上述含氮杂环衍生物在有机电致发光器件中的应用。 0022 优选的， 所述有机电致发光器件包括阳极、 阴极和有机物层， 有机物层包含空穴注 入层、 空穴传输层、 电子阻挡层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 电子注入层中的至少一 层； 0023 所述有机物层中的至少一层含有上述任一项所述的含氮杂环类衍生物。 0024 优选的， 所述含氮杂环类衍生物用于制备有机电致发光器件的空。
14、穴传输层。 0025 本发明的有益效果: 0026 本发明首先提供一种含氮杂环类衍生物， 该含氮杂环类衍生物具有式I所示结构， 通过引入刚性、 密集结构， 使本发明所得到的含氮杂环类衍生物热稳定性能高、 成膜性好， 可用于制备有机电致发光器件， 尤其是作为有机电致发光器件中的空穴传输材料， 能够有 效提高OLED器件的发光效率， 优于现有常用OLED器件。 上述器件可用于平板显示器、 照明光 源、 手机屏幕、 信号灯等应用领域。 本发明还提供一种含氮杂环类衍生物的制备方法， 该制 备方法简单、 原料易得， 能够满足工业化发展的需要。 具体实施方式 0027 为了进一步理解本发明， 下面结合实施。
15、例对本发明优选实施方案进行描述， 但是 应当理解， 这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点， 而不是对本发明权利要求的 限制。 0028 本发明首先提供一种含氮杂环类衍生物， 结构式为： 说明书 6/25 页 13 CN 105968045 A 13 0029 0030 其中， Ar为碳原子数为1030的稠环化合物； R1、 R2独立的选自取代或未取代碳原 子数650的芳基、 取代或未取代的五元杂环、 取代或未取代的六元杂环、 取代或未取代的 碳原子数830的稠杂环； R3为氢原子或碳原子数为130的烃基。 0031 优选为Ar为碳原子数为1014的稠环化合物； R1、 R2独立的选自取代。
16、或未取代的碳 原子数为630的芳基、 取代或未取代的五元杂环、 取代或未取代的六元杂环、 取代或未取 代的碳原子数820的稠杂环； R3为氢原子或碳原子数为110的烃基。 0032 按照本发明， 所述的取代的芳基、 取代的五元杂环、 取代的六元杂环、 取代的稠杂 环中， 取代基独立的选自烷基、 烷氧基、 氨基、 卤素、 氰基、 硝基、 羟基或巯基。 0033 再优选Ar为碳原子数为14的稠环化合物； R1、 R2独立的选自碳原子数为618的芳 基、 五元杂环、 六元杂环、 碳原子数820的稠杂环； R3为氢原子。 0034 最优选Ar为菲； R1、 R2独立的选自苯基、 萘基、 联苯基、 三联。
17、苯基、 吡咯基、 吡啶基、 噻 吩基、 呋喃基、 吲哚基、 苯并噻吩基、 苯并呋喃基、 喹啉基、 异喹啉基、 咪唑基、 噻唑基、 噁唑基 或芴基； R3为氢原子。 具体的， 所述含氮杂环类衍生物优选选自如下TM1TM43所示结构中 的任意一种： 说明书 7/25 页 14 CN 105968045 A 14 0035 说明书 8/25 页 15 CN 105968045 A 15 0036 说明书 9/25 页 16 CN 105968045 A 16 0037 说明书 10/25 页 17 CN 105968045 A 17 0038 说明书 11/25 页 18 CN 105968045 。
18、A 18 0039 0040 本发明还提供一种含氮杂环衍生物的制备方法， 包括： 0041 通过如下路线合成得到含氮杂环类衍生物： 0042 0043 其中， Ar为碳原子数为1030的稠环化合物； R1、 R2独立的选自取代或未取代的碳 原子数650的芳基、 取代或未取代的五元杂环、 取代或未取代的六元杂环、 取代或未取代 的碳原子数830的稠杂环； R3为氢原子或碳原子数为130的烃基。 0044 按照本发明， 中间体A所示的化合物按照如下所示方法制备得到： 0045 (1)在氮气保护下， 醋酸钯与三叔丁基膦为催化剂， 叔丁醇钠为碱的情况下， 将对 溴苯胺与所示卤代物反应， 得到中间体A前。
19、体仲胺； 0046 (2)在氮气保护下， 醋酸钯与三叔丁基膦为催化剂， 叔丁醇钠为碱的情况下， 将仲 胺与另一卤代物反应， 得到中间体A。 0047 按照本发明， 中间体B所示的化合物按照如下所示方法制备得到： 0048 (1)在氮气保护下， 醋酸钯与三叔丁基膦为催化剂， 叔丁醇钠为碱的情况下， 将所 示伯胺与所示卤代物反应， 得到中间体B前体； 说明书 12/25 页 19 CN 105968045 A 19 0049 (2)经由环化反应， 中间体B前体脱水得到中间体B。 0050 按照本发明， 将中间体A所示的化合物和中间体B所示的化合物在氮气保护下经过 偶联反应得到所示的含氮杂环类衍生物。
