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1、(10)申请公布号 CN 102653144 A (43)申请公布日 2012.09.05 CN 102653144 A *CN102653144A* (21)申请号 201210142314.6 (22)申请日 2012.02.15 10-2011-0013479 2011.02.15 KR B32B 5/00(2006.01) B32B 37/06(2006.01) B32B 37/10(2006.01) (71)申请人 海力士半导体有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 李圭远 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军 (54) 发明名称 缓冲基板、 缓冲。
2、片及缓冲基板的制造方法 (57) 摘要 本发明涉及一种缓冲基板， 包括 ： 具有第一 表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一 基板， 所述第一基板具有一个或多个形成在其中 的通孔 ； 第一弹性材料部件， 填充所述通孔并且 覆盖所述第一基板的所述第二表面 ； 以及第二基 板， 设置在第一弹性材料部件上， 第一弹性材料部 件设置在第一基板的第二表面上。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 4 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 4 页 1/2 页 2 1. 一种缓冲基板， 包括。
3、 ： 第一基板， 具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面， 其中所述第一基板具有 一个或多个形成在其中的通孔 ； 第一弹性材料部件， 填充所述通孔并且覆盖所述第一基板的所述第二表面 ； 以及 第二基板， 设置在所述第一弹性材料部件上， 所述第一弹性部件设置在所述第一基板 的所述第二表面上。 2. 根据权利要求 1 的缓冲基板， 其中所述缓冲基板还包括覆盖膜， 所述覆盖膜设置在 第一基板的所述第一表面上。 3. 根据权利要求 1 的缓冲基板， 其中所述第一弹性材料部件覆盖所述第一基板的所述 第一表面。 4. 根据权利要求 1 的缓冲基板， 其中所述第一弹性材料部件包含硅橡胶、 弹性体或者 热。
4、塑性树脂。 5. 根据权利要求 1 的缓冲基板， 其中所述第一弹性材料部件是热塑性弹性体， 所述热 塑性弹性体包括热塑性烯烃弹性体 (TPO)、 苯乙烯嵌段共聚物 (SBC)、 热塑性聚氨酯 (TPU)、 热塑性聚酰胺 (TPAE) 和热塑性聚酯弹性体 (TPEE) 中的一种或多种。 6. 根据权利要求 1 的缓冲基板， 其中所述第一基板包括不锈钢 (SUS)、 环氧树脂、 聚酰 亚胺树脂和芳纶树脂中的一种或多种。 7. 根据权利要求 1 的缓冲基板， 其中所述缓冲基板还包括设置在所述第一弹性材料的 第一表面上的缓冲片， 其中， 所述缓冲片包括柔性膜和设置在所述柔性膜的第一表面上的 第二弹性材。
5、料部件。 8. 根据权利要求 7 的缓冲基板， 其中所述柔性膜包含聚酰亚胺树脂。 9. 根据权利要求 7 的缓冲基板， 其中所述第二弹性材料部件包含硅橡胶、 弹性体或者 热塑性树脂。 10. 根据权利要求 7 的缓冲基板， 其中所述第二弹性材料部件是热塑性弹性体， 所述热 塑性弹性体包括热塑性烯烃弹性体 (TPO)、 苯乙烯嵌段共聚物 (SBC)、 热塑性聚氨酯 (TPU)、 热塑性聚酰胺 (TPAE) 和热塑性聚酯弹性体 (TPEE) 中的一种或多种。 11. 一种缓冲片， 包括 ： 柔性膜 ； 以及 弹性材料部件， 设置在所述柔性膜的一个表面上。 12. 根据权利要求 11 的缓冲片， 其。
