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1、(10)申请公布号 CN 104124329 A (43)申请公布日 2014.10.29 CN 104124329 A (21)申请号 201410172042.3 (22)申请日 2014.04.25 102114988 2013.04.25 TW H01L 33/60(2010.01) (71)申请人 晶元光电股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 陈怡名 顾浩民 吕志强 徐子杰 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陈小雯 (54) 发明名称 发光二极管装置 (57) 摘要 本发明公开一种发光二极管装置， 包含 ： 一发 光叠层包含一第一型半导体层。
2、， 一第二型半导体 层， 及一活性层形在第一型半导体层与第二型半 导体层间且发出一光线 ； 以及一反射结构形成于 第一型半导体层上并具有一第一界面与一第二界 面 ； 其中， 光线于第一界面所产生的全反射角大 于光线于第二界面所产生的全反射角 ； 及其中， 反射结构与第一型半导体层于第一界面形成欧姆 接触。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 12 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书6页 附图12页 (10)申请公布号 CN 104124329 A CN 104124329 A 1/1 页 2 。
3、1. 一种发光二极管装置， 包含 ： 发光叠层， 包含第一型半导体层， 第二型半导体层， 及活性层形成在该第一型半导体层 与该第二型半导体层间且发出一光线 ； 以及 反射结构， 形成于该第一型半导体层上并具有第一界面与第二界面 ； 其中， 该光线于该第一界面所产生的全反射角大于该光线于该第二界面所产生的全反 射角 ； 以及 其中， 该反射结构与该第一型半导体层于该第一界面形成欧姆接触。 2. 如权利要求 1 所述的发光二极管装置， 其中， 该反射结构包含金属氧化物层及孔隙 ； 其中， 该第一界面形成于该金属氧化物层与该第一型半导体层间， 该第二界面形成于该孔 隙与该第一型半导体层之间。 3. 。
4、如权利要求 2 所述的发光二极管装置， 其中， 该反射结构包含金属层且该孔隙形成 在该金属氧化物层内且并未与该金属层接触。 4. 如权利要求 2 所述的发光二极管装置， 其中， 该孔隙包含空气、 氮气、 氦气或氩气。 5. 如权利要求 1 所述的发光二极管装置， 还包含结合层， 包覆该反射结构并与该第一 型半导体层相接触。 6. 如权利要求 5 所述的发光二极管装置， 其中， 该结合层与该第一型半导体层相接触 以具有第三界面， 该光线于该第三界面所产生的全反射角大于该光线于该第二界面所产生 的全反射角。 7. 如权利要求 1 所述的发光二极管装置， 其中， 该孔隙具有一小于的高度。 8. 如权。
5、利要求 1 所述的发光二极管装置， 还包含接触层， 形成于该反射结构与该第一 型半导体之间。 9. 如权利要求 8 所述的发光二极管装置， 其中， 该接触层与该第一型半导体层形成欧 姆接触。 10. 如权利要求 1 所述的发光二极管装置， 还包含电极， 形成于该第二型半导体层上， 该电极包含一电极垫及一电极延伸部， 该孔隙对应于该电极延伸部的位置并具有一大于该 电极延伸部的宽度。 权 利 要 求 书 CN 104124329 A 2 1/6 页 3 发光二极管装置 技术领域 0001 本发明涉及一种发光二极管装置， 更具体而言， 是关于一种具有孔隙的发光二极 管装置。 背景技术 0002 固态。
6、发光元件中的发光二极管元件(Light Emitting Diode ； LED)具有低耗电量、 低发热量、 操作寿命长、 耐撞击、 体积小、 反应速度快、 以及可发出稳定波长的色光等良好光 电特性， 因此常应用于家电、 仪表的指示灯及光电产品等领域。然而， 如何改善发光二极管 元件的发光效率在此领域中仍是一项很重要的议题。 0003 此外， 以上发光二极管元件可进一步结合一次载体 (sub-mount) 而形成一发光装 置， 例如发光二极管封装结构。 所述发光装置包含一具有至少一电路的次载体 ； 至少一焊料 (solder) 位于上述次载体上， 通过此焊料将上述发光二极管固定于次载体上并使发。
