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1、10申请公布号CN102328929A43申请公布日20120125CN102328929ACN102328929A21申请号201110210841122申请日20110722C01B31/3620060171申请人周彬地址225327江苏省泰州市高港区永安洲镇高永工业园兴园路19号72发明人周彬54发明名称一种碳化硅微粉提纯工艺57摘要本发明公开了一种碳化硅微粉提纯工艺，它包括以下步骤步骤一，在带有滤网的反应釜中投入碳化硅粗品微粉、水和煤油，然后在常温下进行搅拌一段时间除去游离碳；步骤二，向反应釜中投入98浓硫酸，升温并保温一段时间，保温结束后，在常温下加入氢氟酸并搅拌反应一段时间，然后用。
2、离心机离心，最后用水进行漂洗，得到湿品碳化硅；步骤三，对湿品碳化硅进行烘干，最后得到碳化硅干品。本发明提供的碳化硅微粉提纯工艺，生产出适合单晶硅切片使用要求的碳化硅微粉，适合工业规模生产，同时有利于生产的循环发展，节约成本，并且降低工业废弃物对环境造成的污染。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页CN102328937A1/1页21一种碳化硅微粉提纯工艺，其特征是它包括以下步骤步骤一，在带有滤网的反应釜中投入碳化硅粗品微粉、水和煤油，然后在常温下进行搅拌一段时间除去游离碳；步骤二，向反应釜中投入98浓硫酸，升温并保温一段时间，保温结束后，在常温下。
3、加入氢氟酸并搅拌反应一段时间，然后用离心机离心，最后用水进行漂洗，得到湿品碳化硅；步骤三，对湿品碳化硅进行烘干，最后得到碳化硅干品。2根据权利要求1所述的一种碳化硅微粉提纯工艺，其特征是所述步骤一中碳化硅微粉与水与煤油的质量比为110001，所述滤网为200目的不锈钢滤网。3根据权利要求1所述的一种碳化硅微粉提纯工艺，其特征是所述步骤二中碳化硅微粉与浓硫酸与氢氟酸的质量比为1003002，加入浓硫酸后升温至60并保温4小时，加入氢氟酸后搅拌反应2小时。4根据权利要求1所述的一种碳化硅微粉提纯工艺，其特征是所述步骤三中采用闪蒸烘干设备进行烘干，进风口温度为250，出料口温度120。权利要求书CN。
4、102328929ACN102328937A1/2页3一种碳化硅微粉提纯工艺技术领域0001本发明涉及一种碳化硅微粉提纯工艺。背景技术0002碳化硅SIC是用石英砂、石油焦或煤焦、氯化钠为原料通过电阻炉高温冶炼而成。其中石英砂是天然产物，石油焦是石油提炼中的一种副产物，都含有大量的杂质，所以冶炼出来的碳化硅中含有大量的杂质，主要成分有游离碳、硅及二氧化硅、铁及氧化铁。单晶硅切片用的碳化硅微粉使用要求很高，质量指标为碳化硅含量985、游离碳05、铁及氧化铁05、硅及二氧化硅1。单晶硅切片过程中，碳化硅中的游离碳、硅及二氧化硅、铁及氧化铁会对单晶硅片产生斑点、花印，严重影响单晶硅片质量。通过此工艺。
5、处理碳化硅，可以使碳化硅达到使用标准。发明内容0003本发明的目的是提供一种碳化硅微粉提纯工艺，生产出适合单晶硅切片使用要求的碳化硅微粉，适合工业规模生产，同时有利于生产的循环发展，节约成本，并且降低工业废弃物对环境造成的污染。0004本发明采用了以下技术方案一种碳化硅微粉提纯工艺，它包括以下步骤步骤一，在带有滤网的反应釜中投入碳化硅粗品微粉、水和煤油，然后在常温下进行搅拌一段时间除去游离碳；步骤二，向反应釜中投入98浓硫酸，升温并保温一段时间，保温结束后，在常温下加入氢氟酸并搅拌反应一段时间，然后用离心机离心，最后用水进行漂洗，得到湿品碳化硅；步骤三，对湿品碳化硅进行烘干，最后得到碳化硅干品。
6、。0005所述步骤一中碳化硅微粉与水与煤油的质量比为110001，所述滤网为200目的不锈钢滤网；所述步骤二中碳化硅微粉与浓硫酸与氢氟酸的质量比为1003002，加入浓硫酸后升温至60并保温4小时，加入氢氟酸后搅拌反应2小时；所述步骤三中采用闪蒸烘干设备进行烘干，进风口温度为250，出料口温度120。0006本发明具有以下有益效果本发明提供的碳化硅微粉提纯工艺，生产出适合单晶硅切片使用要求的碳化硅微粉，适合工业规模生产，同时有利于生产的循环发展，节约成本，并且降低工业废弃物对环境造成的污染。具体实施方式0007本发明提供了一种碳化硅微粉提纯工艺，它包括以下步骤步骤一，在带有滤网的反应釜中投入碳。
7、化硅粗品微粉、水和煤油，碳化硅微粉与水与煤油的质量比为110001，所述滤网为200目的不锈钢滤网，然后在常温下进行搅拌一段时间除去游离碳；步骤二，向反应釜中投入98浓硫酸，升温至60并保温4小时，保温结束后，在常温下加入氢氟酸并搅拌反应2小时，碳化硅微粉与浓硫酸与氢氟酸的质量比为1003002，然后用离心机离心，最后用水进行漂洗，得到湿品碳化硅；步骤三，对湿品说明书CN102328929ACN102328937A2/2页4碳化硅进行烘干，最后得到碳化硅干品，所述步骤三中采用闪蒸烘干设备进行烘干，进风口温度为250，出料口温度120。0008实施例0009原料碳化硅微粉粗品1000KG，含杂质。
8、游离碳11、铁及氧化铁17、硅及二氧化硅22。00101、除游离碳，在3000L不锈钢带夹套反应釜中投入1000KG碳化硅粗品微粉和水1000KG和1KG煤油，常温下进行搅拌。在液面位置安装200目不锈钢滤网，煤油与水的密度不同，可以使游离碳浮在液面的表面，在搅拌条件下，游离碳被过滤在200目滤网上。捞碳2小时后，液面基本没有黑色游离碳。00112、除铁及氧化铁、硅及二氧化硅，在该反应釜中继续投入30KG98浓硫酸，升温至60，并保温4小时，保温结束后，再降温至室温，加入氢氟酸20KG，搅拌反应2小时，离心机离心，并用30KG水漂洗，得湿品碳化硅1025KG。00123、闪蒸烘干及除灰尘，闪蒸烘干设备利用导热油加热鼓风机吹进的空气，进风口温度升温至250，将纯碳化硅湿品1025KG分批投入闪蒸机，出料口温度120，得到碳化硅干品948KG。0013取样品检测碳化硅含量9928、游离碳含量021、铁及氧化铁含量016、硅及二氧化硅含量035，满足单晶硅切片使用标准。说明书CN102328929A。