一种硅棒切割用环氧树脂胶及其制备方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201210258425.3

申请日:

2012.07.25

公开号:

CN102850980A

公开日:

2013.01.02

当前法律状态:

驳回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C09J 163/00申请公布日:20130102|||实质审查的生效IPC(主分类):C09J 163/00申请日:20120725|||公开

IPC分类号:

C09J163/00; C09J163/02; C09J11/08

主分类号:

C09J163/00

申请人:

常州大学

发明人:

陶宇; 王标兵; 王留阳

地址:

213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号常州大学

优先权:

专利代理机构:

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人:

楼高潮

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内容摘要

本发明涉及一种硅棒切割用环氧树脂胶及其制备方法,这种环氧树脂胶能够广泛应用于单晶或是多晶硅棒的切割。所述的硅棒切割用环氧树脂胶,通过核壳结构增韧剂的加入,大大增强了胶在硅棒上的粘结强度,脱胶添加剂在60oC热水中会与水反应生成气体,气体的产生会破坏粘结结构,保证脱胶过程能短时、干净地进行,并且不对硅片产生任何损伤;这一粘结过程和脱胶过程在单晶与多晶结构的硅棒上的表现是相同的,因此这种硅棒切割用环氧树脂胶具有很强的普适性,为硅片切割产业的发展具有重要的作用。

权利要求书

权利要求书一种用于硅棒切割用环氧树脂胶,其特征在于:原料组份和配比如下:
按重量份数,A组份:环氧树脂 100份,增韧剂 20~30份,填料60~70份,偶联剂0.5~1份,脱胶添加剂 2~4份,触变剂 2~3份;
B组份:硫醇120~160份,填料40~50份,促进剂10~15份,触变剂 2~3份。
如权利要求1所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶,其特征在于:所述脱胶添加剂为能与水在50~60度反应并释放出大量气体的粉末状无机物,具体为为碳酸氢铵、碳酸氢钠、连二亚硫酸钠和磷酸氢钙中的一种或是一种以上混合物。
如权利要求1所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶,其特征在于:所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂或双酚F型环氧树脂,所述双酚A型环氧树脂的环氧当量为190,双酚F型环氧树脂的环氧当量为170。
  如权利要求1所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶,其特征在于:所述增韧剂为核壳结构增韧剂。
如权利要求1所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶,其特征在于:所述填料为碳酸钙、硅酸钙、氧化铝,二氧化硅和滑石粉中的一种或是一种以上混合物。
    
如权利要求1所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶,其特征在于:所述偶联剂为钛酸酯偶联剂,硅烷偶联剂,硼酸酯偶联剂和铝酸酯偶联剂中的一种或一种以上混合物。
如权利要求1所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶,其特征在于:所述触变剂为气相二氧化硅。
如权利要求1所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶,其特征在于:所述硫醇包括双功能聚硫醇、三功能聚硫醇TMPMP和四功能聚硫醇PE1中的一种或一种以上混合物。
如权利要求1所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶,其特征在于:所述促进剂为2,4,6三(二甲氨基)苯酚 或N‑N二甲基氨基苯酚。
如权利要求1所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶的制备方法,包括以下步骤:
1)A组分的制备:按照上述A组分的原料配比,将环氧树脂,核壳结构增韧剂,填料,触变剂和偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至25℃,再向混合物中加入碾磨好的脱胶添加剂,继续在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料;最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存;
2)B组分的制备:按照上述B组分的原料配比,将硫醇,填料,固化促进剂,触变剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料;最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存;
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为体积比为1:1或质量比为1:1.8。

