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1、10申请公布号CN104178736A43申请公布日20141203CN104178736A21申请号201410162793722申请日20140422201311177220130528JPC23C14/3220060171申请人住友重机械工业株式会社地址日本东京都72发明人酒见俊之宫下大北见尚久牧野博之74专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人徐殿军54发明名称成膜装置57摘要本发明提供一种能够提高成膜材料的材料利用率的成膜装置。本发明的成膜装置1具备调整来自蒸发源2的成膜材料粒子MB的扩散宽度的扩散宽度调整部50。该扩散宽度调整部50能够使与短边方向D1正交的长边方向D2。
2、上的扩散宽度大于短边方向D1上的扩散宽度。即，扩散宽度调整部50能够使短边方向D1上的扩散宽度小于长边方向D2上的扩散宽度。因此，能够以抑制附着于在短边方向D1上对置的真空腔室10的侧壁10I及侧壁10H的方式，减小短边方向D1上的扩散宽度变小。由此，能够使附着于真空腔室10的壁面上的成膜材料粒子MB减少，且能够提高成膜材料MA的材料利用率。30优先权数据51INTCL权利要求书2页说明书8页附图8页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书8页附图8页10申请公布号CN104178736ACN104178736A1/2页21一种通过离子镀法在真空腔室内使成膜材料的粒。
3、子附着于成膜对象物的成膜装置，其中，具备蒸发源，使所述成膜材料蒸发而使所述成膜材料的粒子扩散；输送机构，在所述真空腔室内向规定的输送方向输送所述成膜对象物；及扩散宽度调整部，调整来自所述蒸发源的所述成膜材料的粒子的扩散宽度，所述扩散宽度调整部使与第1方向正交的第2方向上的扩散宽度大于与所述输送方向平行的所述第1方向上的扩散宽度。2根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述蒸发源具有作为主阳极的主炉缸，保持所述成膜材料，并且向所述成膜材料导入等离子束或者被导入所述等离子束；及作为辅助阳极的环炉缸，配置于所述主炉缸的周围，并且具有永久磁铁部及线圈，且引导所述等离子束，所述扩散宽度调整部由调整所述环炉。
4、缸的磁场的辅助线圈构成。3根据权利要求2所述的成膜装置，其中，所述辅助线圈在所述第1方向上对置地设置有一对。4根据权利要求2所述的成膜装置，其中，所述辅助线圈在所述第2方向上对置地设置有一对。5根据权利要求2所述的成膜装置，其中，所述辅助线圈在所述第1方向上对置地设置有一对，且在所述第2方向上对置地设置有一对。6根据权利要求35中任一项所述的成膜装置，其中，所述辅助线圈配置在比所述环炉缸的所述永久磁铁部更靠近所述输送机构侧。7根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述蒸发源具有作为主阳极的主炉缸，保持所述成膜材料，并且向所述成膜材料导入等离子束或者被导入所述等离子束；及作为辅助阳极的环炉缸，配置。
5、于所述主炉缸的周围，并且具有永久磁铁部及线圈，且引导所述等离子束，所述扩散宽度调整部形成于所述环炉缸的所述永久磁铁部的所述第1方向侧，由磁力比所述第2方向侧的部分弱的弱磁力部构成。8根据权利要求7所述的成膜装置，其中，所述永久磁铁部通过将磁铁片埋入到磁铁容纳体中而构成，所述弱磁力部通过使埋入所述第1方向侧的所述磁铁片少于埋入所述第2方向侧的所述磁铁片而构成。9根据权利要求7所述的成膜装置，其中，所述弱磁力部通过切割所述永久磁铁部的所述第1方向侧的端部而构成。10根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述蒸发源具有权利要求书CN104178736A2/2页3作为主阳极的主炉缸，保持所述成膜材料，并。