20、， 本发明对所述偶联反应没有特殊的限制， 采用本 领域技术人员所熟知的偶联反应即可， 该制备方法简单， 原料易得。 0051 本发明还提供上述含氮杂环类衍生物在有机电致发光器件中的应用， 本发明的含 氮杂环类衍生物可以作为空穴传输材料在有机电致发光器件方面得到应用， 所述有机电致 发光器件包括阳极、 阴极和有机物层， 有机物层包含空穴注入层、 空穴传输层、 电子阻挡层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 电子注入层中的至少一层； 所述有机物层中的至少一层 含有上述所述的含氮杂环类衍生物。 所述含氮杂环类衍生物具体可以作为制备有机电致发 光器件的空穴传输层。 采用的器件结构优选具体为： 附着。
21、在透光玻璃上的ITO作为阳极； 本 发明所得含氮杂环类衍生物作为空穴传输层； 在空穴传输层上真空蒸镀EML作为发光层， 或 作为主体同磷光材料掺杂(掺杂质量浓度为0.530.0)作为发光层； 8-羟基喹啉铝为电 子传输层， LiF作为电子注入层， 金属Al作为阴极。 所述有机电致发光器件可用于平板显示 器、 照明光源、 指示牌、 信号灯等应用领域。 0052 本发明对以下实施例中所采用的原料没有特别的限制， 可以为市售产品或采用本 领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。 0053 实施例A： 0054 a)中间体A1的制备 0055 0056 将三叔丁基膦(4.4mL的1 .0M的甲苯溶液， 。
22、1 .48g， 0.05mmol)、 醋酸钯(0.4g， 1.83mmol)和叔丁醇钠(52.7g， 549mmol)添加至对溴苯胺(31.1g， 183mmol)和溴苯(59.9g， 384mmol)在脱气甲苯(500mL)中的溶液， 并且将该混合物在回流下加热2小时。 将该反应混 合物冷却至室温， 用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。 将该滤液用水稀释， 并用甲苯提取， 并 且合并有机相， 将其在真空下进行蒸发。 将该残余物经由硅胶(庚烷/二氯甲烷)进行过滤， 并从异丙醇中结晶。 得到浅黄色固体形式的4-溴三苯胺(53g， 理论值90)。 0057 质谱m/z： 324.19(计算值： 324.。
23、21)。 理论元素含量()C18H14BrN： C,66.68； H, 4.35； Br,24.65； N,4.32实测元素含量()： C,66.78； H,4.30； Br,24.55； N,4.22。 上述结果 证实获得产物为目标产品。 0058 b)中间体A2的制备 说明书 13/25 页 20 CN 105968045 A 20 0059 0060 将三叔丁基膦(4.4mL的1 .0M的甲苯溶液， 1 .48g， 0.05mmol)、 醋酸钯(0.4g， 1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g， 238mmol)添加至9-菲胺(17.0g， 183mmol)和溴苯(28.7g， 18。
24、3mmol)在脱气甲苯(500mL)中的溶液， 并且将该混合物在回流下加热2小时。 将该反应混 合物冷却至室温， 用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。 将该滤液用水稀释， 并用甲苯提取， 并 且合并有机相， 将其在真空下进行蒸发。 将该残余物经由硅胶(庚烷/二氯甲烷)进行过滤， 并从异丙醇中结晶。 得到浅黄色固体形式的1-3(36.3g， 理论值80)。 0061 质谱m/z： 248.28(计算值： 248.12)。 理论元素含量()C12H10BrN： C,58.09； H, 4.06； N,5.65； Br,32.20实测元素含量()： C,58.10； H,4.03； N,5.68； Br3。
25、2.25。 上述结果 证实获得产物为目标产品。 0062 0063 将三叔丁基膦(4 .4mL的1 .0M的甲苯溶液， 1 .13g， 5 .6mmol)、 醋酸钯(0 .3g， 1.4mmol)和叔丁醇钠(40.3g， 420mmol)添加至1-3(34.7g， 140mmol)和2-1(26.5g， 168mmol) 在脱气甲苯(500mL)中的溶液， 并且将该混合物在回流下加热2小时。 将该反应混合物冷却 至室温， 用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。 将该滤液用水稀释， 并用甲苯提取， 并且合并有 机相， 将其在真空下进行蒸发。 将该残余物经由硅胶(庚烷/二氯甲烷)进行过滤， 并从异丙 醇中。
