承载装置以及离子注入设备.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201410293453.8

申请日:

2014.06.25

公开号:

CN104078400A

公开日:

2014.10.01

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情:

授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/673申请日:20140625|||公开

IPC分类号:

H01L21/673; C23C14/50

主分类号:

H01L21/673

申请人:

合肥鑫晟光电科技有限公司; 京东方科技集团股份有限公司

发明人:

周斌

地址:

230011 安徽省合肥市新站区工业园内

优先权:

专利代理机构:

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人:

许静;黄灿

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内容摘要

本发明提供一种承载装置以及离子注入设备,其中,本发明的承载装置包括用于承托玻璃基板的承托板以及设置于承托板上的用于测量玻璃基板温度的温度传感器。本发明的离子注入设备,包括本发明的承载装置。本发明的技术方案可以解决离子浓度较高以及长时间的注入导致被注入基板温度持续升高,由此出现缺陷和不良的技术问题。本发明的承载装置还可以增加一种离子注入设备的浓度监控手段,提升注入设备的整体性能。

权利要求书

1.  一种承载装置,其特征在于,包括用于承托玻璃基板的承托板以及设置于所述承托板上的用于测量所述玻璃基板温度的温度传感器。

2.
  根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,还包括与所述温度传感器连接的控制器以及用于冷却所述玻璃基板的冷却系统,所述冷却系统与所述控制器连接,所述控制器根据所述温度传感器的信号控制所述冷却系统的工作。

3.
  根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,所述温度传感器为多个,多个所述温度传感器一一对应地分别设置于所述承托板上的多个承托区域内。

4.
  根据权利要求3所述的承载装置,其特征在于,所述承托板上的相邻所述温度传感器之间的距离相等。

5.
  根据权利要求4所述的承载装置,其特征在于,所述温度传感器位于所述承托板的承托面的上方,所述温度传感器通过弹簧连接于所述承托板上,所述弹簧的一端连接于所述承托板的承托面上,所述弹簧的另一端连接所述温度传感器,所述弹簧对所述温度传感器施加弹力,以使所述温度传感器与所述玻璃基板紧密贴合。

6.
  根据权利要求5所述的承载装置,其特征在于,所述冷却系统包括设置于所述承托板的承托面上的冷却管路,所述冷却管路与冷却源通过连接管路连接,所述连接管路上设置有电磁控制阀,所述电磁控制阀与所述控制器连接,所述控制器通过所述电磁控制阀控制所述冷却系统的工作。

7.
  根据权利要求6所述的承载装置,其特征在于,所述冷却管路包括多个平行排列的横管,所述横管分别与所述连接管路连通,所述冷却管路还包括多个平行排列的纵管,所述纵管垂直于所述横管,所述纵管分别与所述连接管路连通,所述承托板上的每一承托区域内至少有一横管或纵管穿过。

8.
  根据权利要求7所述的承载装置,其特征在于,相邻所述横管之间的距离相等,相邻所述纵管之间的距离相等,相邻的所述横管之间的距离等于相邻的所述纵管之间的距离。

9.
  根据权利要求8所述的承载装置,其特征在于,承托板的背面设置有连接杆,所述连接杆与支承杆可相对旋转的铰接在一起,所述支承杆用于支承所述承托板,所述连接杆与所述支承杆的铰接处设置有用于测量所述连接杆与所述支承杆之间角度的量角器,所述承托板的承托面上设置有用于夹持固定所述玻璃基板的夹持机构。

