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1、(10)申请公布号 CN 103843129 A (43)申请公布日 2014.06.04 CN 103843129 A (21)申请号 201280049055.0 (22)申请日 2012.09.28 61/542,068 2011.09.30 US 61/542,746 2011.10.03 US 13/630,196 2012.09.28 USH01L 21/683(2006.01) B23Q 3/15(2006.01) H02N 13/00(2006.01) (71)申请人 应用材料公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 维贾伊D帕克赫 史蒂芬V桑索尼 振雄马修蔡 (74)专利。
2、代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 代理人 徐金国 赵静 (54) 发明名称 具有温度控制的静电夹具 (57) 摘要 在此提供一种装置的实施方式， 所述装置用 于控制处理腔室中的静电夹具的温度。在一些实 施方式中， 装置包含 ： 静电夹具， 所述静电夹具设 置于处理腔室中， 所述静电夹具包含陶瓷板， 所述 陶瓷板具有基板支撑表面 ； 以及冷却组件， 所述 冷却组件包含多个冷却板， 所述多个冷却板设置 于所述静电夹具之下以调整所述静电夹具的冷却 能力。在一些实施方式中， 所述多个冷却板包含 内冷却板与外冷却板， 所述内冷却板配置成用以 控制所述静电夹具的中心部分的温度， 所。
3、述外冷 却板配置成用以控制所述静电夹具的外部分的温 度。 在一些实施方式中， 所述多个冷却板包含上冷 却板与下冷却板， 所述上冷却板接触所述静电夹 具的底表面， 所述下冷却板接触所述上冷却板的 底表面。 (30)优先权数据 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2014.04.04 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2012/057949 2012.09.28 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2013/049589 EN 2013.04.04 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 6 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 。
4、权利要求书2页 说明书6页 附图6页 (10)申请公布号 CN 103843129 A CN 103843129 A 1/2 页 2 1. 用于在处理腔室中控制静电夹具的温度的装置， 所述装置包含 ： 静电夹具， 所述静电夹具设置于处理腔室中， 所述静电夹具包含陶瓷板， 所述陶瓷板具 有基板支撑表面 ； 以及 冷却组件， 所述冷却组件包含多个冷却板， 所述多个冷却板设置于所述静电夹具之下 以调整所述静电夹具的冷却能力。 2. 如权利要求 1 所述的装置， 其中所述冷却组件通过一个或更多个弹簧接合至所述静 电夹具， 这些弹簧设置于所述冷却组件的底表面与所述处理腔室的主体之间。 3. 如权利要求 。
5、1 至 2 的任一项所述的装置， 其中所述多个冷却板的每一个冷却板都 包含一个或更多个冷却剂通道， 这些冷却剂通道被配置成用以使冷却剂循环通过这些冷却 板。 4. 如权利要求 3 所述的装置， 其中所述多个冷却板包含内冷却板与外冷却板， 所述内 冷却板被配置成用以控制所述静电夹具的中心部分的温度， 所述外冷却板被配置成用以控 制所述静电夹具的外部分的温度。 5. 如权利要求 4 所述的装置， 其中所述内冷却板以及所述外冷却板的温度是独立可控 的。 6. 如权利要求 4 所述的装置， 其中所述内冷却板以及所述外冷却板的顶表面与所述静 电夹具的底表面接触。 7. 如权利要求 4 所述的装置， 进一。
