液晶显示设备及其制造方法.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 103163703 A (43)申请公布日 2013.06.19 CN 103163703 A *CN103163703A* (21)申请号 201210539133.7 (22)申请日 2012.12.13 10-2011-0134787 2011.12.14 KR G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1368(2006.01) G02F 1/1333(2006.01) H01L 21/77(2006.01) (71)申请人 乐金显示有限公司 地址 韩国首尔 (72)发明人 张勋 梁埈荣 (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11。

2、127 代理人 吕俊刚 刘久亮 (54) 发明名称 液晶显示设备及其制造方法 (57) 摘要 本发明公开能提高开口率和透过率的液晶显 示设备及其制造方法。液晶显示设备包括 ： 第一 基板和第二基板 ； 形成在第一基板上的多条选通 线， 各选通线具有第一区域和第二区域， 第二区 域的宽度小于第一区域的宽度 ； 多条数据线， 它 们布置为与选通线垂直以限定多个像素区域 ； 形 成在选通线的第一区域上的薄膜晶体管 TFT ； 形 成在第一基板上且形成电场的公共电极和像素电 极 ； 形成在第二基板上的黑底和滤色器层 ； 及形 成在第一基板和第二基板之间的液晶层， 其中选 通线的第一区域和第二区域沿选通。

3、线的延伸方向 和数据线的延伸方向交替布置， 且其中两个 TFT 形成在与像素区域对应的选通线的第一区域上， 两个 TFT 分别连接到基于选通线彼此相邻的两个 像素区域的像素电极。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 9 页 附图 14 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书9页 附图14页 (10)申请公布号 CN 103163703 A CN 103163703 A *CN103163703A* 1/2 页 2 1. 一种液晶显示设备， 该液晶显示设备包括 ： 第一基板和第二基板 ； 形成在所述第一基板上的多。

4、条选通线， 各条选通线具有第一区域和第二区域， 所述第 二区域的宽度小于所述第一区域的宽度 ； 多条数据线， 所述多条数据线被布置为与所述选通线垂直以限定多个像素区域 ； 形成在所述选通线的所述第一区域上的薄膜晶体管 ； 形成在所述第一基板上并形成电场的公共电极和像素电极 ； 形成在所述第二基板上的黑底和滤色器层 ； 以及 形成在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层， 其中所述选通线的所述第一区域和所述第二区域沿所述选通线的延伸方向并沿所述 数据线的延伸方向交替布置， 并且 其中在所述选通线的所述第一区域上与所述像素区域相对应地形成有两个薄膜晶体 管， 所述两个薄膜晶体管分别连接到基于所述选。

5、通线彼此相邻的两个像素区域的像素电 极。 2. 根据权利要求 1 所述的液晶显示设备， 其中所述薄膜晶体管包括 ： 栅绝缘层， 其形成在形成有所述选通线的所述基板上 ； 半导体层， 其形成在所述栅绝缘层上且位于所述选通线的所述第一区域的上方 ； 漏极， 其形成在所述半导体层上 ； 以及 钝化层， 其形成在所述漏极上， 其中所述半导体层从所述数据线的下部延伸到所述漏极的下部以形成沟道层， 并且所 述数据线的一部分用作源极。 3. 根据权利要求 2 所述的液晶显示设备， 其中形成在像素区域中的单条选通线上的两 个薄膜晶体管的漏极与对应像素的数据线和相邻像素的数据线平行布置， 由此面对所述数 据线。。

6、 4. 根据权利要求 1 所述的液晶显示设备， 其中与所述选通线的所述第一区域相对应的 像素区域的面积小于与所述第二区域相对应的像素区域的面积。 5. 根据权利要求 3 所述的液晶显示设备， 其中所述数据线的与所述源极相对应的区域 沿所述选通线的延伸方向突起而远离所述漏极。 6. 根据权利要求 1 所述的液晶显示设备， 其中所述像素电极以虚设图案形式形成在栅 绝缘层上， 并且所述公共电极形成在钝化层上， 使得形成沿所述数据线的延伸方向延伸的 多个狭缝。 7. 根据权利要求 1 所述的液晶显示设备， 其中所述像素电极形成在钝化层上以形成多 个狭缝， 并且所述公共电极以虚设图案形式形成在所述第一基。