说明书

说明书一种硅棒切割用环氧树脂胶及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种硅棒切割用环氧树脂胶及其制备方法,这种环氧树脂胶能够广泛应用于单晶或是多晶硅棒的切割。
背景技术
光伏发电是利用半导体材料光生伏打效应原理直接将太阳辐射能转换为电能的技术;资料显示,太阳能每秒钟到达地面的能量高达80万千瓦,假如把地球表面0.1%的太阳能转为电能,转变率5%,每年发电量可达5.6×1012千瓦小时,相当于目前世界上能耗的40倍;晶体硅片是制作光伏太阳能电池的主要材料,每生产1MW的太阳能电池组件需要17吨左右的原料,Clean Edge 预计,全球太阳能发电市场的规模将从2005年的110亿美元猛进增到2015年的510亿美元,以芯片著名的“硅谷”将被“太阳谷”所取代,显然太阳能产业的迅猛发展需要更多的硅原料及切割设备来支撑。
除太阳能电池外,硅片的巨大需求同样表现在集成电路等半导体产业上;硅占整个半导体材料的95%以上,单晶硅片是半导体器件生产的关键性基材,是当之无愧的电子产业的基础支撑材料,2005年我国集成电路产业消耗的电子级多晶硅约1000吨,太阳能电池多晶硅约1400吨;2006年,我国集成电路产业消耗的电子级多晶硅约1200吨,太阳能电池多晶硅约3640吨,预计到2015年,电子级多晶硅年需求量将达到约5000吨,光伏级多晶硅年需求量将达到约6200吨。随着全球各国能源结构的调整,绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展,硅片市场的供需已极度不平衡,硅原料的供不应求,切割加工能力的落后和严重不足构成了产业链的瓶颈,严重阻碍了我国太阳能和半导体产业的发展,因此,未来的3至5年间,将是中国晶硅产业快速发展的黄金时期。
随着全球各国绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展,硅片市场的供需已极度不平衡,切割加工能力的落后和产能的严重不足已构成了产业链的瓶颈;硅片切割是电子工业主要原材料一—硅片(晶圆)生产的上游关键技术,切割的质量与规模直接影响到整个产业链的后续生产,在目前现有技术中,硅棒的切割是将硅棒用胶固定在玻璃基板上;然后,采用线切割机进行切割,在切割完成后,将玻璃和切割完成后的晶片放入温水浸泡,使其从玻璃中脱落分离。但是目前采用的硅棒切割用胶依然存在众多的问题, 如:掉片,崩边,抗结晶性能差,对硅棒的选择性差等,不能很好满足硅棒切割的需要;为此,研究者们也在不停的进行尝试和改进,以期获得性能更好的产品,如专利CN 102120925A 专门介绍了一种适用于单晶硅棒切割用环氧树脂胶的制备方法,但是到目前为止,还没有一种普适型的硅棒切割环氧树脂胶见诸报道,这主要是由于现有的硅棒切割技术既要求在切割过程中对硅棒有很好的粘接,又要求在脱胶工艺中能很快的脱胶,对单晶硅棒而言,往往粘结强度很难保证,导致掉棒现象发生;而对于多晶硅棒来讲,往往是脱胶更难进行,温度要求较高,脱胶溶液也需要酸性。本发明通过在现有硅棒切割胶中添加一种特殊的添加剂,使得切割胶在粘接性需求和脱胶工艺需求上达到平衡,既能满足单晶硅棒粘结强度的需求,又能满足多晶硅棒脱胶条件的需求。
发明内容
本发明的目的是提供一种普适型的应用于硅棒切割用环氧树脂胶组合物及其制备方法,以克服现有技术中的缺陷。
为了达到上述目的,本发明采用以下技术方案来实现:
一种用于硅棒切割用环氧树脂胶,其原料组份和配比如下:
按重量份数,A组份:环氧树脂 100份,增韧剂 20~30份,填料60~70份,偶联剂0.5~1份,脱胶添加剂 2~4份,触变剂 2~3份;
B组份:硫醇120~160份,填料40~50份,促进剂10~15份,触变剂 2~3份。
所述脱胶添加剂为能与水在50~60度反应并释放出大量气体的粉末状无机物,具体为碳酸氢铵、碳酸氢钠、连二亚硫酸钠和磷酸氢钙中的一种或是一种以上混合物。
所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂或双酚F型环氧树脂,双酚A型环氧树脂可选的包括环氧当量为190的EPON828(HEXION公司),E51(无锡树脂厂),DER331(DOW公司),NPEL‑128(南亚树脂)中的一种或一种以上混合物;双酚F型环氧树脂可选的包括环氧当量为170的YDF170(国都化学),EPON862(HEXION公司),DER354(DOW公司)中的一种或一种以上混合物。
  所述增韧剂为核壳结构增韧剂,包括KANEKA公司生产的MX125,MX153,MX130,MX257,常州合润生产的HK828,HK928,HK528中的一种或一种以上混合物。
所述填料为碳酸钙,硅酸钙,氧化铝,二氧化硅和滑石粉中的一种或是一种以上混合物。
所述偶联剂为钛酸酯偶联剂,硅烷偶联剂,硼酸酯偶联剂和铝酸酯偶联剂中的一种或一种以上混合物。
所述触变剂为气相二氧化硅,具体为RD907(瓦克化学),TS720(Carbot公司)和M5(Evonik公司)中的一种或一种以上混合物。
所述硫醇包括双功能聚硫醇Capcure 3800(科宁公司), GPM 800(仑立奇化工),三功能聚硫醇TMPMP(SIGMA‑ALDRICH), 四功能聚硫醇PE1(SHOWA DENKO公司)中的一种或一种以上混合物。
所述促进剂为2,4,6三(二甲氨基)苯酚 (DMP‑30)或N‑N二甲基氨基苯酚(DMPA)。
所述硅棒切割用环氧树脂胶的制备方法,包括以下步骤:
1)A组分的制备:按照上述A组分的原料配比,将环氧树脂,核壳结构增韧剂,填料,触变剂和偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至25℃,再向混合物中加入碾磨好的脱胶添加剂,继续在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料;最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
2)B组分的制备:按照上述B组分的原料配比,将硫醇,填料,固化促进剂,触变剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料;最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为体积比为1:1或质量比为1:1.8。
所述的硅棒切割用环氧树脂胶,通过核壳结构增韧剂的加入,大大增强了胶在硅棒上的粘结强度,脱胶添加剂在60ºC热水中会与水反应生成气体,气体的产生会破坏粘结结构,保证脱胶过程能短时、干净地进行,并且不对硅片产生任何损伤;这一粘结过程和脱胶过程在单晶与多晶结构的硅棒上的表现是相同的,因此这种硅棒切割用环氧树脂胶具有很强的普适性,为硅片切割产业的发展具有重要的作用。
具体实施方式
实施例1
1)A组分的制备:将100g环氧树脂EPON828,25g核壳结构增韧剂MX125,70g滑石粉,3g气相二氧化硅TS‑720和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温,再向混合物中加入碾磨好的3g碳酸氢铵脱胶添加剂,室温下在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料;最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
