沉积装置、形成薄膜的方法及制造显示装置的方法.pdf

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1、10申请公布号CN104099572A43申请公布日20141015CN104099572A21申请号201310556660322申请日20131111102013003697920130404KRC23C14/24200601H01L51/5620060171申请人三星显示有限公司地址韩国京畿道龙仁市72发明人金善浩许明洙李正浩赵喆来朱儇佑李勇锡74专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286代理人王占杰韩芳54发明名称沉积装置、形成薄膜的方法及制造显示装置的方法57摘要提供了一种沉积装置，构造为对基底执行沉积工艺，所述沉积装置包括腔室，在表面中具有排放开口；沉积源，位于腔室中，构造。

2、为向基底喷射一种或多种沉积材料；冷却板，对应于腔室的内表面，排放开口形成在冷却板处；冷冻机，接触冷却板；以及泵，结合到排放开口。30优先权数据51INTCL权利要求书2页说明书10页附图5页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书10页附图5页10申请公布号CN104099572ACN104099572A1/2页21一种沉积装置，所述沉积装置被构造为对基底执行沉积工艺，所述沉积装置包括腔室，在表面中具有排放开口；沉积源，位于腔室中，构造为向基底喷射一种或多种沉积材料；冷却板，对应于腔室的内表面，排放开口形成在冷却板处；冷冻机，接触冷却板；以及泵，结合到排放开口。2根。

3、据权利要求1所述的沉积装置，其中，腔室具有对应于冷却板的通孔，冷冻机从腔室的外部穿过通孔，使得冷冻机的端部处于腔室中并且对应于冷却板的表面。3根据权利要求1所述的沉积装置，所述沉积装置还包括位于冷冻机和冷却板之间的衬垫。4根据权利要求1所述的沉积装置，其中，冷却板和腔室的内表面彼此隔开。5根据权利要求1所述的沉积装置，所述沉积装置还包括位于冷却板和腔室的内表面之间的支撑杆。6根据权利要求5所述的沉积装置，其中，支撑杆将冷却板与腔室的内表面隔开。7根据权利要求5所述的沉积装置，其中，支撑杆比冷却板长。8根据权利要求5所述的沉积装置，其中，支撑杆沿着长度方向伸长以延伸到冷却板的两个相对的端部之外。。

4、9根据权利要求1所述的沉积装置，所述沉积装置还包括位于冷却板和腔室的内表面之间的加热构件，该加热构件与冷冻机隔开。10根据权利要求9所述的沉积装置，其中，加热构件接触冷却板。11根据权利要求1所述的沉积装置，其中，冷却板包括设置在排放开口的相对侧处的多个冷却板。12根据权利要求1所述的沉积装置，其中，冷却板包括围绕排放开口的多个冷却板。13根据权利要求12所述的沉积装置，其中，冷却板彼此一体地形成。14根据权利要求1所述的沉积装置，所述沉积装置还包括网格构件，网格构件被构造为接触冷却板的与面对冷冻机的表面相对的表面。15根据权利要求1所述的沉积装置，其中，沉积源和排放开口设置为对应于腔室的相同。

5、的表面。16根据权利要求1所述的沉积装置，其中，沉积源处于腔室的下表面处，排放开口处于腔室的侧表面处。17根据权利要求1所述的沉积装置，其中，基底处于腔室的第一侧表面上，排放开口位于腔室的面对腔室的第一侧表面的第二侧表面处。18根据权利要求1所述的沉积装置，其中，在沉积工艺期间，基底或者沉积源能够移动。19根据权利要求1所述的沉积装置，所述沉积装置还包括压缩机，压缩机结合到冷冻机并构造为处理冷冻机中的冷却材料。20根据权利要求1所述的沉积装置，其中，所述沉积材料包括有机单体。21根据权利要求1所述的沉积装置，所述沉积装置还包括处于腔室外部并结合到沉积源的蒸发单元。权利要求书CN10409957。

6、2A2/2页322根据权利要求21所述的沉积装置，其中，蒸发单元构造为从液相材料提供装置接收液相的沉积材料以蒸发液相的沉积材料，并且将蒸发的沉积材料提供给沉积源。23一种通过使用沉积装置对基底执行沉积工艺的薄膜形成方法，所述方法包括将基底运送到腔室中；在腔室中使用沉积源向基底喷射一种或多种沉积材料；使用冷却板来捕获腔室中剩余的沉积材料，冷却板结合到冷冻机并对应于腔室的内表面，排放开口形成冷却板处。24根据权利要求23所述的方法，其中，在移动基底或者沉积源的同时执行沉积工艺。25根据权利要求23所述的方法，其中，使用压缩机处理冷冻机中的冷却材料。26一种使用沉积装置制造有机发光显示装置的方法，所。

