平板显示装置及其制造方法.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 103777413 A (43)申请公布日 2014.05.07 CN 103777413 A (21)申请号 201310165862.5 (22)申请日 2013.05.08 10-2012-0117987 2012.10.23 KR G02F 1/1343(2006.01) G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1333(2006.01) (71)申请人 乐金显示有限公司 地址 韩国首尔 (72)发明人 李相浃 蒋政勋 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 代理人 徐金国 (54) 发明名称 平板显示装置及其制造。

2、方法 (57) 摘要 公开了一种平板显示器及其制造方法， 以将 有缺陷的子像素与相邻于所述有缺陷的子像素 的正常子像素连接， 使用正常子像素的薄膜晶体 管驱动有缺陷的子像素， 从而修复有缺陷的子像 素。所述平板显示器包括 ： 显示面板， 所述显示面 板包括由多条栅极线和多条数据线的交叉而限定 的多个子像素， 每个子像素包括薄膜晶体管以及 与所述薄膜晶体管连接的像素电极 ； 以及连接图 案， 所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷 的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有 缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 3 页 说明书 8 页 附图。

3、 10 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书3页 说明书8页 附图10页 (10)申请公布号 CN 103777413 A CN 103777413 A 1/3 页 2 1. 一种平板显示器， 包括 ： 显示面板， 所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线的交叉而限定的多个子像 素， 每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极 ； 以及 连接图案， 所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连接至没 有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。 2. 根据权利要求 1 所述的平板显示器， 其中所述栅极线包括彼此交替的第。

4、一侧栅极线 与第二侧栅极线， 并且与所述第一侧栅极线中的一条栅极线连接的第一薄膜晶体管与所述 第一薄膜晶体管左侧的数据线连接， 以及其中与所述第二侧栅极线中的一条栅极线连接的 第二薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管右侧的数据线连接。 3. 根据权利要求 1 所述的平板显示器， 其中所述连接图案与位于所述有缺陷的子像素 与所述相邻的子像素之间的栅极线交叠， 所述连接图案与所述栅极线绝缘。 4. 根据权利要求 1 所述的平板显示器， 其中所述有缺陷的子像素的像素电极包括第一 像素电极图案和第二像素电极图案， 并且所述第一像素电极图案和所述第二像素电极图案 中的每个像素电极图案与没有缺陷的相邻子像素的相。

5、应像素电极连接。 5. 根据权利要求 4 所述的平板显示器， 其中所述连接图案将所述第一像素电极图案连 接至与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极， 并且 其中另一连接图案将所述第二像素电极图案连接至与所述有缺陷的子像素相邻的另 一子像素的像素电极。 6. 根据权利要求 1 所述的平板显示器， 其中所述有缺陷的子像素和没有缺陷的子像素 发出相同颜色的光。 7. 根据权利要求 1 所述的平板显示器， 其中所述显示面板包括 ： 下基板 ； 所述多条栅极线和所述多条数据线， 所述多条栅极线和所述多条数据线通过栅极绝缘 膜彼此交叉以在所述下基板上限定所述子像素 ； 第一保护膜， 所述第一保护膜覆盖。

6、每个子像素的薄膜晶体管 ； 第二保护膜， 所述第二保护膜覆盖每个子像素的薄膜晶体管 ； 公共电极， 所述公共电极形成在所述第二保护膜上 ； 绝缘膜， 所述绝缘膜形成在所述公共电极上 ； 漏极接触孔， 所述漏极接触孔通过选择性地去除所述第一保护膜的一部分、 所述第二 保护膜的一部分以及所述绝缘膜的一部分而暴露所述薄膜晶体管的漏极 ； 以及 像素电极， 所述像素电极通过所述漏极接触孔与所述薄膜晶体管连接， 所述像素电极 通过所述绝缘膜与所述公共电极交叠， 以与所述公共电极形成边缘场切换。 8. 根据权利要求 7 所述的平板显示器， 其中所述有缺陷的子像素的漏极的一部分被去 除， 以将所述有缺陷的子。

7、像素的像素电极与所述有缺陷的子像素的薄膜晶体管分离开。 9. 一种平板显示器的制造方法， 包括 ： 形成显示面板， 所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线限定的多个子像素， 其 中每个子像素包括薄膜晶体管、 与所述薄膜晶体管连接的像素电极以及通过绝缘膜与所述 像素电极交叠以形成边缘场切换的公共电极 ； 在所述多个子像素中识别有缺陷的子像素 ； 以及 权 利 要 求 书 CN 103777413 A 2 2/3 页 3 通过连接图案将所述有缺陷的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有缺陷的 子像素相邻的子像素的像素电极。 10. 根据权利要求 9 所述的方法， 其中所述栅极线包括彼此交替的第。