7、板上。 8. 根据权利要求 1 所述的液晶显示设备， 其中所述像素电极和所述公共电极以带状彼 此平行布置。 9. 一种用于制造液晶显示设备的方法， 该方法包括以下步骤 ： 提供第一基板和第二基板 ； 在所述第一基板上形成多条选通线， 各条选通线包括彼此交替布置的第一区域和第二 区域， 所述第二区域的宽度小于所述第一区域的宽度 ； 权 利 要 求 书 CN 103163703 A 2 2/2 页 3 在形成有所述选通线的所述第一基板上形成栅绝缘层 ； 在所述栅绝缘层上且在所述选通线的所述第一区域的上方形成两个半导体层 ； 在所述半导体层上形成数据线和漏极， 所述数据线与所述选通线垂直以限定多个像。

8、素 区域， 所述漏极面对所述数据线的一部分 ； 在形成有所述漏极的所述第一基板上形成钝化层 ； 与所述第一基板的所述选通线和所述数据线相对应地在所述第二基板上形成黑底和 滤色器层 ； 以及 将所述第一基板和所述第二基板彼此附接起来， 并且在所述第一基板与所述第二基板 之间形成液晶层。 10. 根据权利要求 9 所述的方法， 该方法还包括在各像素区域中形成像素电极和公共 电极的步骤。 11. 根据权利要求 9 所述的方法， 其中在像素区域中形成像素电极和公共电极的步骤 包括 ： 在所述像素区域中的所述栅绝缘层上以虚设图案形式形成像素电极 ； 以及 在所述像素区域中的所述钝化层上形成公共电极， 所。

9、述公共电极处形成有多个狭缝。 12. 根据权利要求 9 所述的方法， 其中在像素区域中形成像素电极和公共电极的步骤 包括 ： 在所述像素区域中的所述第一基板上以虚设图案形式形成公共电极 ； 以及 在所述像素区域中的所述钝化层上形成具有多个狭缝的像素电极。 13. 根据权利要求 9 所述的方法， 其中在像素区域中形成像素电极和公共电极的步骤 还包括在所述像素区域中的所述钝化层上形成彼此平行的多个公共电极和多个像素电极。 权 利 要 求 书 CN 103163703 A 3 1/9 页 4 液晶显示设备及其制造方法 技术领域 0001 本公开涉及液晶显示 （LCD） 设备及其制造方法， 更具体地，。

10、 涉及能够提高开口率和 透过率的 LCD 设备及其制造方法。 背景技术 0002 近来， 随着对信息显示的高度关注， 对于便携式信息介质的需求增加， 替代常规显 示设备 （阴极射线管 （CRT） ） 的轻、 薄且小的平板显示 （FPD） 设备正在受到公众的关注。正在 积极地进行对 FPD 及其市场化的研究。在这样的 FPD 设备中， 由于其优良的分辨率、 出众的 彩色显示、 较好的图像质量等， 利用液晶的光学各向异性来显示图像的液晶显示 （LCD） 设备 广泛地应用于笔记本计算机、 台式监视器等。 0003 LCD 设备主要由滤色器基板、 阵列基板以及形成在滤色器基板与阵列基板之间的 液晶层组。

11、成。 0004 作为 LCD 设备的代表性驱动方法， 有源矩阵 （AM） 方法是一种通过利用非晶硅薄膜 晶体管 （a-Si TFT） 作为开关器件来驱动像素区域的液晶的方法。 0005 此后， 将参照图 1 更详细地解释常规 LCD 设备的结构。 0006 图 1 是示意性地示出根据相关技术的液晶显示 （LCD） 设备的结构的分解立体图。 0007 如图所示， LCD 设备主要由滤色器基板 5、 阵列基板 10 以及形成在滤色器基板 5 和 阵列基板 10 之间的液晶 （LC） 层 30 组成。 0008 滤色器基板 5 包括由用于实现红色、 绿色和蓝色 （RGB） 的多个子滤色器 7 组成的。

12、 滤色器 （C） ； 用于使子滤色器 7 彼此分离并且阻挡穿过 LC 层 30 的光的黑底 6 ； 以及用于向 于 LC 层 30 施加电压的透明公共电极 8。 0009 阵列基板 10 包括通过彼此交叉而限定多个像素区域 （P） 的多条选通线 16 和数据 线 17 ； 形成在选通线 16 与数据线 17 之间的交叉点处的薄膜晶体管 （TFT） ； 以及形成在像素 区域 （P） 上的像素电极 18。 0010 滤色器基板5和阵列基板10布置为彼此面对， 并且借助于形成在图像显示区域的 外周边处的密封剂 （未示出） 而彼此附接， 从而实现 LCD 面板。滤色器基板 5 和阵列基板 10 通过形。