7、述方法包括形成有机发光显示装置中的至少一个薄膜，其中，形成所述至少一个薄膜包括将基底运送到腔室中；在腔室中使用沉积源向基底喷射一种或多种沉积材料；以及使用冷却板捕获在腔室中剩余的沉积材料，冷却板结合到冷冻机并对应于腔室的内表面，排放开口形成在冷却板处。27根据权利要求26所述的方法，其中，有机发光显示装置包括位于基底上的第一电极、具有有机发射层的中间层、第二电极和位于基底上的包封层，所述包封层包括至少一个薄膜。28根据权利要求27所述的方法，其中，所述包封层包括有机层和无机层，所述有机层包括至少一个薄膜。权利要求书CN104099572A1/10页4沉积装置、形成薄膜的方法及制造显示装置的方法。

8、0001本申请要求在2013年4月4日提交到韩国知识产权局的第1020130036979号韩国专利申请的优先权和权益，通过引用将该申请的全部公开内容包含于此。技术领域0002以下的描述涉及沉积装置、使用该沉积装置的薄膜形成方法以及制造有机发光显示装置的方法。背景技术0003半导体设备、显示装置以及其他电子设备包括多个薄膜。形成多个薄膜的一个方法是是通过沉积工艺。0004在显示装置中，有机发光显示器由于诸如宽视角、高对比度和快响应速度的特性而被认为是下一代显示装置。0005有机发光显示装置包括彼此面对的第一电极和第二电极；包括有机发射层的中间层，位于第一电极和第二电极之间；以及可以通过沉积工艺形。

9、成的一个或多个不同的合适的薄膜。另外，包封层在例如有机发光显示装置的显示装置中形成在第二电极上，包封层可以包括有机层或无机层。0006然而，形成这样的包封层并不容易。例如，难以有效地控制用于形成包封层的沉积工艺，因此，在形成具有期望的特性的沉积膜方面存在限制。另外，在改善包封层的特性方面存在限制。发明内容0007本发明的实施例的方面涉及一种能够有效地执行沉积工艺并改善沉积膜的特性的沉积装置、一种使用所述沉积装置形成薄膜的方法和一种制造有机发光显示装置的方法。0008根据本发明的实施例的一个方面，提供了一种沉积装置，构造为对基底执行沉积工艺，所述沉积装置包括腔室，在表面中具有排放开口；沉积源，位。

10、于腔室中，构造为向基底喷射一种或多种沉积材料；冷却板，对应于腔室的内表面，排放开口形成在冷却板处；冷冻机，接触冷却板；以及泵，结合到排放开口。0009腔室可以具有对应于冷却板的通孔，冷冻机从腔室的外部穿过通孔，使得冷冻机的端部处于腔室中并且对应于冷却板的表面。0010沉积装置还可以包括位于冷冻机和冷却板之间的衬垫。0011冷却板和腔室的内表面可以彼此隔开。0012沉积装置还可以包括位于冷却板和腔室的内表面之间的支撑杆。0013支撑杆可以将冷却板与腔室的内表面隔开。0014支撑杆可以比冷却板长。0015支撑杆可以沿着长度方向伸长以延伸到冷却板的两个相对的端部之外。说明书CN104099572A2。

11、/10页50016沉积装置还可以包括位于冷却板和腔室的内表面之间的加热构件，该加热构件与冷冻机隔开。0017加热构件可以接触冷却板。0018冷却板可以包括设置在排放开口的相对侧处的多个冷却板。0019冷却板可以包括围绕排放开口的多个冷却板。0020冷却板可以彼此一体地形成。0021沉积装置还可以包括网格构件，网格构件构造为接触冷却板的与面对冷冻机的表面相对的表面。0022沉积源和排放开口可以设置为对应于腔室的相同的表面。0023沉积源可以处于腔室的下表面处，排放开口可以处于腔室的侧表面处。0024基底可以处于腔室的第一侧表面上，排放开口可以位于腔室的面对腔室的第一侧表面的第二侧表面处。0025。

12、在沉积工艺期间，基底或者沉积源可以能够移动。0026沉积装置还可以包括压缩机，压缩机结合到冷冻机并构造为处理冷冻机中的冷却材料。0027沉积材料可以包括有机单体。0028沉积装置还可以包括处于腔室外部并结合到沉积源的蒸发单元。0029蒸发单元可以构造为从液相材料提供装置接收液相的沉积材料以蒸发液相的沉积材料，并且将蒸发的沉积材料提供给沉积源。0030根据本发明的实施例的一个方面，提供了一种通过使用沉积装置对基底执行沉积工艺的薄膜形成方法，所述方法包括将基底运送到腔室中；在腔室中使用沉积源向基底喷射一种或多种沉积材料；使用冷却板来捕获腔室中剩余的沉积材料，冷却板结合到冷冻机并对应于腔室的内表面，。

