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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201710171835.7 (22)申请日 2017.03.22 (71)申请人 陈志育 地址 528000 广东省佛山市禅城区张槎三 路35号德晖花园4号楼502室 (72)发明人 不公告发明人 (74)专利代理机构 北京轻创知识产权代理有限 公司 11212 代理人 谈杰 (51)Int.Cl. A01H 4/00(2006.01) (54)发明名称 一种高萌发率的甘草无菌播种方法 (57)摘要 本发明提供一种高萌发率的甘草无菌播种 方法， 其以MS培养基为基础培养基， 并。
2、添加酪蛋 白、 活性炭、 硝酸铈、 琼脂粉和白砂糖为配制成播 种培养基， 同时对种子在接种前进行浓硫酸处理 或者机械摩擦处理， 极大地提高了甘草种子的萌 发率， 本发明具有萌发率高优点。 权利要求书1页 说明书3页 CN 106900556 A 2017.06.30 CN 106900556 A 1.一种高萌发率的甘草无菌播种方法， 其特征在于， 其包括以下步骤： 步骤S10， 按以下配方配制培养基： 其以MS培养基为基础培养基， 酪蛋白的浓度为0.5g/ L、 活性炭的浓度为0.15 mg/L、 硝酸铈的浓度为3g/L， 琼脂粉的浓度为10g/L、 白砂糖的浓度 为7g/L； 步骤S20， 。
3、选择品质优良、 健康的甘草作为母本， 收集母本种子使用98%的浓硫酸浸泡 60min， 然后用清水冲洗45次， 再用0.1%的升汞溶液消毒8min， 再用无菌水冲洗45次； 步骤S30， 将消毒完的种子接种到配制好的培养基中， 将组培瓶密封取出， 并转移到组 培室中； 步骤S40， 将组培室中的环境温度调整为2327， 使用黑暗环境培养一周。 2.根据权利要求1所述的一种高萌发率的甘草无菌播种方法， 其特征在于， 所述的步骤 S10中还包括步骤S11， 对培养基进行121的高温蒸汽灭菌20分钟。 3.根据权利要求1所述的一种高萌发率的甘草无菌播种方法， 其特征在于， 所述的步骤 S20可以使用。
4、机械摩擦方式替代浓硫酸浸泡。 权 利 要 求 书 1/1 页 2 CN 106900556 A 2 一种高萌发率的甘草无菌播种方法 技术领域 0001 本发明属于甘草组织培养技术领域， 尤其涉及一种高萌发率的甘草无菌播种方 法。 背景技术 0002 甘草，（学名： Glycyrrhiza uralensis Fisch） 别名： 国老、 甜草、 乌拉尔甘草、 甜根 子。 豆科、 甘草属多年生草本， 根与根状茎粗壮， 是一种补益中草药。 对人体很好的一种药， 药用部位是根及根茎， 药材性状根呈圆柱形， 长25100厘米， 直径0.63.5厘米。 外皮松紧 不一， 表面红棕色或灰棕色。 根茎呈圆柱。
5、形， 表面有芽痕， 断面中部有髓。 气微， 味甜而特殊。 功能主治清热解毒、 祛痰止咳、 脘腹等。 喜阴暗潮湿， 日照长气温低的干燥气候。 甘草多生长 在干旱、 半干旱的荒漠草原、 沙漠边缘和黄土丘陵地带。 根和根状茎供药用。 传统的甘草获 取方法是采挖叶生植物资源， 造成水土流失和严重土壤沙漠化， 同时由于人们破坏性地对 叶生甘草采挖， 使野生植物几乎灭绝， 对甘草的保护性利用迫在眉睫， 但由于甘草种植发芽 率不高和人们对其此生代谢物的需求， 从而使甘草的组织培养对研究和生产具有重要作 用。 0003 稀土元素是17种特殊的元素的统称， 它的得名是因为瑞典科学家在提取稀土元素 时应用了稀土化。
6、合物， 所以得名稀土元素。 然而稀土是历史遗留下来的名称， 稀土是从18世 纪末开始陆续发现， 当时人们常把不溶于水的固体氧化物称为土， 例如， 将氧化铝称为 “陶 土” ， 氧化钙称为” 碱土 “等。 稀土一般是以氧化物状态分离出来的， 当时比较稀少， 因而得名 为稀土 （Rare Earth， 简称RE或R） ， 然而经过大量的科学研究， 在组织培养当中添加了稀土 元素会大大地提高组织培养的质量。 0004 铈是周期系第 族副族镧系元素， 一种稀土元素。 原子序数58。 稳定同位素： 136、 138、 140、 142。 灰色金属， 有展性。 密度： 正方晶体6.9， 立方晶体6.7。 。
