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1、10申请公布号CN104112551A43申请公布日20141022CN104112551A21申请号201410339548922申请日20140716H01B17/0020060171申请人中国电子科技集团公司第五十五研究所地址210000江苏省南京市白下区瑞金路街道中山东路524号72发明人徐利胡进王子良74专利代理机构南京苏高专利商标事务所普通合伙32204代理人肖念54发明名称一种新型毫米波陶瓷绝缘子57摘要本发明公开了一种新型毫米波陶瓷绝缘子，所述陶瓷绝缘子包括上片陶瓷、下片陶瓷，所述上片陶瓷上层为上金属化层，下片陶瓷的底面为下金属化层，上片陶瓷和下片陶瓷之间为中间金属化层，所述上。
2、片陶瓷和下片陶瓷构成“T”字型，所述陶瓷绝缘子的“T”字型侧面设有侧面金属化层，所述上片陶瓷一侧与中间金属化层相对的位置设有一半圆形凹槽。本发明提供的新型毫米波陶瓷绝缘子在29GHZ31GHZ内微波传输特性良好，插入损耗小于05DB，电压驻波比小于13，可与金属框架和热沉通过钎焊、电镀等工艺构成毫米波镶嵌陶瓷绝缘子金属外壳，实现低成本、高可靠、电性能优良的毫米波封装。51INTCL权利要求书1页说明书2页附图2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图2页10申请公布号CN104112551ACN104112551A1/1页21一种新型毫米波陶瓷绝缘子，其特。
3、征在于所述陶瓷绝缘子包括上片陶瓷、下片陶瓷，所述上片陶瓷上层为上金属化层，下片陶瓷的底面为下金属化层，上片陶瓷和下片陶瓷之间为中间金属化层，所述上片陶瓷和下片陶瓷构成“T”字型，所述陶瓷绝缘子的“T”字型侧面设有侧面金属化层，所述上片陶瓷一侧与中间金属化层相对的位置设有一半圆形凹槽。2根据权利要求1所述的新型毫米波陶瓷绝缘子，其特征在于所述半圆形凹槽的半径不超过02MM。3根据权利要求1所述的新型毫米波陶瓷绝缘子，其特征在于所述上片陶瓷层厚04MM。4根据权利要求1所述的新型毫米波陶瓷绝缘子，其特征在于所述下片陶瓷厚025MM。5根据权利要求1所述的新型毫米波陶瓷绝缘子，其特征在于所述的陶瓷绝。
4、缘子上金属化层、下金属化层以及侧面金属化层相互连通。权利要求书CN104112551A1/2页3一种新型毫米波陶瓷绝缘子技术领域0001本发明属于微电子领域，尤其涉及一种新型毫米波陶瓷绝缘子。背景技术0002毫米波是介于红外光和微波之间的电磁波，其兼具了红外光及微波的优点，通常认为毫米波的范围为265GHZ300GHZ。近年来，随着射频器件的电路设计技术的日益发展与不断提高，毫米波技术在通信、雷达等领域也获得了广泛的应用。毫米波器件不仅具有频率高、波长短、频带宽等优点，而且毫米波器件体积小、重量轻，且隐蔽性和机动性好。0003日前，国外毫米波单片集成技术已趋于成熟，国内的单片集成电路技术也不断。
5、进步。随着移动通信及航空航天领域的逐步强大，对电子器件及装备的可靠性、小型化和低成本等方面提出了更高的要求。传统的毫米波单片电路难以满足更高的可靠性要求，必须对其进行封装以解决气密、散热等问题。发明内容0004发明目的为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种新型毫米波陶瓷绝缘子。0005技术方案为解决上述技术问题，本发明提供的一种新型毫米波陶瓷绝缘子，所述陶瓷绝缘子包括上片陶瓷、下片陶瓷，所述上片陶瓷上层为上金属化层，下片陶瓷的底面为下金属化层，上片陶瓷和下片陶瓷之间即上片陶瓷下面与下片陶瓷上层为中间金属化层，所述上片陶瓷和下片陶瓷构成“T”字型，所述陶瓷绝缘子的“T”字型侧面设有侧面金属。