6、且向所述成膜材料导入等离子束或者被导入所述等离子束；及作为辅助阳极的环炉缸，配置于所述主炉缸的周围，并且具有永久磁铁部及线圈，且引导所述等离子束，所述扩散宽度调整部由设置在所述环炉缸的磁轭构成。权利要求书CN104178736A1/8页4成膜装置技术领域0001本申请主张基于2013年5月28日申请的日本专利申请第2013111772号的优先权。该申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。0002本发明涉及一种成膜装置。背景技术0003作为在成膜对象物的表面形成膜的成膜装置，例如有利用离子镀法的成膜装置。例如在专利文献1中，记载有基于离子镀法的成膜装置，该离子镀法使已蒸发的成膜材料的粒子扩散于真。
7、空腔室内而使成膜材料的粒子附着于成膜对象物的表面。该成膜装置中设有向规定的输送方向输送成膜对象物的输送机构。0004专利文献1日本特开平9256147号公报0005在此，上述专利文献1所记载的成膜装置中，以通过蒸发源蒸发的成膜材料的粒子从该蒸发源扩展的方式向成膜对象物扩散。另一方面，真空腔室具有在沿成膜对象物的输送方向的方向上对置的壁面，并存在向该壁面扩散的成膜材料的粒子附着的情况。如此，当成膜材料的粒子附着于真空腔室中时，附着于成膜对象物的成膜材料的粒子减少，因此存在材料利用率下降的问题。发明内容0006因此，本发明的目的在于提供一种能够提高成膜材料的材料利用率的成膜装置。0007本发明所涉。
8、及的成膜装置，通过离子镀法在真空腔室内使成膜材料的粒子附着于成膜对象物，其具备蒸发源，使成膜材料蒸发而使成膜材料的粒子扩散；输送机构，在真空腔室内向规定的输送方向输送成膜对象物；及扩散宽度调整部，调整来自蒸发源的成膜材料的粒子的扩散宽度，扩散宽度调整部使与第1方向正交的第2方向上的扩散宽度大于与输送方向平行的第1方向上的扩散宽度。0008本发明所涉及的成膜装置具备调整来自蒸发源的成膜材料的粒子的扩散宽度的扩散宽度调整部。该扩散宽度调整部能够使与第1方向正交的第2方向上的扩散宽度大于第1方向上的扩散宽度。即，扩散宽度调整部能够使第1方向上的扩散宽度小于第2方向上的扩散宽度。因此，当使成膜材料的粒。
9、子附着于成膜对象物时，扩散宽度调整部能够在真空腔室内确保有宽广的空间的第2方向上增大扩散宽度，另一方面以抑制成膜材料的粒子附着于在第1方向上对置的真空腔室的壁面上的方式，减小第1方向上的扩散宽度。由此，能够使附着于真空腔室的壁面上的成膜材料的粒子减少，且能够提高成膜材料的材料利用率。0009并且，在本发明所涉及的成膜装置中，蒸发源具有作为主阳极的主炉缸，保持成膜材料，并且向成膜材料导入等离子束或者被导入等离子束；及作为辅助阳极的环炉缸，配置于主炉缸的周围，并且具有永久磁铁部及线圈，且引导等离子束，扩散宽度调整部可以由调整环炉缸的磁场的辅助线圈构成。通过辅助线圈调整环炉缸的磁场平衡，从而能够在第。
10、说明书CN104178736A2/8页51方向和第2方向上改变磁场的平衡，调整扩散宽度。0010并且，在本发明所涉及的成膜装置中，辅助线圈可以在第1方向上对置地设置有一对。在第1方向上对置的位置上，通过辅助线圈调整环炉缸的磁场的平衡，从而能够减小第1方向上的扩散宽度。0011并且，在本发明所涉及的成膜装置中，辅助线圈可以在第2方向上对置地设置有一对。在与第2方向对置的位置上，通过辅助线圈调整环炉缸的磁场的平衡，从而能够增大第2方向上的扩散宽度。0012并且，在本发明所涉及的成膜装置中，辅助线圈可以在第1方向上对置地设置有一对，且在第2方向上对置地设置有一对。通过在第1方向上对置的位置及在第2方。
