《具有低饱和磁通密度并且用于磁性记录介质的软磁性膜层用合金以及溅射靶材料.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《具有低饱和磁通密度并且用于磁性记录介质的软磁性膜层用合金以及溅射靶材料.pdf（13页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、10申请公布号CN104081455A43申请公布日20141001CN104081455A21申请号201380007516222申请日20130201201202209620120203JPG11B5/667200601C22C45/02200601C23C14/14200601C23C14/34200601G11B5/738200601G11B5/85120060171申请人山阳特殊制钢株式会社地址日本兵库县72发明人泽田俊之松原庆明74专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人贺卫国54发明名称具有低饱和磁通密度并且用于磁性记录介质的软磁性膜层用合金以及溅射靶材料57摘要。
2、提供一种在磁性记录介质中使用的并且具有低饱和磁通密度的软磁性膜层用合金和溅射靶材料。所述合金包含选自由Y、TI、ZR、HF、V、NB、TA、CR、MO、W、MN、NI、CU、AL、B、C、SI、P、ZN、GA、GE和SN组成的组中的一种或多种，以及余量的CO和FE；并且以原子计，满足下列式1至31050FE/FECO090；25TAM25；和315TAMTNM25，条件是TAM和TNM分别为TAMYTIZRHFVNBTAB/2；并且TNMCRMOWMNNI/3CU/3ALCSIPZNGAGESN。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014073186PCT国际申请的申请数据PCT/。
3、JP2013/0524002013020187PCT国际申请的公布数据WO2013/115384JA2013080851INTCL权利要求书1页说明书9页附图2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书9页附图2页10申请公布号CN104081455ACN104081455A1/1页21一种用于磁性记录介质中软磁性薄膜层的合金，其中所述合金包含选自由Y、TI、ZR、HF、V、NB、TA、CR、MO、W、MN、NI、CU、AL、B、C、SI、P、ZN、GA、GE和SN组成的组中的一种或多种，以及余量的CO和FE；并且以原子计，满足下列式1至31050FE/FECO09。
4、0；25TAM25；和315TAMTNM25，条件是TAM和TNM分别为TAMYTIZRHFVNBTAB/2；并且TNMCRMOWMNNI/3CU/3ALCSIPZNGAGESN。2根据权利要求1所述的合金，其中满足下列式44025NBTA/TAMTNM100。3根据权利要求1或权利要求2所述的合金，其中满足下列式5和/或650TIZRHFB/2560CUSNZNGA10。4根据权利要求1至3中任一项所述的合金，其中所述合金由选自由Y、TI、ZR、HF、V、NB、TA、CR、MO、W、MN、NI、CU、AL、B、C、SI、P、ZN、GA、GE和SN组成的组中的一种或多种，以及余量的CO和FE组。
5、成；并且以原子计，满足下列式1至31050FE/FECO090；25TAM25；和315TAMTNM25，条件是TAM和TNM分别为TAMYTIZRHFVNBTAB/2；并且TNMCRMOWMNNI/3CU/3ALCSIPZNGAGESN。5根据权利要求1至4中任一项所述的合金，其中所述合金具有大于05T并且小于11T的饱和磁通密度。6一种溅射靶材料，所述溅射靶材料用于制造包含根据权利要求1至5中任一项所述的合金的软磁性薄膜。权利要求书CN104081455A1/9页3具有低饱和磁通密度并且用于磁性记录介质的软磁性膜层用合金以及溅射靶材料0001相关申请的交叉引用0002本申请要求2012年2。