6、化层，所述上片陶瓷一侧与中间金属化层相对的位置设有一半圆形凹槽。0006本发明提供的毫米波陶瓷绝缘子，通过金属镶嵌陶瓷绝缘子外壳不仅可以保护芯片受到水汽、盐雾和其他腐蚀物的污染，还能够承受一定的机械冲击和振动，大大提高了裸芯片的可靠性。为了使芯片进行封装后仍然能够具有良好的电性能，外壳必须具有较低的插入损耗及电压驻波比。陶瓷绝缘子则是金属镶嵌陶瓷绝缘子外壳中决定外壳插入损耗和电压驻波比的关键。0007本发明基于高温共烧陶瓷工艺制备而成，首先将陶瓷粉料按照配比与粘结剂、增塑剂等均匀混合后，采用流延工艺制备成一定厚度的生瓷带，经过丝网印刷、开腔、叠片、层压并切割成型等工艺，最后通过高温烧结成陶瓷绝。
7、缘子。0008所述陶瓷绝缘子中间金属化层为绝缘子的信号传输路径，由微带带状线微带构成，微带与带状线之间有用于阻抗匹配的过渡结构，两端的微带可通过键合金丝与外部信号及内部芯片相连接。所述陶瓷绝缘子上金属化层、下金属化层以及侧面金属化层相互连通，是与毫米波外壳的金属框架相连接的区域。所述的陶瓷绝缘子的上片陶瓷和下片陶瓷构成T字型，用于地与毫米波信号的绝缘，上片陶瓷层厚04MM，下片陶瓷厚025MM，上片陶瓷与中间金属化层相对的位置有一半径不超过02MM的半圆形槽，可有效降低该陶瓷绝缘子的引线电阻，并且改善绝缘子的微波传输特性。但是所开的半圆形槽的半径上限值为说明书CN104112551A2/2页4。
8、02MM，否则陶瓷绝缘子在制备成陶瓷金属外壳后将影响到外壳的气密特性。0009有益效果本发明提供的一种新型毫米波陶瓷绝缘子，在29GHZ31GHZ内微波传输特性良好，插入损耗小于05DB，电压驻波比小于13，可与金属框架和热沉通过钎焊、电镀等工艺构成毫米波镶嵌陶瓷绝缘子金属外壳，实现低成本、高可靠、电性能优良的毫米波封装。附图说明0010图1是一种新型毫米波陶瓷绝缘子的结构示意图。0011图2是一种新型毫米波陶瓷绝缘子的实物图。0012图3是一种新型毫米波陶瓷绝缘子的插入损耗。0013图4是一种新型毫米波陶瓷绝缘子的电压驻波比。具体实施方式0014下面结合附图对本发明作更进一步的说明。0015。
9、如图1所示，一种新型毫米波陶瓷绝缘子包括上片陶瓷层5、下片陶瓷层6、上金属化层1、中间金属化层2、下金属化层3以及侧面金属化层4，所述陶瓷绝缘子中间金属化层2为绝缘子的信号传输路径，由微带带状线微带构成，微带与带状线之间有用于阻抗匹配的过渡结构，两端的微带可通过键合金丝与外部信号及内部芯片相连接。0016所述陶瓷绝缘子上金属化层1、下金属化层3以及侧面金属化层4相互连通，构成地，是与毫米波外壳的金属框架相连接的区域。所述的陶瓷绝缘子的上片陶瓷层5和下片陶瓷层6构成T字型，用于地与毫米波信号的绝缘，上片陶瓷层5厚04MM，下片陶瓷层6厚025MM，上片陶瓷层5与中间金属化层2相对的位置有一半径为。
10、02MM的半圆形槽7，可有效降低该陶瓷绝缘子的引线电阻。0017如图2所示，一种新型毫米波陶瓷绝缘子，基于高温共烧陶瓷工艺制备而成，首先将陶瓷粉料按照配比与粘结剂、增塑剂等均匀混合后，采用流延工艺制备成一定厚度的生瓷带，经过丝网印刷、开腔、叠片、层压并切割成型等工艺，最后通过高温烧结成陶瓷绝缘子。0018所述新型毫米波陶瓷绝缘子，在29GHZ31GHZ内微波传输特性良好，测试结果如图3及图4所示，插入损耗小于05DB，电压驻波比小于13。所述绝缘子可与金属框架和热沉通过钎焊、电镀等工艺构成毫米波镶嵌陶瓷绝缘子金属外壳，实现低成本、高可靠、电性能优良的毫米波封装。0019以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。说明书CN104112551A1/2页5图1图2说明书附图CN104112551A2/2页6图3图4说明书附图CN104112551A。