7、光二极 管的基板与次载体上的电路形成电连接 ； 以及， 一电连接结构， 以电连接发光二极管的电极 垫与次载体上的电路 ； 其中， 上述的次载体可以是导线架 (lead frame) 或大尺寸镶嵌基底 (mounting substrate)， 以方便发光装置的电路规划并提高其散热效果。 发明内容 0004 因此， 本发明的目的在于提供一种具有孔隙的发光二极管装置， 以解决上述问题。 0005 为达上述目的， 本发明的发光二极管装置， 包含 ： 一发光叠层包含一第一型半导体 层， 一第二型半导体层， 及一活性层形在第一型半导体层与第二型半导体层间且发出一光 线 ； 以及一反射结构形成于第一型半导。
8、体层上并具有一第一界面与一第二界面 ； 其中， 光 线于第一界面所产生的全反射角大于光线于第二界面所产生的全反射角 ； 及其中， 反射结 构与第一型半导体层于第一界面形成欧姆接触。 0006 为让本发明的上述和其他目的、 特征和优点能更明显易懂， 下文特举优选实施例， 并配合所附的附图， 作详细说明如下 附图说明 0007 图 1 为本发明的一实施例中一发光二极管装置的剖面图 ； 0008 图 2 为本发明的一实施例中发光二极管装置的上视图 ； 0009 图 3A- 图 3E 为本发明一实施例的制造发光二极管装置的流程剖面图 ； 0010 图 4A- 图 4H 为本发明另一实施例的制造发光二极。
9、管装置的流程剖面图 ； 0011 图 5A 及图 5B 为另一实施例中图案化牺牲层与透明导电层的上视图 ； 0012 图 6 为本发明的另一实施例中发光二极管装置的剖面图 ； 0013 图 7 为本发明的发光二极管装置应用于一灯泡的灯泡分解图。 0014 符号说明 0015 100、 200、 300 发光二极管装置 说 明 书 CN 104124329 A 3 2/6 页 4 0016 10 基板 0017 12 结合结构 0018 121 第一结合层 0019 122 第二结合层 0020 123 第三结合层 0021 14 反射结构 0022 141 金属层 0023 142 透明导电层。
10、 0024 143 孔隙 0025 144 第一界面 0026 145 第二界面 0027 146 第三界面 0028 147 接触层 0029 148 第四界面 0030 15 牺牲层 0031 151、 151、 151、 151 图案化牺牲层 0032 16 发光叠层 0033 161 第一型半导体层 0034 162 活性层 0035 163 第二型半导体层 0036 17 保护层 0037 18 第二电极 0038 180 电极垫 0039 181 第一延伸电极部 0040 182 第二延伸电极部 0041 183 第三延伸电极部 0042 19 第一电极 0043 20 成长基板 。
11、0044 21 灯罩 0045 22 透镜 0046 23 载体 0047 24 发光模块 0048 25 载板 0049 26 散热元件 0050 27 连接件 0051 28 电路单元 0052 30 灯泡 具体实施方式 说 明 书 CN 104124329 A 4 3/6 页 5 0053 以下实施例将伴随着附图说明本发明的概念， 在附图或说明中， 相似或相同的部 分使用相同的标号， 并且在附图中， 元件的形状或厚度可扩大或缩小。需特别注意的是， 图 中未绘示或描述的元件， 可以是熟悉此技术的人士所知的形式。 0054 图 1 为本发明的一实施例中一发光二极管装置 100 的剖面图。参照。
12、图 1， 发光二 极管装置 100 包含一基板 10， 一结合结构 12 形成在基板 10 上、 一反射结构 14 形成在结合 结构 12 上、 一发光叠层 16 形成在反射结构 14 上、 一第一电极 19 形成在基板 10 上及一第 二电极 18 形成在发光叠层 16 上。结合结构 12 包含一第一结合层 121、 一第二结合层 122、 及一第三结合层 123。反射结构 14 包含一金属层 141 形成在第一结合层 121 上、 一透明导 电层 142 形成在金属层 141 上、 及一孔隙 143 形成在透明导电层 142 与发光叠层 16 间。发 光叠层 16 包含一第一型半导体层 1。
13、61、 活性层 162 形成在第一型半导体层 161 上并发出一 光线， 及一第二型半导体层 163 形成在活性层 162 上。第一型半导体层 161 及第二型半导 体层 163 例如为包覆层 (cladding layer) 或限制层 (confinement layer)， 可分别提供电 子、 空穴， 使电子、 空穴于活性层 162 中结合以发光。在本实施例中， 第一型半导体层 161 与 透明导电层 142 直接接触以具有一第一界面 144， 及第一型半导体层 161 与孔隙 143 直接 接触以具有一第二界面 145。孔隙 143 形成在透明导电层 142 内并未与金属层 141 直接。