11、向上对置的位置这两个位置上调整环炉缸的磁场的平衡，从而能够可靠地调整第1方向及第2方向上的扩散宽度。0013并且，在本发明所涉及的成膜装置中，辅助线圈可以配置在比环炉缸的永久磁铁部更靠近输送机构侧。由此，辅助线圈变得容易进行环炉缸的磁场平衡的调整。0014并且，在本发明所涉及的成膜装置中，蒸发源具有作为主阳极的主炉缸，保持成膜材料，并且向成膜材料导入等离子束或者被导入等离子束；及作为辅助阳极的环炉缸，配置于主炉缸的周围，并且具有永久磁铁部及线圈，且引导等离子束，扩散宽度调整部形成于环炉缸的永久磁铁部的第1方向侧，可由磁力比第2方向侧的部分弱的弱磁力部构成。由此，通过在永久磁铁部的第2方向侧形成。
12、弱磁力部，从而能够增大第2方向上的扩散宽度。0015并且，在本发明所涉及的成膜装置中，永久磁铁部通过将磁铁片埋入磁铁容纳体而构成，弱磁力部可以通过使埋入第1方向侧的磁铁片少于埋入第2方向侧的磁铁片而构成。由此，能够轻松地形成弱磁力部。0016并且，在本发明所涉及的成膜装置中，弱磁力部可以通过切割永久磁铁部上的第1方向侧的端部而构成。由此，能够轻松地形成弱磁力部。0017并且，在本发明所涉及的成膜装置中，蒸发源具有作为主阳极的主炉缸，保持成膜材料，并且向成膜材料导入等离子束或者被导入等离子束；作为辅助阳极的环炉缸，配置于主炉缸的周围，并且具有永久磁铁部及线圈，且引导等离子束，扩散宽度调整部可由设。
13、置在环炉缸的磁轭构成。由于环炉缸的磁力线被吸入到磁轭中，因此环炉缸的中央附近的磁力线的扩展方向可发生改变，且能够调整扩散宽度。0018发明效果0019根据本发明，能够提高成膜材料的材料利用率。附图说明0020图1是表示本发明的成膜装置的一实施方式的结构的剖视图。0021图2是沿图1所示的IIII线的剖视图。0022图3是表示永久磁铁部的结构的剖视图。0023图4是用于说明成膜材料粒子的扩散宽度的示意图。0024图5是用于说明环炉缸的线圈的磁力与永久磁铁部的磁力之间的关系的示意图。0025图6是表示实施方式所涉及的扩散宽度调整部的结构的图。0026图7是表示变形例所涉及的扩散宽度调整部的结构的图。
14、。说明书CN104178736A3/8页60027图8是表示变形例所涉及的扩散宽度调整部的结构的图。0028图中1成膜装置，2蒸发源，3输送机构，6环炉缸，9线圈，10真空腔室，11成膜对象物，13永久磁铁部，24磁铁片，50扩散宽度调整部，60A、60B辅助线圈，70、80弱磁力部，90磁轭。具体实施方式0029以下，参考附图对根据本发明的成膜装置的一实施方式进行详细说明。另外，在附图说明中，对相同要件标注相同符号，并省略重复说明。0030图1是表示本发明的成膜装置的一实施方式的结构的剖视图。图2是沿图1所示的IIII线的剖视图。本实施方式的成膜装置1为所谓在离子镀法中使用的离子镀法装置。另。
15、外，为了方便说明，在图1示出XYZ坐标系。Y轴方向为后述的成膜对象物被输送的方向。X轴方向为成膜对象物与后述的蒸发源2对置的方向。Z轴方向为与X轴方向和Y轴方向正交的方向。0031如图1及图2所示，本实施方式的成膜装置1为所谓立式成膜装置，即成膜对象物以成膜对象物的厚度方向成为水平方向的方式，以将成膜对象物直立或从直立的状态倾斜的状态配置于真空腔室内而被输送。此时，X轴方向为水平方向且为成膜对象物的厚度方向，Y轴方向为水平方向，Z轴方向成为铅直方向。另一方面，基于本发明的成膜装置的一实施方式中，也可以为成膜对象物以成膜对象物的厚度方向成为大致铅直方向的方式配置于真空腔室内而被输送的所谓卧式成膜。
