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1、(10)申请公布号 CN 104112786 A (43)申请公布日 2014.10.22 CN 104112786 A (21)申请号 201410315452.9 (22)申请日 2014.07.03 201410162544.8 2014.04.22 CN H01L 31/072(2012.01) H01L 31/18(2006.01) (71)申请人 武汉鑫神光电科技有限公司 地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发 区武大园路 16 号 (72)发明人 李洪伟 陈冲 刘振樊 何舟 王敏 (74)专利代理机构 北京轻创知识产权代理有限 公司 11212 代理人 杨立 (54) 发。
2、明名称 一种铜铟硫 / 钙钛矿体异质结太阳能电池及 其制备方法 (57) 摘要 本发明涉及有机 - 无机杂化的钙钛矿材料为 基础的太阳能电池技术领域， 尤其涉及一种具有 铜铟硫 / 钙钛矿体异质结的太阳能电池及其制备 方法。 一种铜铟硫/钙钛矿体异质结太阳能电池， 包括 ITO 基底层、 所述 ITO 基底层上的 CuInS2层、 所述 CuInS2层上的纳米氧化铝 - 铜铟硫 - 钙钛矿 复合层、 以及所述纳米氧化铝-铜铟硫-钙钛矿复 合层上的银层。这种结构的制备不用再在高温下 烧结， 且柔性 ITO 基底价格便宜， 铜铟硫与钙钛矿 的混合物成膜性能好。 (66)本国优先权数据 (51)In。
3、t.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 5 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (10)申请公布号 CN 104112786 A CN 104112786 A 1/2 页 2 1. 一种铜铟硫 / 钙钛矿体异质结太阳能电池， 其特征在于 ： 包括 ITO 基底层、 所述 ITO 基底层上的 CuInS2层、 所述 CuInS2层上的纳米氧化铝 - 铜铟硫 - 钙钛矿复合层、 以及所述 纳米氧化铝 - 铜铟硫 - 钙钛矿复合层上的银层。 2. 根据权利要求 1 所述的太阳能电池， 其特征在于 ： 所述 CuInS2层。
4、的厚度为 150nm 300nm， 其制备方法为 ： 将CuInS2均质溶液在所述ITO基底层上旋涂， 转速为13003000rpm， 时间为1050 秒， 之后在 150 220条件下蒸干溶剂， 并在 150 180条件下烧结 0.5 1.5 小时。 3. 根据权利要求 1 所述的太阳能电池， 其特征在于 ： 所述纳米氧化铝 - 铜铟硫 - 钙钛 矿复合层的厚度为 400nm 600nm， 其制备方法包括以下步骤 ： 1) 将纳米氧化铝醇分散液在所述 CuInS2层的表面进行旋涂， 转速为 800 2000rpm， 时间为 10 40 秒， 然后在 120 200下烘烤 10 30 分钟， 。
5、得到纳米氧化铝涂覆层 ； 2) 将铜铟硫与钙钛矿的混合溶液在所述氧化铝涂覆层的表面进行滴涂， 然后在 80 120下烧结2060分钟， 使铜铟硫与钙钛矿渗透入到所述纳米氧化铝涂覆层中， 其中， 所 述铜铟硫与钙钛矿的混合溶液的配制方法为 ： 将每 0.085 0.34mmol 的 In(OAc)3与 0.09 0.36mmol 的 CuI、 0.043 0.17mmol 的 硫脲溶解到 0.4 1.6mL 的钙钛矿的 N,N- 二甲基甲酰胺溶液中， 所述钙钛矿的 N,N- 二甲 基甲酰胺溶液中钙钛矿的质量百分数为 20 40。 4. 根据权利要求 3 所述的太阳能电池， 其特征在于 ： 所述纳。