13、成在滤色器基板 5 或阵列基板 10 处的键合键 （未示出） 而彼此附接。 0011 作为用于 LCD 设备的常见驱动方法， 存在一种用于沿与基板垂直的方向驱动向列 相 LC 分子的扭曲向列 （TN） 方法。但是， TN 方法具有的缺点在于视角窄 （例如， 大约 90） ， 这是 LC 分子的折射各向异性造成的。更具体地， 视角窄的原因是因为当电压施加到 LCD 面 板时， 沿相对于基板的水平方向定向的 LC 分子沿与基板垂直的方向定向。 0012 为了解决这样的问题， 已经提出了一种通过沿相对于基板的水平方向驱动 LC 分 子以将视角提高到 170或更高的边缘场开关 （FFS） 模式 LCD。

14、 设备。将更详细地解释这种 方法。 0013 图 2 是示出根据相关技术的 FFS 模式 LCD 设备的结构的平面图。 0014 如图2所示， 在常规FFS模式LCD设备10中， 多条选通线16和数据线17沿水平方 说 明 书 CN 103163703 A 4 2/9 页 5 向和垂直方向 （即， 它们彼此交叉） 形成在透明基板 （阵列基板） 上， 从而限定多个像素区域。 薄膜晶体管 （TFT） 20（即， 开关器件） 形成在选通线 16 与数据线 17 之间的各交叉点处。通 常， 形成 N 条选通线 16， 并且形成 M 条数据线 17， 从而形成 NM 个像素区域。但是， 为了方便起见， 。

15、附图中示出单个像素区域。 0015 TFT 20 包括连接到选通线 16 的栅极 21、 连接到数据线 17 的源极 22 和连接到像 素电极 18 的漏极 23。 0016 而且， TFT 20 包括用于使栅极 21 与源极 22/ 漏极 23 彼此绝缘的栅绝缘层 （未示 出） 以及用于利用提供给栅极 21 的栅电压形成源极 22 与漏极 23 之间的导电沟道的半导体 层 25（即， 有源图案） 。 0017 在像素区域中， 形成盒形的公共电极8和像素电极18。 公共电极18中包括多个狭 缝 8s， 以与像素电极 18 一起生成边缘场。 0018 公共电极 8 通过绝缘层 （未示出） 的接触。

16、孔 40 电连接至与选通线 16 平行布置的公 共线 81。 0019 在 FFS 模式 LCD 设备中， 当扫描信号通过选通线 16 施加到 TFT 20 的栅极 21 时， TFT 20的半导体层25被激活， 从而形成导电沟道。 同时， 输入到数据线17的图像信号经由 TFT 20 的源极 22 和漏极 23 输入到像素电极 18。结果， 在公共电极 8 和像素电极 18 之间 形成电场， 使得实现了图像。 0020 但是， 常规 FFS 模式 LCD 设备存在以下问题。 0021 如图 2 所示， TFT 20 形成在各像素区域处， 而公共电极 8 和像素电极 18 未形成在 形成有 T。

17、FT 20 的区域。形成有 TFT 20、 选通线 16 和数据线 17 的区域是未实现图像的非显 示区域。光可能漏到非显示区域， 因而可能降低图像质量。因此， 非显示区域应当被由黑色 树脂等形成的黑底 42 遮住， 使得可以防止透光。 0022 TFT 20占据像素的大部分下部区域。 即， 布置在与像素的TFT 20相邻的相应像素 的图像显示区域处的区域 （A） 具有比 TFT 20 小的面积。公共电极 8 和像素电极 18 形成在 区域 A 处。但是， 当考虑到形成 LCD 设备的 TFT 时的加工边缘或 TFT 阵列基板与滤色器基 板之间的附接边缘时， 区域 A 就不是图像显示区域。因此。

18、， 黑底 42 完全形成在像素的下部 区域上， 以覆盖区域 A。 0023 在常规 LCD 设备中， 形成有 TFT 20 的像素的下部区域是防止透光的非显示区域。 这可能造成 LCD 设备的开口率和透过率降低。 发明内容 0024 因此， 详细描述的一个方面提供一种能够通过允许两个相邻的像素共享单条选通 线来提高开口率和透过率的液晶显示 （LCD） 设备及其制造方法。 0025 为了实现这些和其他优点， 按照本发明的目的， 如在本文中具体实施和广义描述 的， 提供了一种液晶显示 （LCD） 设备， 该液晶显示设备包括 ： 第一基板和第二基板 ； 形成在 所述第一基板上的多条选通线， 各条选通。