16、装置。此时，Z轴及Y轴方向为水平方向，X轴方向成为铅直方向且成为厚度方向。另外，在以下实施方式中，以立式的情况为例，对本发明的成膜装置的一实施方式进行说明。0032本实施方式的成膜装置1具备蒸发源2、等离子源7、输送机构3及真空腔室10。本实施方式中，在Z轴方向设有多个虽然在图2中示出的例子中为2个，但也可为3个以上蒸发源2及等离子源7。0033真空腔室10具有用于输送待形成成膜材料的膜的成膜对象物11的输送室成膜对象物配置部10A、使成膜材料MA的粒子扩散的成膜室10B、及将从等离子源7照射的等离子束P接收到真空腔室10的等离子口10C。输送室10A、成膜室10B及等离子口10C相互连通。输。
17、送室10A沿规定的输送方向图中的箭头A而设定。并且，真空腔室10由导电性材料构成且与地电位连接。真空腔室10中连接有压力调整装置未图示，调整真空腔室10内的压力。压力调整装置例如具有涡轮分子泵或低温泵等减压部，及测定真空腔室10内的压力的压力测定部。0034成膜室10B具有沿输送方向A的一对侧壁10J及10K参考图2、沿与输送方向A正交的方向X轴方向的一对侧壁10H及10I参考图1、及与输送室10A对置的侧壁10M。侧壁10K及侧壁10J以在与输送方向A正交的Z轴上对置的方式配置。侧壁10H及侧壁10I以在输送方向A上对置的方式配置。侧壁10H配置于成膜室10B中的输送方向A的上游侧即Y轴负方。
18、向侧。侧壁10I配置于成膜室10B中的输送方向A的下游侧即Y轴正方向侧。在本实施方式中，真空腔室10的成膜室10B呈向与输送方向AY轴方向及成膜对象物11的厚度方向X轴方向正交的方向Z轴方向延伸的长方体状的形状。在以下说明中，将与输送方向A平行的方向称为“短边方向D1第1方向”，将与短边方向说明书CN104178736A4/8页7D1正交且成膜室10B延伸的方向称为“长边方向D2第2方向”。长边方向D2第2方向为与成膜材料的蒸发方向正交的方向，且为与成膜对象物11的厚度方向正交的方向。另外，成膜对象物11的长边方向被配置成与成膜室10B的长边方向D2一致。由此，构成为在长边方向D2上对置的侧壁。
19、10K与侧壁10J之间的间隔距离大于在短边方向D1上对置的侧壁10I与侧壁10H之间的间隔距离，且在成膜室10B内确保有长边方向D2的空间大于短边方向D1的空间。0035输送机构3沿输送方向A输送以与成膜材料MA对置的状态保持成膜对象物11的成膜对象物保持部件16。输送机构3由设置于输送室10A内的多个输送辊15构成。输送辊15沿输送方向A等间隔配置，并支承成膜对象物保持部件16，同时沿输送方向A输送。另外，成膜对象物11例如使用玻璃基板或塑料基板等板状部件。并且，成膜对象物保持部件16例如使用在使成膜对象物11的被成膜面露出的状态下保持成膜对象物11的输送托盘等。0036等离子源7为压力梯度。
20、型，其主体部分经由设置于成膜室10B的侧壁10H的等离子口10C连接于成膜室10B。等离子源7在真空腔室10内生成等离子束P。在等离子源7中生成的等离子束P从等离子口10C向成膜室10B内射出。等离子束P的射出方向通过设置于等离子口10C的转向线圈未图示进行控制。0037相对于1个成膜室10B设置有多个本实施方式中为2个等离子源7。多个等离子源7沿长边方向D2Z轴方向排列配置。多个等离子源7配置于相同的侧壁10H上。另外，多个等离子源7也可以在相对置的一对侧壁10H、10I上交替配置。多个等离子源7也可以沿成膜对象物11的厚度方向X轴方向排列配置。并且，多个等离子源7也可以是沿Z轴方向排列，且。