13、排放开口形成在冷冻机处。0031可以在移动基底或者沉积源的同时执行沉积工艺。0032可以使用压缩机处理冷冻机中的冷却材料。0033根据本发明的实施例的另一个方面，提供了一种使用沉积装置制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括形成有机发光显示装置中的至少一个薄膜，其中，形成所述至少一个薄膜包括将基底运送到腔室中；在腔室中使用沉积源向基底喷射一种或多种沉积材料；以及使用冷却板捕获在腔室中剩余的沉积材料，冷却板结合到冷冻机并对应于腔室的内表面，排放开口形成在冷却板处。0034有机发光显示装置包括位于基底上的第一电极、具有有机发射层的中间层、第二电极和位于基底上的包封层，所述包封层包括至少一个薄膜。0。

14、035包封层可以包括有机层和无机层，所述有机层包括至少一个薄膜。附图说明0036通过参照附图详细描述本发明的示例实施例，本发明的上述和其他的特征和方面将会变得更加明显，在附图中0037图1是根据本发明的示例实施例的沉积装置的示意图；0038图2是根据本发明的示例实施例的图1中的部分A的放大图；说明书CN104099572A3/10页60039图3是根据本发明的示例实施例的具有一些以假想线示出的隐藏组件的从图1中的K的方向看到的沉积装置的平面图；0040图4是示出了根据本发明的示例实施例的图1的沉积装置的修改示例的示意图；0041图5是示出了根据本发明的示例实施例的从方向K看到的图4的沉积装置的。

15、图；0042图6是根据本发明的另一个示例实施例的沉积装置的示意图；0043图7是示出了根据本发明的示例实施例的从方向K看到的图6的沉积装置的图；0044图8和图9是示出了根据本发明的一些实施例的图6的沉积装置的修改示例的图；0045图10是示出了根据本发明的另一个示例实施例的沉积装置的示意图；0046图11是根据本发明的示例实施例的使用沉积装置制造的有机发光显示装置的示意性剖视图；0047图12是根据本发明的示例实施例的图11中的部分F的放大图。具体实施方式0048在下文中，将参照附图详细地描述本发明的实施例。0049图1是示出了根据本发明的示例实施例的沉积装置100的示意图，图2是根据本发明。

16、的实施例的图1中的部分A的放大图，图3是根据本发明的实施例的从图1中的K的方向看到的沉积装置100的图。0050参照图1至图3，沉积装置100包括腔室101、沉积源110、泵120、冷却板131、冷冻机141和压缩机150。0051形成腔室101以保持在其中执行沉积工艺的沉积空间的气氛。腔室101包括用于将基底S运入或运出腔室101的一个或多个入口。另外，腔室101具有用于在沉积工艺过程中控制压力环境的排放孔（例如，排放开口）101B。另外，腔室101包括与稍后将描述的冷冻机141相对应的通孔101A。0052沉积源110位于（例如，放置或设置在）腔室101中。沉积源110可以固定在腔室101。

17、的一侧，例如，腔室101的下表面处。沉积源110可以包括朝基底S喷射沉积材料的一个或多个喷嘴。沉积源110还可以包括在使用沉积材料在基底S上形成沉积层之后用于硬化沉积层的硬化单元。0053蒸发单元112可以通过连接构件115结合到（或者连接到）沉积源110。蒸发单元112将从液相蒸发的沉积材料提供到沉积源110。液体材料供应装置被结合到蒸发单元112以将液体材料提供给蒸发单元112，蒸发单元112蒸发该液体材料（其可能包括有机单体），并将气相材料提供给沉积源110。例如，沉积源110将包含有机单体的沉积材料提供给基底S以形成包括有机材料的沉积层。0054基底S位于沉积源110的上部上，基底S是。

18、将对其执行沉积工艺的沉积对象。例如，基底S可以使用夹子固定在平台160上。0055在一个实施例中，平台160可以选择性地移动。例如，如图1中所示，平台160可以在方向M1和M2之间往复运动。因此，可以在基底S相对于沉积源110移动时执行沉积工艺。驱动单元可以附加地位于平台160中或者驱动构件可以形成在平台160中以驱动平台160。然而，本发明的实施例不限于此，并且平台160可以被固定。说明书CN104099572A4/10页70056泵120位于腔室101的外部上。泵120结合到腔室101的排放孔（例如，排放开口）101B，以在沉积工艺期间控制腔室101中的环境的压力和清洁度（即，具有低水平的。