10.
  一种离子注入设备,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的承载装置。

说明书

承载装置以及离子注入设备
技术领域
本发明涉及一种专门用于制造或处理固体器件的设备,特别是一种承载装置以及离子注入设备。
背景技术
离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性技术。离子注入的基本原理是:用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去,离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用,入射离子逐渐损失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、结构和性能发生变化,从而优化材料表面性能或获得某些新的优异性能。
现在离子注入已经成为现代半导体器件与低温多晶硅TFT制作中掺杂的主流技术。工作中发现:在Ion source高能粒子的轰击下,玻璃基板表面的光刻胶(PR)会逐渐的升温,一定时间后PR胶会直接裂开,这样粒子会直接注入到不需要注入的区域,导致产品注入不均,严重影响产品性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种保护玻璃基板表面的光刻胶不因升温而损坏的承载装置以及离子注入设备。
本发明的承载装置,其中,包括用于承托玻璃基板的承托板以及设置于所述承托板上的用于测量所述玻璃基板温度的温度传感器。
本发明的承载装置,其中,还包括与所述温度传感器连接的控制器以及用于冷却所述玻璃基板的冷却系统,所述冷却系统与所述控制器连接,所述控制器根据所述温度传感器的信号控制所述冷却系统的工作。
本发明的承载装置,其中,所述温度传感器为多个,多个所述温度传感器一一对应地分别设置于所述承托板上的多个承托区域内。
本发明的承载装置,其中,所述承托板上的相邻所述温度传感器之间的距离相等。
本发明的承载装置,其中,所述温度传感器位于所述承托板的承托面的上方,所述温度传感器通过弹簧连接于所述承托板上,所述弹簧的一端连接于所述承托板的承托面上,所述弹簧的另一端连接所述温度传感器,所述弹簧对所述温度传感器施加弹力,以使所述温度传感器与所述玻璃基板紧密贴合。
本发明的承载装置,其中,所述冷却系统包括设置于所述承托板的承托面上的冷却管路,所述冷却管路与冷却源通过连接管路连接,所述连接管路上设置有电磁控制阀,所述电磁控制阀与所述控制器连接,所述控制器通过所述电磁控制阀控制所述冷却系统的工作。
本发明的承载装置,其中,所述冷却管路包括多个平行排列的横管,所述横管分别与所述连接管路连通,所述冷却管路还包括多个平行排列的纵管,所述纵管垂直于所述横管,所述纵管分别与所述连接管路连通,所述承托板上的每一承托区域内至少有一横管或纵管穿过。
本发明的承载装置,其中,相邻所述横管之间的距离相等,相邻所述纵管之间的距离相等,相邻的所述横管之间的距离等于相邻的所述纵管之间的距离。
本发明的承载装置,其中,承托板的背面设置有连接杆,所述连接杆与支承杆可相对旋转的铰接在一起,所述支承杆用于支承所述承托板,所述连接杆与所述支承杆的铰接处设置有用于测量所述连接杆与所述支承杆之间角度的量角器,所述承托板的承托面上设置有用于夹持固定所述玻璃基板的夹持机构。
本发明的离子注入设备,包括本发明的承载装置。
本发明的技术方案可以解决离子浓度较高以及长时间的注入导致被注入基板温度持续升高,由此出现缺陷和不良的技术问题。本发明的承载装置还可以增加一种离子注入设备的浓度监控手段,提升注入设备的整体性能。
附图说明
图1为本发明的离子注入设备的承托板的结构示意图的主视图,示出了承 托板上相关零部件的结构以及位置关系;
图2为本发明的离子注入设备的温度传感器与承托板之间的安装示意图;
图3为本发明的离子注入设备的结构示意图的主视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施,但所举实施例不作为对本发明的限定。