26、结晶。 得到浅黄色固体形式的A2(31.8g， 理论值70)。 0064 质谱m/z： 325.25(计算值： 325.20)。 理论元素含量()C17H13N2Br： C,62.79； H, 4.03； N,8.61； Br,24.57实测元素含量()： C,62.78； H,4.23； N,8.58； Br,24.55。 上述结果 证实获得产物为目标产品。 0065 以类似方法获得如下中间体化合物： 0066 说明书 14/25 页 21 CN 105968045 A 21 0067 说明书 15/25 页 22 CN 105968045 A 22 0068 0069 说明书 16/25 。
27、页 23 CN 105968045 A 23 0070 实施例A3:质谱m/z： 313.15(计算值： 313.19)。 理论元素含量()C16H13N2Br： C, 61.36； H,4.18； N,8.94； Br,25.51实测元素含量()： C,61.38； H,4.13； N,8.98； Br,25.55。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0071 实施例A4:质谱m/z： 314.15(计算值： 314.18)。 理论元素含量()C16H12BrNO： C, 61.17； H,3.85； Br,25.43； N,4.46； O,5.09实测元素含量()： C,61.18； H,。
28、3.83； Br,25.41； N,4.48； O,5.09。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0072 实施例A5:质谱m/z： 330.25(计算值： 330.24)。 理论元素含量()C16H12BrSO： C, 58.19； H,3.66； N,4.24； Br,24.20； S,9.71实测元素含量()： C,58.17； H,3.65； N,4.24； Br, 24.22； S,9.70。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0073 实施例A6:质谱m/z： 326.21(计算值： 326.19)。 理论元素含量()C16H12N3Br： C, 58.91； H,3.71； N,。
29、12.88； Br,24.50实测元素含量()： C,58.88； H,3.73； N,12.88； Br, 24.55。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0074 实施例A7:质谱m/z： 375.25(计算值： 375.26)。 理论元素含量()C21H15N2Br： C, 67.21； H,4.03； N,7.47； Br,21.29实测元素含量()： C,67.28； H,4.13； N,7.50； Br,21.25。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0075 实施例A8:质谱m/z： 363.25(计算值： 363.25)。 理论元素含量()C20H15N2Br： C, 66.1。
30、3； H,4.16； N,7.71； Br,22.00实测元素含量()： C,66.18； H,4.13； N,7.78； Br,22.05。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0076 实施例A9:质谱m/z： 325.25(计算值： 325.20)。 理论元素含量()C20H14BrNS： C, 63.16； H,3.71； Br,21.01； N,3.68； S,8.43实测元素含量()： C,63.15； H,3.73； Br,21.00； N,3.66； S,8.41。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0077 实施例A10:质谱m/z： 364.25(计算值： 364.24)。 。
31、理论元素含量()C20H14BrNO： C, 65.95； H,3.87； Br,21.94； N,3.85； O,4.39实测元素含量()： C,65.92； H,3.87； Br,21.90； N,3.83； O,4.35。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0078 实施例A11:质谱m/z： 448.35(计算值： 448.35)。 理论元素含量()C28H18NBr： C, 75.01； H,4.05； N,3.12； Br,17.82实测元素含量()： C,75.08； H,4.03； N,3.11； Br,17.85。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0079 实施例A12:质。