8、一侧栅极线与第 二侧栅极线， 并且与所述第一侧栅极线中的一条栅极线相连的第一薄膜晶体管与所述第一 薄膜晶体管左侧的数据线连接， 以及其中与所述第二侧栅极线中的一条栅极线连接的第二 薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管右侧的数据线连接， 以在 Z 反转模式中驱动所述显示面 板。 11. 根据权利要求 9 所述的制造方法， 其中所述连接图案与位于所述有缺陷的子像素 与所述相邻的子像素之间的栅极线交叠， 所述连接图案与所述栅极线绝缘。 12. 根据权利要求 9 所述的制造方法， 其中连接所述像素电极包括 ： 在气体气氛下将激光照射至所述有缺陷的子像素的像素电极 ； 以及 将激光移位至与所述有缺陷的子像素相。

9、邻的子像素的像素电极。 13. 根据权利要求 12 所述的制造方法， 其中所述气体气氛是六羰基钨 （W(CO)6） 气体气 氛。 14. 根据权利要求 12 所述的制造方法， 其中沿激光照射区域沉积从所述气体气氛中分 离出的材料以形成所述连接图案。 15. 根据权利要求 14 所述的制造方法， 其中沿所述激光照射区域沉积的材料是钨 （W） 。 16. 根据权利要求 9 所述的制造方法， 其中所述有缺陷的子像素的像素电极包括第一 像素电极图案和第二像素电极图案， 所述方法还包括 ： 通过所述连接图案将所述第一像素电极图案连接至与所述有缺陷的子像素相邻的第 一子像素的像素电极， 并且 通过另一连接。

10、图案将所述第二像素电极图案连接至与所述有缺陷的子像素相邻的第 二子像素的像素电极。 17. 根据权利要求 16 所述的制造方法， 还包括 ： 在一气氛下将激光照射在所述有缺陷的子像素的像素电极的第一端 ； 将激光移位至与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极以形成所述连接图 案 ； 在所述气氛下将激光照射在所述有缺陷的子像素的像素电极的第二端 ； 以及 将激光移位至与所述有缺陷的子像素相邻的另一子像素的像素电极以形成所述另一 连接图案。 18. 根据权利要求 17 所述的制造方法， 其中所述气氛是六羰基钨 W(CO)6气氛， 并且所 述方法还包括 ： 沿激光照射区域将沉积从所述六羰基钨 W(。

11、CO)6气氛中分离出的钨 （W） 。 19. 根据权利要求 9 所述的制造方法， 其中所述有缺陷的子像素和所述相邻的子像素 发出相同颜色的光。 20. 一种操作平板显示器的方法， 所述平板显示器包括 ： 由多条栅极线和多条数据线 的交叉限定的多个子像素， 每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素 电极 ； 以及连接图案， 所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连 接至与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极， 所述方法包括 ： 权 利 要 求 书 CN 103777413 A 3 3/3 页 4 通过与所述有缺陷的子像素相邻的子像素将数据电压传输至所述有缺陷的。

12、子像素 ； 以 及 响应于所述数据电压， 驱动所述相邻的子像素以及所述有缺陷的子像素。 权 利 要 求 书 CN 103777413 A 4 1/8 页 5 平板显示装置及其制造方法 0001 相关申请的交叉引用 0002 本申请要求享有 2012 年 10 月 23 日提交的韩国专利申请 No.10-2012-0117987 的 权益， 通过援引的方式将该专利申请并入本文， 如同在这里完全阐述一样。 技术领域 0003 本发明涉及一种平板显示器。更具体地， 本发明涉及一种使用正常的子像素简单 地修复有缺陷的子像素的平板显示器及其制造方法。 背景技术 0004 随着信息依赖型社会的发展， 对各。

13、种形式的显示装置的需求也在增长。为了满足 这种需求， 近来致力于对诸如液晶显示器 （LCD） 、 等离子体显示面板 （PDP） 、 电致发光显示 器 （ELD） 以及真空荧光显示器 （VFD） 这样的各种平板显示器展开研究， 并且其中的一些被 用作各种设备的显示装置。 0005 这种平板显示器包括用以显示图像的显示面板， 并且为了检测缺陷， 平板显示器 执行检验工序以检查显示面板的工作是否符合预期。通常， 通过将预定的测试信号施加至 显示面板并且针对缺陷的出现进行检查来执行检验工序。 0006 例如， 当平板显示器为液晶显示装置时， 将测试信号施加至液晶显示装置的栅极 线和数据线， 检查形成在。