6、步包含 ： 多个沟槽， 所述多个沟槽形成于所述陶瓷板的所述基板支撑表面中， 所述多个沟槽被 配置成用以当基板设置于所述静电夹具上时使气体流过所述基板的底表面 ； 中心气体管线， 所述中心气体管线用以通过在所述陶瓷板中的中心入口点提供气体至 所述多个沟槽至少之一 ； 及 多个外气体管线， 所述多个外气体管线用以通过在所述陶瓷板内的多个外入口点至所 述多个沟槽的至少一些沟槽。 8. 如权利要求 7 所述的装置， 其中所述内冷却板设置成围绕所述中心气体管线， 且所 述外冷却板设置成围绕所述多个外气体管线。 9. 如权利要求 4 至 8 的任一项所述的装置， 进一步包含 ： 一个或更多个电极， 所述一。
7、个或更多个电极设置于所述陶瓷板内 ； 以及 一个或更多个加热器， 所述一个或更多个加热器设置于所述陶瓷板内， 其中所述内冷却板与所述外冷却板被配置成用以基于下列两条件至少之一来调整冷 却能力 ： (a) 提供至所述一个或更多个电极的电功率的量， 或 (b) 由所述一个或更多个加热 器提供的热。 10. 如权利要求 9 所述的装置， 其中所述内冷却板与所述外冷却板被配置以被调制以 在存在基板时控制所述一个或更多个加热器与所述基板之间的热传递。 11. 如权利要求 3 所述的装置， 其中所述多个冷却板包含上冷却板与下冷却板， 所述上 冷却板接触所述静电夹具的底表面， 所述下冷却板接触所述上冷却板的。
8、底表面。 12. 如权利要求 11 所述的装置， 其中热传导箔设置于所述上冷却板与所述静电夹具之 间。 13. 如权利要求 11 所述的装置， 其中通过独立地控制冷却剂流而使所述内冷却板与所 权 利 要 求 书 CN 103843129 A 2 2/2 页 3 述外冷却板的温度是独立可控的， 所述冷却剂流流至所述上冷却板与所述下冷却板。 14.如权利要求4至8的任一项所述的装置， 其中所述内冷却板与所述外冷却板的每一 冷却板都包含上冷却板与下冷却板， 且其中包含在所述内冷却板与所述外冷却板中的所述 上冷却板与所述下冷却板的温度能被独立地控制。 权 利 要 求 书 CN 103843129 A 。
9、3 1/6 页 4 具有温度控制的静电夹具 技术领域 0001 本发明的实施方式大体涉及用于支撑基板的静电夹具。 背景技术 0002 静电夹具可被用来固定即将被处理的基板至基板支撑件。 静电夹具的元件可包括 电极与沟槽(groove)， 电极固定基板， 沟槽设置在静电夹具的表面中以提供背侧气体(back side gas) 至基板背侧表面。一些典型的静电夹具在当只使用一个冷却板时具有固定的冷 却能力。然而， 单一的冷却板不依据温度使用或基板冷却需求而提供可变的冷却能力。静 电夹具的这些元件可能会影响基板的处理。因此， 本文提供改进的静电夹具的设计。 发明内容 0003 在此提供静电夹具的实施方。
10、式， 所述静电夹具具有在处理腔室中使用的温度控 制。 在一些实施方式中， 装置包含 ： 静电夹具， 所述静电夹具设置于处理腔室内， 所述静电夹 具包含陶瓷板， 所述陶瓷板具有基板支撑表面 ； 以及冷却组件， 所述冷却组件包含多个冷却 板， 所述多个冷却板设置于所述静电夹具之下以调整所述静电夹具的冷却能力。在一些实 施方式中， 所述多个冷却板包含内冷却板与外冷却板， 所述内冷却板配置成用以控制所述 静电夹具的中心部分的温度， 而所述外冷却板配置成用以控制所述静电夹具的外部分的温 度。 在一些实施方式中， 所述多个冷却板包含上冷却板与下冷却板， 所述上冷却板接触所述 静电夹具的底表面， 而所述下冷。