2)B组分的制备:将155g双功能聚硫醇Capcure 3800,50g滑石粉,12g固化促进剂DMP‑30,3g触变剂M5投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料;最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为体积比为1:1,用于单晶硅棒的切割。
实施例2
1)A组分的制备:将100g环氧树脂E51,25g核壳结构增韧剂MX153,70g碳酸钙,3g气相二氧化硅M5和0.8g 钛酸丁酯硅烷偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温,再向混合物中加入碾磨好的3g碳酸氢钠脱胶添加剂,室温下在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料;最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
2)B组分的制备:将155g双功能聚硫醇GPM 800,50g滑石粉,12g固化促进剂DMPA,3g触变剂RD907投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料;最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为质量比为1:1.8,用于多晶硅棒的切割。
实施例3
1)A组分的制备:将100g环氧树脂EPON862,25g核壳结构增韧剂MX257,70g滑石粉,3g气相二氧化硅RD907和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温,再向混合物中加入碾磨好的3g碳酸氢钠脱胶添加剂,室温下在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料;最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
2)B组分的制备:将155g双功能聚硫醇TMPMP,50g碳酸钙,12g固化促进剂DMP‑30,3g触变剂M5投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料;最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为体积比为1:1,用于单晶硅棒的切割。
实施例4
1)A组分的制备:将100g环氧树脂DER331,25g核壳结构增韧剂MX130,70g滑石粉,3g气相二氧化硅TS‑720和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温,再向混合物中加入碾磨好的3g碳酸氢铵脱胶添加剂,室温下在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
2)B组分的制备:将155g双功能聚硫醇PE1,50g滑石粉,12g固化促进剂DMP‑30,3g触变剂TS‑720投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为质量比为1:1.8,用于多晶硅棒的切割。
实施例5
1)A组分的制备:将100g环氧树脂NPEL‑128,25g核壳结构增韧剂HK828,70g氧化铝,3g气相二氧化硅M5和0.8g KH560硼酸酯偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温,再向混合物中加入碾磨好的3g磷酸氢钙脱胶添加剂,室温下在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
2)B组分的制备:将155g双功能聚硫醇TMPMP,50g二氧化硅,12g固化促进剂DMPA,3g触变剂M5投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为质量比为1:1.8,用于单晶硅棒的切割。
实施例6
1)A组分的制备:将100g环氧树脂YD170,25g核壳结构增韧剂MX125,70g滑石粉,3g气相二氧化硅TS‑720和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温,再向混合物中加入碾磨好的3g碳酸氢铵脱胶添加剂,室温下在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
2)B组分的制备:将155g双功能聚硫醇Capcure 3800,50g滑石粉,12g固化促进剂DMP‑30,3g触变剂M5投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为质量比为1:1.8,用于多晶硅棒的切割。
实施例7
1)A组分的制备:将100g环氧树脂DER354,25g核壳结构增韧剂HK928,70g滑石粉,3g气相二氧化硅TS‑720和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温,再向混合物中加入碾磨好的3g碳酸氢铵脱胶添加剂,室温下在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
2)B组分的制备:将155g双功能聚硫醇Capcure 3800,50g滑石粉,12g固化促进剂DMP‑30,3g触变剂M5投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为体积比为1:1,用于单晶硅棒的切割。
实施例8
1)A组分的制备:将100g环氧树脂EPON828,25g核壳结构增韧剂HK528,70g滑石粉,3g气相二氧化硅TS‑720和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温,再向混合物中加入碾磨好的3g连二亚硫酸钠脱胶添加剂,室温下在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
2)B组分的制备:将155g双功能聚硫醇TMPMP,50g滑石粉,12g固化促进剂DMP‑30,3g触变剂RD907投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为体积比为1:1,用于多晶硅棒的切割。
实施例9
1)A组分的制备:将100g环氧树脂EPON828,25g核壳结构增韧剂MX153,70g滑石粉,3g气相二氧化硅TS‑720和0.8g 铝酸酯硅烷偶联剂投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温,再向混合物中加入碾磨好的3g碳酸氢铵脱胶添加剂,室温下在500转/分的搅拌速率下混合10分钟出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
2)B组分的制备:将155g双功能聚硫醇Capcure 3800,50g滑石粉,12g固化促进剂DMP‑30,3g触变剂M5投入机械混合釜中,加温至50℃,在500转/分的搅拌速率下混合30分钟,然后冷却至室温出料。最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合,进料辊间距控制在60微米,出料辊间距控制在20微米,将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。
使用的时候需要将AB组分进行混合均匀,混合比例为体积比为1:1,用于多晶硅棒的切割。
实施例性能测试结果如下表