19、线具有第一区域和第二区域， 所述第二区域的宽 度小于所述第一区域的宽度 ； 多条数据线， 所述多条数据线布置为与所述选通线垂直以限 定多个像素区域 ； 形成在所述选通线的所述第一区域上的薄膜晶体管 （TFT） ； 形成在所述第 一基板上并形成电场的公共电极和像素电极 ； 形成在所述第二基板上的黑底和滤色器层 ； 说 明 书 CN 103163703 A 5 3/9 页 6 以及形成在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶 （LC） 层， 其中所述选通线的所述第 一区域和所述第二区域沿所述选通线的延伸方向并沿所述数据线的延伸方向交替布置， 并 且其中在所述选通线的与所述像素区域相对应的所述第一区域。

20、上形成两个 TFT， 所述两个 TFT 分别连接到基于所述选通线彼此相邻的两个像素区域的像素电极。 0026 形成在像素区域中的单条选通线上的两个 TFT 的漏极可以与相对应的像素的数 据线和相邻像素的数据线平行布置， 由此面对所述数据线。与所述选通线的所述第一区域 相对应的像素区域的面积可以小于与所述第二区域相对应的像素区域的面积。 所述像素电 极可以以虚设图案的方式形成在栅绝缘层上， 并且所述公共电极可以形成在钝化层上， 使 得形成沿所述数据线的延伸方向延伸的多个狭缝。 0027 为了实现这些和其他优点， 按照本发明的目的， 如在本文中具体实施和广义描述 的， 提供了一种用于制造液晶显示 。

21、（LCD） 设备的方法， 该方法包括以下步骤 ： 提供第一基板 和第二基板 ； 在所述第一基板上形成多条选通线， 各条选通线包括彼此交替布置的第一区 域和第二区域， 所述第二区域的宽度小于所述第一区域的宽度 ； 在形成有所述选通线的所 述第一基板上形成栅绝缘层 ； 在所述栅绝缘层上且所述选通线的所述第一区域的上方形成 两个半导体层 ； 在所述半导体层上形成数据线和漏极， 所述数据线与所述选通线垂直以限 定多个像素区域， 所述漏极面对所述数据线的一部分 ； 在形成有所述漏极的所述第一基板 上形成钝化层 ； 与所述第一基板的所述选通线和所述数据线相对应地在所述第二基板上形 成黑底和滤色器层 ； 以。

22、及将所述第一基板和所述第二基板彼此附接到一起， 并且在所述第 一基板与所述第二基板之间形成液晶层。 0028 根据此后给出的详细描述， 本申请进一步的适用范围将变得更加显而易见。 但是， 应当理解的是， 由于根据详细描述， 本发明的精神和范围之内的各种改变和修改对于本领 域技术人员来说将是显而易见的， 所以仅以例示的方式给出详细描述和表示本发明的优选 实施方式的特定示例。 附图说明 0029 附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进一步理解， 并结合到本说明书中且 构成本说明书的一部分， 附图示出了本发明的实施方式， 且与说明书一起用于解释本发明 的原理。 0030 附图中 ： 0031 图 。

23、1 是示出根据相关技术的液晶显示 （LCD） 设备的结构的图 ； 0032 图 2 是示出根据相关技术的液晶显示 （LCD） 设备的结构的平面图 ； 0033 图 3A 是示出根据本发明的一实施方式的液晶显示 （LCD） 设备的结构的图 ； 0034 图 3B 是沿图 3A 中的 I-I 线取得的截面图 ； 0035 图 4 是示出根据本发明实施方式的液晶显示 （LCD） 设备的另一结构的截面图 ； 0036 图 5A 至图 5E 是示出根据本发明实施方式的制造 LCD 设备的方法的截面图 ； 0037 图 6A 至图 6E 是示出根据本发明实施方式的制造 LCD 设备的方法的截面图 ； 00。

24、38 图 7 是示出根据本发明另一实施方式的液晶显示 （LCD） 设备的结构的图 ； 0039 图 8A 是示出根据本发明另一实施方式的液晶显示 （LCD） 设备的结构的截面图 ； 以 及 说 明 书 CN 103163703 A 6 4/9 页 7 0040 图 8B 是沿图 8A 中的 II-II 线取得的截面图。 具体实施方式 0041 现在将参照附图详细给出示例性实施方式的描述。为了参照附图进行简要描述， 对相同或等同的组件将使用相同的附图标记， 并且将不重复对相同或等同组件的描述。 0042 此后， 将参照附图更详细地解释本发明。 0043 图 3A 和图 3B 是示出根据本发明的液。