19、环境污染物和致污物的性质）。泵120可以是例如涡轮泵或者低温泵的各种合适种类的泵中的任何一种。0057两个冷却板131在腔室101中被定位为围绕排放孔101B。在一个实施例中，两个冷却板131位于排放孔101B的相对侧上，排放孔101B设置在两个冷却板131之间。冷却板131可以由例如铜（具体地，无氧铜）的具有优异的导热性的金属材料形成。在沉积工艺之后，冷却板131捕获在腔室101中剩余的沉积材料以保持腔室101的清洁度。例如，冷却板131可以防止剩余的沉积材料经由排放孔101B而被泵120吸收，并防止损坏泵120。0058另外，当执行沉积工艺时，未沉积在基底S上或者由于泵120的操作而朝向排。

20、放孔101B移动的存在于腔室101中的沉积材料可以被冷却板131捕获，以防止泵120损坏。0059两个冷冻机141可以结合到一个冷却板131。在一个实施例中，冷冻机141在不使用例如软管或管道的连接构件的情况下直接结合到冷却板131。例如，冷却板131的下表面上的区域（例如，预设的或预定的区域）接触冷冻机141。因此，冷却板131的温度可以保持在低温（例如，非常低的温度）下。0060冷冻机141中包含例如氦的冷却材料，用于冷冻的构件（例如热交换器）、冷凝器以及其他组件可以包括在每个冷冻机141中。0061冷冻机141可以结合到压缩机150，冷却材料（例如，氦）经由排放管155A被传送到压缩机1。

21、50以被处理（例如，顺序地处理），然后可以通过引入管155B再次被传送到冷冻机141。0062如图3中所示，冷却板131可以形成为沿着一个方向延伸的矩形（例如，可以具有矩形形状）。0063冷冻机141从腔室101的外部延伸到腔室101中。例如，冷冻机141通过腔室101的通孔101A穿过腔室101，使得冷冻机141的一端接触位于腔室101中的冷却板131的下表面。0064在一个实施例中，衬垫170可以位于冷冻机141和每个冷却板131之间，以稳定地保持冷冻机141和冷却板131之间的接触状态。衬垫170可以包括具有优异的导热性的铝或铟。衬垫170可以形成为薄盘，衬垫170的一个表面粘附到冷冻机。

22、141，衬垫170的另一个表面粘附到冷却板131。因此，冷却材料可以从冷冻机141被传送到冷却板131。0065支撑杆180位于冷却板131和腔室101之间。因此，冷却板131与腔室101隔开。冷冻机141延伸到腔室101中至一定高度（例如，预定的高度），以接触冷却板131。0066两个支撑杆180位于冷却板131和腔室101的内表面之间。支撑杆180与冷冻机141隔开。支撑杆180沿着一个方向（例如，图3中示出的Y方向）伸长以与冷却板131的长度相对应，具体地，支撑杆180沿着所述方向至少比冷却板131的长度长，以达到腔室101的比冷却板131的相对端远的区域（例如，预定的区域）。0067冷。

23、却板131可以附着到腔室101的内部/使用支撑杆180与腔室101的内部分离。例如，不需要使冷却板131接触腔室101的内表面以固定冷却板131。由于支撑杆180长于冷却板131，所以冷却板131可以容易地位于支撑杆180上。0068另外，由于冷冻机141的一部分（例如，预定的部分）位于腔室101中，以经由支撑说明书CN104099572A5/10页8杆180接触冷却板131，因此可以稳定地保持冷冻机141和冷却板131之间的接触状态，并且可以使冷冻机141在通孔101A中不晃动。0069加热构件190定位为与冷却板131的下表面相对应。例如，加热构件190位于冷却板131和腔室101之间由于。

24、支撑杆180而形成的分隔空间中。在一个实施例中，加热构件190接触冷却板131的下表面。加热构件190可以形成为线圈。0070如上所述，冷却板131捕获在腔室101中剩余的沉积材料，捕获的沉积材料以固相附着到冷却板131。在执行沉积工艺之后，可以利用加热构件190来去除附着到冷却板131的沉积材料。0071如图3中所示，加热构件190在若干个地方弯曲（可以均以U形弯曲），加热构件190可以跨越冷却板131的整个表面并与冷冻机141隔开。尽管在图3中未示出，但是电源结合到加热构件190。在沉积工艺期间，加热构件190不工作，从而不使冷却板131的性质劣化。0072以下将描述根据本实施例的沉积装置。