11、却板接触所述上冷却板的底表面。 0004 在一些实施方式中， 一种用于处理基板的装置， 所述装置包含 ： 腔室， 所述腔室界 定处理区域 ； 静电夹具， 所述静电夹具用于将基板固定于所述处理区域中， 所述静电夹具包 含陶瓷板、 多个电极、 多个沟槽及多个电源， 所述陶瓷板具有基板支撑表面， 所述多个电极 设置于所述陶瓷板内， 其中所述多个电极的每一电极都是单独可控的， 所述多个沟槽形成 于所述陶瓷板的所述基板支撑表面中， 每一个电源都耦接至所述多个电极中的相应电极以 使得每一个电极都是独立受控的 ； 冷却组件， 所述冷却组件包含多个冷却板， 这些冷却板设 置于所述静电夹具之下以调整所述静电夹具。
12、的冷却能力。 0005 本发明的其他和进一步的实施方式被描述于下文。 附图说明 0006 能通过参考各附图中描绘的本发明的示例性实施方式来理解上文简要概述的且 在下文中更加详细论述的本发明的实施方式。 然而， 应注意的是， 附图仅示出本发明的典型 实施方式， 且因此附图不应视为对本发明的范围的限制， 因为本发明可允许其他同等有效 的实施方式。 0007 图 1 描绘根据本发明的一些实施方式的基板支撑件的示意侧视图。 0008 图 2A-C 描绘根据本发明的一些实施方式的静电夹具的示意侧视图与顶视图。 0009 图 3 描绘根据本发明的一些实施方式的面对静电夹具的表面的基板中的沟槽的 说 明 书。
13、 CN 103843129 A 4 2/6 页 5 自上而下 (top down) 的示意图。 0010 图 4A-B 描绘根据本发明的一些实施方式的静电夹具中的电极的自上而下的示意 图。 0011 为便于理解， 尽可能使用相同的标记数字来表示各附图所共有的相同元件。附图 并未按比例绘制且可为了清楚而简化。 预期一个实施方式的元件及特征可有利地并入其他 实施方式中而不需进一步详述。 具体实施方式 0012 在此提供静电夹具的实施方式。本发明的装置可有利地提供被改良的基板处理， 例如通过下列方式， 比如通过限制介于基板支撑件元件与等离子体之间的电弧和 / 或通过 可控制地调整由静电夹具向设置在所。
14、述静电夹具上的基板的各区域提供的夹持功率量。 另 外， 静电夹具可被安装以使得静电夹具可以是可拆卸的和 / 或可更换的。在一些实施方式 中， 基板支撑件可在高温下使用， 例如， 温度范围从约 200 摄氏度至约 450 摄氏度。在一些 实施方式中， 基板支撑件可与直径大于约 400 毫米的基板一起使用。其他和进一步的优点 将在下面讨论。 0013 图 1 描绘根据本发明的一些实施方式的基板支撑件 100 的侧视示意图。如图 1 所 示， 基板支撑件100被配置在装载位置以接收或移除基板101。 例如， 如图1所示， 在装载位 置， 基板 101 可安置在基板支撑件 100 上方的多个升降销 (。
15、lift pin)103 上。升降销 103 相对于基板支撑件100的支撑表面是可移动的， 例如， 通过升降销孔107， 升降销孔107促进 升降销 103 的相对运动。基板支撑件 100 可被设置在处理腔室中 （腔室壁 102 的剖视图在 图 1 中示出） 。处理腔室可以是任何合适的基板处理腔室。 0014 基板支撑件 100 可包括主体 104。主体 104 可具有内部容积 106。内部容积 106 与 处理腔室的处理容积 108 隔开。内部容积 106 可保持在， 例如， 约 14.7 磅每平方英寸 （psi） 的气氛下， 或保持在惰性气氛下， 比如氮 （N2） 或类似气氛。内部容积 1。
16、06 进一步与任何可 能存在于处理腔室的处理容积 108 中的气体隔离， 且进一步被保护免于接触任何可能存在 于处理腔室的处理容积 108 中的气体。处理容积 108 可保持在大气压或低于大气压的压强 下。 0015 内部容积 106 可由静电夹具 110 以及馈通 (feedthrough) 结构 111 封闭， 静电夹 具 110 在主体 104 的上端 105 处， 馈通结构 111 可被焊接或铜焊 (braze) 至主体 104 的下 开口 114。例如， 如图 1 所示， 波纹管 (bellows)112 可围绕馈通结构 111 的至少一部分且将 处理容积 108 与腔室外部以及内部。