21、沿X轴方向排列的结构。0038成膜装置1中设置有多个本实施方式中为2个蒸发源2。1个蒸发源2由1个主炉缸17及1个环炉缸6构成。因此，成膜装置1中设置有多个本实施方式中为2个主炉缸17及多个本实施方式中为2个环炉缸6。多个蒸发源2与多个等离子源7对应地配置于侧壁10M上。多个蒸发源2沿长边方向D2Z轴方向排列配置。另外，多个蒸发源2也可以沿短边方向D1Y轴方向排列配置。并且，多个蒸发源2也可以是沿短边方向D1及长边方向D2这两个方向排列的结构。0039蒸发源2具有用于保持成膜材料MA的机构。蒸发源2设置于真空腔室10的成膜室10B内，且从输送机构3观察时沿X轴方向的负方向配置。蒸发源2具有主炉。
22、缸17，该主炉缸为向成膜材料MA导入从等离子源7射出的等离子束P的主阳极，或被导入从等离子源7射出的等离子束P的主阳极。0040主炉缸17具有填充有成膜材料MA的沿X轴方向的正方向延伸的筒状的填充部17A、及从填充部17A突出的凸缘部17B。主炉缸17相对于真空腔室10所具有的地电位保持为正电位，因此吸引等离子束P。该等离子束P所入射的主炉缸17的填充部17A上形成有用于填充成膜材料MA的贯穿孔17C。并且，成膜材料MA的前端部分在该贯穿孔17C的一端向成膜室10B露出。0041环炉缸6为具有用于引导等离子束P的电磁铁的辅助阳极。环炉缸6配置于保持成膜材料MA的主炉缸17的填充部17A的周围。。
23、环炉缸6具有环状的线圈9、环状的永久磁铁部13及环状的容器12，且线圈9及永久磁铁部13被容纳于容器12内。环炉缸6根据在说明书CN104178736A5/8页8线圈9中流动的电流的大小来控制入射到成膜材料MA的等离子束P的方向，或入射到主炉缸17的等离子束P的方向。如图3所示，永久磁铁部13具备一对磁性板21、22；非磁性的磁铁容纳体23，设置在一对磁性板21、22之间；磁铁片24，配置于磁铁容纳体23内。磁铁容纳体23具有多个贯穿孔25。永久磁铁部13通过将磁铁片24埋入磁铁容纳体23的各贯穿孔25，并用磁性板21、22夹住，从而作为整体发挥作为一个永久磁铁的功能。0042对于成膜材料MA。
24、，例示出ITO或ZNO等透明导电材料、SION等绝缘密封材料。当成膜材料MA由绝缘性物质构成时，若向主炉缸17照射等离子束P，则主炉缸17通过来自等离子束P的电流而被加热，且成膜材料MA的前端部分蒸发，被等离子束P离子化的成膜材料粒子MB向成膜室10B内扩散。并且，成膜材料MA由导电性物质构成时，若向主炉缸17照射等离子束P，则等离子束P直接入射到成膜材料MA，成膜材料MA的前端部分被加热而蒸发，被等离子束P离子化的成膜材料粒子MB向成膜室10B内扩散。向成膜室10B内扩散的成膜材料粒子MB向成膜室10B的X轴正方向移动，在输送室10A内附着于成膜对象物11的表面上。另外，成膜材料MA为成形为。
25、规定长度的圆柱形状的固体物，多个成膜材料MA被一次性填充于蒸发源2的主炉缸17内。并且，根据成膜材料MA的消耗，从蒸发源2的主炉缸17的X轴负方向侧依次挤出成膜材料MA，以使最前端侧的成膜材料MA的前端部分与主炉缸17上端保持规定的位置关系。0043本实施方式所涉及的成膜装置1具备调整来自蒸发源2的成膜材料粒子MB的扩散宽度的扩散宽度调整部50。扩散宽度调整部50具有使作为与短边方向D1及成膜对象物11的厚度方向正交的方向的长边方向D2上的扩散宽度大于短边方向D1上的扩散宽度的功能。具体而言，在成膜室10B内，蒸发源2与输送机构3之间，当设定向Y轴方向及Z轴方向扩展的假想平面VP时，如图4所示。