6、月3日提交的日本专利申请第201222096号的优先权，其全部内容都通过引用结合于此。技术领域0003本发明涉及一种在磁性记录介质中使用的并且具有低饱和磁通密度的软磁性膜层用合金和溅射靶材料。背景技术0004近年来，磁性记录技术已经有了显著的进步，磁性记录介质中的记录密度的提高由于增加驱动器容量而取得进展，并且垂直磁性记录系统已经投入到实际使用中，其相比于通常使用的纵向磁性记录系统实现了更高的记录密度。此外，作为垂直磁性记录系统的应用，也已经检验了用于借助热或微波辅助记录的方法。0005上述垂直磁性记录系统是一种易磁化轴在垂直于垂直磁性记录介质的磁性膜的介质表面的方向上取向的系统，并且是一种适。
7、合用于高记录密度的方法。对于垂直磁性记录系统，已经开发了一种具有记录灵敏度增加的磁性记录膜层和软磁性膜层的双层记录介质。对于磁性记录膜层，通常使用COCRPTSIO2系合金。0006此外，通常在软磁性膜层之间插入RU膜，并且软磁性膜与RU膜之间的反铁磁性耦合在下文中称为AFC耦合赋予了对外部磁场的不感区域IMMUNITY在下文中称为HBIAS。例如，如在日本专利公开第201186356号专利文献1中公开的，这是为了提高对使用磁性记录介质的环境中外部噪声磁场的耐性。根据本发明的用于软磁性膜层的合金可以用于这些具有垂直磁性记录系统的介质。0007此外，对于常规软磁性膜层来说，高饱和磁通密度在下文中。
8、称为BS和高非晶形形成能力在下文中称为非晶形性已经是必需的，并且根据垂直磁性记录介质的用途和使用它们所处的环境，此外还需要额外的多种特性如高耐腐蚀性和高硬度。在上述所需的特性中，高BS是特别重要的；例如，专利文献1、日本专利公开第2011181140号专利文献2和日本专利公开第2008299905号专利文献3的目的也是高BS。需要这种高BS的原因在于，为了稳定记录膜的磁化，不小于某一值的BS是必需的，并且赋予大的HBIAS。0008然而，使用具有高BS的软磁性膜也具有缺点。使用展现高BS的软磁性膜倾向于产生较大的HBIAS并且提供高外部噪声磁场耐性，但是同样地，在记录磁性磁化的情况下，软磁性膜。
9、中包括的过大的磁通量明显影响周围环境，导致写入所需的空间较大以及记录密度降低。此外，还观察到，使用具有高HBIAS的膜倾向于引起对于大于或等于HBIAS的外加磁场的磁化的反应在下文中称为磁化上升RISEOFMAGNETIZATION变钝。0009图1中示意性地示出了对于大于或等于HBIAS的磁场的磁化上升。通常，在通过写入磁头使记录膜磁化的情况下，施加使软磁性膜的磁化饱和的磁场。因此，当使磁化上说明书CN104081455A2/9页4升变钝时，磁化需要相应的向其施加的较大的磁场。如上所述，用于磁化的磁场的增加造成对周围环境的不可避免的过度影响，从而难以在限定的小区域中进行记录，而且还导致记录密。
10、度降低。上述的降低记录密度的两种现象也被称为通常所说的“模糊写入BLURREDWRITING”；尽管通过抑制一种现象提供了改善模糊写入的效果，通过同时抑制两种现象进一步提供了改善模糊写入的效果。0010引文清单0011专利文献0012专利文献1日本专利公开第201186356号0013专利文献2日本专利公开第2011181140号0014专利文献3日本专利公开第2008299905号0015发明概述0016作为为解决上述问题而进行详尽开发的结果，本发明的发明人认为，通过开发即使在较低的BS也具有高HBIAS同时具有大于05T可以被认为是用于稳定记录膜的磁化的BS最小值的BS、以及即使在高HBI。
11、AS也具有敏锐的磁化上升的软磁性合金，对外部磁场的高耐性和归因于“模糊写入”的抑制的高记录密度变得相容。0017根据本发明的一个实施方案，提供一种用于磁性记录介质中软磁性薄膜层的合金，其中0018所述合金包含选自由Y、TI、ZR、HF、V、NB、TA、CR、MO、W、MN、NI、CU、AL、B、C、SI、P、ZN、GA、GE和SN组成的组中的一种或多种，以及余量的CO和FE；并且0019以原子AT计，满足下列式1至300201050FE/FECO090；002125TAM25；和0022315TAMTNM25，0023条件是TAM和TNM分别为0024TAMYTIZRHFVNBTAB/2；并且。