7、熔点799， 沸点3426 。 铈是一种银灰色的活泼金属， 粉末在空气中易自燃， 易溶于酸。 铈的名称来源于小行星 谷神星的英文名。 铈在地壳中的含量约0.0046%， 是稀土元素中丰度最高的。 发明内容 0005 基于现有技术中甘草的需求量巨大， 且现有培养方法的萌发率低的问题， 本发明 提供一种高萌发率的甘草无菌播种方法， 其以MS培养基为基础培养基， 并添加酪蛋白、 活性 炭、 硝酸铈、 琼脂粉和白砂糖为配制成播种培养基， 同时对种子在接种前进行浓硫酸处理或 者机械摩擦处理， 极大地提高了甘草种子的萌发率， 本发明具有萌发率高优点。 0006 一种高萌发率的甘草无菌播种方法， 其包括以下。
8、步骤： 步骤S10， 按以下配方配制培养基： 其以MS培养基为基础培养基， 酪蛋白的浓度为0.5g/ L、 活性炭的浓度为0.15 mg/L、 硝酸铈的浓度为3g/L， 琼脂粉的浓度为10g/L、 白砂糖的浓度 为7g/L； 步骤S20， 选择品质优良、 健康的甘草作为母本， 收集母本种子使用98%的浓硫酸浸泡 说 明 书 1/3 页 3 CN 106900556 A 3 60min， 然后用清水冲洗45次， 再用0.1%的升汞溶液消毒8min， 再用无菌水冲洗45次； 步骤S30， 将消毒完的种子接种到配制好的培养基中， 将组培瓶密封取出， 并转移到组 培室中； 步骤S40， 将组培室中的环。
9、境温度调整为2327， 使用黑暗环境培养一周。 0007 优选地， 所述的步骤S10中还包括步骤S11， 对培养基进行121的高温蒸汽灭菌20 分钟。 0008 优选地， 所述的步骤S20可以使用机械摩擦方式替代浓硫酸浸泡。 具体实施方式 0009 下面结合具体实施例对本发明作进一步的描述。 0010 实施例一： 使用浓硫酸处理甘草种子。 0011 一种高萌发率的甘草无菌播种方法， 其包括以下步骤： 步骤S10， 按以下配方配制培养基： 其以MS培养基为基础培养基， 酪蛋白的浓度为0.5g/ L、 活性炭的浓度为0.15 mg/L、 硝酸铈的浓度为3g/L， 琼脂粉的浓度为10g/L、 白砂糖。
10、的浓度 为7g/L； 步骤S20， 选择品质优良、 健康的甘草作为母本， 收集母本种子使用98%的浓硫酸浸泡 60min， 然后用清水冲洗5次， 再用0.1%的升汞溶液消毒8min， 再用无菌水冲洗5次； 步骤S30， 将消毒完的种子接种到配制好的培养基中， 将组培瓶密封取出， 并转移到组 培室中； 步骤S40， 将组培室中的环境温度调整为25， 使用黑暗环境培养一周。 0012 作为优选实施例， 所述的步骤S10中还包括步骤S11， 对培养基进行121的高温蒸 汽灭菌20分钟。 0013 将种子接种7天后， 统计萌发率得出甘草种子的萌发率为97.21%， 高于现有技术的 萌发率。 0014 。
11、实施例二： 使用机械摩擦处理甘草种子。 0015 一种高萌发率的甘草无菌播种方法， 其包括以下步骤： 步骤S10， 按以下配方配制培养基： 其以MS培养基为基础培养基， 酪蛋白的浓度为0.5g/ L、 活性炭的浓度为0.15 mg/L、 硝酸铈的浓度为3g/L， 琼脂粉的浓度为10g/L、 白砂糖的浓度 为7g/L； 步骤S20， 选择品质优良、 健康的甘草作为母本， 收集母本种子进行机械摩擦10min， 然 后用清水冲洗4次， 再用0.1%的升汞溶液消毒8min， 再用无菌水冲洗5次； 步骤S30， 将消毒完的种子接种到配制好的培养基中， 将组培瓶密封取出， 并转移到组 培室中； 步骤S40。
12、， 将组培室中的环境温度调整为25， 使用黑暗环境培养一周。 0016 作为优选实施例， 所述的步骤S10中还包括步骤S11， 对培养基进行121的高温蒸 汽灭菌20分钟。 0017 将种子接种7天后， 统计萌发率得出甘草种子的萌发率为97.58%， 高于现有技术的 萌发率。 0018 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式， 其描述较为具体和详细， 但并 说 明 书 2/3 页 4 CN 106900556 A 4 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。 应当指出的是， 对于本领域的普通技术人员 来说， 在不脱离本发明构思的前提下， 还可以做出若干变形和改进， 这些都属于本发明的保 护范围。 因此， 本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。 说 明 书 3/3 页 5 CN 106900556 A 5 。