6、中所述柔性膜包括聚酰亚胺树脂。 13. 根据权利要求 11 的缓冲片， 其中所述第二弹性材料部件包括硅橡胶、 弹性体或者 热塑性树脂。 14. 根据权利要求 11 的缓冲片， 其中所述第二弹性材料部件是热塑性弹性体， 所述热 塑性弹性体包括热塑性烯烃弹性体 (TPO)、 苯乙烯嵌段共聚物 (SBC)、 热塑性聚氨酯 (TPU)、 热塑性聚酰胺 (TPAE) 和热塑性聚酯弹性体 (TPEE) 中的一种或多种。 15. 一种制造缓冲基板的方法， 该方法包括 ： 在第一基板中形成一个或多个通孔， 该第一基板具有第一表面和与所述第一表面相对 的第二表面， 使得所述通孔从所述第一表面延伸至所述第二表面 。
7、； 在所述第二基板的第一表面上施加第一弹性材料部件 ； 以及 权 利 要 求 书 CN 102653144 A 2 2/2 页 3 朝向所述第一基板的第二表面压缩所述第一弹性材料部件， 以使所述第一弹性材料部 件注入所述通孔中。 16. 根据权利要求 15 的方法， 其中通过热压缩执行第一弹性材料部件的施加。 17. 根据权利要求 15 的方法， 其中所述方法还包括， 在施加所述第一弹性材料之后， 在 所述第一基板的所述第一表面上施加第二弹性材料部件。 18. 根据权利要求 17 的方法， 其中所述第一弹性材料部件和所述第二弹性材料部件由 相同的材料形成。 19. 根据权利要求 17 的方法，。
8、 其中所述第一弹性材料部件和所述第二弹性材料部件中 的一个或两者包括硅橡胶、 弹性体和热塑性树脂中的一种或多种。 20. 根据权利要求 15 的方法， 其中所述方法还包括在施加所述第一弹性材料之后， 在 所述第一基板的所述第一表面上设置覆盖膜。 权 利 要 求 书 CN 102653144 A 3 1/6 页 4 缓冲基板、 缓冲片及缓冲基板的制造方法 技术领域 0001 本发明的示范性实施例大体上涉及缓冲基板， 可以与缓冲基板一起使用的缓冲 片， 以及缓冲基板的制造方法， 更具体涉及用于半导体封装的缓冲基板， 可以与缓冲基板一 起使用的缓冲片， 以及缓冲基板的制造方法。 背景技术 0002 。
9、具有多个集成电路的半导体芯片本身不能用作完成的产品， 这是因为它会被外部 的物理或化学影响破坏。 因此， 半导体芯片安装并电连接到基板(引线框架或印刷电路板) 上， 并用例如 EMC( 环氧模制化合物 ) 封装， 使得半导体芯片可被保护免受外部的水分或杂 质影响。 0003 图 1 示出根据现有技术的半导体封装制造工艺的截面图。如图 1 所示， 半导体芯 片40通过粘合剂30粘附到封装基板10上， 在封装基板10上形成有球焊盘20， 并且半导体 芯片 40 通过焊线 50 电连接到封装基板 10 上。然后， 半导体芯片 40 通常以环氧模制化合 物 (EMC)60 模制， 由此制造半导体封装件。
10、。 0004 随着越来越多地使用小尺寸及轻重量的半导体封装件， 封装基板的厚度 (T) 达到 约 80m， 球焊盘的台阶高度 (t) 达到约 10-15m， 而球焊盘的宽度 (W) 保持约 1,000m。 因此， 球焊盘 20 可能会由于半导体封装模制工艺期间施加的压力而弯曲。这可被称为波动 (fluctuation)。当球焊盘 20 由于波动而从封装基板 10 突出时， 它们可能被刮擦。为了减 轻这种现象， 可以减小球焊盘 20 的台阶高度， 但是在这种情况下， 模制可能受到球焊盘金 属的污染。 发明内容 0005 本发明的实施例涉及一种缓冲基板， 其可以防止球焊盘的波动以及半导体封装模 制。