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1、(10)申请公布号 CN 102850980 A (43)申请公布日 2013.01.02 CN 102850980 A *CN102850980A* (21)申请号 201210258425.3 (22)申请日 2012.07.25 C09J 163/00(2006.01) C09J 163/02(2006.01) C09J 11/08(2006.01) (71)申请人 常州大学 地址 213164 江苏省常州市武进区滆湖路 1 号常州大学 (72)发明人 陶宇 王标兵 王留阳 (74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限 公司 32200 代理人 楼高潮 (54) 发明名称 一种硅棒切割。

2、用环氧树脂胶及其制备方法 (57) 摘要 本发明涉及一种硅棒切割用环氧树脂胶及其 制备方法, 这种环氧树脂胶能够广泛应用于单晶 或是多晶硅棒的切割。所述的硅棒切割用环氧树 脂胶, 通过核壳结构增韧剂的加入, 大大增强了胶 在硅棒上的粘结强度, 脱胶添加剂在 60C 热水中 会与水反应生成气体, 气体的产生会破坏粘结结 构, 保证脱胶过程能短时、 干净地进行, 并且不对 硅片产生任何损伤 ; 这一粘结过程和脱胶过程在 单晶与多晶结构的硅棒上的表现是相同的, 因此 这种硅棒切割用环氧树脂胶具有很强的普适性, 为硅片切割产业的发展具有重要的作用。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 。

3、6 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 6 页 1/1 页 2 1. 一种用于硅棒切割用环氧树脂胶, 其特征在于 : 原料组份和配比如下 : 按重量份数, A 组份 : 环氧树脂 100 份, 增韧剂 2030 份, 填料 6070 份, 偶联剂 0.51 份, 脱胶添加剂 24 份, 触变剂 23 份 ; B 组份 : 硫醇 120160 份, 填料 4050 份, 促进剂 1015 份, 触变剂 23 份。 2. 如权利要求 1 所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶, 其特征在于 : 所述脱胶添加 剂为能与水在 5060 度反应并释放出。

4、大量气体的粉末状无机物, 具体为为碳酸氢铵、 碳酸 氢钠、 连二亚硫酸钠和磷酸氢钙中的一种或是一种以上混合物。 3. 如权利要求 1 所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶, 其特征在于 : 所述环氧树脂 为双酚 A 型环氧树脂或双酚 F 型环氧树脂, 所述双酚 A 型环氧树脂的环氧当量为 190, 双酚 F 型环氧树脂的环氧当量为 170。 4. 如权利要求 1 所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶, 其特征在于 : 所述增韧剂 为核壳结构增韧剂。 5. 如权利要求 1 所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶, 其特征在于 : 所述填料为碳 酸钙、 硅酸钙、 氧化铝, 二氧化硅和滑石粉中的一种或是一种。

5、以上混合物。 6. 如权利要求 1 所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶, 其特征在于 : 所述偶联剂为 钛酸酯偶联剂, 硅烷偶联剂, 硼酸酯偶联剂和铝酸酯偶联剂中的一种或一种以上混合物。 7. 如权利要求 1 所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶, 其特征在于 : 所述触变剂为 气相二氧化硅。 8. 如权利要求 1 所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶, 其特征在于 : 所述硫醇包括 双功能聚硫醇、 三功能聚硫醇 TMPMP 和四功能聚硫醇 PE1 中的一种或一种以上混合物。 9. 如权利要求 1 所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶, 其特征在于 : 所述促进剂为 2,4,6 三 (二甲氨基) 苯。