26、，能够画出通过该假想平面VP的成膜材料粒子MB的通过区域TE。在这种假想平面VP上的通过区域TE内，沿短边方向D1的大小成为短边方向D1的扩散宽度W1，沿长边方向D2的大小成为长边方向D2的扩散宽度W2。在本实施方式中，通过调整扩散宽度调整部50的扩散宽度W1、W2，长边方向D2的扩散宽度W2变得大于短边方向D1的扩散宽度W1，可画出椭圆形状的通过区域TE。成膜材料粒子MB相对于成膜对象物11，也以能够画出大致椭圆形状的照射区域的方式附着。其中，关于通过区域TE的形状，只要扩散宽度W1小于扩散宽度W2即可，根据扩散宽度调整部50的调整方式，也可形成长圆形等其他形状。另外，上述说明中的扩散宽度W。
27、1、W2根据假想平面VP的设定位置而改变。0044在此，离子镀法所涉及的成膜装置1中，成膜材料的膜厚分布受到通过外部线圈未图示和环炉缸6而制得的磁场分布的影响。环炉缸6具备环状线圈9及环状永久磁铁部13，通过永久磁铁部13的磁力及线圈9的磁力，能够调整膜厚分布，即成膜材料粒子MB的扩散宽度。具体而言，如图5A所示，若相对于永久磁铁部13的磁力，使线圈9的磁力相对减弱，则蒸发蒸汽显示出扩展的趋势，如图5B所示，若相对于永久磁铁部13的磁力，使线圈9的磁力相对增强，则蒸发蒸汽显示出向直进方向的指向性增强的趋势。0045本实施方式所涉及的扩散宽度调整部50，通过利用图5中说明的性质来进行扩散宽度的调。
28、整。即，扩散宽度调整部50通过在短边方向D1和长边方向D2上改变永久磁铁部13与线圈9之间的磁场的平衡，从而调整短边方向D1的扩散宽度及长边方向D2的扩散宽度。具体而言，扩散宽度调整部50以如下方式调整磁场的平衡，即对于短边方向D1，如图说明书CN104178736A6/8页95B所示提高向蒸发蒸汽的直进方向的指向性，对于短边方向D2，如图5A所示使蒸发蒸汽扩展。0046接着，参考图6对扩散宽度调整部50的具体结构进行说明。如图6A所示，扩散宽度调整部50由辅助线圈60A、60B构成，该辅助线圈调整由环炉缸6的永久磁铁部13及线圈9产生的磁场的平衡。辅助线圈60A在短边方向D1上对置设置有一对。
29、，辅助线圈60B在长边方向D2上对置设置有一对。辅助线圈60A、60B从成膜对象物11的厚度方向Z轴方向观察时，呈与环状的永久磁铁部13重叠的扇形形状。辅助线圈60A、60B通过沿扇形形状的外形卷绕卷线而构成为环状。辅助线圈60A、60B相对于将环炉缸6沿周向均等地分割成四个区域时的各区域，配置有一个辅助线圈60A、60B。辅助线圈60A以与环炉缸6的长边方向D2相对的中心线CL1为基准，向周向的两侧以规定角度本实施方式中为约45，但没有特别限定角度延伸。辅助线圈60B以与环炉缸6的短边方向D1相对的中心线CL2为基准，向周向的两侧以规定角度本实施方式中为约45，但没有特别限定角度延伸。004。
30、7在图6B所示的例所涉及的环炉缸6中，从输送机构3侧即，X轴正方向侧以辅助线圈60A60B、永久磁铁部13、及线圈9的顺序配置。并且，永久磁铁部13的输送机构3侧为N极。在这种配置的情况下，在短边方向D1上对置配置的辅助线圈60A的输送机构3侧成为S极。即，辅助线圈60A在线圈内侧与永久磁铁部13对置的部分，产生朝向与输送机构3相反的一侧的磁力线MA。由此，环炉缸6内在配置有在短边方向D1上对置的辅助线圈60A的部分，相对于线圈9，永久磁铁部13的磁力减弱，由此缩小短边方向D1的成膜材料粒子MB的扩散宽度。另一方面，在长边方向D2上对置配置的辅助线圈60B的输送机构3侧成为N极。即，辅助线圈6。
31、0B在线圈内侧与永久磁铁部13对置的部分产生朝向与输送机构3侧的磁力线MB图中以虚线的箭头表示。由此，环炉缸6内在配置有在长边方向D2上对置的辅助线圈60B的部分，相对于线圈9，永久磁铁部13的磁力增强，由此扩大长边方向D2的成膜材料粒子MB的扩散宽度。0048并且，并不限定于环炉缸6内的辅助线圈60A、60B，永久磁铁部13及线圈9的顺序，辅助线圈60A、60B也可以配置在永久磁铁部13与线圈9之间，线圈9也可配置在比永久磁铁部13更靠近输送机构3侧。例如，从输送机构3侧可依次为永久磁铁部13，辅助线圈60A、60B，线圈9的配置，也可以为线圈9，永久磁铁部13，辅助线圈60A、60B的配置。