12、0025TNMCRMOWMNNI/3CU/3ALCSIPZNGAGESN。0026根据本发明的实施方案，优选的是，在上述合金中，满足下列式400274025NBTA/TAMTNM100。0028根据本发明的另一个实施方案，优选的是，在上述合金中，满足下列式5和/或6002950TIZRHFB/25003060CUSNZNGA10。0031根据本发明的另一个实施方案，优选的是，0032上述合金由下列各项组成选自由Y、TI、ZR、HF、V、NB、TA、CR、MO、W、MN、NI、CU、AL、B、C、SI、P、ZN、GA、GE和SN组成的组中的一种或多种，以及余量的CO和FE；并且0033以原子计，。
13、满足下列式1至300341050FE/FECO090；003525TAM25；和说明书CN104081455A3/9页50036315TAMTNM25，0037条件是TAM和TNM分别为0038TAMYTIZRHFVNBTAB/2；并且0039TNMCRMOWMNNI/3CU/3ALCSIPZNGAGESN。0040根据本发明的另一个实施方案，优选的是，上述合金具有大于05T并且小于11T的饱和磁通密度。0041根据本发明的另一个实施方案，提供一种溅射靶材料，所述溅射靶材料包含根据上述实施方案中的任何一个的合金。0042如上所述，本发明可以提供一种具有低饱和磁通密度的软磁性非晶形合金，其中所述。
14、合金在多层膜中对外部磁场具有高不感区域，在所述多层膜中，RU等的非磁性薄膜插入在这种合金膜的薄膜之间并且进行反铁磁性耦合；此外，一种用于对不感区域以上的外部磁场磁化上升良好的磁性记录介质的软磁性合金；以及一种用于制造这种合金的薄膜的溅射靶材料。如上所述，本申请中的软磁性合金通常不具有主动以低BS为目标的概念。这种思路是本发明中最具特征性的概念。0043附图简述0044图1是多层膜的磁化曲线的示意图。0045图2是显示单层的BS与多层膜的HBIAS之间相关性的图。0046图3是显示单层的RA和多层膜的HBIAS对HBIAS后的磁化上升的敏锐度的影响的图。0047实施方案详述0048下面将具体地解。
15、释本发明。除非另外指定，“”意指原子。0049本发明涉及一种用于磁性记录介质中软磁性薄膜层的合金，其中0050这种合金包含选自由Y、TI、ZR、HF、V、NB、TA、CR、MO、W、MN、NI、CU、AL、B、C、SI、P、ZN、GA、GE和SN组成的组中的一种或多种，以及余量的CO和FE，优选基本上由这些元素组成，更优选由这些元素组成。此外，在根据本发明的合金中，以原子计，满足下列式1至300511050FE/FECO090；005225TAM25；和0053315TAMTNM25，0054条件是TAM和TNM分别为0055TAMYTIZRHFVNBTAB/2；并且0056TNMCRMOWM。
16、NNI/3CU/3ALCSIPZNGAGESN。0057下面将详细地解释本发明。0058首先，评价具有各种组成的软磁性膜的各自的HBIAS，以便检验各个软磁性膜的组成对HBIAS的影响，并且因此发现，HBIAS的水平不仅根据BS的水平变化，而且还根据FE/FECO变化。换句话说，发现即使在软磁性膜具有大于05T并且小于11T比常规实例中的每一个的BS相对较低的BS的情况下，也可以由FE/FECO的预定说明书CN104081455A4/9页6范围获得高HBIAS。0059之后，检验归因于大于或等于HBIAS的外加磁场的磁化上升，并且因此发现，在除FE和CO外的添加元素中，较多的NB和TA，较少的。
17、TI、ZR、HF和B，以及添加少量的CU、SN、ZN和GA对磁化上升具有影响。因此，发现通过将这些添加元素设定为预定的量可以额外获得在具有高HBIAS的同时显示出敏锐的磁化上升的效果。0060基于此类新发现，不同于用于垂直磁性记录介质的常规软磁性膜用合金所需的特性，发现了一种软磁性合金，其在具有较低BS的同时显示出高HBIAS，并且此外在具有高HBIAS的同时，在大于或等于HBIAS的外加磁场下显示出敏锐的磁化上升。因此对外部噪声磁场的高耐性与归因于模糊写入的抑制的高记录密度之间的相容性其在常规上是困难的使得能够完成本发明。下面将解释本发明的合金的限制的原因。0061A050FE/FECO09。