25、100的操作和效果。沉积装置100包括用于在基底S上形成沉积层的沉积源110。在一个实施例中，沉积源110可以将包含有机单体的沉积材料以气相提供给基底S。0073蒸发的沉积材料到达基底S并形成期望的沉积层。在一个实施例中，在形成沉积层之后在腔室101中剩余的沉积材料或者在被从沉积源110喷射之后未参与沉积工艺而漂浮在腔室101中的沉积材料会影响后续的沉积工艺，由此劣化后续的沉积层的特性或者污染后续的沉积层。当这样的沉积材料通过排放孔101B导入到泵120中时，会劣化泵120的特性，会劣化（例如，污染）腔室101中的沉积工艺环境，和/或泵120会被损坏。0074在本实施例中，冷却板131位于腔室。

26、101中以捕获腔室101中的剩余的沉积材料并保持腔室101中的清洁度（例如，减少污染物），因此，可以保持泵120的特性并且可以改善沉积层的特性。在一个实施例中，冷却板131位于结合到泵120的排放孔101B的相对侧上，因此，可以有效地将剩余的沉积材料朝向冷却板131引导，并且可以改善捕获性质。0075由于连接到排放孔101B的泵120的操作，少量未被沉积在基底S上而剩余在腔室101中的沉积材料可以朝向排放孔101B和它的周围的区域移动，因此，定位为与排放孔101B相邻的冷却板131可以捕获沉积材料。0076另外，冷冻机141直接结合到冷却板131的下表面以有效地降低冷却板131的温度，由此增加。

27、捕获效果。另外，加热构件190位于冷却板131的下表面的区域上而与沉积工艺无关，以在完成沉积工艺之后去除被冷却板131捕获的沉积材料。0077在冷却板131位于腔室101中的实施例中，冷却板131位于支撑杆180上以与腔室101的内壁隔开，因此冷却板131可以位于腔室101中的期望的位置并且可以与腔室101隔开。0078图4是示出了根据本发明的实施例的图1中示出的沉积装置100的修改示例的图，图5是根据本发明的示例实施例的从方向K看到的图4的沉积装置的图。0079参照图4和图5，沉积装置包括腔室101、沉积源、泵、冷却板131、冷冻机141和压缩机。图4和图5中示出的沉积装置与前面的实施例的沉。

28、积装置的不同之处在于另外地包括网格构件135。0080网格构件135定位为接触冷却板131的上表面，并且包括沿着第一方向延伸的部说明书CN104099572A6/10页9分和沿着与第一方向垂直的第二方向延伸的部分。网格构件135可以由具有优异的导热性的金属材料形成。当使用具有冷却板131的网格构件135时，可以改善在腔室101内剩余的沉积材料的捕获性质。0081其他的组件与前面的实施例的组件相同，将不重复对它们的详细描述。0082图6是根据本发明的另一个实施例的沉积装置200的示意图，图7是根据本发明的示例实施例的从方向K看到的图6的沉积装置的图。0083参照图6和图7，沉积装置200包括腔室。

29、201、沉积源210、泵220、冷却板231、冷冻机241和压缩机250。0084形成腔室201以合适地保持沉积工艺在其中执行的沉积空间的环境。腔室201包括用于运入和运出基底S的一个或多个入口。另外，腔室201在其侧表面处包括排放孔（例如，排放开口）201B以控制沉积工艺期间的压力。另外，腔室201包括与稍后将描述的冷冻机241相对应的通孔（例如，贯通开口）。0085沉积源210位于腔室201中。沉积源210位于腔室201的一侧处，例如，沉积源210位于腔室201的下表面处，沉积源210可以能够沿着一个方向或多个方向移动。例如，如图6中所示，沉积源210可以在方向M1和相反的方向M2之间往复。

30、运动。0086沉积源210可以包括用于向基底S提供沉积材料的喷嘴。另外，沉积源210可以包括硬化部分，硬化部分用于在通过选择性地使用沉积材料在基底S上形成沉积层之后硬化沉积层。0087蒸发单元212可以通过连接构件215结合到沉积源210。另外，液相材料提供装置结合到蒸发单元212以将液相的沉积材料提供给蒸发单元212，蒸发单元212蒸发沉积材料并将沉积材料提供给沉积源210。0088基底S是将对其执行沉积工艺的沉积对象，基底S位于沉积源210的上部上。基底S可以固定在平台260上。为此，可以使用例如夹子的构件将基底S固定在平台260上。0089泵220位于腔室201的外部。泵220结合到腔室。

31、201的排放孔201B，以控制沉积工艺的压力环境和腔室201的清洁度。排放孔201B位于腔室201的侧表面处。例如，排放孔201B位于腔室201的与沉积源210位于其上的表面相邻的表面处。例如，沉积源210可以位于腔室201的下表面上，排放孔201B可以位于腔室201的侧表面中。0090两个冷却板231在腔室201中被定位为围绕排放孔201B。在一个实施例中，两个冷却板231对应于（例如，安装在）腔室201的侧表面，并且可以设置在排放孔201B的相对侧。0091两个冷冻机241分别结合到冷却板231。在一个实施例中，冷冻机241在不使用例如软管或管道的连接构件的情况下直接结合到冷却板231。例。