25、晶显示 （LCD） 设备的结构的图。更具体地， 图 3A 示出了两个相邻的像素， 而作为沿图 3A 中的 I-I 线取得的截面图， 图 3B 示出了单个 像素的结构。 0044 如图 3A 所示， 根据本发明的 LCD 设备包括限定多个像素区域的多条选通线 116 和 数据线 117， 并且包括形成在像素区域处的薄膜晶体管 （TFT） 120。总体上， 在 LCD 设备处形 成多个像素区域。但是， 为了方便起见， 图中仅示出基于数据线 117 左右彼此相邻的两个像 素区域。 0045 TFT 120 形成在选通线 116 上。即， 选通线 116 的区域 121 用作栅极， 并且在区域 121。

26、 上形成半导体层 125。在本发明中， 数据线 117 的区域 122 用作源极。即， 在常规技术 中， TFT 被形成为栅极从选通线突起而源极从数据线突起。但是， 在本发明中， 部分选通线 和部分数据线用作栅极和源极， 而没有栅极和源极的突起结构。 0046 漏极 123 被形成为与选通线 116 交叉。漏极 123 以恒定间隔面对数据线 117 的源 极区域 122， 并且半导体层 125 形成在漏极 123 下面。由于半导体层 125 从漏极 123 的下部 延伸直到漏极123和数据线117的源极区域122， 所以漏极123和源极区域122上的半导体 层 125 变为沟道层。 0047 。

27、选通线 116 分为两个区域。如图所示， 选通线 116 被分成具有相对较大宽度 （a1） 的第一区域 116a 和具有相对较小宽度 （a2） 的第二区域 116b。第一区域 116a 和第二区域 116b 沿选通线 116 的延伸方向 （即， 水平方向） 交替形成。即， 选通线 116 沿选通线 116 的 延伸方向和数据线 117 的延伸方向按照 Z 字形形成。 0048 第一区域 116a 和第二区域 116b 中的每一个区域与单个像素相对应。即， 如果与 一个像素相对应的选通线 116 具有大宽度的第一区域 116a， 则与另一个像素相对应的选通 线 116 具有小宽度的第二区域 11。

28、6b。这里， 所述另一个像素沿选通线 116 的延伸方向和数 据线 117 的延伸方向与所述一个像素相邻。 0049 TFT 120 形成在选通线 116 的第一区域 116a 处。在与一个像素相对应的选通线 116 的第一区域 116a 上， 形成两个 TFT120。这里， 一个 TFT 连接到相对应的像素， 而另一个 TFT连接到在数据线117的延伸方向上的相邻像素。 在本发明中， 沿上下方向彼此相邻的两 个像素共享具有大宽度的选通线 116 的第一区域 116a。 0050 选通线116分为具有较大宽度的第一区域116a和具有较小宽度的第二区域116b。 并且， 在第一区域116a处形成。

29、用于向在数据线117的延伸方向上彼此相邻的两个像素施加 信号的两个 TFT 120， 使得两个相邻像素可以共享单条选通线 116。由于以下原因， 本发明 具有这样的构造。 0051 如上所述， 在常规 LCD 设备中的各像素处形成单个 TFT。TFT 形成在各像素的下部 区域处， 并且占据大部分下部区域。即， 一个像素的 TFT 120 与相邻像素的数据线 117 之间 说 明 书 CN 103163703 A 7 5/9 页 8 的区域小于 TFT 120 的区域。当考虑到形成 LCD 设备的 TFT 时的加工边缘、 或 TFT 阵列基 板与滤色器基板之间的附接边缘时， 所述区域与未实现图像。

30、的盲区相对应。 因此， 黑底覆盖 到所述区域。 0052 在本发明中， 相邻像素的 TFT 形成在盲区处， 从而将盲区变为 TFT 形成区域。即， 由于相邻像素的 TFT 形成在相对应像素的盲区处， 所以形成相邻像素的 TFT 的区域和盲区 被改变为用于显示图像的显示区域。这可以提高开口率和透过率。 0053 如图所示， 形成有 TFT 120 的选通线 116 的第一区域 116a 的宽度 （a1） 与 TFT 形成 区域的宽度和被图2中所示的常规LCD设备中的黑底覆盖的盲区的宽度相似。 另一方面， 选 通线 116 的第二区域 116b 的宽度 （a2） 比第一区域 116a 的宽度 （a。

31、1） 小得多。与宽度 （a2） 相对应的区域用作显示区域。由于与第二区域 116b 相对应的像素的图像显示区域比像素 的常规图像显示区域大得多， 所以提高了开口率和透过率。 0054 在本发明中， 选通线 116 的第一区域 116a 和第二区域 116b 沿选通线 116 的延伸 方向和数据线 117 的延伸方向交替形成。因此， 具有较小显示区域的像素和具有较大显示 区域的像素沿选通线 116 的延伸方向和数据线 117 的延伸方向交替形成。并且， 与整个像 素的一半相对应的显示区域的面积比常规显示区域的面积宽。 这可以大大提高开口率和透 过率。 0055 如图 3A 所示， 在各像素中形成。