18、0；0062FE和CO是用于赋予稳定记录膜的磁化所需的最小磁化的元素，并且BS和FE/FECO的行为在通常所说的SLATERPAULING曲线等中示出。此外，为了即使在较低的BS提供高HBIAS，FE/FECO也是重要的因素。当FE/FECO小于050时，相比于具有相似的BS和050以上的FE/FECO的软磁性膜，HBIAS降低。尽管这种现象的详细原因并不清楚，据认为软磁性膜的BS和归因于磁性元素的3D电子轨道的夹层相互作用参与了AFC耦合，并且据推测，取决于FE与CO之间的比例，相互作用的变化影响AFC耦合。当FE/FECO大于090时，BS明显降低，导致HBIAS不足。此外，FE/FECO。
19、的优选的范围是055以上且085以下，更优选060以上且080以下。0063B5TAM25且15TAMTNM250064除FE和CO外的元素的效果总结如下。TI、ZR、HF和B是引起非晶质化提高和BS降低并且使磁化上升大幅变钝的元素。因为降低BS和提高非晶形性的效果与TI、ZR和HF相比为约1/2，B可以在TAM中作为B/2对待。然而，因为溅射靶材料中B生成特别硬的化合物例如，硼化物，这使得需要降低机械加工中的加工速度，因此B优选与分类为TAM的其他元素一起加入，而不是单独加入。鉴于此，B/2/TAM优选为08以下，更优选05以下。0065Y、V、CR、MO和W是引起BS降低并且还使得磁化上升。
20、稍微变钝的元素。Y和V还有助于非晶质化的提高。NB和TA是引起非晶质化提高和BS降低的重要元素，并且具有使磁化上升变得敏锐的效果。MN、AL、SI、GE和P是引起BS降低并且使得磁化上升稍微变钝的元素。NI和CU是引起BS少量降低的元素，并且CU是当以少量添加时具有使磁化上升变得敏锐的效果但是当以大量添加时稍微降低磁化上升的元素。0066因为显示出BS的降低与分类为TAM和TNM的其他元素相比为约1/3，NI和CU可以在TNM中作为NI/3和CU/3对待。GA、SN和ZN是引起BS降低并且具有当以少量添加时使磁化上升变得敏锐但是当以大量添加时使磁化上升稍微变钝的效果的元素。如上所述，所有元素都。
21、具有降低BS的效果，并且一些元素具有提高非晶形性和影响磁化上升的效果。根据本发明的合金通过优化元素的添加量而获得。0067小于5的TAM导致非晶形性不足，而大于25的TAM导致BS低和HBIAS不足。因此，TAM为5以上且25以下，优选7以上且23以下，更优选9以上且小于20。因为NB和说明书CN104081455A5/9页7TA在溅射靶材料中与FE和CO生成脆性的金属间化合物，当仅添加NB或/和TA作为TAM时，必须降低加工速度以防止机械加工中的破裂和破碎。考虑到这一点，优选的是，当仅添加NB或/和TA作为TAM时，TAM小于20。0068小于15的TAMTNM使BS增加，导致磁化上升变钝，。
22、尽管HBIAS增加。大于25的TAMTNM导致BS低和HBIAS低。因此，TAMTNM为15以上且25以下，优选17以上且23以下，更优选18以上且21以下。0069C025NBTA/TAMTNM1000070尽管如上所述在这种合金中NB和TA是具有使磁化上升变得敏锐的额外效果的元素，但是当NBTA/TAMTNM小于025时不能获得这种效果。因为NB和TA的添加量也包括在TAM中，NBTA/TAMTNM的上限必须为100。因此，NBTA/TAMTNM为025以上且100以下，优选040以上且小于100，更优选060以上且小于100。0071D0TIZRHFB/25并且0CUSNZNGA1000。
23、72因为如上所述在这种合金中TI、ZR、HF和B是使磁化上升大幅变钝的元素，所以通过严格限制其总量的上限，提供更敏锐的磁化上升作为额外的效果。当TIZRHFB/2大于5时，不能获得使磁化上升变得敏锐的效果。因此，TIZRHFB/2为0以上且5以下，优选3以下，更优选0。0073因为如上所述在这种合金中CU、SN、ZN和GA是具有当以少量添加时使磁化上升变得敏锐的额外效果的元素，通过主动添加少量的这些元素，提供更敏锐的磁化上升。然而，当CUSNZNGA大于10时，不能获得这种效果。因此，CUSNZNGA为大于0且10以下，优选1以上且8以下，更优选2以上且6以下。即使当仅满足这些式中的任一个时，。