32、如，每个冷却板231的下表面（例如，面对腔室201的壁的表面）的区域（例如，预定的区域）接触冷冻机241。0092冷冻机241中包含例如氦的冷却材料，用于冷冻的构件（例如热交换器）、冷凝器以及其他组件可以包括在每个冷冻机241中。0093冷冻机241可以结合到压缩机250，冷却材料（例如，氦）经由排放管255A被传送到压缩机250以被处理，然后通过引入管255B再次传送到冷冻机241。0094如图7中所示，每个冷却板231都可以形成为沿着一个方向延伸的矩形（例如，具有长方形形状）。说明书CN104099572A7/10页100095冷冻机241均从腔室201的外部延伸到腔室201中。例如，冷冻。

33、机241通过腔室201的通孔（例如，贯通开口）穿过腔室201，使得冷冻机241的端部接触位于腔室201中的冷却板231的下表面。尽管在图7中未示出，但是衬垫可以位于冷冻机241和冷却板231之间。0096支撑杆280位于每个冷却板231和腔室201之间。因此，冷却板231与腔室201隔开。冷冻机241延伸到腔室201中至一定高度（例如，预定的高度）以接触冷却板231。0097两个支撑杆280位于每个冷却板231和腔室201的内侧表面之间以支撑冷却板231。支撑杆280与冷冻机241隔开。支撑杆280沿着一个方向伸长以与冷却板231的宽度相对应，支撑杆280形成为沿着长度方向长于冷却板231的宽。

34、度以超过冷却板231至腔室201的区域（例如，预定的区域），如图7中所示。0098冷却板231可以方便地位于腔室201的内部/使用支撑杆280与腔室201的内部分离。因此，不需要使冷却板231接触腔室201的侧表面来固定冷却板231。由于支撑杆280长于冷却板231，所以冷却板231可以位于支撑杆280上。0099加热构件可以定位为对应于冷却板231的下表面。0100冷却板231、冷冻机241、支撑杆280、加热构件和衬垫与前面的实施例的相似，因此，这里不提供对它们的详细描述。0101将描述根据本实施例的沉积装置200的操作和效果。沉积装置200包括用于在基底S上形成沉积层的沉积源210。在一。

35、个实施例中，沉积源210可以以气态（或者气相）将包含有机单体的沉积材料提供给基底S。0102气相的沉积材料达到基底S以形成期望的沉积层。这里，沉积源210定位为与腔室201的下表面相对应，可以在相对于基底S移动沉积源210的同时执行沉积工艺。另外，排放孔201B可以形成在腔室201的侧表面中以控制沉积源210的移动。0103在使用沉积源210在基底S上形成沉积层之后在腔室201中剩余的沉积材料或者在被从沉积源210喷射之后未参与沉积工艺而是存在于腔室201中的沉积材料会影响接下来的沉积工艺，由此劣化沉积层的特性。另外，当这样的沉积材料通过排放孔201B导入泵220中时，会劣化泵220的性能，因。

36、此，会劣化腔室201中的沉积环境特性，并且泵220会被损坏。0104在本实施例中，冷却板231位于腔室201中以捕获腔室201中剩余的沉积材料，因此可以保持腔室201中的清洁度并且可以保持泵220的特性，由此改善沉积层的特性。0105结合到泵220的排放孔201B和沉积源210位于腔室201的不同的表面上，例如，排放孔201B可以形成在腔室201的侧表面中，沉积源210可以位于腔室201的下表面上，从而可以减小在通过排放孔201B进行的排放和压力控制操作期间对沉积源210和基底S的影响。0106另外，冷却板231位于排放孔201B的相对侧上以与排放孔201B相邻，以改善冷却板231的沉积材料捕。

37、获性质。在一个实施例中，冷却板231形成在腔室201的侧表面上以与排放孔201B相邻，由此在捕获剩余的沉积材料时不影响位于腔室201的下表面上的沉积源210和基底S。0107图8和图9是示出了根据本发明的一些实施例的图6的沉积装置200的修改示例的图。例如，根据本发明的实施例，如图7中所示，冷却板231可以位于排放孔201B的说明书CN104099572A108/10页11相对侧处，另外，如图8中所示，四个冷却板231可以设置为围绕排放孔（例如，排放开口）201B。通过形成围绕排放孔201B的四个冷却板231，可以防止沉积材料进入到排放孔201B中，冷却板231可以更容易地捕获沉积材料。010。