17、容积 106 隔开。波纹管 112 可提供柔性部分， 以方便基 板支撑件 100 的运动， 波纹管 112 亦可提供途径以用于提供气体、 电功率、 冷却剂及类似物 至基板支撑件 100。气体、 电功率、 冷却剂及类似物可由馈通结构 111 提供。 0016 波纹管 112 可在下开口 114 处， 例如， 通过焊接或铜焊而被耦接到主体 104。波纹 管112的相对下端116可被耦接到腔室壁102中的开口118。 例如， 如图1所示， 波纹管112 的下端 116 可包括凸缘 117， 凸缘 117 可通过 O 形环 119 或铜垫片或类似物耦接至腔室壁 102。O 形环 119 可安置在沟槽中。
18、， 所述沟槽在腔室壁 102 的面对处理容积的表面上。波纹 管 112 与主体 104 以及腔室壁 102 的其他耦接方式和其他设计是可能的。 0017 基板支撑件100可包括冷却板134， 冷却板134设置在静电夹具110下面的内部容 说 明 书 CN 103843129 A 5 3/6 页 6 积 106 中。例如， 如在一些实施方式中， 冷却板 134 可直接接触静电夹具 110 的面对内部容 积的表面。然而， 冷却板 134 的这个实施方式仅仅是示例性的且冷却板可不直接接触静电 夹具110。 冷却板134可包括多个冷却通道 （未图示） ， 所述冷却通道用于使冷却剂循环穿过 冷却板134。
19、。 冷却剂可包括任何合适的液体或气体冷却剂。 在一些实施方式中， 冷却剂可通 过冷却剂源 136 被供给到冷却板 134， 冷却剂源 136 通过馈通结构 111 耦接到冷却板 134。 例如， 冷却板 134 可通过一个或更多个弹簧 135 或任何合适的接合机构而接合至静电夹具 110。冷却板 134 的其他和进一步的实施方式示于图 2A-C 中且论述如下。 0018 静电夹具 110 可包括陶瓷板 120。如图 1 所示， 陶瓷板 120 可安置于环 122 上， 环 122 设置在主体 104 的上端 105 与静电夹具 110 之间。例如， 环 122 可包含 KOVARTM， 或任何。
20、 合适的材料。例如， 通过将环 122 焊接或铜焊到静电夹具 110 以及主体 104 的上端 105 二 者， 环 122 可将静电夹具 110 固定到主体 104 的上端 105。陶瓷板 120 可包含任何适合的陶 瓷材料， 比如氮化铝 （AlN） 、 氧化铝 （Al2O3） 、 或被掺杂的陶瓷， 所述被掺杂的陶瓷比如钛掺 杂的氧化铝或钙掺杂的氮化铝或类似物。如图 1 所示， 陶瓷板 120 可包括多个沟槽 124， 多 个沟槽 124 形成在陶瓷板 120 的基板支撑表面中。这些沟槽可用于， 例如， 提供背侧气体至 基板 101 的背侧表面。在下面将针对图 3 更详细地论述沟槽。陶瓷板 。
21、120 可进一步包括多 个电极 126， 可使用多个电极 126 将基板 101 固定在静电夹具 110 的处理表面 128 上。在下 面将更详细地论述电极 126 且于图 4A-B 中示出电极 126。 0019 静电夹具 110 还可包括一个或更多个加热器 123。所述一个或更多个加热器 123 可被耦接到一个或更多个电源 125 且可以是独立可控的。下面将根据图 2A-C 更详细地论 述所述一个或更多个加热器 123。 0020 如图 2A 所示， 静电夹具 110 可包括沉积环 206， 沉积环 206 设置成围绕陶瓷板 120 且覆盖陶瓷板 120 的暴露部分的至少一些， 如图 2 。