32、像素电极 118 和公共电极 108。像素电极 118 和公 共电极 108 各以四边形形状形成在像素中。当去除部分公共电极 108 时， 沿数据线 117 的 方向在公共电极 108 处形成多个恒定宽度的带状狭缝 108s。 0056 在附图中， 为了方便起见， 像素电极 118 和公共电极 108 具有不同面积。但是， 像 素电极 118 和公共电极 108 可以被形成为具有相同面积。 0057 在 LCD 设备中， 形成用于遮住非显示区域的黑底 142， 以覆盖选通线 116 和数据线 117。在该情况下， 覆盖选通线 116 的第一区域 116a 的黑底 142 具有相对较大宽度， 而。

33、覆盖 选通线 116 的第二区域 116b 的黑底 142 具有相对较小宽度。结果， 与第二区域 116b 相对 应的像素的图像显示区域的面积远比常规图像显示区域的面积大得多。 0058 将参照图 3B 更详细地解释本发明的 LCD 设备。 0059 如图3B所示， 在由诸如玻璃等的透明材料形成的第一基板130上形成栅极121， 并 且在具有栅极 121 的第一基板 130 上形成栅绝缘层 132。尽管未示出， 栅极 121 形成在第一 基板 130 上作为选通线的一部分。 0060 半导体层 125 形成在栅绝缘层 132 上。半导体层 125 是由诸如非晶硅 （a-Si） 等 的半导体材料。

34、形成的有源图案， 在信号被施加于栅极 121 时， 该有源图案中具有导电沟道。 半导体层 125 沿选通线 116 的第一区域 116a 形成。 0061 源极 122 和漏极 123 形成在半导体层 125 上。源极 122 形成为数据线 117 的一部 分， 并且漏极 123 形成为与数据线 117 平行地和选通线 116 的第一区域 116a 交叉。 0062 尽管未示出， 在半导体层 125 与源极 122/ 漏极 123 之间形成由包括杂质的半导体 材料形成的欧姆接触层， 欧姆接触层被构造为使半导体层 125 与源极 122/ 漏极 123 彼此欧 姆接触。 0063 像素电极 11。

35、8 在像素内部形成在栅绝缘层 132 上。像素电极 118 由诸如铟锡氧化 物 （ITO） 和铟锌氧化物 （IZO） 等的透明导电材料形成， 并且延伸到 TFT 的漏极 123 的上部， 说 明 书 CN 103163703 A 8 6/9 页 9 因而电连接到漏极 123。像素电极 118 形成在像素中， 以具有与像素大致相同的形状。 0064 在形成有源极 122 和漏极 123 的第一基板 130 上形成钝化层 134。并且， 在钝化层 134 上形成具有多个狭缝 108s 的公共电极 108。 0065 尽管未示出， 在栅绝缘层 132 和钝化层 132 处形成接触孔， 使得公共电极 。

36、108 可以 通过接触孔电连接到公共线 （未示出） 以向公共电极 108 施加公共电压。 0066 在由诸如玻璃等的透明材料形成的第二基板140上形成黑底142和滤色器层144。 黑底 142 沿选通线和数据线形成区域形成， 使得可以防止由于光透射到选通线和数据线形 成区域而使图像质量下降。由于选通线 116 按照具有大宽度的第一区域 116a 和具有小宽 度的第二区域 116b 彼此交替布置的方式形成， 所以沿选通线 116 形成的黑底 142 也按照具 有大宽度的区域和具有小宽度的区域彼此交替布置的方式形成。 0067 滤色器层 144 包括红 （R） 、 绿 （G） 和蓝 （B） 滤色器。

37、， 从而实现了丰富的颜色。尽管 未示出， 在滤色器层 144 上可以形成涂覆层。 0068 形成有TFT的第一基板130与形成有滤色器144的第二基板140被彼此附接起来， 并且在第一基板 130 和第二基板 140 之间形成 LC 层 150。结果， LCD 设备完成。 0069 公共电极 108 和像素电极 118 可以形成在不同的层上， 而不是某个层上。例如， 如 图 4 所示， 公共电极 108 可以按照与像素相同的形状形成在第一基板 130 上的像素区域中， 并且像素电极 118 可以形成在钝化层 134 上。这里， 像素电极 118 通过形成在钝化层 134 的接触孔而电连接到 T。