32、谱m/z： 374.25(计算值： 374.27)。 理论元素含量()C22H16NBr： C, 70.60； H,4.31； N,3.74； Br,21.35实测元素含量()： C,70.62； H,4.33； N,3.78； Br,21.35。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0080 实施例A13:质谱m/z： 440.35(计算值： 440.37)。 理论元素含量()C27H22NBr： C, 73.64； H,5.04； N,3.18； Br,18.14实测元素含量()： C,73.68； H,5.03； N,3.18； Br,18.15。 上述结果证实获得产物为目标产品。 008。
33、1 实施例A14:质谱m/z： 490.40(计算值： 490.43)。 理论元素含量()C31H24NBr： C, 75.92； H,4.93； N,2.86； Br,16.29实测元素含量()： C,75.98； H,4.93； N,2.88； Br,16.25。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0082 实施例A15:质谱m/z： 426.35(计算值： 426.31)。 理论元素含量()C24H16N3Br： C, 67.62； H,3.78； N,9.86； Br,18.74实测元素含量()： C,67.68； H,3.73； N,9.88； Br,18.75。 上述结果证实获得产。
34、物为目标产品。 说明书 17/25 页 24 CN 105968045 A 24 0083 实施例A16:质谱m/z： 402.25(计算值： 402.29)。 理论元素含量()C22H16BrN3： C, 65.68； H,4.01； N,10.45； Br,19.86实测元素含量()： C,65.78； H,4.03； N,10.48； Br, 19.85。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0084 实施例A17:质谱m/z： 436.35(计算值： 436.39)。 理论元素含量()C22H14S2NBr： C, 60.55； H,3.23； S,14.70； N,3.21； Br,1。
35、8.31实测元素含量()： C,60.58； H,3.23； S,14.72； N,3.28； Br,18.35。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0085 实施例A18:质谱m/z： 404.25(计算值： 404.26)。 理论元素含量()C22H14O2NBr： C, 65.36； H,3.49； O,7.92； N,3.46； Br,19.77实测元素含量()： C,65.38； H,3.43； O,7.90； N, 3.58； Br,19.75。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0086 实施例B： 中间体B的制备 0087 0088 将三叔丁基膦(4.4mL的1 .0M的甲苯溶。
36、液， 1 .48g， 0.05mmol)、 醋酸钯(0.4g， 1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g， 238mmol)添加至9-菲胺(17.0g， 183mmol)和2-(2-溴苯基)- 2-丙醇(39.3g， 183mmol)在脱气甲苯(500mL)中的溶液， 并且将该混合物在回流下加热2小 时。 将该反应混合物冷却至室温， 用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。 将该滤液用水稀释， 并 用甲苯提取， 并且合并有机相， 将其在真空下进行蒸发。 将该残余物经由硅胶(庚烷/二氯甲 烷)进行过滤， 并从异丙醇中结晶。 得到浅黄色固体形式的B-3(47.8g， 理论值80)。 0089 质谱m/z： 。
37、327.38(计算值： 327.42)。 理论元素含量()C23H21NO： C,84.37； H,6.46； N,4.28； O,4.89实测元素含量()： C,84.48； H,6.53； N,4.28； O,4.85。 上述结果证实获得产 物为目标产品。 0090 0091 将B-3(39.2g， 120mmol)固体溶于1LDCM中， 零度下加入BF3OEt2(2eq)， 由零度升 至室温控制在30分钟。 反应结束后， 向体系中加入碳酸氢铵的水溶液后DCM萃取， 合并有机 相， 干燥后旋干， 用柱层析(石油醚/乙酸乙酯)方法得到中间体B(产率为70)。 0092 质谱m/z： 309.。