24、也获得了使磁化上升变得敏锐的额外效果。0074如上所述，各种元素具有对磁化上升的影响以及对BS的影响；尽管其详细原因并不清楚，但据推测如下。观察到，软磁性合金的溅射膜的表面粗糙度倾向于影响磁化上升对于大于或等于HBIAS的外加磁场的敏锐度。据认为在归因于大于或等于HBIAS的外部磁场的磁化上升的现象中，软磁性膜与RU膜之间的界面中的AFC耦合不能抵抗大的外加磁场并且发生磁通量的反转；当软磁性膜的表面粗糙并且在两种膜之间的界面上存在凹凸部时，先发生磁通量反转的部位和缓慢发生磁通量反转的部位可以在局部共同存在。0075当在如上所述的部位中发生磁通量反转行为的不一致时，在整个膜上磁化上升变钝。因此，。
25、认为在溅射膜的表面粗糙度与磁化上升的敏锐度之间存在相关性。此外，据推测，作为非晶形合金的自由体积和过剩自由体积可能会影响添加元素对溅射膜的表面粗糙度的影响。这两种体积都是对应于非晶形合金中原子之间空隙的体积，并且据认为，当这些体积大时，原子未密集地聚集在合金中，并且在溅射膜中原子尺寸水平方面来看表面粗糙度因此增加。0076这表明，非晶形状态的稳定性可能和这两种体积有关；然而，在本发明中，使磁化上升大幅变钝的TI、ZR、HF和B是使非晶形状态特别稳定的元素，而当以少量添加时使磁化上升变得敏锐的CU、GA、SN和ZN是使非晶形特性变差的元素。此外，作为使磁化上升变得敏锐的重要元素的NB和TA，是当。
26、与TI、ZR、HF和B相比时具有低的促进非晶质化效果的元素。说明书CN104081455A6/9页8实施例0077下面参照实施例具体地解释本发明。0078通过气体雾化法制备具有表1中所示组成的软磁性合金粉末。将25KG的熔融基材在减压AR中感应熔炼，从直径为8MM的喷嘴中使合金熔融金属流出，并且之后立即喷雾高压AR气以进行雾化。将粉末分级为500M以下并且用作用于HIP成型热等静压机的原料粉末。可以用原料粉末填充直径为200MM并且长度为10MM的碳钢罐，之后对其进行真空脱气，并且密封以制备用于HIP成型的坯料BILLET。将填充有粉末的坯料在1100的温度、120MPA的压力和2小时的保留时。
27、间的条件下HIP成型。之后，由模制体制备直径为95MM并且厚度为2MM的软磁性合金溅射靶材料。使用由该软磁性合金制成的溅射靶材料制备软磁性薄膜。此外，由RU金属制成的可商购的溅射靶材料用于制备RU薄膜。0079将腔室的内部抽真空至1104PA以下，在06PA充入纯度为9999的AR气，并且进行溅射。首先，在清洁的玻璃基板上形成20NM的软磁性合金薄膜下软磁性层，在其上形成08NM的RU膜，并且在其上进一步形成与上述膜相同的20NM的软磁性合金薄膜上软磁性层，以制备多层膜。在所有的实施例和比较例中，多层膜中的上软磁性膜和下软磁性膜中使用相同的合金。还制备了在其中仅形成下软磁性层的单层，用于评价软。
28、磁性膜的BS、晶体结构和表面粗糙度。0080将以这种方式制备的单层膜用作样品，并且分别使用VSM样品振动型磁通量计、X射线衍射和AFM原子力显微镜评价BS、晶体结构和算术平均粗糙度RA表面粗糙度。对于晶体结构来说，将非晶形状态评价为“良好”，将在非晶形状态中部分观察到微晶的情况评价为“一般”，并且将晶体评价为“差”。采用多层膜进一步评价HBIAS和磁化上升的敏锐度。这些结果如在表2中所示。0081图1是多层膜的磁化曲线的示意图。如在此图中所示，通过在多层膜的磁化上升时的外加磁场来评价HBIAS，并且通过在其中多层膜的磁化饱和的外加磁场HSAT与HBIAS之间的比率，即HSAT/HBIAS，来评。