11、期间模制件的污染， 还涉及一种与缓冲基板一起使用的缓冲片， 以及缓冲基板的制造方 法。 0006 在一个实施例中， 缓冲基板包括第一基板， 具有一个表面和与所述一个表面相对 的另一表面， 所述第一基板具有一个或多个形成在其中的通孔 ； 第一弹性材料， 填充通孔并 且覆盖第一基板的所述另一表面 ； 以及第二基板， 设置在第一基板的所述另一表面上， 第一 弹性材料插设在第一基板与第二基板之间。 0007 缓冲基板可以还包括设置在第一基板的所述一个表面上的覆盖膜。 0008 第一弹性材料可以覆盖第一基板的所述一个表面， 并且第一弹性材料包含硅橡 胶、 弹性 (Elastomer) 体或者热塑性树脂。。
12、具体地， 第一弹性材料可以是热塑性弹性体， 其 包括热塑性烯烃弹性体 (TPO)、 苯乙烯嵌段共聚物 (SBC)、 热塑性聚氨酯 (TPU)、 热塑性聚酰 胺 (TPAE) 和热塑性聚酯弹性体 (TPEE) 中的任意一种或多种。 0009 第一基板可以包含不锈钢 (SUS)、 环氧树脂、 聚酰亚胺树脂和芳纶树脂中的任意一 种或多种。 说 明 书 CN 102653144 A 4 2/6 页 5 0010 本发明的实施例涉及一种缓冲片， 包括柔性膜和设置在柔性膜的一个表面上的第 二弹性材料。 0011 在一个实施例中， 缓冲基板可以包括缓冲片。具体地， 缓冲基板可以还包括， 在第 一弹性材料的所。
13、述一个表面上的缓冲片， 该缓冲片包括柔性膜和设置在柔性膜的一个表面 上的第二弹性材料。 0012 在另一实施例中， 柔性膜可以包含聚酰亚胺树脂， 并且第二弹性材料可以包括硅 橡胶、 弹性体或者热塑性树脂。更具体地， 第二弹性材料可以是热塑性弹性体， 其包括热塑 性烯烃弹性体(TPO)、 苯乙烯嵌段共聚物(SBC)、 热塑性聚氨酯(TPU)、 热塑性聚酰胺(TPAE) 和热塑性聚酯弹性体 (TPEE) 中的任意一种或多种。 0013 本发明的另一实施例涉及一种制造缓冲基板的方法， 该方法包括 ： 在第一基板中 形成一个或多个通孔， 所述第一基板具有一个表面和与其相对的另一表面， 使得通孔从所 述。
14、一个表面延伸至所述另一表面 ； 在第二基板的一个表面上涂敷第一弹性材料 ； 以及朝向 第一基板的所述另一表面压缩第一弹性材料， 以使第一弹性材料注入通孔中。 0014 在一个实施例中， 可以通过热压缩执行本发明的制造方法的第一弹性材料的施 加。 0015 在另一实施例中， 本发明的制造方法可以还包括， 在施加第一弹性材料之后， 对第 一基板的所述一个表面施加第二弹性材料。 0016 在另一实施例中， 第一弹性材料和第二弹性材料可以是相同的材料， 并且例如可 包括硅橡胶、 弹性体或者热塑性树脂中的任意一种或多种。 0017 在另一实施例中， 本发明的制造方法可以还包括， 在施加第一弹性材料之后，。
15、 在第 一基板的所述一个表面上设置覆盖膜。 附图说明 0018 通过以下结合附图的详细说明将更清晰地理解以上及其他方面、 特征以及其他优 点， 其中 ： 0019 图 1 是示出现有技术的半导体封装工艺的截面图 ； 0020 图 2 是根据本发明的实施例的缓冲基板的立体图 ； 0021 图 3 是图 2 的 A 部分的截面图 ； 0022 图 4 是根据本发明的实施例的缓冲片的立体图 ； 0023 图 5A 至 5E 示出根据本发明的实施例的制造缓冲基板的方法的每个步骤的截面 图 ； 0024 图6A至6D是示出采用根据本发明的实施例的缓冲基板和缓冲片模制半导体封装 件的方法的截面图 ； 00。