38、45(计算值： 309.40)。 理论元素含量()C23H19N： C,89.28； H,6.19； N,4.53实测元素含量()： C,89.48； H,6.23； N,4.52。 上述结果证实获得产物为目标产品。 0093 实施例C： 化合物TM1的合成： 说明书 18/25 页 25 CN 105968045 A 25 0094 0095 将三叔丁基膦(4.4mL的1 .0M的甲苯溶液， 1 .48g， 0.05mmol)、 醋酸钯(0.4g， 1.83mmol)和叔丁醇钠(52.7g， 549mmol)添加至2(56.6g， 183mmol)和1(62.2g， 192mmol)在 脱气。
39、甲苯(500mL)中的溶液， 并且将该混合物在回流下加热2小时。 将该反应混合物冷却至 室温， 用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。 将该滤液用水稀释， 并用甲苯提取， 并且合并有机 相， 将其在真空下进行蒸发。 将该残余物经由硅胶(庚烷/二氯甲烷)进行过滤， 并从异丙醇 中结晶。 得到浅黄色固体形式的叔胺结构C1(85.9g， 理论值85)。 0096 质谱m/z： 552.65(计算值： 552.71)。 理论元素含量()C41H32N2： C,89.10； H,5.84； N,5.07实测元素含量()： C,89.23； H,5.80； N,5.12。 上述结果证实获得产物为目标产品。 009。
40、7 以类似方法获得如下化合物： 0098 说明书 19/25 页 26 CN 105968045 A 26 0099 说明书 20/25 页 27 CN 105968045 A 27 0100 说明书 21/25 页 28 CN 105968045 A 28 0101 说明书 22/25 页 29 CN 105968045 A 29 0102 0103 实施例C2:质谱m/z： 553.65(计算值： 553.69)。 理论元素含量()C40H31N3： C, 86.77； H,5.64； N,7.59实测元素含量()： C,86.78； H,5.63； N,7.58。 上述结果证实获得产 物。
41、为目标产品。 0104 实施例C3:质谱m/z： 541.65(计算值： 541.68)。 理论元素含量()C39H31N3： C, 86.47； H,5.77； N,7.76实测元素含量()： C,86.48； H,5.73； N,7.78。 上述结果证实获得产 物为目标产品。 0105 实施例C4:质谱m/z： 542.65(计算值： 572.67)。 理论元素含量()C39H30N2O： C, 86.32； H,5.57； N,5.16； O,2.95实测元素含量()： C,86.38； H,5.53； N,5.18； O,2.99。 上述 结果证实获得产物为目标产品。 0106 实施例。
42、C5:质谱m/z： 558.73(计算值： 558.73)。 理论元素含量()C39H30N2S： C, 83.84； H,5.41； N,5.01； S,5.74实测元素含量()： C,83.87； H,5.45； N,5.04； S,5.70。 上述 结果证实获得产物为目标产品。 0107 实施例C6:质谱m/z： 554.67(计算值： 554.68)。 理论元素含量()C39H30N4： C, 84.45； H,5.45； N,10.10实测元素含量()： C,84.48； H,5.43； N,10.18。 上述结果证实获得 产物为目标产品。 0108 实施例C7:质谱m/z： 603。
43、.72(计算值： 603.75)。 理论元素含量()C44H33N3： C, 87.53； H,5.51； N,6.96实测元素含量()： C,87.58； H,5.53； N,7.00。 上述结果证实获得产 物为目标产品。 0109 实施例C8:质谱m/z： 591.71(计算值： 591.74)。 理论元素含量()C43H33N3： C, 87.28； H,5.62； N,7.10实测元素含量()： C,87.28； H,5.63； N,7.11。 上述结果证实获得产 物为目标产品。 0110 实施例C9:质谱m/z： 608.75(计算值： 608.79)。 理论元素含量()C43H32。