38、8另外，如图9中所示，一体的（例如，一片）冷却板231可以形成为围绕排放孔（例如，排放开口）201B。0109尽管未在图中示出，但是图8和图9中示出的修改示例可以应用到前面的实施例。0110图10是根据本发明的另一个示例实施例的沉积装置300的示意图。0111参照图10，沉积装置300包括腔室301、沉积源310、泵320、冷却板331、冷冻机341和压缩机350。0112形成腔室301以合适地保持沉积工艺在其中执行的沉积空间的环境。腔室301包括用于运入和运出基底S的一个或多个入口。另外，腔室301在其侧表面处包括排放孔（例如，排放开口）301B，以控制沉积工艺期间的压力。另外，腔室301包。

39、括与稍后将描述的冷冻机341相对应的通孔。0113基底S是将对其执行沉积工艺的沉积对象，基底S位于沉积源310的上部上。基底S位于腔室301的侧表面上。尽管未在图10中示出，但是基底S可以被固定在位于腔室301的侧表面上的平台上。0114沉积源310位于腔室301中。沉积源310面对基底S。沉积源310可以能够沿着一个方向或多个方向移动，例如，如图10中所示，沉积源310可以在相反的方向M1和方向M2之间往复运动。0115沉积源310可以包括用于向基底S提供沉积材料的喷嘴。另外，沉积源310可以包括硬化部分，硬化部分用于在通过选择性地使用沉积材料在基底S上形成沉积层之后硬化沉积层。0116蒸发。

40、单元312可以通过连接构件315结合到沉积源310。液相材料提供装置可以结合到蒸发单元312以将液相的沉积材料提供给蒸发单元212，蒸发单元212蒸发沉积材料并将沉积材料提供给沉积源310。0117泵320位于腔室301的外部。泵320结合到腔室301的排放孔301B，以控制沉积工艺的压力环境和腔室301的清洁度。排放孔301B位于腔室301的侧表面处。例如，排放孔301B位于腔室301的表面中，该表面面对其上设置有基底S的表面。0118两个冷却板331在腔室301中被定位为围绕排放孔301B。在一个实施例中，两个冷却板331对应于（例如，安装在）腔室301的侧表面，并且可以设置在排放孔301。

41、B的相对侧。0119两个冷冻机341分别结合到冷却板331。在实施例中，冷冻机341在不使用例如软管或管道的连接构件的情况下直接结合到冷却板331。例如，每个冷却板331的下表面的区域（例如，预定的区域）接触冷冻机341。0120冷冻机341中包含例如氦的冷却材料，用于冷冻的构件（例如热交换器）、冷凝器以及其他组件可以包括在每个冷冻机341中。0121冷冻机341可以结合到压缩机350，冷却材料（例如，氦）经由排放管355A被传送到压缩机350以被处理，然后通过引入管355B再次传送到冷冻机341。0122每个冷却板331都可以形成为沿着一个方向延伸的矩形（例如，具有矩形形状）。说明书CN10。

42、4099572A119/10页120123冷冻机341均从腔室301的外部延伸到腔室301中。例如，冷冻机341通过腔室301的通孔穿过腔室301，使得冷冻机341的端部接触位于腔室301中的冷却板331的下表面（例如，面对腔室301的壁的表面）。尽管在图10中未示出，但是衬垫可以位于冷冻机341和冷却板331之间。0124支撑杆位于每个冷却板331和腔室301之间。因此，冷却板331与腔室301隔开。加热构件定位为与冷却板331的下表面相对应。0125冷却板331、冷冻机341、支撑杆380、加热构件和衬垫的构造与前面的实施例的相似，因此，这里不提供对它们的详细描述。0126将描述根据本实施。

43、例的沉积装置300的操作和效果。沉积装置300包括用于在基底S上形成沉积层的沉积源310。在一个实施例中，沉积源310可以以气态（或者气相）将包含有机单体的沉积材料提供给基底S。0127气相的沉积材料到达基底S以形成期望的沉积层。这里，基底S位于腔室301的侧表面上，沉积源310形成为面对基底S并在腔室301中移动，使得可以在相对于基底S移动沉积源310的同时执行沉积工艺。另外，排放孔301B可以形成在腔室301的侧表面中，以在不受排放孔301B和冷却板331的影响的情况下控制沉积源310的移动。0128在利用沉积源310在基底S上形成沉积层之后在腔室301中剩余的沉积材料或者在被从沉积源31。