6、酚 或 N-N 二甲基氨基苯酚。 10. 如权利要求 1 所述的一种用于硅棒切割用环氧树脂胶的制备方法, 包括以下步骤 : 1) A 组分的制备 : 按照上述 A 组分的原料配比, 将环氧树脂, 核壳结构增韧剂, 填料, 触 变剂和偶联剂投入机械混合釜中, 加温至50, 在500转/分的搅拌速率下混合30分钟, 然 后冷却至25, 再向混合物中加入碾磨好的脱胶添加剂, 继续在500转/分的搅拌速率下混 合 10 分钟出料 ; 最后将混合物置于转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制 在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存 ;。

7、 2) B 组分的制备 : 按照上述 B 组分的原料配比, 将硫醇, 填料, 固化促进剂, 触变剂投入 机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温出 料 ; 最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在60微米, 出 料辊间距控制在 20 微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存 ; 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为体积比为 1 : 1 或质量比为 1 : 1.8。 权 利 要 求 书 CN 102850980 A 2 1/6 页 3 一种硅棒切割用环氧树脂胶及其制备方法 技术领。

8、域 0001 本发明涉及一种硅棒切割用环氧树脂胶及其制备方法, 这种环氧树脂胶能够广泛 应用于单晶或是多晶硅棒的切割。 背景技术 0002 光伏发电是利用半导体材料光生伏打效应原理直接将太阳辐射能转换为电能的 技术 ; 资料显示, 太阳能每秒钟到达地面的能量高达 80 万千瓦, 假如把地球表面 0.1% 的太 阳能转为电能, 转变率 5%, 每年发电量可达 5.61012 千瓦小时, 相当于目前世界上能耗的 40 倍 ; 晶体硅片是制作光伏太阳能电池的主要材料, 每生产 1MW 的太阳能电池组件需要 17 吨左右的原料, Clean Edge 预计, 全球太阳能发电市场的规模将从2005年的1。

9、10亿美元猛 进增到 2015 年的 510 亿美元, 以芯片著名的 “硅谷” 将被 “太阳谷” 所取代, 显然太阳能产 业的迅猛发展需要更多的硅原料及切割设备来支撑。 0003 除太阳能电池外, 硅片的巨大需求同样表现在集成电路等半导体产业上 ; 硅占整 个半导体材料的 95% 以上, 单晶硅片是半导体器件生产的关键性基材, 是当之无愧的电子 产业的基础支撑材料, 2005 年我国集成电路产业消耗的电子级多晶硅约 1000 吨, 太阳能电 池多晶硅约 1400 吨 ; 2006 年, 我国集成电路产业消耗的电子级多晶硅约 1200 吨, 太阳能电 池多晶硅约 3640 吨, 预计到 2015。

10、 年, 电子级多晶硅年需求量将达到约 5000 吨, 光伏级多晶 硅年需求量将达到约 6200 吨。随着全球各国能源结构的调整, 绿色能源的推广和近年来半 导体产业的超常规发展, 硅片市场的供需已极度不平衡, 硅原料的供不应求, 切割加工能力 的落后和严重不足构成了产业链的瓶颈, 严重阻碍了我国太阳能和半导体产业的发展, 因 此, 未来的 3 至 5 年间, 将是中国晶硅产业快速发展的黄金时期。 0004 随着全球各国绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展, 硅片市场的供 需已极度不平衡, 切割加工能力的落后和产能的严重不足已构成了产业链的瓶颈 ; 硅片切 割是电子工业主要原材料一硅片 。

11、( 晶圆 ) 生产的上游关键技术, 切割的质量与规模直接 影响到整个产业链的后续生产, 在目前现有技术中, 硅棒的切割是将硅棒用胶固定在玻璃 基板上 ; 然后, 采用线切割机进行切割, 在切割完成后, 将玻璃和切割完成后的晶片放入温 水浸泡, 使其从玻璃中脱落分离。 但是目前采用的硅棒切割用胶依然存在众多的问题, 如 : 掉片, 崩边, 抗结晶性能差, 对硅棒的选择性差等, 不能很好满足硅棒切割的需要 ; 为此, 研 究者们也在不停的进行尝试和改进, 以期获得性能更好的产品, 如专利 CN 102120925A 专 门介绍了一种适用于单晶硅棒切割用环氧树脂胶的制备方法, 但是到目前为止, 还没。