14、各个子像素中的薄膜晶体管的开 / 关状态， 并且当薄膜晶体管处 于开状态时， 检查子像素的发光状态。子像素的缺陷可由信号线的短路和 / 或开路、 薄膜晶 体管的缺陷、 电极图案的缺陷等引起。 0007 此外， 当液晶显示装置被驱动时， 有缺陷的子像素会显示暗点或亮点。由于此原 因， 液晶显示器的显示特性退化。特别地， 人的裸眼最容易识别的波长范围为大约 555 纳 米， 与绿光的峰值波长相当。因此， 与呈现红光的红色 （R） 子像素和呈现蓝光的蓝色 （B） 子 像素相比， 呈现绿光的绿色 （G） 子像素表现出更好的可视性， 并且当 G 子像素有缺陷时， 液 晶显示装置的显示质量大大退化。 发明。

15、内容 0008 因此， 本发明旨在提供一种基板上克服了由于现有技术的限制和缺陷所导致的一 个或多个问题的平板显示器及其制造方法。 0009 本发明的一个目的是提供一种平板显示器及其制造方法， 以将有缺陷的子像素与 相邻于有缺陷的子像素的正常子像素连接， 使用正常子像素的薄膜晶体管驱动有缺陷的子 像素， 从而修复有缺陷的子像素。 0010 在下面的描述中将列出本发明的附加优点、 目的和特点， 这些优点、 目的和特点的 一部分从下面的描述对于所属领域普通技术人员来说是将显而易见的， 或者可从本发明的 实施领会到。通过书面说明书、 权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发 明的这些目的和其。

16、它优点。 说 明 书 CN 103777413 A 5 2/8 页 6 0011 为实现这些目的和其它优点， 根据本发明的目的， 如在此具体化和概括地描述的， 提供一种平板显示器， 包括 ： 显示面板， 所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线的交 叉而限定的多个子像素， 每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电 极 ； 以及连接图案， 所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连接 至没有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。 0012 在本发明的另一方面， 提供一种平板显示器的制造方法， 包括 ： 形成显示面板， 所 述显示面板包括由多条栅极线和多。

17、条数据线限定的多个子像素， 其中每个子像素包括薄膜 晶体管、 与所述薄膜晶体管连接的像素电极以及通过绝缘膜与所述像素电极交叠以形成边 缘场切换的公共电极 ； 在所述多个子像素中识别有缺陷的子像素 ； 以及通过连接图案将所 述有缺陷的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的 像素电极。 0013 在本发明的又一方面， 提供一种操作平板显示器的方法， 所述平板显示器包括 ： 由 多条栅极线和多条数据线的交叉限定的多个子像素， 每个子像素包括薄膜晶体管以及与所 述薄膜晶体管连接的像素电极 ； 以及连接图案， 所述连接图案将所述多个子像素中的有缺 陷的子像素的像素电极连接至与。

18、所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极， 所述方法 包括 ： 通过与所述有缺陷的子像素相邻的子像素将数据电压传输至所述有缺陷的子像素 ； 以及响应于所述数据电压， 驱动所述相邻的子像素以及所述有缺陷的子像素。 0014 应当理解， 本发明前面的大体描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的， 意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。 附图说明 0015 被包括在内以给本发明提供进一步理解并结合在本申请中组成本申请一部分的 附图图解了本发明的实施方式， 并与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中 ： 0016 图 1 是示出根据第一实施方式的平板显示器的平面图 ； 0017 图 2A 是图 。

19、1 的 A 区域的放大图 ； 0018 图 2B 是沿图 2A 的线 I-I 和 II-II 所取的剖面图 ； 0019 图 3 是示出根据第二实施方式的平板显示器的平面图 ； 0020 图 4A 是图 3 的 B 区域的放大图 ； 0021 图 4B 是沿图 4A 的线 - 和 - 所取的剖面图 ； 以及 0022 图5A至图5I是示出与制造根据第二实施方式的平板显示器的方法相关联的工艺 的剖面图。 具体实施方式 0023 现在将对本发明的实施方式进行详细描述， 附图中示出了这些实施方式的一些实 例。尽可能地在整个附图中使用相同的参考数字表示相同或相似的部件。 0024 在下文中， 将参照附。

20、图描述本发明的平板显示器。 0025 第一实施方式 0026 图 1 是示出根据第一实施方式的平板显示器的平面图。图 2A 是图 1 的 A 区域的 放大图。图 2B 是沿图 2A 的线 I-I 和 II-II 所取的剖面图。 说 明 书 CN 103777413 A 6 3/8 页 7 0027 如图 1 中所示， 根据本发明第一实施方式的平板显示器包括以矩阵形式排列的多 个子像素。平板显示器包括薄膜晶体管基板、 滤色器基板以及设置在薄膜晶体管基板与滤 色器基板之间的液晶层。每个子像素形成在由多条栅极线 110 与多条数据线 140 之间的每 个交叉所限定的像素区域中。 0028 本发明用于。