14、接 触。再者， 孔隙 143 的折射率小于透明导电层 142 的折射率， 即第一型半导体层 161 与透明 导电层 142 的折射率差小于第一型半导体层 161 与孔隙 143 的折射率差。因此， 当活性层 162 所发出的光线朝向反射结构 14 行进时， 于第一界面 144 所产生的全反射角大于光线于 第二界面145所产生的全反射角， 亦即， 光线于第二界面145发生全反射的机率大于第一界 面 144。此外， 第一型半导体层 161 与透明导电层 142 的第一界面 144 形成欧姆接触， 而第 一型半导体层 161 与孔隙 143 的第二界面 145 形成非欧姆接触。 0055 图 2 显。
15、示的本发明的发光二极管装置 100 的上视图。图 2 中沿着 AA 的剖面图显 示在图 1。在本实施例中， 第二电极 18 具有一电极垫 180 及多个第一电极延伸部 181、 多个 第二延伸部 182、 及多个第三延伸部 183。多个第一电极延伸部 181 由电极垫 180 沿着 X 方 向往发光二极管装置 100 的左右两侧延伸并排列成一直线 ； 多个第二延伸部 182 由电极垫 180 沿着 Y 方向往发光二极管装置 100 的上下两侧延伸并排列成一直线且与第一电极延伸 部 181 互相垂直 ； 第三电极延伸部 183 与第二延伸部 182 物理性连接以和电极垫 180 形成 电连接。 。
16、第三电极延伸部183平行于第一电极延伸部181， 且第一电极延伸部181位于多个 第三电极延伸部 183 之间且可与多个第三电极延伸部 183 相距相同或不同的距离。部分第 一电极延伸部 181 与第三电极延伸部 183 的下方形成有孔隙 143， 且孔隙 143 的宽度大于 第一电极延伸部 181 与第三电极延伸部 183 的宽度 (Y 方向 )。电极垫 180 下方以及部分 的第二延伸部 182 下方并未形成孔隙 143。孔隙 143 仅对应形成于电极延伸部 181、 183 的 位置且延伸至发光二极管装置 100 的两侧边。在本实施例中， 第一电极延伸部 181 靠近电 极垫 180 的。
17、下方并未形成孔隙 143。对应于第三电极延伸部 183 下方的孔隙 143 的长度 (X 方向 ) 大于第三电极延伸部 183 的长度。在另一实施例中， 电极延伸部的数目及排列方式， 可依实际需求作变化。 0056 在本实施例中， 第一型半导体层可为 p 型半导体层且第二型半导体层可为 n 型半 导体， 选择性第， 第一型半导体层可为 n 型半导体层且第二型半导体层可为 p 型半导体。 第一型半导体层及第二型半导体层且包含选自于 AlGaAs、 AlGaInP、 AlInP、 InGaP、 GaP、 及 说 明 书 CN 104124329 A 5 4/6 页 6 GaAs 所构成材料群组中的。
18、一种材料或 AlInGaN、 InGaN、 AlGaN 及 GaN 所构成材料群组中 的一种材料 ； p 型半导体的掺杂物包含镁、 铍、 锌、 碳、 或其组合 ； n 型半导体的掺杂物包含 硅、 磷、 砷、 锑或其组合。选择性地， 第一型半导体层可为 p 型半导体层且第二型半导体层 可为 n 型半导体。活性层可包含选自于 AlGaAs、 AlGaInP、 AlInP、 InGaP、 GaP、 及 GaAs 所 构成材料群组中的一种材料或 AlInGaN、 InGaN、 AlGaN 及 GaN 所构成材料群组中的一种 材料。活性层结构可为单异质结构 (single heterostructure。
19、 ； SH)、 双异质结构 (double heterostructure ； DH)、 双侧双异质结构(double-side double heterostructure ； DDH)、 或 多层量子阱 (multi-quantum well ； MQW)。基板则包含选自砷化镓 (GaAs)、 磷化镓 (GaP)、 锗(Ge)、 蓝宝石、 玻璃、 钻石、 碳化硅(SiC)、 硅、 氮化镓(GaN)、 及氧化锌(ZnO)所构成材料组 群中的至少一种材料或其它替代性材料取代之。金属层可为单层或多层结构， 包含银、 铝、 金、 镍或及其组合。 第一结合层、 一第二结合层、 及一第三结合层分别可为。
