制作用于形成光盘的母盘的方法.pdf

下面将参照图3至图8描述根据本发明的一具体实施实施例的母盘的制
作方法。首先，图4所示的SiO₂膜101通过诸如步骤300中的溅散之类的沉
淀步骤形成于基片100上。

随后，如图5所示，在该SiO₂膜上涂覆一第一光阻材料层110(步骤310)。
在步骤320，在旋转该基片100的同时，将该第一光阻材料层曝光于一激光
束210。此时，该第一光阻材料层是以一种对应于凹槽101和槽脊102(参见
图7)的构形被曝光的，该凹槽101和槽脊102将在后面予以描述。

并且，在步骤330，通过活性离子蚀刻法对曝光后的基片100进行蚀刻，
然后将该第一光阻材料层110除去。于是，如图6所示，在该SiO₂膜105上
形成对应于凹槽101和槽脊102的凹槽结构凹进部101′和槽脊结构凸出部
102′。

如图7所示，将一第二光阻材料层120涂覆于该SiO₂膜105上(步骤
340)。此时，该第二光阻材料层120是以均匀的厚度而沿该凹槽结构凹进部
101′和该槽脊结构凸出部102′被涂覆的。于是，通过涂覆该第二光阻材料层
120，完成了凹槽101和槽脊102的制作。

至于凹坑的形成，是这样进行的，将该第二光阻材料层120按凹坑的形
状曝光于一激光束(步骤350)，使凹坑形成于凹槽101和槽脊102上。例如，
通过精细控制一激光反射镜，如镀锌镜(galvano mirror)，有可能使一激光点准
确跟踪凹槽101和槽脊102。

然后，对该第二光阻材料层120进行蚀刻，以便在该第二光阻材料层120
的凹槽101和槽脊102上形成凹坑103，如图8所示。于是即可得到一母盘。

按照本发明的，通过分别的处理程序对该基片和该第二光阻材料层进行
蚀刻，从而可相当陡峭地形成凹槽、槽脊和凹坑。

以上述方式，就可用该母盘复制得到光盘。

通过如下的例子，本发明的效果将变得更加明显。

(举例)

在该列中，通过常规技术得到的母盘(a)和(b)的容量分别为10G字节和
15.12G字节。通过本发明制作的母盘(c)和(d)，其凹槽深度为λ/6η，凹坑深
度为λ/4，其中‘λ’表示用来复制的激光的波长，‘η’表示该母盘的折
射率，具有430nm的波长的蓝色激光用于曝光。表1示出对于母盘(a)、(b)、
(c)、(d)的凹槽角度和抖动错误率。这里，凹槽角度表示在一张盘的凹槽的一
个侧面和该盘的一水平面之间的角度。

                              (表1)

如表1中所示，母盘(a)和(b)的凹槽角度大约为50°，而母盘(c)和(d)的
凹槽角度大约为80°。也就是说，与母盘(a)和(b)相比，母盘(c)和(d)形成更
陡峭的凹槽。并且，本发明的母盘的抖动错误率下降至传统的抖动错误率的
一半。

根据本发明的母盘制作方法，可陡峭地形成凹槽、槽脊和凹坑之间的边
界，从而改善了信息记录和再现的特性，并实现了信息的高密度记录。