21、修复任何有缺陷的子像素。在子像素中， 有缺陷的子像素 1A 通过连接 图案 200 与相邻于子像素 1A 的正常 （即没有缺陷的） 子像素 1B 连接。优选地， 连接图案 200 与位于有缺陷的子像素与相邻的正常子像素之间的栅极线交叠， 并与其绝缘。如果有缺陷 的子像素未通过连接图案200与正常子像素1B连接， 则当有缺陷的子像素被驱动时可呈现 出暗点或亮点。有缺陷的子像素可由信号线的短路和 / 或开路、 薄膜晶体管的缺陷、 电极图 案的缺陷等引起。相比之下， 正常子像素是通过发射与子像素相关联的预期颜色的光而正 确工作 （即， 不会产生缺陷） 的子像素。当正常子像素 1B 被驱动时， 有缺陷。

22、的子像素 1A 由 于通过连接图案 200 与正常子像素 1B 连接所以也被驱动， 进而可操作有缺陷的子像素 1A。 因此， 优选地， 有缺陷的子像素 1A 和正常子像素 1B 发出相同颜色的光。 0029 如图 2A 和图 2B 中所示， 薄膜晶体管基板包括下基板 100、 形成在下基板 100 上的 薄膜晶体管、 与薄膜晶体管连接的像素电极 170 以及通过绝缘膜 150c 与像素电极 170 交叠 以形成边缘场切换 （FFS） 的公共电极 160。 0030 特别地， 栅极线 110 和数据线 140 在下基板 100 上彼此交叉以限定多个像素区域。 每个像素区域包括薄膜晶体管， 薄膜晶。

23、体管包括栅极 110a、 包括有源层 （未示出） 和欧姆接 触层 （未示出） 的半导体层130、 从数据线140延伸的源极140a以及与源极140a隔开的漏极 140b。在图 2A 中，“开口” 是指有缺陷的子像素的漏极中的断开 （即， 切口） 。断开产生于有 缺陷的子像素中， 以防止通过连接图案 200 与有缺陷的子像素连接的正常子像素尽管正确 操作， 但在面板的自动探测期间出现缺陷。优选地， 去除有缺陷的子像素的漏极的一部分， 以将有缺陷的子像素的像素电极与有缺陷的子像素的薄膜晶体管分离开。 0031 第一保护膜 150a 和第二保护膜 150b 依次形成在栅极绝缘膜 120 上， 以便第。

24、一 保护膜 150a 和第二保护膜 150b 覆盖薄膜晶体管， 并且公共电极 160 形成在第二保护膜 150b 上。公共电极 160 由诸如氧化锡 （TO） 、 氧化铟锡 （ITO） 、 氧化铟锌 （IZO） 或氧化铟锡锌 （ITZO） 这样的透明导电材料制成。仅如图 2B 中所示， 公共电极 160 以单电极形状形成在除 薄膜晶体管之外的区域中的第二保护膜 150b 的整个表面上。 0032 形成绝缘膜150c并使其覆盖公共电极160， 并且通过选择性地去除位于漏极140b 的一部分上的部分第一保护膜150a、 位于漏极140b的所述部分上的部分第二保护膜150b、 以及部分绝缘膜 150。

25、c 以暴露漏极 140b 的所述部分， 形成漏极接触孔 150H。狭缝形像素电 极 170 形成在绝缘膜 150c 上， 并且像素电极 170 通过接触孔 150H 与漏极 140b 连接。公共 电极 160 通过绝缘膜 150c 与像素电极 170 交叠以形成边缘场切换 （FFS） 。 0033 尽管未示出， 滤色器基板与薄膜晶体管基板接合。 滤色器基板包括多个滤色器、 多 个黑矩阵以及涂覆层， 其中， 滤色器形成在上基板的各个像素区域中， 黑矩阵形成在各个子 像素之间的区域中以及与薄膜晶体管相对应的区域中以防止漏光， 涂覆层覆盖包括滤色器 和黑矩阵的上基板的整个表面。 0034 此外， 液。