如图1所示,本发明的承载装置,其中,包括用于承托玻璃基板的承托板1以及设置于承托板1上的用于测量玻璃基板温度的温度传感器2。
本发明的承载装置,其中,还包括与温度传感器2连接的控制器以及用于冷却玻璃基板的冷却系统,冷却系统与控制器连接,控制器根据温度传感器2的信号控制冷却系统的工作。
为更精确的监测玻璃基板的温度,本发明的承载装置,其中,温度传感器2为多个。承托板1的承托面10上划分有多个承托区域20。多个温度传感器2一一对应地分别设置于承托板1上的多个承托区域20内。
为进一步精确的监测玻璃基板的温度,本发明的承载装置,其中,承托板1上的相邻温度传感器2之间的距离相等。
为使进一步精确的监测玻璃基板的温度,须确保温度传感器与玻璃基板紧密贴合,结合图2所示,本发明的承载装置,其中,温度传感器2位于承托板1的承托面10的上方,温度传感器2通过弹簧3连接于承托板1上,弹簧3的一端连接于承托板1的承托面10上,弹簧3的另一端连接温度传感器2,弹簧3对温度传感器2施加弹力,以使温度传感器2与玻璃基板紧密贴合。
本发明的承载装置,其中,冷却系统包括设置于承托板1的承托面10上的冷却管路,冷却管路与冷却源40通过连接管路50连接,连接管路50上设置有电磁控制阀60,电磁控制阀60与控制器连接,控制器通过电磁控制阀60控制冷却系统的工作。
本发明的承载装置,其中,冷却管路包括多个平行排列的横管41,横管41分别与连接管路50连通,冷却管路还包括多个平行排列的纵管42,纵管 42垂直于横管41,纵管42分别与连接管路50连通,承托板1上的每一承托区域20内至少有一横管41或一纵管42穿过。
本发明的承载装置,其中,相邻横管41之间的距离相等,相邻纵管42之间的距离相等,相邻的横管41之间的距离等于相邻的纵管42之间的距离。
本发明的承载装置,其中,承托板1的背面设置有连接杆5,连接杆5与支承杆6可相对旋转的铰接在一起,支承杆6用于支承承托板1,连接杆5与支承杆6的铰接处设置有用于测量连接杆与支承杆之间角度的量角器7,承托板1的承托面10上设置有用于夹持固定玻璃基板的夹持机构90。
本发明的承载装置,其中,控制器可以为可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller,PLC)或微型计算机。
本发明的离子注入设备,包括本发明的承载装置。
本发明的承载装置的技术方案是针对LTPS(多晶硅)行业里Implant(离子注入)设备的翻转承载装置进行的技术改进。本发明的承载装置可以解决离子浓度较高以及长时间的注入导致被注入基板温度持续升高,由此出现缺陷和不良的技术问题。
本发明的承载装置还可以增加一种离子注入设备的浓度监控手段,提升注入设备的整体性能。
当本发明的承载装置进行工作时,当玻璃基板被放到的承托板1的承托面10上方,弹出的温度传感器2接触到玻璃基板的背面,在离子注入工艺进行时持续监测玻璃基板的温度,当超出设定温度时,控制器控制冷却系统开始工作,即冷却介质由连接管路50流入冷却管路,冷却介质在冷却管路内循环流动,对其上方的玻璃基板冷却,直到玻璃基板温度降低到设定温度以下,则控制器控制冷却系统停止工作,由此防止玻璃基板上PR开裂,
本发明的承载装置中温度传感器与冷却系统协同工作,不仅能调节玻璃基板的温度,减少PR开裂以及玻璃基板温度升高对其特性的其他恶劣影响;还能通过对温度曲线的分析,监测离子注入设备的离子浓度变化,通过感知离子浓度的变化可以对离子浓度的异常的进行感知或预判,由此提升离子注入设备的注入性能。
通过离子注入设备的离子浓度变化曲线与温度变化的模拟数据关系图可 以得知:随着离子注入设备的离子浓度的变化,模拟出的温度也会呈现一个线性变化,通过对数据的积累和分析,从温度曲线的波动就可以持续监控离子浓度的变化情况,这样更有利于对离子注入设备实际到达玻璃基板表面的离子的量的数据感知,从而可以根据收集到的温度数据来判断离子注入的质量情况。
本发明的承载装置,其中,连接杆5与支承杆6的铰接处设置有用于测量连接杆5与支承杆6之间角度的量角器7,这样可以很清楚的感知承托板的倾斜角度,也可以精确的调节承托板的倾斜角度,由此对离子注入的宽度进行调整。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