16、25 图 7 是示出在放置了缓冲基板之后实施的封装模制工艺的截面图。 具体实施方式 0026 以下， 将参考附图详细描述本发明的实施例。然而， 实施例仅用于示例目的， 而并 非旨在限制本发明的范围。 在附图中， 层和区域的尺寸和相对尺寸可能为了清楚而被放大。 需要理解的是当一个元件或层被描述为在另一元件或层 “上” 时， 该元件或层可直接位于另 说 明 书 CN 102653144 A 5 3/6 页 6 一元件或层上， 或者位于介入其间的元件或层上。另外， 空间相关术语， 例如 “下方” 、“下” 、 “上方” 和 “上” 等， 在本文中用于方便描述附图中所示出的一个器件或元件与另一个器件 。
17、( 或另外的多个器件 ) 或元件 ( 或另外的多个元件 ) 之间的关系。应理解， 除了附图中所示 的方向之外， 空间相关术语旨在包含使用或运行中的器件的不同方向。 0027 图 2 是根据本发明的实施例的缓冲基板的立体图， 图 3 是图 2 的 A 部分的截面图。 如图 2 和图 3 所示， 根据本发明的实施例的缓冲基板 100 包括第一基板 110， 第二基板 120， 以及第一弹性材料部件 130， 缓冲基板 100 还可包括覆盖膜 140。虽然第一基板 110 不是透 明的， 但是图 2 中为示例目的示出第一基板 110 中的通孔 (H)。 0028 第一基板 110 中形成有一个或多个。
18、通孔 (H)， 第一弹性材料 130 填充所述通孔 (H)， 同时其覆盖第一基板的一个表面 ( 上表面 ) 以及与该一个表面相对的另一表面。通孔 (H) 可形成为对应于球焊盘的位置。 0029 第一基板110或者第二基板120的材料没有限制。 例如， 第一基板110或第二基板 120 可以包含金属、 塑料及陶瓷材料中的一种或多种， 也可以包含具有单层或者多层结构的 材料。 具体地， 第一基板110或第二基板120可以由一材料形成， 该材料包括不锈钢(SUS)、 环氧树脂、 聚酰亚胺树脂和芳纶树脂 (aramid resin) 中的一种或多种。包括环氧树脂的材 料可以是含有玻璃的环氧树脂， 包括。
19、芳纶树脂的材料可以是包括芳纶纤维的材料。 并且， 第 一基板 110 和第二基板 120 可以由相同或者不同的材料形成。 0030 任何材料， 只要它具有弹性， 都可以用作第一弹性材料部件 130 的材料。例如， 第 一弹性材料部件 130 可以包含硅橡胶、 弹性体或者热塑性树脂中的一种或多种。弹性体的 实例包括诸如聚异戊二烯的天然橡胶， 以及聚丁二烯、 聚异丁烯、 聚氨酯 (polyurethane) 等。 热塑性树脂可以是， 但不限于， 热塑性弹性体(TPE)。 具体地， 热塑性树脂可以包括热塑 性烯烃弹性体(TPO)、 苯乙烯嵌段共聚物(SBC)、 热塑性聚氨酯(TPU)、 热塑性聚酰胺。
20、(TPAE) 和热塑性聚酯弹性体 (TPEE) 中的一种或多种。 0031 可提供覆盖膜 140 以保护第一弹性材料部件， 并且在要使用缓冲基板时可以将覆 盖膜 140 去除。覆盖膜 140 可以由任意材料形成。例如， 覆盖膜 140 可以包括聚对苯二甲 酸乙二醇酯 (PET)、 聚 2， 6- 萘二酸乙二醇酯 (Polyethylene Naphthalate， PEN)、 聚醚砜 (PES)、 聚芳酯 (PAR)、 聚碳酸脂 (PC)、 环烯共聚物 (COC)、 以及聚酰亚胺 (PI) 中的一种或多 种。 0032 图 4 是根据本发明的实施例的缓冲片的立体图。如图 4 所示， 根据本发明。