26、晶层设置在薄膜晶体管基板与滤色器基板之间。液晶层的液晶分子通过 边缘场切换而旋转。根据液晶分子的旋转程度， 穿过像素区域的光的透射率改变并且因此 说 明 书 CN 103777413 A 7 4/8 页 8 形成图像。 0035 在本发明的平板显示器中， 有缺陷的子像素 1A 的像素电极 170 使用连接图案 200 与正常子像素 1B 的像素电极 170 连接。正常子像素 1B 设置在有缺陷的子像素 1A 的上游 或下游， 并且连接图案 200 与栅极线 110 上方的区域交叠以将有缺陷的子像素 1A 的像素电 极 170 与正常子像素 1B 的像素电极 170 连接。在这种情形中， 连接图。

27、案 200 由钨 （W） 制成。 0036 也就是说， 上述本发明的平板显示器使用正常子像素 1B 的薄膜晶体管驱动有缺 陷的子像素 1A， 由此正常地驱动有缺陷的子像素 1A。在一个实施方式中， 驱动电压 （或数据 电压） 被施加至正常子像素 1B， 从而驱动正常子像素 1B。由于有缺陷的子像素 1A 通过连接 图案 200 与正常子像素 1B 连接， 所以当驱动电压被施加至正常子像素 1B 时， 有缺陷的子像 素 1A 也被驱动， 由此会导致有缺陷的子像素 1A 发光。因此， 在有缺陷的子像素 1A 的薄膜 晶体管中， 漏极 140b 的一部分被去除以便阻挡数据信号 （未示出） 。在一个实。

28、施方式中， 通 过切割漏极 140b 而去除漏极 140b 的所述部分。通过切割漏极 140b， 与有缺陷的子像素 1A 连接的正常子像素 1B 在面板的自动探测期间不会出现缺陷。如果漏极 140b 并未被去除， 正常子像素 1B 将在面板的自动探测期间出现缺陷。 0037 特别地， 由于当有缺陷的子像素 1A 被修复时， 两个子像素由一个薄膜晶体管驱 动， 所以优选地以 Z 反转模式驱动根据本发明第一实施方式的平板显示器， 以便确保薄膜 晶体管的充足的充电时间。 0038 在 Z 反转模式中， 在多个子像素中的多个薄膜晶体管以 Z 字形排列。如图 1 中所 示， 与奇数栅极线 110（即， 。

29、第一侧栅极线） 连接的薄膜晶体管分别与左侧数据线 140（即， 第一侧数据线） 连接， 而与偶数栅极线 110（即， 第二侧栅极线） 连接的薄膜晶体管分别与右 侧数据线 140（即， 第二侧数据线） 连接。 0039 与帧反转模式和行反转模式相比， Z 反转模式具有薄膜晶体管的充足的充电时间 裕度。 因此， 尽管使用一个薄膜晶体管驱动两个子像素， 仍能够防止子像素的显示质量的退 化。 0040 而且， 本发明的平板显示器的子像素以边缘场切换模式驱动。与在扭曲向列 （TN） 模式或面内切换模式中驱动的平板显示器相比， 边缘场切换模式的平板显示器具有小的子 像素尺寸以及由此产生的高分辨率。因此， 。

30、当正常子像素 1B 被驱动时， 尽管通过连接图案 200与正常子像素连接的有缺陷的子像素1A与正常子像素1B一起被驱动， 然而有缺陷的子 像素 1A 并不会出现缺陷 （即， 有缺陷的子像素 1A 发出预期颜色的光） 。 0041 第二实施方式 0042 根据本发明第二实施方式的平板显示器具有这样的构造， 即两个正常子像素与一 个有缺陷的子像素连接并且使用一个薄膜晶体管驱动 1.5 个子像素。由于与有缺陷的子像 素1A连接的每个正常子像素驱动其自身并且驱动半个有缺陷的子像素1A， 所以1.5个子像 素被驱动。 0043 与第一实施方式相比， 通过使用两个正常子像素驱动有缺陷的子像素， 减少了驱 。

31、动有缺陷的子像素所需要的时间长度。在一个实施方式中， 驱动电压被施加至与有缺陷的 子像素连接的两个正常子像素 1C 和 1D， 从而驱动两个正常子像素 1C 和 1D。当将驱动电压 施加至两个正常子像素 1C 和 1D 时， 由于有缺陷的子像素 1A 通过连接图案 200a 和 200b 与 两个正常子像素 1C 和 1D 连接， 所以有缺陷的子像素 1A 也被驱动， 由此会导致有缺陷的子 说 明 书 CN 103777413 A 8 5/8 页 9 像素 1A 发光。 0044 图 3 是示出根据第二实施方式的平板显示器的平面图。图 4A 是图 3 的 B 区域的 放大图。图 4B 是沿图 。