38、FT 的漏极 123。由于在像素电极 118 处形成沿数据线 117 的方向延 伸的带状的多个狭缝 118s， 所以在公共电极 108 与像素电极 118 之间形成电场。 0070 另选地， 公共电极 108 可以形成在栅绝缘层 132 上， 而像素电极 118 可以形成在钝 化层 134 上。 0071 在LCD设备中， 在公共电极108处沿数据线117的方向形成带状的多个狭缝108s， 而像素电极 118 形成为具有如像素那样的虚设图案。因此， 当信号施加于像素电极 118 时， 在公共电极 108 的狭缝 108s 与布置在其下面的像素电极 118 之间生成电场。电场形成在 像素电极 1。

39、18 表面上的公共电极 108 的狭缝 108s 的边缘之间， 并且电场具有从下侧到上侧 实现的抛物线形状。电场形成在 LC 层 150 上， 以与第一基板 130 和第二基板 140 的表面平 行。由于 LC 分子沿电场切换， 所以控制透过 LC 层 150 的光的透过率以实现图像。 0072 如图3A所示， 当扫描信号施加于选通线116时， 扫描信号施加于连接到选通线116 的 TFT， 从而使 TFT 导通。在本发明中， 在上下方向上彼此相邻的像素的 TFT 形成在单条选 通线116上， 并且这两个TFT分别连接到较高的像素的像素电极和较低的像素的像素电极。 因此， 扫描信号被施加于单条。

40、选通线 116， 并且连接到基于选通线 116 彼此相邻的较高的像 素和较低的像素的 TFT 同时被驱动。 0073 这里， 形成在单条选通线116处的两个TFT的源极被连接到不同的数据线117。 因 此， 即使在上下方向上彼此相邻的像素同时被相同的扫描信号驱动， 图像信号也是从不同 的数据线施加的。结果， 相邻像素不实现相同的图像。在本发明中， 两个相邻像素共享单条 选通线。 因此， 即使两个像素被同时驱动， 通过控制施加于相应像素的图像信号也可以实现 诸如行反转驱动和点反转驱动等的各种驱动。 0074 此后， 将更详细地解释根据本发明的制造 LCD 设备的方法。 0075 图 5A 至图 。

41、5E 是示出根据本发明实施方式的制造 LCD 设备的方法的截面图， 并且 说 明 书 CN 103163703 A 9 7/9 页 10 图 6A 至图 6E 是示出根据本发明实施方式的制造 LCD 设备的方法的截面图。 0076 如图 5A 和图 6A 所示， 通过溅射工艺在由诸如玻璃等的透明材料形成的第一基板 130 上沉积诸如 Cr、 Mo、 Ta、 Cu、 Ti、 Al 和 Al 合金的具有优秀导电性的不透明金属。然后， 通过光刻工艺来蚀刻不透明金属， 从而形成选通线116。 选通线116按照具有大宽度的第一 区域 116a 和具有小宽度的第二区域 116b 沿水平方向彼此交替布置的方。

42、式形成。而且， 选 通线 116 按照具有大宽度的第一区域 116a 和具有小宽度的第二区域 116b 沿竖直方向彼此 交替布置的方式形成。 0077 栅极 121 是选通线 116 的一部分。即使栅极 121 和选通线 116 具有相同的构造， 为了方便起见， 也将它们彼此区分开来。 0078 如图 5B 和图 6B 所示， 通过化学气相沉积 （CVD） 方法在形成有选通线 116 的第一 基板 130 上沉积诸如 SiOx 和 SiNx 等的无机绝缘材料， 从而形成栅绝缘层 132。然后， 通过 CVD 方法在栅绝缘层 132 上沉积诸如非晶硅 （a-Si） 等的半导体材料， 然后蚀刻该半。

43、导体材 料， 从而在栅绝缘层 132 上且选通线 116 的第一区域 116a 的上方形成半导体层 125。单个 第一区域 116a 设置有两个半导体层 125。 0079 如图 5C 和图 6C 所示， 通过溅射工艺在第一基板 130 上沉积诸如 Cr、 Mo、 Ta、 Cu、 Ti、 Al 和 Al 合金的具有优秀导电性的不透明金属。然后， 对不透明金属进行蚀刻， 从而形 成与选通线 116 垂直的数据线 117 以及面对数据线 117 的漏极 123。 0080 数据线117和漏极123形成在半导体层125上， 半导体层125上形成在选通线116 上。即， 从数据线 117 的下部到漏极。