21、的实施 例的缓冲片 200 可具有这样的结构， 其中第二弹性材料部件 220 设置在柔性膜 210 的一个 表面上。另外， 保护膜 ( 未图示 ) 可以设置在第二弹性材料的一个表面 ( 上表面 ) 上。 0033 柔性膜 210 可以是金属或塑料膜。柔性膜 210 也可以是柔性塑料膜。例如， 柔性 膜 210 可以是包含聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、 聚 2， 6- 萘二酸乙二醇酯 (PEN)、 聚醚砜 (PES)、 聚芳酯 (PAR)、 聚碳酸脂 (PC)、 环烯共聚物 (COC)、 以及聚酰亚胺 (PI) 中的一种或多 种的膜。 0034 任何材料， 只要它具有弹性， 都可以用作第二弹。
22、性材料部件 220 的材料。例如， 第 二弹性材料部件 220 可以包括硅橡胶、 弹性体或者热塑性树脂中的一种或多种。弹性体的 实例包括诸如聚异戊二烯的天然橡胶， 以及聚丁二烯、 聚异丁烯、 聚氨酯等。热塑性树脂 可以是， 但不限于， 热塑性弹性体 (TPE)。具体地， 热塑性树脂可以包括热塑性烯烃弹性体 说 明 书 CN 102653144 A 6 4/6 页 7 (TPO)、 苯乙烯嵌段共聚物(SBC)、 热塑性聚氨酯(TPU)、 热塑性聚酰胺(TPAE)和热塑性聚酯 弹性体 (TPEE) 中的一种或多种。第一弹性材料部件 130 和第二弹性材料部件 220 可以由 相同或不同的材料制成。。
23、 0035 缓冲片 200 可以与缓冲基板 100 分开使用。或者， 缓冲片 200 也可以粘附到缓冲 基板 100 上。具体地， 虽然附图中没有示出， 根据本发明的实施例的缓冲基板 100 可以还包 括在第一弹性材料的一个表面上的缓冲片， 其包括柔性膜和设置在柔性膜的一个表面上的 第二弹性材料部件。这里， 第一弹性材料部件和柔性膜可以通过粘合剂彼此接合， 并且， 在 使用缓冲基板之后， 包括柔性膜和第二弹性材料部件的缓冲片可以被剥离或者去除。也就 是， 缓冲片可以是一次性的。 0036 图 5A 至 5E 示出根据本发明的实施例的制造缓冲基板的方法的每个步骤的截面 图。以下， 将参考图 5A。
24、 至 5E 描述本发明， 但是与以上描述重复的内容在这里将被省略或者 简洁说明。 0037 参考图 5A， 在具有一个表面和相对于该一个表面的另一表面的第一基板 110 中形 成有一个或多个通孔(H)， 使得通孔从该一个表面延伸到该另一表面。 通孔(H)可以通过任 意方法形成。例如， 通孔可以通过激光或者机械钻孔形成。或者， 通孔可以利用半导体光刻 工艺形成。具体地， 可以通过以下步骤形成通孔 ： 在第一基板上施加光致抗蚀剂， 曝光并显 影施加的光致抗蚀剂以形成光致抗蚀剂图案， 以及利用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模执行 蚀刻工艺。蚀刻工艺的实例包括深反应离子蚀刻 (DRIE)。 0038 参考图。
25、 5B， 第一弹性材料部件 130 施加到第二基板 120 的一个表面 ( 或者两个表 面 ) 上。第一弹性材料部件 130 可以是构成上述 ( 或者下述 ) 第一弹性材料部件 130 的 材料。 0039 第一弹性材料部件 130 可以通过任意方法施加。例如， 可以采用旋涂、 浸涂、 点胶 (dispensing) 或者丝网印刷方法施加第一弹性材料部件 130。例如， 当第一弹性材料部件 130 是硅橡胶 ( 含硅的橡胶 )， 可在第二基板上施加硅橡胶组合物， 其包含硅石、 乙烯基聚 合物、 耦合剂、 催化剂、 填料等。 0040 参考图5C， 朝向第一基板110的另一表面(下表面)压缩第一。