32、，也可以为线圈9，辅助线圈60A、60B，永久磁铁部13的配置。此时，根据各位置关系，以长边方向D2的扩散宽度增大的方式，调整辅助线圈60A、60B的磁力线的方向。其中，因辅助线圈60A、60B的磁场易调整，因此优选配置在永久磁铁部13的输送机构3侧。例如，线圈9配置在比永久磁铁部13更靠近输送机构3侧时，辅助线圈60A、60B优选配置在线圈9与永久磁铁部13之间。0049接着，对本实施方式所涉及的成膜装置1的作用、效果进行说明。0050本实施方式所涉及的成膜装置1具备调整来自蒸发源2的成膜材料粒子MB的扩散宽度的扩散宽度调整部50。该扩散宽度调整部50能够使与输送方向A平行的与短边方向D1正。
33、交的长边方向D2上的扩散宽度大于短边方向D1上的扩散宽度。即，扩散宽度调整部50能够使短边方向D1上的扩散宽度小于长边方向D2上的扩散宽度。因此，使成膜材料粒子MB附着于成膜对象物11时，扩散宽度调整部50在真空腔室10内空间较大的长边方向D2上确保较大的扩散宽度，另一方面能够以抑制附着于在短边方向D1上对置的真空腔说明书CN104178736A7/8页10室10的侧壁10I及侧壁10H的方式，使短边方向D1上的扩散宽度变小。由此，能够使附着于真空腔室10的壁面上的成膜材料粒子MB减少，且能够提高成膜材料MA的材料利用率。0051并且，本实施方式所涉及的成膜装置1中，扩散宽度调整部50由调整环。
34、炉缸6的磁场的辅助线圈60A、60B构成。通过辅助线圈60A、60B调整环炉缸6的磁场，从而能够在短边方向D1与长边方向D2上改变磁场的平衡，并调整扩散宽度。并且，通过利用辅助线圈60A、60B调整扩散宽度，从而能够通过调整向辅助线圈60A、60B供给的电流，轻松地发挥调整扩散宽度的效果。0052并且，本实施方式所涉及的成膜装置1中，辅助线圈60A在短边方向D1上对置设置有一对，并且辅助线圈60B在长边方向D2上对置设置有一对。通过在短边方向D1上对置的位置及在长边方向D2上对置的位置这两个位置上调整环炉缸的磁场，能够可靠地调整短边方向D1及长边方向D2上的扩散宽度。0053并且，在本实施方式。
35、所涉及的成膜装置1中，将辅助线圈60A、60B配置在比环炉缸6的永久磁铁部13更靠近输送机构3侧。由此，辅助线圈60A、60B变得容易进行环炉缸6的磁场的调整。0054本发明并不限定于上述实施方式。0055例如，如图6所示例中，扩散宽度调整部50虽然具有在短边方向D1上对置的一对辅助线圈60A及在长边方向D2上对置的一对辅助线圈60B，但是也可以仅具有在短边方向D1上对置的一对辅助线圈60A，也可以仅具有在长边方向D2上对置的一对辅助线圈60B。由此，能够减少所使用的辅助线圈的个数，且能够减少部件件数。并且，辅助线圈60A、60B的形状并不限定于扇形形状，也可以是圆形、长圆形、椭圆形、方形。0。
36、056并且，在上述实施方式中，扩散宽度调整部50虽然由辅助线圈60A、60B构成，但只要能够调整成膜材料MB的扩散宽度，就可以采用所有的结构。0057例如，如图7所示，扩散宽度调整部50形成在环炉缸6的永久磁铁部13的短边方向D1侧，由磁力比长边方向D2侧的部分弱的弱磁力部70、80构成。通过在永久磁铁部13的短边方向D1侧形成弱磁力部70、80，在永久磁铁部13中相当于弱磁力部70、80的部分，相对于永久磁铁部13的磁力，线圈9的磁力相对增强，蒸发蒸汽向直进方向的指向性增强，从而短边方向D1上的扩散宽度变小。即，相对地，能够使长边方向D2上的扩散宽度大于短边方向D1上的扩散宽度。0058具体。