22、所示。在一些实施方式中， 陶瓷板 120 和 沉积环206之间存在间隙201。 然而， 间隙201可以是可选的， 并且在一些实施方式中， 沉积 环206可接触陶瓷板120。 沉积环206可包括氧化铝 （Al2O3） 、 碳化硅 （SiC） 、 不锈钢、 钛 （Ti） 或类似物之一或更多。沉积环 206 可用于保护静电夹具 110 的暴露部分在基板处理期间免 于损坏或防止材料沉积到这样的表面上。例如， 损伤可包含电弧放电 (arcing) 或类似物。 0021 如图2A所示， 沉积环206可具有表面轮廓， 所述表面轮廓大致平坦且在当基板101 被设置在静电夹具 110 的处理表面 128 上的处。
23、理位置时， 所述表面轮廓在基板 101 的水平 面之下。或者，（未图示） 沉积环 206 可具有倾斜轮廓， 比如靠近基板 101 的外围边缘较厚且 靠近陶瓷板 120 的外围边缘较薄。例如， 倾斜的轮廓可减少污染物、 处理材料或类似物在沉 积环 206 上的积累。 0022 在一些实施方式中， 气源 （即， 下面论述的且在图 1 中示出的气源 130） 可通过一个 或更多个多孔插头211耦接到多个沟槽124。 例如， 一个或更多个多孔插头211可包括任何 合适的多孔陶瓷材料， 比如氮化铝 （AlN） 、 氧化铝 （Al2O3） 或类似材料。所述一个或更多个多 孔插头 211 可被用来以所希望的。
24、流率 (flow rate) 提供气体至沟槽 124， 例如， 比如以将限 制或防止因接近电极 126 而产生气体电弧的密度或流率提供气体至沟槽 124， 电极 126 可 工作在如下面所论述的高频率和 / 或功率下。例如， 在一些实施方式中， 可通过环 213 将一 个或更多个多孔插头 211 耦接到陶瓷板 120 的面向内部容积的表面。例如， 环 213 可以是 KOVARTM或类似物， 并且可通过任何合适的铜焊材料而将环 213 耦接到陶瓷板 120 的面向内 说 明 书 CN 103843129 A 6 4/6 页 7 部容积的表面， 所述铜焊材料比如铜银或类似物。 在一些实施方式中，。
25、 一个或更多个多孔插 头 211 可通过结构 215 被耦接到环 213， 结构 215 比如金属套筒或多个金属销， 金属套筒或 金属销可铜焊或焊接至环 213 的内部表面。在一些实施方式中， 气体管线 217 可铜焊或焊 接到环 213 以提供来自气源 130 的气体， 如下面所论述。 0023 在一些实施方式中， 冷却板134可包括内冷却板212和外冷却板214。 在一些实施 方式中， 如图 2B 中自上而下的视图所示， 内冷却板 212 可设置成围绕中心气体管线 217 且 外冷却板 214 可设置成包围多个外气体管线 217。例如， 内冷却板 212 和外冷却板 214 可用 于依据静。
26、电夹具 110 如何被利用而调整冷却能力， 比如电功率是如何提供至电极 126 和 / 或一个或更多个加热器 123 或类似物的。另外， 内冷却板 212 和外冷却板 214 可被用来改 善基板温度控制或使基板支撑件 100 从高温降温。例如， 内冷却板 212 和外冷却板 214 可 被调制成用以控制基板 101 与一个或更多个加热器 123 之间的热传递。 0024 在一些实施方式中， 冷却板 134 可包括上冷却板 216 和下冷却板 218， 如图 2C 所 示。 上冷却板216和下冷却板218可被用来提供如上面关于内冷却板212和外冷却板214所 论述的类似的益处， 上冷却板 216。
27、 和下冷却板 218 可被堆叠以使得上冷却板通过箔 (foil) 来接触静电夹具110， 而下冷却板接触上冷却板。 通过独立地控制流至上冷却板和下冷却板 的冷却剂流， 在陶瓷主体 120 与冷却板组件 134 之间实现可变的热传递。 0025 在一些实施方式中， 上冷却板 216 和下冷却板 218 的每一个冷却板都可提供遍及 冷却板 134 的整个直径的均匀的冷却。在其他实施方式中， 上冷却板 216 和下冷却板 218 的每一个冷却板都可提供不同的冷却至冷却板 134 的内区域和外区域。也就是说， 在一些 实施方式中， 上冷却板 216 和下冷却板 218 可与内冷却板 212 和外冷却板。