20、单层或多层， 且包 含金属或胶材。金属包含金、 铟、 锡、 钛、 铂、 铋或其组合。胶材包含苯环丁烯 (BCB)、 环氧树 脂 (Epoxy)、 聚二甲基硅氧烷 (PDMS)、 硅胶 (SiOx)、 氧化铝 (Al2O3)、 二氧化钛 (TiO2)、 氮化 硅 (SiNx)、 或其组合。透明导电层可包含金属氧化物， 例如氧化铟锡 (ITO)、 氧化铟 (InO)、 氧化锡(SnO)、 氧化镉锡(CTO)、 氧化锑锡(ATO)、 氧化铝锌(AZO)、 氧化锌锡(ZTO)、 氧化镓锌 (GZO)、 氧化锌 (ZnO)、 氧化铟镓 (IGO)、 氧化镓铝锌 (GAZO)、 氧化铟锌 (IZO)， 或。
21、包含磷化镓 (GaP)、 类钻碳薄膜 (DLC) 或上述材料的化合物。孔隙可包含空气、 氮气、 氦气、 或氩气。 0057 图 3A- 图 3E 为依本发明的一实施例制造发光二极管装置 100 的流程剖面图。参 照图3A， 提供成长基板20(例如 ： GaAs)， 及一发光叠层16外延形成于成长基板20上。 发光 叠层 16 依序包含第二型半导体层 163( 例如 ： AlGaInP)、 活性层 162( 例如 ： AlGaInP) 及第 一型半导体层 161( 例如 ： GaP)。参照图 3B， 形成一牺牲层 15( 例如 ： 二氧化硅 (SiO2) 于第 一型半导体层 161 上。在另一实。
22、施例， 牺牲层 15 也可包含光阻、 氮化硅 (SiNx) 或金属 ( 例 如 ： 镍 )。参照图 3C， 利用黄光制作工艺将牺牲层 15 图案化以形成一图案化牺牲层 151。形 成透明导电层 142( 例如 ： ITO) 于图案化牺牲层 151 与第一型半导体层 161 上， 以包覆图案 化牺牲层 151 于其内。参照图 3D， 形成金属层 141( 例如 ： 银 ) 于透明导电层 142 上 ； 第一 结合层 121 与第二结合层 122 形成于金属层 141 上 ； 及第三结合层 123 形成于基板 10( 例 如 ： 硅 ) 上。通过接合第二结合层 122 与第三结合层 123， 将基。
23、板 10 接合至金属层 141。在 另一实施例中， 第一结合层 121 包含多层 ( 例如 ： Ti/Pt/Au)。Ti 层可做为障蔽层 (barrier layer) 以防止金属层 141 的金属扩散至结合层 ； Pt 层可做为黏结层 (adhesion layer) 以 增加 Ti 层与 Au 层间的黏着力。参照图 3E， 利用蚀刻方式移除图案化牺牲层 151 以形成孔 隙143。 蚀刻方式可使用气相蚀刻或液相蚀刻 ； 气相蚀刻可包含气相氟化氢 ； 液相蚀刻可包 含氢氧化钠、 氟化氢、 氟化铵或其混和物。 在移除成长基板20以暴露出第二型半导体层163 之后， 分别形成第一电极 19 于基。
24、板 10 上， 第二电极 18 于第二型半导体层 163 上。第二电 极 18 包含电极垫 180 及延伸电极部 183。延伸电极部 183 对应于孔隙 143 位置。在另一 实施例中， 可先移除基板， 再进行蚀刻图案化牺牲层步骤。需注意的是， 当通过气相蚀刻方 式来蚀刻图案化牺牲层 151 时， 因气相蚀刻未包含液体 ( 例如 ： 水 )， 当图案化牺牲层 151 被移除时， 第一型半导体层 161 与透明导电层 142 并不因表面张力而互相黏结。由此， 图案 化牺牲层 151 与孔隙 143 实质上具有相同的形状。此外， 图案化牺牲层 151 可具有一小于 的高度， 亦即， 孔隙 143 。
25、也具有一小于的高度。 说 明 书 CN 104124329 A 6 5/6 页 7 0058 图4A-图4H为本发明的另一实施例中制造发光二极管装置200的流程剖面图。 发 光二极管装置 200 与发光二极管装置 100 结构类似， 其中相同的符号或是记号所对应的元 件、 装置或步骤， 为具有类似或是相同的元件、 装置或步骤。 参照图4A， 提供成长基板20(例 如 ： GaAs)， 及一发光叠层 16 外延形成于成长基板 20 上。发光叠层 16 依序包含第二型半 导体层 163( 例如 ： AlGaInP)、 活性层 162( 例如 ： AlGaInP) 及第一型半导体层 161( 例如 。
26、： GaP)。参照图 4B， 形成一牺牲层 15( 例如 ： 二氧化硅 (SiO2) 于第一型半导体层 161 上。参 照图 4C， 利用黄光制作工艺将牺牲层 15 图案化以形成一图案化牺牲层 151。形成透明导 电层 142( 例如 ： ITO) 于部分图案化牺牲层 151 与第一型半导体层 161 上， 且此透明导电 层 142 并未完全包覆图案化牺牲层 151 而暴露出部分图案化牺牲层 151。参照图 4D， 形 成金属层 141 于透明导电层 142 上。形成保护层 17 以覆盖透明导电层 142 及金属层 141 的侧壁及部分图案化牺牲层 151。参照图 4E， 利用气相蚀刻方式 (。