32、4A 的线 - 和 - 所取的剖面图。 0045 如图 3 中所示， 根据本发明第二实施方式的平板显示器包括以矩阵形式排列的多 个子像素， 并且每个子像素形成在由彼此交叉的栅极线 110 与数据线 140 限定的像素区域 中。在子像素中， 有缺陷的子像素 1A 通过第一连接图案 200a 和第二连接图案 200b 与相邻 于有缺陷的子像素 1A 的第一正常子像素 1C 和第二正常子像素 1D 连接。在这种情形中， 有 缺陷的子像素 1A 和正常子像素 1C 和 1D 发出相同颜色的光。 0046 如图 4A 和图 4B 中所示， 薄膜晶体管基板包括 ： 下基板 100 ； 形成在下基板 100。

33、 上 的薄膜晶体管 ； 与薄膜晶体管连接的像素电极 170、 170a 或 170b ； 以及通过绝缘膜 150c 与 像素电极 170 交叠以形成边缘场切换 （FFS） 的公共电极 160。薄膜晶体管包括栅极 110a、 包 括有源层 （未示出） 和欧姆接触层 （未示出） 的半导体层 130、 从数据线 140 延伸的源极 140a 以及与源极 140a 隔开的漏极 140b。 0047 第一保护膜 150a 和第二保护膜 150b 依次形成在栅极绝缘膜 120 上， 以便第一保 护膜 150a 和第二保护膜 150b 覆盖薄膜晶体管， 并且公共电极 160 形成在第二保护膜 150b 上。。

34、在这种情形中， 公共电极 160 以单电极形状形成在除薄膜晶体管之外的区域中的第二 保护膜 150b 的整个表面上。 0048 形成绝缘膜 150c， 并使其覆盖公共电极 160， 并且通过选择性地去除位于漏极 140b 的一部分上的部分第一保护膜 150a、 位于漏极 140b 的所述部分上的部分第二保护膜 150b、 以及位于漏极 140b 的所述部分上的部分绝缘膜 150c 以暴露漏极 140b 的所述部分， 形成漏极接触孔 150H。狭缝形像素电极 170 形成在绝缘膜 150c 上。像素电极 170 通过漏 极接触孔 150H 与漏极 140b 连接。公共电极 160 通过绝缘膜 1。

35、50c 与像素电极 170 交叠以 形成边缘场切换 （FFS） 。 0049 尽管未示出， 滤色器基板包括多个滤色器、 多个黑矩阵以及涂覆层， 其中， 滤色器 形成在上基板的各个像素区域中， 黑矩阵形成在各个子像素之间的区域中以及与薄膜晶体 管相对应的区域中， 涂覆层覆盖包括滤色器和黑矩阵的上基板的整个表面。 此外， 液晶层设 置在薄膜晶体管基板与滤色器基板之间。液晶层的液晶分子通过边缘场切换而旋转。根据 液晶分子的旋转程度， 穿过像素区域的光的透射率改变并且因此形成图像。 0050 在根据第二实施方式的平板显示器中， 有缺陷的子像素 1A 的像素电极被分成第 一像素电极图案 170a 和第二。

36、像素电极图案 170b， 并且第一像素电极图案 170a 和第二像素 电极图案 170b 分别通过第一连接图案 200a 和第二连接图案 200b 与不同正常子像素的像 素电极 170 连接。 0051 特别地， 第一像素电极图案 170a 通过第一连接图案 200a 与设置在有缺陷的子像 素 1A 的上游的正常子像素 1C 的像素电极 170 连接， 并且第二像素电极图案 170b 通过第二 连接图案 200b 与设置在有缺陷的子像素 1A 的下游的正常子像素 1D 的像素电极 170 连接。 此外， 在有缺陷的子像素 1A 的薄膜晶体管中， 漏极 140b 的一部分被去除 （未示出） 以便。

37、阻挡 数据信号。在图 4B 中，“开口” 是指如上所述的有缺陷的子像素的漏极中的断开 （即， 切口） 。 0052 也就是说， 根据本发明第二实施方式的平板显示器使用一个薄膜晶体管驱动 1.5 个子像素。特别地， 尽管电荷通过一个薄膜晶体管分布在正常子像素 1C 以及包括第一像素 说 明 书 CN 103777413 A 9 6/8 页 10 电极图案 170a 的有缺陷的子像素中， 然而与帧反转模式和行反转模式相比， Z 反转模式具 有薄膜晶体管的充足的充电时间裕度。因此， 尽管使用一个薄膜晶体管驱动 1.5 个子像素， 但是仍能够防止子像素的显示质量的退化。 0053 并且， 与根据第一实。