37、而言，如图7A所示，弱磁力部70通过使埋入短边方向D1侧的磁铁片24少于埋入长边方向D2侧的磁铁片24而构成。磁铁容纳体23的贯穿孔25内，在短边方向D1的两端侧的区域中的贯穿孔25中并没有埋入磁铁片24，而在其他区域长边方向D2的区域及短边方向D1的内周侧的一部分区域中的贯穿孔25中埋入有磁铁片24。由此，包含未埋入磁铁片24的区域的在短边方向D1上对置的区域成为弱磁力部70。另外，在弱磁力部70中，可以任意选择不埋入磁铁片24的贯穿孔25，且并不限定于如图7A所示的形态。例如，可以从外周侧的贯穿孔25去除磁铁片24，也可以在内周侧的贯穿孔25和外周侧的贯穿孔25中随机去除磁铁片24。如上所。
38、述，通过调整埋入磁铁容纳体23的磁铁片24的数量而构成扩散宽度调整部50，由此不必追加辅助线圈等其他部件，就能够轻松地形成扩散宽度调整部50。0059并且，如图7B所示，弱磁力部80通过切割永久磁铁部13上的短边方向D1侧的说明书CN104178736A108/8页11端部而构成。永久磁铁部13中，在短边方向D1上对置的区域内，外周侧的一部分被切割。如图7B所示的例子中，在图7A的结构中，与未埋入有磁铁片24的区域对应的部分被切割。另外，切口以与长边方向D2平行的方式被切割，但并不特别限定切口的形状，也可以是弯曲形状的切口。弱磁力部80中，至少磁性板21、22被切割即可，磁铁容纳体23可被切割。
39、，也可不被切割。通过切割磁性板21、22而使短边方向D1的外径变小，从而在永久磁铁部13中产生磁力线的范围在短边方向D1上缩短，因此能够增大短边方向D1上的扩散宽度。0060并且，例如如图8所示，扩散宽度调整部50由设置在环炉缸6的磁轭90构成。由于环炉缸6的磁力线被吸入到磁轭90，因此能够改变环炉缸6的中央附近的磁力线的扩展方向，并调整扩散宽度。0061具体而言，如图8所示，磁轭90具有外周部件91，设置于永久磁铁部13及线圈9的外周则；及环状部件92，设置于线圈9的里侧X轴负方向侧。外周部件91以在长边方向D2上对置的方式设置有一对。如图8A所示，外周部件91具有内周面91A，沿永久磁铁部。
40、13及线圈9的外周面弯曲，并且与该外周面相接；及外周面91B，以从永久磁铁部13及线圈9的外周面向径向外侧突出的方式弯曲。由此，随着从短边方向D1侧的区域朝向长边方向D2侧的区域，外周部件91的厚度逐渐变厚，在长边方向D2的端部，外周部件91的厚度变得最厚。由此，能够逐渐增大长边方向D2侧的扩散宽度。另外，外周部件91的形状并无特别限定，也可以是扇形的形状。另外，磁轭90可以仅设置在永久磁铁部13上。0062如图8B所示，在长边方向D2上对置的位置上设置有磁轭90的外周部件91，因此环炉缸6的磁力线被吸入到外周部件91，中央附近的磁力线的扩展增大。由此，成膜材料粒子MB也以扩展的方式扩散，因此。
41、长边方向D2上的扩散宽度增大。另一方面，如图8C所示，在短边方向D1上对置的位置上未设置有外周部件91，因此与长边方向D2相比，磁力线的扩展变小。由此，短边方向D1上的扩散宽度变得小于长边方向D2上的扩散宽度。说明书CN104178736A111/8页12图1说明书附图CN104178736A122/8页13图2说明书附图CN104178736A133/8页14图3说明书附图CN104178736A144/8页15图4说明书附图CN104178736A155/8页16图5说明书附图CN104178736A166/8页17图6说明书附图CN104178736A177/8页18图7说明书附图CN104178736A188/8页19图8说明书附图CN104178736A19。