29、价磁化上升的敏锐度。图1A示出了其中HBIAS高并且磁化上升敏锐的实施例，而图1B示出了其中HBIAS低并且磁化上升迟钝的实施例。换句话说，该值低并且较接近1表示较敏锐的磁化上升。该值小于12被评价为“A”，该值为12以上且小于14被评价为“B”，该值为14以上且小于18被评价为“C”，并且该值为18以上被评价为“D”。0082说明书CN104081455A7/9页90083表20084说明书CN104081455A8/9页100085如在表1和表2中所示，第1至28号为本发明的实施例，而第29至39号为比较例。0086图2是这样的图，其中以多层膜的HBIAS为纵轴并且以单层的BS为横轴对表2。
30、的结果作图。如在此图的实线椭圆中所示，发现为了获得高HBIAS，高BS是必需的。实线椭圆中的各个数据具有在05至09的范围内的FE/FECO。相比之下，图2中位于实线椭圆下的第29至31号比较例显示出与实线椭圆中的数据相当的BS，但是由于FE/FECO小于05而显示出低HBIAS值。换句话说，通过将FE/FECO调节说明书CN104081455A109/9页11为050至090，即使在较低BS也获得了高HBIAS。0087相比之下，在图2中左下的位于虚线椭圆中的第32至36号比较例显示出明显低的BS而且因此还显示出低的HBIAS。此外，第39号比较例具有FE/FECO低至04并且TAMTNM小。
31、于15的组成，即高BS的组成，这在传统技术中是常见的。在图2中位于实线椭圆右侧的小区示出了这种组成，为了获得与实线椭圆中的组成相当的高HBIAS，明显高的BS是必需的，并且这种组成导致通常所说的“模糊写入”。0088图3是以多层膜的HBIAS为纵轴并且以单层的RA为横轴对表2的结果作图而得的图，其中图中标记根据在施加大于或等于HBIAS的外部磁场时多层膜的磁化上升的敏锐度而改变。由此图发现，即使在多层膜具有等同的HBIAS的情况下，当单层的表面粗糙度RA高时，磁化上升变差。0089解释表2中所示的各个比较例数据。尽管具有080至086T的BS，第29至31号比较例并不显示出高HBIAS，因为每。
32、个FE/FECO值都是低的。因为第32和33号比较例显示出过高的FE/FECO值，第34和35号比较例显示出高TAMTNM，并且第36号比较例显示出高TAM和高TAMTNM，每个比较例均显示出明显低的BS并且未显示出高HBIAS。0090第37号比较例显示出对大于HBIAS的外部磁场的迟钝的磁化上升，尽管其因为显示出低TAMTNM而显示高BS和高HBIAS。第38号比较例显示出低TAM，为晶体，显示出归因于晶粒导致的单层膜表面上的凹凸部的高RA，并且显示出对大于HBIAS的外部磁场的迟钝的磁化上升。尽管因为FE/FECO值和TAMTNM低而显示出明显高的BS，第39号比较例仅显示出水平与各个实。
33、施例的水平等同的HBIAS，并且这种具有明显高的BS的组成导致通常所说的“模糊写入”。0091与这些比较例相比发现，第1至28号实施例具有小于11T的BS，即低于传统技术的BS，但是具有高HBIAS，因为所有实施例均在本发明的范围内，并且进一步显示出对大于HBIAS的外加磁场的敏锐的磁化上升。这种组成实现了对高外部噪声磁场的耐性与归因于过高BS的模糊写入的抑制之间的相容性。与第1至7号实施例中的那些相比，因为NBTA/TAMTNM在05至10的范围内，第8至12号实施例还显示出单层膜的更低的粗糙度RA和更敏锐的磁化上升的额外效果。0092此外，与第1至7号实施例中的那些相比，因为TIZRHFB。
34、/2为5以下和/或CUSNZNGA大于0且不大于10，第13至28号实施例还显示出单层的更低的粗糙度RA和更敏锐的磁化上升的额外效果。发现，因为TIZRHFB/2为5以下而其HBIAS是实施例中最高的，第23号实施例具有与第1至7号实施例的那些等同的磁化上升。0093如上所述，本发明显示出以下优异的效果能够提供实现对外部磁场的高耐性与归因于“模糊写入”的抑制的高记录密度之间的相容性的具有低饱和磁通密度的软磁性膜层用合金以及溅射靶材料，因为所述合金即使在较低的BS也具有高HBIAS同时具有用于稳定记录膜的磁化的BS最小值，并且进一步具有敏锐的磁化上升作为额外的效果。说明书CN104081455A111/2页12图1说明书附图CN104081455A122/2页13图2图3说明书附图CN104081455A13。