27、 例如 ： 气相氟化氢， HF) 移除图案化牺牲层 151 以形成孔隙 143。接着， 参照图 4F， 移除保护层 17 后， 形成第一结 合层 121 以覆盖透明导电层 142 及金属层 141 的侧壁， 由此， 孔隙 143 可形成并埋入于第一 结合层 121 内与透明导电层 142 之间。第一结合层 121 可为单层或多层。在一实施例中， 第一结合层 121 包含多层 ( 例如 ： Ti/Pt/Au)。Ti 层可做为障蔽层 (barrier layer) 以防 止金属层 141 的金属扩散至结合层 ； Pt 层可做为黏结层 (adhesion layer) 以增加 Ti 层与 Au 层间。
28、的黏着力。 0059 参照图4G， 通过第一结合层121、 第二结合层122、 第三结合层123以将基板10(例 如 ： 硅 ) 结合至发光叠层 16。参照图 4H， 移除成长基板 20 后， 分别形成第一电极 19 于基板 10 上、 第二电极 18 于第二型半导体层 163 上。在此实施例中， 第二电极 18 并未对应于孔隙 143 位置。第一型半导体层 161 与透明导电层 142 直接接触以具有一第一界面 144、 第一型 半导体层 161 与孔隙 143 直接接触以具有一第二界面 145 以及第一型半导体层 161 与第一 结合层 121 以具有一第三界面 146。孔隙 143 也未。
29、与金属层 141 直接接触。再者， 孔隙 143 的折射率小于透明导电层 142 与第一结合层 121 的折射率， 即第一型半导体层 161 与透明 导电层 142 的折射率差小于第一型半导体层 161 与孔隙 143 的折射率差， 以及第一型半导 体层 161 与第一结合层 121 的折射率差小于第一型半导体层 161 与孔隙 143 的折射率差。 因此， 当活性层 162 所发出的光线朝向反射结构 14 行进时， 光线于第一界面 144 与第三界 面146所产生的全反射角大于光线于第二界面145所产生的全反射角， 亦即， 光线于第二界 面 145 发生全反射的机率大于第一界面 144 与第。
30、三界面 146。需注意的是， 当活性层 162 所 发出的光线为蓝光 ( 波峰值约为 430nm-480nm) 时， 第一结合层 121 对于蓝光的折射率小于 透明导电层的折射率， 例如当第一结合层 121 为 Ti 或 Pt， 透明导电层为 ITO 时， 第一结合 层 121 的折射率约为 1.6-1.9， 透明导电层的折射率约为 2.0-2.3。亦即， 蓝光于第一界面 144 所产生的全反射角大于光线于第三界面 146 所产生的全反射角， 亦即， 光线于第三界面 146发生全反射的机率大于第一界面144。 当活性层162所发出的光线为红光(波峰值约为 630nm-670nm)时， 第一结合。
31、层121对于红光的折射率大于透明导电层的折射率142， 例如当 第一结合层 121 为 Ti 或 Pt， 透明导电层为 ITO 时， 第一结合层 121 的折射率约为 2.0-2.3， 透明导电层的折射率约为 1.7-1.9。红光于第三界面 146 所产生的全反射角大于光线于第 一界面144所产生的全反射角， 亦即， 光线于第一界面144发生全反射的机率大于第三界面 146。当活性层 162 所发出的光线为蓝光或红光时， 孔隙 143 的折射率都约略为 1。此外， 第 说 明 书 CN 104124329 A 7 6/6 页 8 一型半导体层 161 与透明导电层 142 的第一界面 144 。
32、形成欧姆接触 ； 第一型半导体层 161 与孔隙 143 的第二界面 144 形成非欧姆接触 ； 且第一型半导体层 161 与第一结合层 121 的 第三界面 146 形成非欧姆接触。 0060 图 5A 及图 5B 显示一实施例中的发光二极管装置的图案化牺牲层 151 与透明导 电层 142 的上视图。参照图 5A， 图案化牺牲层 151 包含多个长条状结构， 且透明导电层 142 形成于长条状结构上并覆盖部分的长条状结构。参照图 5B， 图案化牺牲层 151 包含 多个彼此垂直的长条状结构以形成网格状的结构。透明导电层 142 也形成于网格状的结构 上并覆盖部分网格状的结构。在一实施例中，。