26、弹性材料部件130 ， 从而将第一弹性材料部件 130” 注入通孔。这里， 压缩可以是热压缩。例如， 当第一弹性材 料部件 130” 是热塑性树脂时， 可以通过加热增加其流动性， 促进第一弹性材料部件 130” 注 入通孔 (H) 中。这里， 第一弹性材料部件 130” 可以填充通孔 (H) 的全部或者一部分。在图 5C 中示出通孔的一部分被填充。 0041 参考图 5D， 第二弹性材料部件 130” 可施加到第一基板 110 的一个表面 ( 上表 面)。 尽管在如上所述的注入工艺(FIG.5C)中第一弹性材料部件130” 可以填充通孔(H)的 全部， 但通孔 (H) 的一部分不能被填充。在这。
27、种情况下， 可以施加第二弹性材料部件 130” 使其填充全部的通孔 H， 同时第二弹性材料部件 130” 覆盖第一基板 110 的一个表面。第一 弹性材料部件 130” 和第二弹性材料部件 130” 构成上述的第一弹性材料部件 130。第一弹 性材料部件 130” 和第二弹性材料部件 130” 可以由不同的材料形成， 或者由相同的材料形 成。第一弹性材料部件 130” 和第二弹性材料部件 130” 的实例与以上描述的相同， 从而省 略其描述。 0042 参考图 5E， 可以在第一基板 110 的一侧设置覆盖膜 140。覆盖膜 140 可以通过粘 说 明 书 CN 102653144 A 7 5。
28、/6 页 8 合剂 ( 未图示 ) 粘附到第一弹性材料部件 130， 并且在要使用缓冲基板时可以去除覆盖膜 140。 0043 图6A至6D示出采用根据本发明的实施例的缓冲基板和缓冲片模制半导体封装件 的方法的截面图。以下， 将参考图 6A 至 6D 描述本发明， 但是与以上描述重复的内容在这里 将被省略或者简洁说明。 0044 参考图 6A， 从缓冲片 200 去除保护膜 ( 未图示 )， 可朝向封装基板 300 的球焊盘压 缩第二弹性材料部件 220。封装基板 300 可以包括基板核心 310， 球焊盘 320， 阻焊剂 330 和 电路图案。这里， 球焊盘 320 的厚度可以小于阻焊剂 。
29、330 的厚度， 使得球焊盘 320 和阻焊剂 330 形成台阶结构。图 6A 所示的封装基板的结构仅仅是一个示例， 本发明中可以使用结构 不同于图 6A 示出的结构的封装基板。而且， 可以用印刷电路板 (PCB) 替代封装基板。可替 换地， 可以使用包括具有台阶结构的球焊盘的其他结构替代封装基板。 0045 缓冲片 200 可以用任意方法压缩。例如， 如图 6A 中所示， 可以采用滚轴 (R) 执行 层压方法进行压缩， 但也可以使用其他方法。 0046 图 6B 示出朝向封装基板压缩的缓冲片。如图 6B 所示， 由于缓冲片 200 被压缩， 第 二弹性材料部件 220 和柔性膜 210 可变。
30、形。换句话说， 第二弹性材料部件 220 与封装基板 300 的球焊盘 320 和阻焊剂 330 之间的间隔对应的部分被压缩力向上推到该间隔中以形成 突起 (P)， 并且， 第二弹性材料部件 220 和柔性膜 210 与球焊盘 320 的位置对应的部分也可 被向上推向球焊盘 320， 从而形成弯曲部分 (Q)。 0047 图 6C 是示出设置在缓冲片上的缓冲基板的截面图。在去除覆盖膜 140 之后， 包括 第一基板110、 第二基板120和第一弹性材料部件130的缓冲基板100可以设置在缓冲片下 方， 使得缓冲基板 100 的通孔 (H) 定位为对应球焊盘 320。因此， 缓冲片 200 可主。