38、施方式的其中由一个薄膜晶体管驱动两个子像素的平板显示 器相比， 根据本发明第二实施方式的平板显示器表现出进一步改善的子像素的显示质量。 0054 在下文中， 将参照附图描述本发明的平板显示器的制造方法。 0055 图 5A 至图 5I 是示出根据本发明第二实施方式的平板显示器的制造工艺的剖面 图。 0056 如图 5A 中所示， 在下基板 100 上形成多条栅极线 110 和栅极 110a。在包括栅极线 110 和栅极 110a 的下基板 100 的整个表面上形成栅极绝缘膜 120。 0057 如图 5B 中所示， 在栅极绝缘膜 120 上形成包括有源层和欧姆接触层的半导体层 130， 以便半。

39、导体层 130 与栅极 110a 交叠。在半导体层 130 上形成通过栅极绝缘膜 120 与 栅极线 110 交叉以限定像素区域的数据线 140、 从数据线 140 伸出的源极 140a 以及与源极 140a 隔开的漏极 140b。此外， 选择性地去除在源极 140a 与漏极 140b 之间的欧姆接触层以 形成沟道。 0058 结果， 形成了包括栅极 110a、 栅极绝缘膜 120、 半导体层 130、 源极 140a 以及漏极 140b 的薄膜晶体管 TFT。同时， 尽管在附图中示出了使用不同的掩模形成数据线 140、 源极 140a、 漏极 140b 以及半导体层 130， 但是可同时形成。

40、这些组件以便减少掩模的数量。此外， 在栅极绝缘膜 120 上形成第一保护膜 150a， 以覆盖包括薄膜晶体管和数据线 140 的下基板 100 的整个表面。 0059 如图5C中所示， 在第一保护膜150a上形成第二保护膜150b。 如图5D中所示， 在第 二保护膜 150b 上形成具有单电极形状的公共电极 160。公共电极 160 由诸如氧化锡 （TO） 、 氧化铟锡 （ITO） 、 氧化铟锌 （IZO） 或氧化铟锡锌 （ITZO） 这样的透明导电材料形成。公共电 极160形成在下基板100的长度方向上， 并且仅在与薄膜晶体管相对应的区域， 例如在薄膜 晶体管上方的区域处具有开口。 0060。

41、 如图5E中所示， 形成绝缘膜150c以便绝缘膜150c覆盖公共电极160的整个表面。 通过选择性地去除位于漏极 140b 的一部分的上方的部分第一保护膜 150a、 部分第二保护 膜 150b 以及部分绝缘膜 150c 而在第一保护膜 150a、 第二保护膜 150b 以及绝缘膜 150c 中 形成漏极接触孔 150H， 以暴露漏极 140b 的所述部分。如图 5F 中所示， 在绝缘膜 150c 上的 每个像素区域中形成多个狭缝形像素电极 170。多个狭缝形像素电极 170 由透明导电材料 形成。每个像素电极 170 通过漏极接触孔 150H 与漏极 140b 连接。 0061 为了检查子像。

42、素是否被正常地驱动 （即， 正确地工作） ， 将测试信号施加至子像素， 从而检查子像素以确定子像素是否正确地工作。 0062 在检查子像素之后， 如果识别出有缺陷的子像素， 则如图 5G 中所示， 产生具有预 定成分的气体气氛。在一个实施方式中， 具有预定成分的气体是六羰基钨 （W(CO)6） 。 0063 如图 5H 中所示， 在六羰基钨 （W(CO)6） 气氛下在第一位置 201 处用激光照射有缺陷 的子像素的像素电极 170。此外， 当将激光移位至与有缺陷的子像素相邻的正常子像素的 像素电极 170 所对应的第二位置 203 处时， W(CO)6与激光反应以分解 W(CO)6并且从 W(。

43、CO)6 中分离出钨 （W） 。此外， 分离出的钨 （W） 沿激光照射区域沉积从而形成将有缺陷的子像素的 说 明 书 CN 103777413 A 10 7/8 页 11 像素电极 170 与正常子像素的像素电极 170 连接的连接图案 200a。与此相似地， 将激光移 位至与有缺陷的子像素相邻的另一正常子像素的像素电极以形成连接图案 200b。 0064 特别地， 根据本发明第二实施方式的平板显示器包括第一连接图案 200a 和第二 连接图案 200b， 以将有缺陷的子像素的像素电极与设置在有缺陷的子像素的像素电极的 上游和下游的正常子像素的像素电极连接。优选地， 可以按照如下方式形成第一连。