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资源描述

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1、10申请公布号CN104078400A43申请公布日20141001CN104078400A21申请号201410293453822申请日20140625H01L21/673200601C23C14/5020060171申请人合肥鑫晟光电科技有限公司地址230011安徽省合肥市新站区工业园内申请人京东方科技集团股份有限公司72发明人周斌74专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静黄灿54发明名称承载装置以及离子注入设备57摘要本发明提供一种承载装置以及离子注入设备,其中,本发明的承载装置包括用于承托玻璃基板的承托板以及设置于承托板上的用于测量玻璃基板温度的温度传感器。本发明。

2、的离子注入设备,包括本发明的承载装置。本发明的技术方案可以解决离子浓度较高以及长时间的注入导致被注入基板温度持续升高,由此出现缺陷和不良的技术问题。本发明的承载装置还可以增加一种离子注入设备的浓度监控手段,提升注入设备的整体性能。51INTCL权利要求书1页说明书4页附图2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书4页附图2页10申请公布号CN104078400ACN104078400A1/1页21一种承载装置,其特征在于,包括用于承托玻璃基板的承托板以及设置于所述承托板上的用于测量所述玻璃基板温度的温度传感器。2根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,还包括与所。

3、述温度传感器连接的控制器以及用于冷却所述玻璃基板的冷却系统,所述冷却系统与所述控制器连接,所述控制器根据所述温度传感器的信号控制所述冷却系统的工作。3根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,所述温度传感器为多个,多个所述温度传感器一一对应地分别设置于所述承托板上的多个承托区域内。4根据权利要求3所述的承载装置,其特征在于,所述承托板上的相邻所述温度传感器之间的距离相等。5根据权利要求4所述的承载装置,其特征在于,所述温度传感器位于所述承托板的承托面的上方,所述温度传感器通过弹簧连接于所述承托板上,所述弹簧的一端连接于所述承托板的承托面上,所述弹簧的另一端连接所述温度传感器,所述弹簧对所述温度。

4、传感器施加弹力,以使所述温度传感器与所述玻璃基板紧密贴合。6根据权利要求5所述的承载装置,其特征在于,所述冷却系统包括设置于所述承托板的承托面上的冷却管路,所述冷却管路与冷却源通过连接管路连接,所述连接管路上设置有电磁控制阀,所述电磁控制阀与所述控制器连接,所述控制器通过所述电磁控制阀控制所述冷却系统的工作。7根据权利要求6所述的承载装置,其特征在于,所述冷却管路包括多个平行排列的横管,所述横管分别与所述连接管路连通,所述冷却管路还包括多个平行排列的纵管,所述纵管垂直于所述横管,所述纵管分别与所述连接管路连通,所述承托板上的每一承托区域内至少有一横管或纵管穿过。8根据权利要求7所述的承载装置,。

5、其特征在于,相邻所述横管之间的距离相等,相邻所述纵管之间的距离相等,相邻的所述横管之间的距离等于相邻的所述纵管之间的距离。9根据权利要求8所述的承载装置,其特征在于,承托板的背面设置有连接杆,所述连接杆与支承杆可相对旋转的铰接在一起,所述支承杆用于支承所述承托板,所述连接杆与所述支承杆的铰接处设置有用于测量所述连接杆与所述支承杆之间角度的量角器,所述承托板的承托面上设置有用于夹持固定所述玻璃基板的夹持机构。10一种离子注入设备,其特征在于,包括如权利要求19任一项所述的承载装置。权利要求书CN104078400A1/4页3承载装置以及离子注入设备技术领域0001本发明涉及一种专门用于制造或处理。

6、固体器件的设备,特别是一种承载装置以及离子注入设备。背景技术0002离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性技术。离子注入的基本原理是用能量为100KEV量级的离子束入射到材料中去,离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用,入射离子逐渐损失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、结构和性能发生变化,从而优化材料表面性能或获得某些新的优异性能。0003现在离子注入已经成为现代半导体器件与低温多晶硅TFT制作中掺杂的主流技术。工作中发现在IONSOURCE高能粒子的轰击下,玻璃基板表面的光刻胶PR会逐渐的升温,一定时间后PR胶会直接裂开,这样粒。

