无排气管真空荧光显示器的制备工艺.pdf

本发明公开了一种无排气管真空荧光显示器的制备工艺，灯丝在真空炉内完成恒电流K分解的步骤特征在于，对于其中0.80～1.00V/cm的灯丝，控制通过灯丝引加的恒电流I范围为38.28～43.72mA，钨丝温度Tw为981～1099℃，碳酸盐温度Tk为905～1015℃。本发明避免了恒电压条件下经常由碳垢引起的电压损失，使得灯丝的K分解得以不间断顺利进行，设定的一系列K分解参数对通过灯丝引加的恒电流加以规定并通过调整灯丝表面温度有效解决了灯丝的K分解散布，从而达到最佳的无排气管真空荧光显示器生产条件。

1.  一种无排气管真空荧光显示器的制备工艺，灯丝在真空炉内完成恒电流K分解的步骤特征在于，对于其中0.80～1.00V/cm的灯丝，控制通过灯丝引加的恒电流I范围为38.28～43.72mA，钨丝温度Tw为981～1099℃，碳酸盐温度Tk为905～1015℃。

2.  根据权利要求1所述一种无排气管真空荧光显示器的制备工艺，其特征在于所述灯丝为0.64MG的灯丝。

3.  根据权利要求1或2所述一种无排气管真空荧光显示器的制备工艺，其特征在于对于0.80V/cm的灯丝，优选通过灯丝引加的恒电流I为38.28mA，钨丝温度Tw为981℃，碳酸盐温度Tk为905℃。

4.  根据权利要求1或2所述一种无排气管真空荧光显示器的制备工艺，其特征在于对于0.82V/cm的灯丝，优选通过灯丝引加的恒电流I为38.84mA，钨丝温度Tw为994℃，碳酸盐温度Tk为917℃。

5.  根据权利要求1或2所述一种无排气管真空荧光显示器的制备工艺，其特征在于对于0.85V/cm的灯丝，优选通过灯丝引加的恒电流I为39.69mA，钨丝温度Tw为1012℃，碳酸盐温度Tk为934℃。

6.  根据权利要求1或2所述一种无排气管真空荧光显示器的制备工艺，其特征在于对于0.89V/cm的灯丝，优选通过灯丝引加的恒电流I为40.79mA，钨丝温度Tw为1036℃，碳酸盐温度Tk为957℃。

7.  根据权利要求1或2所述一种无排气管真空荧光显示器的制备工艺，其特征在于对于0.94V/cm的灯丝，优选通过灯丝引加的恒电流I为42.14mA，钨丝温度Tw为1065℃，碳酸盐温度Tk为984℃。

8.  根据权利要求1或2所述一种无排气管真空荧光显示器的制备工艺，其特征在于对于1.00V/cm的灯丝，优选通过灯丝引加的恒电流I为43.72mA，钨丝温度Tw为1099℃，碳酸盐温度Tk为1015℃。