28、 214 结合。 0026 在一些实施方式中， 一个或更多个加热器 123 可包括多个加热器 123， 如图 2A 和 图 2C 所示。例如， 在一些实施方式中， 多个加热器 123 可包括 ： 中心加热器 220 ； 中间加热 器 222， 所述中间加热器 222 设置在中心加热器 220 周围 ； 以及外加热器 224， 所述外加热 器 224 设置在中间加热器 222 周围。中心、 中间和外加热器 220、 222、 224 的每一个加热器 都可被耦接到相同或不同的一个或更多个电源 125， 且通过温度反馈回路而被独立地控制。 例如， 第一热电偶 221 可监测陶瓷板 120 的靠近中心。
29、加热器 220 的位置的温度中心。同样， 热电偶 223 和 225 可分别监测陶瓷板 120 的靠近中间、 外加热器 222、 224 的位置的温度。 0027 根据本发明的一些实施方式而在图 3 中示出设置在静电夹具 110 的处理表面 128 中的多个沟槽 124。例如， 如上面所论述的多个沟槽 124 可被用来提供气体至基板 101 的 背侧。例如， 气体可用来促进陶瓷板 120 与基板 101 之间均匀的热传递。另外， 沟槽 124 的 压强可被， 例如， 压强传感器 (transducer) 或任何合适的压强感测装置监测。例如， 在沟槽 124中的压降可产生基板101被损坏的信号，。
30、 例如， 比如开裂或类似损坏。 因压降的缘故， 腔 室中的沉积处理可停止以防止静电夹具 110 暴露于处理环境。 0028 在一些实施方式中， 多个沟槽 124 可包括多个环形沟槽 302、 多个径向沟槽 304 以 及多个偏移 (offset) 沟槽 306， 如图 3 所示。在一些实施方式中， 偏移沟槽 306 是非径向 偏移沟槽。如在此所使用的， 非径向沟槽是不沿着从陶瓷板 120 的中心径向延伸的线的沟 槽。例如， 在一些实施方式中， 多个环形沟槽 302 可为同轴的且通过多个偏移沟槽 306 流体 相通。多个径向沟槽 304 可流体相通且设置在最里面的环形沟槽的内部以及最外面的环形 。
31、沟槽的外部。然而， 这样的设计仅仅是示例性的， 并且其他的配置是可能的。例如， 在一些 说 明 书 CN 103843129 A 7 5/6 页 8 实施方式中， 径向沟槽不从陶瓷板 120 的内部连续地延伸到陶瓷板 120 的外围边缘。在一 些实施方式中， 径向沟槽不延伸超过一组环形沟槽之间， 或不延伸长于任何适于限制在沟 槽 124 中由等离子体形成电弧的长度。例如， 在高功率或高频率下电弧放电可产生于长的、 连续的径向沟槽中。因此， 在一些实施方式中， 引入多个偏移沟槽 306 以限制径向沟槽 304 的长度。例如， 如果使用长的、 连续的径向沟槽， 则在高功率和 / 或高频率下电弧放电。
32、可产 生于流过沟槽的气体中。在一些实施方式中， 径向和 / 或偏移沟槽 304、 306 的长度范围可 从约 2 公分至约 5 公分。然而， 其他长度可被利用。 0029 图 4A-B 示出根据本发明的一些实施方式的多个电极 126。例如， 如上面所论述的 多个电极126， 多个电极126可被用来固定基板101至静电夹具110的处理表面128。 例如， 在一些实施方式中， 如图 4A-B 中排列的多个电极 126 可被利用以用于从静电夹具 110 受控 地卸除夹持， 以夹持弓形基板或类似基板。 例如， 在卸除夹持期间， 气体可仍然流过沟槽124 且 / 或沟槽中的压强比处理容积 108 中的压。