44、N2S： C, 84.83； H,5.31； N,4.60； S,5.27实测元素含量()： C,84.85； H,5.33； N,4.66； S,5.21。 上述 结果证实获得产物为目标产品。 0111 实施例C10:质谱m/z： 592.70(计算值： 592.73)。 理论元素含量()C43H32N2O： C, 87.13； H,5.44； N,4.73； O,2.70实测元素含量()： C,87.12； H,5.47； N,4.73； O,2.75。 上述 结果证实获得产物为目标产品。 0112 实施例C11:质谱m/z： 676.85(计算值： 676.84)。 理论元素含量()C5。
45、1H36N2： C, 90.50； H,5.36； N,4.14实测元素含量()： C,90.52； H,5.33； N,4.11。 上述结果证实获得产 物为目标产品。 0113 实施例C12:质谱m/z： 602.75(计算值： 602.76)。 理论元素含量()C45H34N2： C, 说明书 23/25 页 30 CN 105968045 A 30 89.67； H,5.69； N,4.65实测元素含量()： C,89.62； H,5.63； N,4.68。 上述结果证实获得产 物为目标产品。 0114 实施例C13:质谱m/z： 668.85(计算值： 668.87)。 理论元素含量(。
46、)C50H40N2： C, 89.78； H,6.03； N,4.19实测元素含量()： C,89.78； H,6.06； N,4.18。 上述结果证实获得产 物为目标产品。 0115 实施例C14:质谱m/z： 718.90(计算值： 718.92)。 理论元素含量()C54H42N2： C, 90.21； H,5.89； N,3.90实测元素含量()： C,90.22； H,5.83； N,3.88。 上述结果证实获得产 物为目标产品。 0116 实施例C15:质谱m/z： 654.81(计算值： 654.80)。 理论元素含量()C47H34N3： C, 86.21； H,5.23； N。
47、,8.56实测元素含量()： C,86.28； H,5.23； N,8.58。 上述结果证实获得产 物为目标产品。 0117 实施例C16:质谱m/z： 630.75(计算值： 630.78)。 理论元素含量()C45H34N4： C, 85.68； H,5.43； N,8.88实测元素含量()： C,85.78； H,5.43； N,8.88。 上述结果证实获得产 物为目标产品。 0118 实施例C17:质谱m/z： 664.86(计算值： 664.88)。 理论元素含量()C45H32S2N2： C, 81.29； H,4.85； S,9.65； N,4.21实测元素含量()： C,81.。
48、28； H,4.83； S,9.62； N,4.28。 上述 结果证实获得产物为目标产品。 0119 实施例C18:质谱m/z： 632.73(计算值： 632.75)。 理论元素含量()C45H32O2N2： C, 85.42； H,5.10； O,5.06； N,4.43实测元素含量()： C,85.48； H,5.13； O,5.10； N,4.48。 上述 结果证实获得产物为目标产品。 0120 应用实施例1： 发光器件1的制备 0121 选取ITO玻璃为阳极， 超声清洗后干燥至于真空腔中， 抽真空至510-5Pa， 在上述 阳极基板上真空蒸镀化合物TM8作为空穴传输层， 蒸镀速率为0。
49、.1nm/s， 蒸镀厚度为40nm。 在 空穴传输层上真空蒸镀EML作为发光层， 蒸镀速率为0.005nm/s， 蒸镀厚度为30nm。 在发光层 上真空蒸镀八羟基喹啉铝(Alq3)作为电子传输层， 蒸镀速率为0.01nm/s， 蒸镀厚度为20nm。 在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层， Al层作为阴极， 厚度分别为1.5nm和200nm。 该器件发射蓝光， 发射峰位415nm， 在13V电压驱动下亮度为11000cd/m2， 最大电流效率为 5.75cd/A， 最大功率效率为4.63lm/W， 玻璃化温度为163。 0122 0123 应用实施例2： 发光器件2的制备 0124 选取ITO玻璃为阳极， 超声清洗后干燥至于真空腔中， 抽真空至510-5Pa， 在上述 阳极基板上真空蒸镀化合物TM16作为空穴传输层， 蒸镀速率为0.1nm/s， 蒸镀厚度为40nm。 在空穴传输层上真空蒸镀EML作为发光层， 蒸镀速率为0.005nm/s， 蒸镀厚度为30nm。 在发光 层上真空蒸镀八羟基喹啉铝(Alq3)作为电子传输层， 蒸镀速率为0.01nm/s， 蒸镀厚度为 说明书 24/25 页 31 CN 105968045 A 31 20nm。 在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层， Al层作为阴极， 厚度分。