12、有一 种普适型的硅棒切割环氧树脂胶见诸报道, 这主要是由于现有的硅棒切割技术既要求在切 割过程中对硅棒有很好的粘接, 又要求在脱胶工艺中能很快的脱胶, 对单晶硅棒而言, 往往 粘结强度很难保证, 导致掉棒现象发生 ; 而对于多晶硅棒来讲, 往往是脱胶更难进行, 温度 要求较高, 脱胶溶液也需要酸性。 本发明通过在现有硅棒切割胶中添加一种特殊的添加剂, 使得切割胶在粘接性需求和脱胶工艺需求上达到平衡, 既能满足单晶硅棒粘结强度的需 求, 又能满足多晶硅棒脱胶条件的需求。 说 明 书 CN 102850980 A 3 2/6 页 4 发明内容 0005 本发明的目的是提供一种普适型的应用于硅棒切割。

13、用环氧树脂胶组合物及其制 备方法, 以克服现有技术中的缺陷。 0006 为了达到上述目的, 本发明采用以下技术方案来实现 : 一种用于硅棒切割用环氧树脂胶, 其原料组份和配比如下 : 按重量份数, A 组份 : 环氧树脂 100 份, 增韧剂 2030 份, 填料 6070 份, 偶联剂 0.51 份, 脱胶添加剂 24 份, 触变剂 23 份 ; B 组份 : 硫醇 120160 份, 填料 4050 份, 促进剂 1015 份, 触变剂 23 份。 0007 所述脱胶添加剂为能与水在 5060 度反应并释放出大量气体的粉末状无机物, 具 体为碳酸氢铵、 碳酸氢钠、 连二亚硫酸钠和磷酸氢钙中。

14、的一种或是一种以上混合物。 0008 所述环氧树脂为双酚 A 型环氧树脂或双酚 F 型环氧树脂, 双酚 A 型环氧树脂可选 的包括环氧当量为 190 的 EPON828(HEXION 公司) , E51(无锡树脂厂) , DER331(DOW 公司) , NPEL-128(南亚树脂) 中的一种或一种以上混合物 ; 双酚 F 型环氧树脂可选的包括环氧当量 为 170 的 YDF170(国都化学) , EPON862(HEXION 公司) , DER354(DOW 公司) 中的一种或一 种以上混合物。 0009 所述增韧剂为核壳结构增韧剂, 包括 KANEKA 公司生产的 MX125, MX153。

15、, MX130, MX257, 常州合润生产的 HK828, HK928, HK528 中的一种或一种以上混合物。 0010 所述填料为碳酸钙, 硅酸钙, 氧化铝, 二氧化硅和滑石粉中的一种或是一种以上混 合物。 0011 所述偶联剂为钛酸酯偶联剂, 硅烷偶联剂, 硼酸酯偶联剂和铝酸酯偶联剂中的一 种或一种以上混合物。 0012 所述触变剂为气相二氧化硅, 具体为 RD907(瓦克化学) , TS720(Carbot 公司) 和 M5(Evonik 公司) 中的一种或一种以上混合物。 0013 所述硫醇包括双功能聚硫醇 Capcure 3800(科宁公司) , GPM 800(仑立奇化工) ,。

16、 三功能聚硫醇 TMPMP(SIGMA-ALDRICH) , 四功能聚硫醇 PE1(SHOWA DENKO 公司) 中的一种 或一种以上混合物。 0014 所述促进剂为2,4,6三 (二甲氨基) 苯酚 (DMP-30) 或N-N二甲基氨基苯酚 (DMPA)。 0015 所述硅棒切割用环氧树脂胶的制备方法, 包括以下步骤 : 1) A 组分的制备 : 按照上述 A 组分的原料配比, 将环氧树脂, 核壳结构增韧剂, 填料, 触 变剂和偶联剂投入机械混合釜中, 加温至50, 在500转/分的搅拌速率下混合30分钟, 然 后冷却至25, 再向混合物中加入碾磨好的脱胶添加剂, 继续在500转/分的搅拌速。

17、率下混 合 10 分钟出料 ; 最后将混合物置于转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制 在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 0016 2) B 组分的制备 : 按照上述 B 组分的原料配比, 将硫醇, 填料, 固化促进剂, 触变剂 投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室 温出料 ; 最后将混合物置于转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在 60 微 米, 出料辊间距控制在 20 微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 00。

18、17 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为体积比为 1 : 1 或质量比为 说 明 书 CN 102850980 A 4 3/6 页 5 1 : 1.8。 0018 所述的硅棒切割用环氧树脂胶, 通过核壳结构增韧剂的加入, 大大增强了胶在硅 棒上的粘结强度, 脱胶添加剂在 60C 热水中会与水反应生成气体, 气体的产生会破坏粘结 结构, 保证脱胶过程能短时、 干净地进行, 并且不对硅片产生任何损伤 ; 这一粘结过程和脱 胶过程在单晶与多晶结构的硅棒上的表现是相同的, 因此这种硅棒切割用环氧树脂胶具有 很强的普适性, 为硅片切割产业的发展具有重要的作用。 具体实施方式 0019。