7、子会直接注入到不需要注入的区域,导致产品注入不均,严重影响产品性能。发明内容0004本发明的目的在于提供一种保护玻璃基板表面的光刻胶不因升温而损坏的承载装置以及离子注入设备。0005本发明的承载装置,其中,包括用于承托玻璃基板的承托板以及设置于所述承托板上的用于测量所述玻璃基板温度的温度传感器。0006本发明的承载装置,其中,还包括与所述温度传感器连接的控制器以及用于冷却所述玻璃基板的冷却系统,所述冷却系统与所述控制器连接,所述控制器根据所述温度传感器的信号控制所述冷却系统的工作。0007本发明的承载装置,其中,所述温度传感器为多个,多个所述温度传感器一一对应地分别设置于所述承托板上的多个承托。

8、区域内。0008本发明的承载装置,其中,所述承托板上的相邻所述温度传感器之间的距离相等。0009本发明的承载装置,其中,所述温度传感器位于所述承托板的承托面的上方,所述温度传感器通过弹簧连接于所述承托板上,所述弹簧的一端连接于所述承托板的承托面上,所述弹簧的另一端连接所述温度传感器,所述弹簧对所述温度传感器施加弹力,以使所述温度传感器与所述玻璃基板紧密贴合。0010本发明的承载装置,其中,所述冷却系统包括设置于所述承托板的承托面上的冷却管路,所述冷却管路与冷却源通过连接管路连接,所述连接管路上设置有电磁控制阀,所述电磁控制阀与所述控制器连接,所述控制器通过所述电磁控制阀控制所述冷却系统的工作。。

9、0011本发明的承载装置,其中,所述冷却管路包括多个平行排列的横管,所述横管分别与所述连接管路连通,所述冷却管路还包括多个平行排列的纵管,所述纵管垂直于所述横说明书CN104078400A2/4页4管,所述纵管分别与所述连接管路连通,所述承托板上的每一承托区域内至少有一横管或纵管穿过。0012本发明的承载装置,其中,相邻所述横管之间的距离相等,相邻所述纵管之间的距离相等,相邻的所述横管之间的距离等于相邻的所述纵管之间的距离。0013本发明的承载装置,其中,承托板的背面设置有连接杆,所述连接杆与支承杆可相对旋转的铰接在一起,所述支承杆用于支承所述承托板,所述连接杆与所述支承杆的铰接处设置有用于测。

10、量所述连接杆与所述支承杆之间角度的量角器,所述承托板的承托面上设置有用于夹持固定所述玻璃基板的夹持机构。0014本发明的离子注入设备,包括本发明的承载装置。0015本发明的技术方案可以解决离子浓度较高以及长时间的注入导致被注入基板温度持续升高,由此出现缺陷和不良的技术问题。本发明的承载装置还可以增加一种离子注入设备的浓度监控手段,提升注入设备的整体性能。附图说明0016图1为本发明的离子注入设备的承托板的结构示意图的主视图,示出了承托板上相关零部件的结构以及位置关系;0017图2为本发明的离子注入设备的温度传感器与承托板之间的安装示意图;0018图3为本发明的离子注入设备的结构示意图的主视图。。

11、具体实施方式0019下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施,但所举实施例不作为对本发明的限定。0020如图1所示,本发明的承载装置,其中,包括用于承托玻璃基板的承托板1以及设置于承托板1上的用于测量玻璃基板温度的温度传感器2。0021本发明的承载装置,其中,还包括与温度传感器2连接的控制器以及用于冷却玻璃基板的冷却系统,冷却系统与控制器连接,控制器根据温度传感器2的信号控制冷却系统的工作。0022为更精确的监测玻璃基板的温度,本发明的承载装置,其中,温度传感器2为多个。承托板1的承托面10上划分有多个承托区域20。多个温度传感器2一一。