无排气管真空荧光显示器的制备工艺
                               技术领域
本发明涉及一种真空荧光显示器的制备工艺，特别是涉及一种通过恒电流分解的无排气管真空荧光显示器的制备工艺。
                               背景技术
真空荧光显示器VFD(Vacuum Fluorescent Display)是由真空管发展而来，它利用荧光体受电子的轰击而发光，是一种自发光显示器件。因易于做多色彩显示，又可以用低压驱动，与半导体的相容性佳，可靠性高，因而被广泛应用于各种电子产品。现有的真空荧光显示器产品在制备中都要经过一个K分解过程，所谓K分解是指给真空荧光显示器的灯丝两端施加电压，使灯丝受热，灯丝上的碳酸盐分解排出气体同时形成易于放出电子的金属氧化物的过程。真空荧光显示器产品按照排气方式的不同，可分为有排气管真空荧光显示器和无排气管真空荧光显示器。其中有排气管真空荧光显示器的K分解过程可在常温下采用恒电压分解方式进行，由于排气技术相对简单而成为目前最普遍的真空荧光显示器制备技术。然而，由于工艺条件的限制有排气管真空荧光显示器存在先天的不足：首先，其排气管位于VFD制品四周的边缘部位，在包装运输及产品装配时外露且突出的排气管容易受到碰撞，导致排气管的破裂，整个产品报废。其次，由于排气管的存在，有排气管真空荧光显示器安装占用的空间也比较大。随着集成电路的发展，各种应用真空荧光显示器的设备向着轻、薄、小的方向发展，要求配套的真空荧光显示器产品占用空间小、易安装，在运输和储存中更加安全可靠，有排气管真空荧光显示器显然不能满足这些条件。无排气管真空荧光显示器正是为了满足上述要求而发展的新产品，无排气管真空荧光显示器采用基板玻璃打孔排气的新工艺，使得产品外侧不再有突出易碎的排气管深受市场欢迎。无排气管真空荧光显示器采用基板玻璃打孔排气技术进行生产其制备工艺比有排气管真空荧光显示器的直接排气制备技术难度大，主要体现在：一、无排气管真空荧光显示器产品需在排气炉内330度左右的温度条件下进行K分解，高温下Pin与电刷间有碳垢形成，碳垢会使电刷与Pin的接触电压增大，造成电压损失，灯丝的K分解无法进行；二、真空荧光显示器的灯丝由钨丝和碳酸盐组成、灯丝上还有用来黏附碳酸盐的有机黏合剂，K分解时这些组分受热分解并排放较多的二氧化碳气体，K分解散布较大，多种因素的波动将严重影响产品的质量。因此，无排气管真空荧光显示器需要对K分解参数进行精心的设计。
                             发明内容
本发明的目的在于克服现有生产无排气管真空荧光显示器存在的困难，提供一种改进的无排气管真空荧光显示器制备工艺，该制备工艺设定的K分解参数将避免碳垢和灯丝K分解散布对产品质量的影响，充分满足生产优质无排气管真空荧光显示器需要的条件。
本发明采取的技术方案：一种无排气管真空荧光显示器的制备工艺，灯丝在真空炉内完成恒电流K分解的步骤特征在于，其中规格为0.80～1.00V/cm的灯丝，控制通过灯丝引加的恒电流I为38.28～43.72mA，控制钨丝温度Tw为981～1099℃，控制碳酸盐温度Tk为905～1015℃。
所述灯丝为0.64MG灯丝。
本发明的有益效果在于，所述无排气管真空荧光显示器的制备工艺在真空炉内恒电流条件下完成灯丝的K分解过程，避免了恒电压条件下经常由碳垢引起的电压损失，灯丝的K分解得以不间断顺利进行。精心设定的K分解参数对通过灯丝引加的恒电流加以规定并对调整灯丝表面温度有效解决了灯丝的K分解散布，从而达到最佳的无排气管真空荧光显示器生产条件。
                             附图说明
图1是有排气管真空荧光显示器示意图；
图2是无排气管真空荧光显示器示意图。
                          具体实施方式
下面结合附图1、2，对本发明进一步详细描述：图1、2分别是有排气管真空荧光显示器示意图和无排气管真空荧光显示器示意图，图中真空荧光显示器的上部是玻璃盖1，排气管2位于玻璃盖1的一侧，由于排气管2是一根突出一端封闭的空心管，所以排气管2在受到碰撞时很容易破裂导致真空荧光显示器产品的报废。灯丝11是真空荧光显示器产品的发光部件，灯丝11的材料为钨丝，钨丝表面是碳酸盐以及用来粘合碳酸盐的有机黏合剂。导电膜端子10又称为灯丝引加是真空荧光显示器K分解时外部电流于灯丝11的导通连接部。阳极9、绝缘层8、阳极线路7、栅极6是有排气管真空荧光显示器和无排气管真空荧光显示器的共有部件。玻璃基板5位于真空荧光显示器的下部，无排气管真空荧光显示器的玻璃基板5与有排气管真空荧光显示器的玻璃基板5不同，对于前者玻璃基板5上多出一个排气孔12用来排出灯丝表面碳酸盐K分解时放出的二氧化碳气体。无排气管真空荧光显示器的制备工艺是这样实现的：使灯丝在真空炉内完成恒电流K分解的步骤，其中规格为0.80～1.00V/cm的灯丝，控制通过灯丝引加的恒电流I为38.28～43.72mA，控制钨丝温度Tw为981～1099℃，控制碳酸盐温度Tk为905～1015℃。上述恒电流K分解过程一般包括下列几个阶段：
第一步：预热600℃ 
第二步：750℃一次分解
第三步：825～870℃二次分解
第四步：1000℃交换反应
在实施例1～21中给出了无排气管真空荧光显示器恒电流K分解的参数值。
                                      0.64MG
         实施例     规格
                              I(mA)      Tw(℃)    Tk(℃)
           1      0.80V/cm    38.28      981       905
           2      0.81V/cm    38.56      987       911
           3      0.82V/cm    38.84      994       917
           4      0.83V/cm    39.13      1000      923
           5      0.84V/cm    39.41      1006      928
           6      0.85V/cm    39.69      1012      934
           7      0.86V/cm    39.96      1018      940
           8      0.87V/cm    40.24      1021      945
           9      0.88V/cm    40.51      1030      951
           10     0.89V/cm    40.79      1036      957
           11     0.90V/cm    41.06      1042      962
           12     0.91V/cm    41.33      1048      967
           13     0.92V/cm    41.60      1054      972
           14     0.93V/cm    41.87      1060      978
           15     0.94V/cm    42.14      1065      984
           16     0.95V/cm    42.41      1071      989
           17     0.96V/cm    42.62      1077      994
           18     0.97V/cm    42.94      1082      1000
           19     0.98V/cm    43.20      1088      1005
           20     0.99V/cm    43.46      1094      1010
           21     1.00V/cm    43.72      1099      1015
备注：MG指每20cm地钨丝的重量，单位为毫克。