19、 实施例 1 1) A 组分的制备 : 将 100g 环氧树脂 EPON828, 25g 核壳结构增韧剂 MX125, 70g 滑石粉, 3g气相二氧化硅TS-720和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机械混合釜中, 加温至50, 在500 转 / 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温, 再向混合物中加入碾磨好的 3g 碳酸氢 铵脱胶添加剂, 室温下在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 10 分钟出料 ; 最后将混合物置于转 速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微 米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 00。

20、20 2) B 组分的制备 : 将 155g 双功能聚硫醇 Capcure 3800, 50g 滑石粉, 12g 固化促进 剂 DMP-30, 3g 触变剂 M5 投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温出料 ; 最后将混合物置于转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进 料辊间距控制在60微米, 出料辊间距控制在20微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中 密封保存。 0021 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为体积比为 1 : 1, 用于单晶硅 棒的切割。 0022 实施例 2 1) A 组分的制备 :。

21、 将 100g 环氧树脂 E51, 25g 核壳结构增韧剂 MX153, 70g 碳酸钙, 3g 气 相二氧化硅 M5 和 0.8g 钛酸丁酯硅烷偶联剂投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 转 / 分的搅拌速率下混合30分钟, 然后冷却至室温, 再向混合物中加入碾磨好的3g碳酸氢钠脱 胶添加剂, 室温下在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 10 分钟出料 ; 最后将混合物置于转速比 为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微米, 将 室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 0023 2) B 组分的制备 : 将 155g 双功。

22、能聚硫醇 GPM 800, 50g 滑石粉, 12g 固化促进剂 DMPA, 3g触变剂RD907投入机械混合釜中, 加温至50, 在500转/分的搅拌速率下混合30 分钟, 然后冷却至室温出料 ; 最后将混合物置于转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料 辊间距控制在60微米, 出料辊间距控制在20微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密 封保存。 0024 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为质量比为 1 : 1.8, 用于多晶 硅棒的切割。 0025 实施例 3 1) A 组分的制备 : 将 100g 环氧树脂 EPON862, 25g 核壳结构增韧剂 MX2。

23、57, 70g 滑石粉, 3g 气相二氧化硅 RD907 和 0.8g KH560 硅烷偶联剂投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 说 明 书 CN 102850980 A 5 4/6 页 6 转 / 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温, 再向混合物中加入碾磨好的 3g 碳酸 氢钠脱胶添加剂, 室温下在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 10 分钟出料 ; 最后将混合物置于 转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微 米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 0026 2) B 组分的制备 : 将 1。

24、55g 双功能聚硫醇 TMPMP, 50g 碳酸钙, 12g 固化促进剂 DMP-30, 3g 触变剂 M5 投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温出料 ; 最后将混合物置于转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料 辊间距控制在60微米, 出料辊间距控制在20微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密 封保存。 0027 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为体积比为 1 : 1, 用于单晶硅 棒的切割。 0028 实施例 4 1) A 组分的制备 : 将 100g 环氧树脂 DER331, 25g 核壳。

25、结构增韧剂 MX130, 70g 滑石粉, 3g 气相二氧化硅TS-720和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机械混合釜中, 加温至50, 在500转 / 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温, 再向混合物中加入碾磨好的 3g 碳酸氢铵 脱胶添加剂, 室温下在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 10 分钟出料。最后将混合物置于转速 比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 0029 2) B 组分的制备 : 将 155g 双功能聚硫醇 PE1, 50g 滑石粉, 12g 固化。

26、促进剂 DMP-30, 3g 触变剂 TS-720 投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 30 分 钟, 然后冷却至室温出料。最后将混合物置于转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊 间距控制在60微米, 出料辊间距控制在20微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封 保存。 0030 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为质量比为 1 : 1.8, 用于多晶 硅棒的切割。 0031 实施例 5 1) A 组分的制备 : 将 100g 环氧树脂 NPEL-128, 25g 核壳结构增韧剂 HK828, 70g 氧化铝, 3g气相。

27、二氧化硅M5和0.8g KH560硼酸酯偶联剂投入机械混合釜中, 加温至50, 在500转 / 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温, 再向混合物中加入碾磨好的 3g 磷酸氢钙 脱胶添加剂, 室温下在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 10 分钟出料。最后将混合物置于转速 比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 0032 2) B 组分的制备 : 将 155g 双功能聚硫醇 TMPMP, 50g 二氧化硅, 12g 固化促进剂 DMPA, 3g 触变剂 M5 投入机械混合釜。