44、接图案 200a 和第二连接图案 200b ： 在一气氛下将激光照射在有缺陷的子像素的像素电极的第一 端 ； 将激光移位至与有缺陷的子像素相邻的正常子像素的像素电极以形成第一连接图案 200a ； 在所述气氛下将激光照射在有缺陷的子像素的像素电极的第二端 ； 以及将激光移位 至与有缺陷的子像素相邻的另一正常子像素的像素电极以形成第二连接图案 200b。 0065 如图 5I 中所示， 将在有缺陷的子像素的薄膜晶体管中的漏极 140b 的一部分去除 （未示出） ， 以便阻挡数据信号。此时， 还将与漏极 140b 被去除的区域相对应的栅极绝缘膜 120 去除， 以暴露下基板 100 的上表面。在图。

45、 5I 中，“开口” 是指如上所述的有缺陷的子像 素的漏极中的断开 （即， 切口） 0066 如上所述， 将有缺陷的子像素的像素电极与设置在有缺陷的子像素的上游和下游 的正常子像素的两个像素电极连接。此外， 将有缺陷的子像素的像素电极 170 分成第一像 素电极图案 170a 和第二像素电极图案 170b。此时， 通过第一连接图案 200a 将第一像素电 极图案170a与设置在有缺陷的子像素的上游的正常子像素的像素电极170连接， 并且通过 第二连接图案200b将第二像素电极图案170b与设置在有缺陷的子像素的下游的正常子像 素的像素电极 170 连接。 0067 在附图中示出了在第一连接图案。

46、 200a 和第二连接图案 200b 形成之后， 有缺陷 的子像素的漏极的开口以及将像素电极分成第一像素电极图案 170a 和第二像素电极图 案 170b。也可以在形成有缺陷的子像素的漏极 140b 的开口以及将像素电极分成第一像素 电极图案 170a 和第二像素电极图案 170b 之后， 形成第一连接图案 200a 和第二连接图案 200b。 0068 如上所述， 本发明的平板显示器能够通过将有缺陷的子像素与相邻于有缺陷的子 像素的正常子像素连接并且使用正常子像素的薄膜晶体管驱动有缺陷的子像素， 修复有缺 陷的子像素。在这种情形中， 平板显示器以 Z 反转模式驱动， 并且因此， 与有缺陷的子。

47、像素 连接的正常子像素的薄膜晶体管能够确保充足的充电时间。因此， 平板显示器能够防止已 修复的有缺陷的子像素以及与有缺陷的子像素连接的子像素的显示质量的退化。 0069 并且， 本发明的平板显示器具有高分辨率， 其中， 尽管正常子像素和有缺陷的子像 素彼此连接并且被同时驱动， 但每个子像素以边缘场切换模式驱动， 从而防止有缺陷的子 像素容易被看见。 0070 本发明的平板显示器及其制造方法具有如下优点。 0071 第一， 通过将有缺陷的子像素的像素电极与相邻于有缺陷的子像素的正常子像素 的像素电极连接， 能够使用正常子像素的薄膜晶体管驱动有缺陷的子像素。 0072 第二， 通过以 Z 反转模式。

48、驱动平板显示器， 能够确保与有缺陷的子像素连接的正 常子像素的薄膜晶体管具有充足的充电时间。因此， 能够防止已修复的有缺陷的子像素以 及与有缺陷的子像素连接的正常子像素的显示质量的退化。 0073 第三， 子像素以边缘场切换 （FFS） 模式驱动。因此， 与以扭曲向列 （TN） 模式或面内 说 明 书 CN 103777413 A 11 8/8 页 12 切换 （IPS） 模式驱动的平板显示器相比， 以 FFS 模式驱动的平板显示器具有小的子像素尺 寸以及由此产生的高分辨率。结果， 尽管正常子像素和有缺陷的子像素彼此连接并且被同 时驱动， 但他们并不容易被看见。 0074 在不脱离本发明的精神。

49、或范围的情况下， 可对本发明进行各种修改和变化， 这对 于所属领域普通技术人员来说是显而易见的。因而， 本发明意在覆盖落入所附权利要求书 的范围及其等效范围内的对本发明的所有修改和变化。 说 明 书 CN 103777413 A 12 1/10 页 13 图 1 说 明 书 附 图 CN 103777413 A 13 2/10 页 14 图 2A 说 明 书 附 图 CN 103777413 A 14 3/10 页 15 图 2B 图 3 说 明 书 附 图 CN 103777413 A 15 4/10 页 16 图 4A 说 明 书 附 图 CN 103777413 A 16 5/10 页 17 图 4B 图 5A 说 明 书 附 图 CN 103777413 A 17 6/10 页 18 图 5B 图 5C 说 明 书 附 图 CN 103777413 A 18 7/10 页 19 图 5D 图 5E 说 明 书 附 图 CN 103777413 。