12、对应地分别设置于承托板1上的多个承托区域20内。0023为进一步精确的监测玻璃基板的温度,本发明的承载装置,其中,承托板1上的相邻温度传感器2之间的距离相等。0024为使进一步精确的监测玻璃基板的温度,须确保温度传感器与玻璃基板紧密贴合,结合图2所示,本发明的承载装置,其中,温度传感器2位于承托板1的承托面10的上方,温度传感器2通过弹簧3连接于承托板1上,弹簧3的一端连接于承托板1的承托面10上,弹簧3的另一端连接温度传感器2,弹簧3对温度传感器2施加弹力,以使温度传感器2与玻璃基板紧密贴合。0025本发明的承载装置,其中,冷却系统包括设置于承托板1的承托面10上的冷却管路,冷却管路与冷却源。

13、40通过连接管路50连接,连接管路50上设置有电磁控制阀60,电磁说明书CN104078400A3/4页5控制阀60与控制器连接,控制器通过电磁控制阀60控制冷却系统的工作。0026本发明的承载装置,其中,冷却管路包括多个平行排列的横管41,横管41分别与连接管路50连通,冷却管路还包括多个平行排列的纵管42,纵管42垂直于横管41,纵管42分别与连接管路50连通,承托板1上的每一承托区域20内至少有一横管41或一纵管42穿过。0027本发明的承载装置,其中,相邻横管41之间的距离相等,相邻纵管42之间的距离相等,相邻的横管41之间的距离等于相邻的纵管42之间的距离。0028本发明的承载装置,。

14、其中,承托板1的背面设置有连接杆5,连接杆5与支承杆6可相对旋转的铰接在一起,支承杆6用于支承承托板1,连接杆5与支承杆6的铰接处设置有用于测量连接杆与支承杆之间角度的量角器7,承托板1的承托面10上设置有用于夹持固定玻璃基板的夹持机构90。0029本发明的承载装置,其中,控制器可以为可编程逻辑控制器PROGRAMMABLELOGICCONTROLLER,PLC或微型计算机。0030本发明的离子注入设备,包括本发明的承载装置。0031本发明的承载装置的技术方案是针对LTPS多晶硅行业里IMPLANT离子注入设备的翻转承载装置进行的技术改进。本发明的承载装置可以解决离子浓度较高以及长时间的注入导。

15、致被注入基板温度持续升高,由此出现缺陷和不良的技术问题。0032本发明的承载装置还可以增加一种离子注入设备的浓度监控手段,提升注入设备的整体性能。0033当本发明的承载装置进行工作时,当玻璃基板被放到的承托板1的承托面10上方,弹出的温度传感器2接触到玻璃基板的背面,在离子注入工艺进行时持续监测玻璃基板的温度,当超出设定温度时,控制器控制冷却系统开始工作,即冷却介质由连接管路50流入冷却管路,冷却介质在冷却管路内循环流动,对其上方的玻璃基板冷却,直到玻璃基板温度降低到设定温度以下,则控制器控制冷却系统停止工作,由此防止玻璃基板上PR开裂,0034本发明的承载装置中温度传感器与冷却系统协同工作,。

16、不仅能调节玻璃基板的温度,减少PR开裂以及玻璃基板温度升高对其特性的其他恶劣影响;还能通过对温度曲线的分析,监测离子注入设备的离子浓度变化,通过感知离子浓度的变化可以对离子浓度的异常的进行感知或预判,由此提升离子注入设备的注入性能。0035通过离子注入设备的离子浓度变化曲线与温度变化的模拟数据关系图可以得知随着离子注入设备的离子浓度的变化,模拟出的温度也会呈现一个线性变化,通过对数据的积累和分析,从温度曲线的波动就可以持续监控离子浓度的变化情况,这样更有利于对离子注入设备实际到达玻璃基板表面的离子的量的数据感知,从而可以根据收集到的温度数据来判断离子注入的质量情况。0036本发明的承载装置,其中,连接杆5与支承杆6的铰接处设置有用于测量连接杆5与支承杆6之间角度的量角器7,这样可以很清楚的感知承托板的倾斜角度,也可以精确的调节承托板的倾斜角度,由此对离子注入的宽度进行调整。0037以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应说明书CN104078400A4/4页6视为本发明的保护范围。说明书CN104078400A1/2页7图1图2说明书附图CN104078400A2/2页8图3说明书附图CN104078400A。

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