33、强还高。因此， 例如， 为了防止基板 101 跳下静 电夹具 110， 一些电极 126 可在其他电极关闭之前关闭以逐步卸除夹持基板 101。例如， 在 夹持过程中， 较大的基板， 比如 400 毫米或更大， 可呈弓形。因此， 为了使弓形基板对照静电 夹具 110 平坦化， 一些电极 126 可在比其他的电极 126 更高的功率和 / 或频率之下工作， 以 使基板变平。 0030 如图 4A 所示， 多个电极 126 可排列成同轴图案， 其中多个外部电极 404 设置在多 个内部电极 402 周围。例如， 如图 4A 所示， 陶瓷板 120 的每个四分之一圆 (quadrant) 都包 括一个。
34、外部电极 404， 外部电极 404 设置在一个内部电极的径向外侧。然而， 可利用任何合 适数目的内部和外部电极402、 404。 此外， 各相邻电极的极性可被控制为彼此相反以致没有 两个相邻电极有相同的极性。 0031 如图 4B 所示， 多个电极 126 可排列在围绕陶瓷板 120 的径向图案中， 其中每个电 极都占据区域406， 区域406介于陶瓷板120的中心与外围边缘之间， 区域406由径向角408 界定。 例如， 如图4B所示， 在一些实施方式中， 可具有占用八个区域406的八个电极126， 其 中每个区域 406 都由相同的径向角 408 界定。此外， 各相邻电极的极性可被控制为。
35、彼此相 反以致没有两个相邻电极有相同的极性。 0032 回到图1， 基板支撑件100可包括馈通结构111以提供一种途径来， 例如， 提供气体 至多个沟槽 124， 提供电功率至多个电极 126， 或提供来自外部源的类似物至处理腔室。例 如， 如图 1 所示， 气源 130 和电源 131、 132 可通过馈通结构 111 分别耦接至多个沟槽 124 和 多个电极 126。例如，（未图示） 电源 131、 132 可以是多个电源， 例如， 以使得每个电源都可 耦接到每个电极 126 以使得每个电极 126 都可被独立地控制。例如， 电源 132 可被利用以 提供频率范围从约 13.56MHz 至。
36、约 100MHz 的 RF （射频） 功率。在一些实施方式中， 所述频率 可以是约 60MHz。例如， 电源 131 可用于提供 DC（直流） 电源， 例如， 以夹持或卸除夹持基板 101。例如， 气源 130 可在多于一个入口点处耦接到多个沟槽 124， 如图 1 所示。例如， 中心 气体管线可用于提供气体至中心入口点且外气体管线可用来提供气体至多个外入口点， 如 图 1 所示。然而， 提供气体至沟槽 124 的其他合适的实施方式是可能的。 0033 在操作时， 为了从装载位置移动基板支撑件至处理位置， 升降机构 138 可接合馈 通结构111， 以使得馈通结构111将基板支撑件升至处理位置。
37、。 当基板支撑件100朝向基板 101 上升时升降销 103 可保持静止， 基板 101 放在升降销 103 上， 如图 1 所示。 说 明 书 CN 103843129 A 8 6/6 页 9 0034 虽然前述说明是针对本发明的实施方式， 然在不背离本发明的基本范围的情况 下， 可设计出本发明的其他与进一步的实施方式。 说 明 书 CN 103843129 A 9 1/6 页 10 图 1 说 明 书 附 图 CN 103843129 A 10 2/6 页 11 图 2A 说 明 书 附 图 CN 103843129 A 11 3/6 页 12 图 2B 说 明 书 附 图 CN 103843129 A 12 4/6 页 13 图 2C 说 明 书 附 图 CN 103843129 A 13 5/6 页 14 图 3 图 4A 说 明 书 附 图 CN 103843129 A 14 6/6 页 15 图 4B 说 明 书 附 图 CN 103843129 A 15 。