44、0喷射之后未参与沉积工艺而是存在于腔室301中的沉积材料会影响接下来的沉积工艺，由此劣化沉积层的特性。另外，当这样的沉积材料通过排放孔301B导入泵320中时，会劣化泵320的性能，因此，会劣化腔室301中的沉积环境特性，并且泵320会被损坏。0129在本实施例中，冷却板331位于腔室301中以捕获腔室301中剩余的沉积材料，因此可以保持腔室301中的清洁度并且可以保持泵320的特性，由此改善沉积层的特性。0130另外，冷却板331位于排放孔301B的相对侧上以与排放孔301B相邻，以改善冷却板331的沉积材料捕获性质。在一个实施例中，冷却板331形成在腔室301的侧表面上以与排放孔301B相。

45、邻，由此在捕获剩余的沉积材料时，不影响沉积源310和基底S。0131另外，结合到泵320的排放孔301B和基底S位于腔室301的不同的表面上，例如，彼此相对的表面上，从而减小（例如，最小化）在通过排放孔301B进行的排放和压力控制操作中可能对沉积源310和基底S造成的不利影响。0132图8和图9中示出的结构还可以应用到根据本实施例的图10的沉积装置300。0133图11是根据本发明的实施例的使用沉积装置制造的有机发光显示装置10的示意性剖视图，图12是根据本发明的一些实施例的图11中示出的部分F的放大图。0134参照图11和图12，有机发光显示装置10形成在基底30上。基底30可以由玻璃材料、。

46、塑料材料和/或金属材料形成。0135缓冲层31形成在基底30上，其中，缓冲层31在基底30上提供平坦的表面并且包括用于防止潮气和杂质渗透到基底30中的绝缘材料。0136薄膜晶体管（TFT）40、电容器50和有机发光装置60形成在缓冲层31上。TFT40包括有源层41、栅电极42和源电极/漏电极43。有机发光装置60包括第一电极61、第二电极62和中间层63。电容器50包括第一电容器电极51和第二电容器电极52。0137在一个实施例中，具有图案（例如，预定的图案）的有源层41位于缓冲层31上。有说明书CN104099572A1210/10页13源层41可以包括例如硅的无机半导体材料、有机半导体材。

47、料和/或氧化物半导体材料，有源层41可以通过选择性地注入P型或N型的掺杂剂来形成。0138栅极绝缘层32形成在有源层41上。栅电极42形成在栅极绝缘层32上以与有源层41相对应。第一电容器电极51可以形成在栅极绝缘层32上，第一电容器电极51可以由与形成栅电极42的材料相同的材料形成。0139层间电介质33形成为覆盖栅电极42，源电极/漏电极43形成在层间电介质33上以接触有源层41的区域（例如，预定的区域）。第二电容器电极52可以形成在层间电介质33上并且可以由与源电极/漏电极43的材料相同的材料形成。0140钝化层34形成为覆盖源电极/漏电极43，附加的绝缘层还可以形成在钝化层34上以将T。

48、FT40平坦化。0141第一电极61形成在钝化层34上。第一电极61电结合到源电极/漏电极43中的一个。另外，像素限定层35形成为覆盖第一电极61。开口（例如，预定的开口）64形成在像素限定层35中，包括有机发射层的中间层63形成在由开口64限定的区域中。第二电极62形成在中间层63上。0142包封层70形成在第二电极62上。包封层70可以包括有机材料或无机材料，或者可以具有有机材料和无机材料交替地堆叠的结构。0143在一些实施例中，可以使用沉积装置100、200或300来形成包封层70。例如，将第二电极62形成在其上的基底30运入到腔室101、201或301中，之后，可以使用沉积装置100、。

49、200或300或者它们的修改示例来形成期望的层。0144在一个实施例中，包封层70包括无机层71和有机层72，无机层71包括多个子层71A、71B和71C，有机层72包括多个子层72A、72B和72C。这里，可以使用沉积装置100、200或300来形成有机层72中的层72A、72B和72C。0145然而，本发明的实施例不限于此，可以形成有机发光显示装置10中的其他的有机层。0146如上所述，当使用根据本发明的实施例的沉积装置100、200或300时，可以改善形成在有机发光显示装置10中的沉积层的特性。因此，可以改善有机发光显示装置10的电性质和图像质量。0147另外，除了有机发光显示装置10，根据本发明的实施例的沉积装置100、200或300可以形成液晶显示装置或者其他各种合适的显示装置中的薄膜。0148根据本发明的沉积装置并通过本发明的形成薄膜的方法以及制造有机发光显示装置的方法，可以有效地执行沉积工艺，并且可以改善沉积层的特性。0149尽管已经参照本发明的示例实施例具体地示出并描述了本发明，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求及其等同物所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上做出各种合适的改变。说明书CN104099572A131/5页14图1图2图3说明书附图CN104099572A142/5页15图4图5图6说明书。