33、 图案化牺牲层 151、 151 的表面积与第一 型半导体层 161 的表面积的面积比介于 10至 90、 或 50至 90。然， 图案化牺牲层 151、 151 的面积、 形状、 及数目， 可依实际需求作变化。透明导电层 142 的表面积与第 一型半导体层 161 的表面积的面积比介于 10至 90、 或 10至 50。需注意的是， 由上 述描述可知通过移除图案化牺牲层以形成孔隙， 因此孔隙具有与图案化牺牲层相同的形状 或结构。孔隙具有长条状结构或网状结构。 0061 图 6 显示本发明的另一实施例中一发光二极管装置 300 的剖面图。发光二极管装 置300与发光二极管装置200结构类似， 。
34、其中相同的符号或是记号所对应的元件、 装置或步 骤， 为具有类似或是相同的元件、 装置或步骤。在此实施例中， 发光二极管装置 300 还包含 接触层 147 形成于透明导电层 142 与第一型半导体 161 间以帮助电流分散。接触层 147 被 透明导电层142包覆或埋入于其内且并未与金属层141直接接触。 此外， 孔隙143形成于接 触层 147 与第一结合层 121 之间以及围绕接触层 147。第一型半导体层 161 与接触层 147 直接接触以具有一第四界面 148 并形成欧姆接触。接触层 147 可包含金属或合金。金属可 包含铜、 铝、 铟、 锡、 金、 铂、 锌、 银、 钛、 镍、 。
35、铅、 钯、 或铬 ； 合金可包含铍 - 金、 锗 - 金、 铬 - 金、 银 - 钛、 铜 - 锡、 铜 - 锌、 铜 - 镉、 锡 - 铅 - 锡、 锡 - 铅 - 锌、 镍 - 锡、 或镍 - 钴。 0062 图 7 为本发明的发光二极管装置应用于一灯泡的灯泡分解图。灯泡 30 包含一灯 罩21、 一透镜22、 一发光模块24、 一载板25、 一散热元件26、 一连接件27、 及一电路单元28。 发光模块 24 包含一载体 23 及多个发光装置。发光装置可为任何上述所提及的发光二极管 装置 (100、 200 或 300)。如图 7 所示， 例如， 12 个发光装置位于载体 23 上， 其。
36、中包含六个 红光发光装置及六个蓝光发光装置彼此交错排列且彼此电连接 ( 可为串联、 并联或桥式联 接 )。蓝光发光装置可包含一荧光粉置于其上以转换蓝光发光装置所发出的光。蓝光发光 装置所发出的光与转换的光混和以形成一白光， 并搭配红光发光装置后使灯泡 30 发出一 色温为 2400-3000K 的暖白光。 0063 本发明所列举的各实施例仅用以说明本发明， 并非用几限制本发明的范围。任何 人对本发明所作的任何显而易见的修饰或变更接不脱离本发明的精神与范围。 说 明 书 CN 104124329 A 8 1/12 页 9 图 1 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 9 2/12 页。
37、 10 图 2 图 3A 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 10 3/12 页 11 图 3B 图 3C 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 11 4/12 页 12 图 3D 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 12 5/12 页 13 图 3E 图 4A 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 13 6/12 页 14 图 4B 图 4C 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 14 7/12 页 15 图 4D 图 4E 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 15 8/12 页 16 图 4F 图 4G 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 16 9/12 页 17 图 4H 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 17 10/12 页 18 图 5A 图 5B 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 18 11/12 页 19 图 6 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 19 12/12 页 20 图 7 说 明 书 附 图 CN 104124329 A 20 。