28、中, 加温至 50, 在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 30 分 钟, 然后冷却至室温出料。最后将混合物置于转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊 间距控制在60微米, 出料辊间距控制在20微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封 保存。 0033 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为质量比为 1 : 1.8, 用于单晶 硅棒的切割。 说 明 书 CN 102850980 A 6 5/6 页 7 0034 实施例 6 1) A 组分的制备 : 将 100g 环氧树脂 YD170, 25g 核壳结构增韧剂 MX125, 70g 滑石粉, 3g 气相二氧化硅。

29、TS-720和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机械混合釜中, 加温至50, 在500转 / 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温, 再向混合物中加入碾磨好的 3g 碳酸氢铵 脱胶添加剂, 室温下在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 10 分钟出料。最后将混合物置于转速 比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 0035 2) B 组分的制备 : 将 155g 双功能聚硫醇 Capcure 3800, 50g 滑石粉, 12g 固化促进 剂 DMP-30, 3g 触变剂 M5。

30、 投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 30分钟, 然后冷却至室温出料。 最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合, 进 料辊间距控制在60微米, 出料辊间距控制在20微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中 密封保存。 0036 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为质量比为 1 : 1.8, 用于多晶 硅棒的切割。 0037 实施例 7 1) A 组分的制备 : 将 100g 环氧树脂 DER354, 25g 核壳结构增韧剂 HK928, 70g 滑石粉, 3g 气相二氧化硅TS-720和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机。

31、械混合釜中, 加温至50, 在500转 / 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温, 再向混合物中加入碾磨好的 3g 碳酸氢铵 脱胶添加剂, 室温下在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 10 分钟出料。最后将混合物置于转速 比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 0038 2) B 组分的制备 : 将 155g 双功能聚硫醇 Capcure 3800, 50g 滑石粉, 12g 固化促进 剂 DMP-30, 3g 触变剂 M5 投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 。

32、转 / 分的搅拌速率下混合 30分钟, 然后冷却至室温出料。 最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合, 进 料辊间距控制在60微米, 出料辊间距控制在20微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中 密封保存。 0039 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为体积比为 1 : 1, 用于单晶硅 棒的切割。 0040 实施例 8 1) A 组分的制备 : 将 100g 环氧树脂 EPON828, 25g 核壳结构增韧剂 HK528, 70g 滑石粉, 3g气相二氧化硅TS-720和0.8g KH560硅烷偶联剂投入机械混合釜中, 加温至50, 在500 转 / 分的搅拌。

33、速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温, 再向混合物中加入碾磨好的 3g 连二亚 硫酸钠脱胶添加剂, 室温下在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 10 分钟出料。最后将混合物置 于转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 0041 2) B 组分的制备 : 将 155g 双功能聚硫醇 TMPMP, 50g 滑石粉, 12g 固化促进剂 DMP-30, 3g 触变剂 RD907 投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 30分钟, 然后冷却至室温出料。

34、。 最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合, 进 料辊间距控制在60微米, 出料辊间距控制在20微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中 说 明 书 CN 102850980 A 7 6/6 页 8 密封保存。 0042 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为体积比为 1 : 1, 用于多晶硅 棒的切割。 0043 实施例 9 1) A 组分的制备 : 将 100g 环氧树脂 EPON828, 25g 核壳结构增韧剂 MX153, 70g 滑石粉, 3g 气相二氧化硅 TS-720 和 0.8g 铝酸酯硅烷偶联剂投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 转 。

35、/ 分的搅拌速率下混合 30 分钟, 然后冷却至室温, 再向混合物中加入碾磨好的 3g 碳 酸氢铵脱胶添加剂, 室温下在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 10 分钟出料。最后将混合物置 于转速比为 1:3:9 的三辊机中进行捏合, 进料辊间距控制在 60 微米, 出料辊间距控制在 20 微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中密封保存。 0044 2) B 组分的制备 : 将 155g 双功能聚硫醇 Capcure 3800, 50g 滑石粉, 12g 固化促进 剂 DMP-30, 3g 触变剂 M5 投入机械混合釜中, 加温至 50, 在 500 转 / 分的搅拌速率下混合 30分钟, 然后冷却至室温出料。 最后将混合物置于转速比为1:3:9的三辊机中进行捏合, 进 料辊间距控制在60微米, 出料辊间距控制在20微米, 将室温下捏合好的混合物装入胶管中 密封保存。 0045 使用的时候需要将 AB 组分进行混合均匀, 混合比例为体积比为 1 : 1, 用于多晶硅 棒的切割。 0046 实施例性能测试结果如下表 说 明 书 CN 102850980 A 8 。

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