44、 123 的下部， 形成半导体层 125。漏极 123 与数据线 117 平行地形成， 由此面对数据线 117 的预定区域。面对漏极 123 的数据线 117 的预定区域用 作 TFT 的源极 122。即， 即使源极 122 和数据线 117 具有相同的构造， 为了方便起见， 也将它 们彼此区分开来。 0081 从数据线 117 的下部延伸到漏极 123 的下部的半导体层 125 形成沟道区域。 0082 在由选通线 116 和数据线 117 限定的像素区域上沉积诸如铟锡氧化物 （ITO） 和 铟锌氧化物 （IZO） 等的透明导电材料， 然后对透明导电材料进行蚀刻， 从而形成像素电极 118。。

45、像素电极 118 延伸到 TFT 的漏极 123 的上部， 由此电连接到漏极 123。 0083 如图 5D 和图 6D 所示， 在第一基板 130 上沉积诸如苯并环丁烯 （BCB） 和感光亚克 力等的有机绝缘材料或诸如 SiOx 和 SiNx 等的无机绝缘材料， 从而形成钝化层 134。然后， 在钝化层 134 上沉积诸如 ITO 和 IZO 的具有优秀导电性的透明导电材料， 然后对该透明导 电材料进行蚀刻， 从而形成公共电极 108。在蚀刻透明导电材料时， 也蚀刻像素区域内部的 其他透明导电材料， 从而形成像素区域中的多个狭缝 108s。狭缝 108s 具有带状， 并且与数 据线 117 。

46、平行地形成。诸如 SiOx 和 SiNx 等的无机绝缘材料可以用作钝化层 204。 0084 尽管未示出， 在栅绝缘层和钝化层134上形成接触孔， 使得公共电极108可以通过 接触孔电连接到公共线。这里， 公共线用于向公共电极 108 施加公共电压， 并且可以与选通 线 116 同时形成。 0085 如图 5E 和图 6E 所示， 在由诸如玻璃等的透明材料形成的第二基板 140 上沉积诸 如Ar和ArOx等的不透明金属或黑色树脂， 然后对不透明金属或黑色树脂进行蚀刻， 从而形 成黑底 142。然后， 沉积 RGB 彩色墨或套色 （color register） 以对其构图， 从而形成滤色器 层。

47、 144。 说 明 书 CN 103163703 A 10 8/9 页 11 0086 接着， 将第一基板 130 和第二基板 140 附接起来， 并且在第一基板 130 与第二基板 140 之间布置 LC 层 150， 从而形成 LC 面板。 0087 图 7 是示出根据本发明另一实施方式的液晶显示 （LCD） 设备的结构的图。 0088 图 7 的 LCD 设备的结构与图 3A 中所示的 LCD 设备的结构相似， 因而将仅说明两者 之间的不同点。 0089 如图 7 所示， 在根据本发明另一实施方式的 LCD 设备中， 多条选通线 216 和数据线 217沿水平方向和竖直方向布置， 从而形。

48、成多个像素区域。 如果选通线216具有大宽度的第 一区域 216a 和小宽度的第二区域 216b， 则连接到较高的像素区域和较低的像素区域的两 个 TFT 220 形成在第一区域 216a 上。 0090 TFT 220 包括栅极 221 （选通线 216 的一部分） 、 形成在选通线 216 的第一区域 216a 处的半导体层 225、 源极 222（数据线 217 的一部分） 以及与数据线 217 平行地形成在选通 线 216 上的漏极 223。半导体层 225 从与源极 222 相对应的数据线 217 的下部延伸到漏极 223 的下部， 从而在选通线 216 上形成沟道层。 0091 选。

49、通线 216 之上的数据线 217 的区域形成为按恒定间隔从第一区域 216a 突起到 第二区域 216b 的突起区域。更具体地， 数据线 217 的与源极 222 相对应的区域具有按照预 定间隔的移动而实现的形状。突起区域形成在数据线 217 的一部分处的原因是为了通过获 得 TFT 220 的沟道层来防止 TFT 220 的性能下降。 0092 在本发明中， 形成两个 TFT 220， 并且两个漏极 223 被布置为分别面对不同的数据 线 217。通常， TFT 的尺寸占据大部分像素面积。由于根据当前趋势， LCD 设备的像素尺寸 减小， 所以被 TFT 占据的像素面积越来越大。因此， 漏极 223 与数据线 217（源极） 之间的 间隔 （即， 沟道长度） 应当具有预设的长度。这可导致 TFT 220 的性能下降。 0093 为了解决这样的问题， 在该实施方式中， 使数据线217的与源极。