31、要用于减 小 / 最小化封装基板的球焊盘的变形， 并且缓冲基板可用于支持缓冲片的此功能。 0048 图 6D 是示出设置缓冲片和缓冲基板之后执行封装模制时缓冲片和缓冲基板的功 能和效果的截面图。在图 6D 中， 模制压力产生的力由交替的长短虚线箭头表示， 缓冲片对 抗模制压力的力由实线箭头表示， 而缓冲基板对抗模制压力的力由虚线箭头表示。 0049 如图 6D 所示， 突起的阻焊剂 330 比球焊盘 320 受到更大的由塑膜压力产生的力， 因此具有柔性和弹性的第二弹性材料部件 220 受到水平方向的力， 由此， 第二弹性材料部 件 220 被向上推到球焊盘 320 与阻焊剂 330 之间的间隔。
32、中。另外， 力可以施加使得设置在 球焊盘 320 下方的第二弹性材料部件 220 减小 / 最小化球焊盘 320 的变形。而且， 设置在 第二弹性材料部件 220 下方的缓冲基板可以减小 / 最小化球焊盘 320 的变形。 0050 图 7 是示出设置缓冲基板之后实施封装模制工艺的截面图。可以单独使用缓冲基 板 100 实施半导体封装模制工艺。换句话说， 可以在缓冲基板设置为使得缓冲基板 100 中 的通孔 (H) 定位在对应球焊盘 320 的位置之后， 执行半导体封装模制工艺。在放置工艺中， 可以不在缓冲基板 100 上施加压力。当在模制工艺期间施加模制压力时， 第一弹性材料部 件 130 。
33、对应于封装基板 330 的球焊盘 320 和阻焊剂 330 之间的间隔的部分被压力向上推到 该间隔中以形成突起(P)， 并且第一弹性材料部件130和第二基板120对应于球焊盘320的 位置的部分可被向上推向球焊盘 320 以形成弯曲部分 ( 未图示 )。 0051 如上所述， 根据本发明的实施例的缓冲基板 100 可以单独使用或者与缓冲片 200 一起使用。在本发明的一些实施例中， 缓冲基板 100 可以指附着到其上的缓冲片 200。尽管 说 明 书 CN 102653144 A 8 6/6 页 9 以上描述了缓冲基板可以单独或者与缓冲片一起使用， 以减小 / 最小化半导体封装模制期 间球焊盘。
34、的变形， 但是除了半导体封装模制工艺之外， 缓冲基板和缓冲片还可以用于在各 种应用中减小 / 最小化结构的变形。 0052 如上所述， 本发明的缓冲基板和缓冲片在半导体封装模制期间可以减小 / 最小化 的球焊盘变形和污染， 由此提高半导体封装的制造产量。 0053 以上公开的本发明的实施例仅用于说明目的。 本领域的技术人员应理解在不偏离 随附的权利要求揭示的本发明的范围和精神的情况下， 各种变型、 添加和替代是可能的。 0054 本 申 请 要 求 2011 年 2 月 15 日 向 韩 国 知 识 产 权 局 提 交 的 韩 国 申 请 第 10-2011-0013479 号的优先权， 其全部内容引用结合于此。 说 明 书 CN 102653144 A 9 1/4 页 10 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 102653144 A 10 2/4 页 11 图 3 图 4 图 5A 图 5B 说 明 书 附 图 CN 102653144 A 11 3/4 页 12 图 5C 图 5D 图 5E 图 6A 说 明 书 附 图 CN 102653144 A 12 4/4 页 13 图 6B 图 6C 图 6D 图 7 说 明 书 附 图 CN 102653144 A 13 。