6、米氧化铝涂覆层由 型纳 米氧化铝构成， 粒径为 10nm 30nm。 5. 根据权利要求 1 至 4 任一所述的太阳能电池， 其特征在于 ： 所述银层的厚度为 500nm 1000nm。 6. 根据权利要求 1 至 4 任一所述的太阳能电池， 其特征在于 ： 所述 ITO 基底层的厚度 为 30nm 100nm。 7. 一种铜铟硫 / 钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法， 包括以下步骤 ： 1) 将 ITO 基底依次用去离子水、 无水乙醇、 丙酮进行超声清洗， 然后将 ITO 基底用氮气 吹干， 得到 ITO 基底层 ； 2) 将 CuInS2前驱体溶液在所述 ITO 基底层上旋涂 n 次， 。
7、每次旋涂的转速为 1000 3000rpm， 时间为 10 50 秒， 将旋涂后的样品在热台上以 150 220将溶剂蒸干， 然后再 将样品置于烘箱之中， 150 180下烧结 0.5 1.5 小时， 得到 ITO/CuInS2层， 其中， 旋涂 次数 n 1、 2 或 3 ； 3)将纳米氧化铝醇分散液在经过所述步骤2)得到的所述ITO/CuInS2层的表面进行旋 涂旋涂， 转速为 800 2000rpm， 时间为 10 40 秒， 然后在 120 200下烘烤 10 30 分 钟， 得到 ITO/CuInS2/Al2O3层 ； 4) 将铜铟硫与钙钛矿的混合溶液在所述 ITO/CuInS2/A。
8、l2O3层的表面进行滴涂， 然后在 80 120下烧结 20 60 分钟， 其中， 所述铜铟硫与钙钛矿的混合溶液的配制方法为 ： 将每 0.085 0.34mmol 的 In(OAc)3、 0.09 0.36mmol 的 CuI、 0.043 0.17mmol 的硫 脲溶解到0.41.6mL的钙钛矿的N,N-二甲基甲酰胺溶液中， 所述钙钛矿的N,N-二甲基甲 酰胺溶液中钙钛矿的质量百分数为 20 40。得到 ITO/CuInS2/Al2O3+CuInS2+CH3NH3PbI3 层 ； 权 利 要 求 书 CN 104112786 A 2 2/2 页 3 5) 在所述 ITO/CuInS2/Al。
9、2O3+CuInS2+CH3NH3PbI3层表面用丝网印刷的方法刷涂一层银 浆， 并在80120下使其固化， 得到ITO/CuInS2/Al2O3+CuInS2+CH3NH3PbI3/Ag太阳能电池。 8. 根据权利要求 7 所述的铜铟硫 / 钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法， 包括以下 步骤 ： 1) 将 ITO 基底依次用去离子水、 无水乙醇、 丙酮进行超声清洗， 然后将 ITO 基底用氮气 吹干， 得到 ITO 基底层 ； 2) 将 CuInS2前驱体溶液在所述 ITO 基底层上旋涂 n 次， 每次旋涂的转速为 1500rpm， 时间为 30 秒， 将旋涂后的样品在热台上以 200将溶。
10、剂蒸干， 然后再将样品置于烘箱之中， 160下烧结 1 小时， 得到 ITO/CuInS2层， 其中， 旋涂次数 n 1、 2 或 3， 所述 CuInS2前驱体 溶液的制备方法为 ： 将物质的量的比为 1:5:5:62.5 的醋酸铟、 硫脲、 丙酸以及丁胺混合均匀， 形成透明无 沉淀的溶液， 然后加入与醋酸铟物质的量相等的碘化亚铜， 进行超声分散， 得到所述 CuInS2 前驱体溶液 ； 3)将纳米氧化铝醇分散液在经过所述步骤2)得到的所述ITO/CuInS2层的表面进行旋 涂， 转速为 1000rpm， 时间为 20 秒， 然后在 150下烘烤 20 分钟， 得到 ITO/CuInS2/A。
11、l2O3层 ； 4) 将铜铟硫与钙钛矿的混合溶液在所述 ITO/CuInS2/Al2O3层的表面进行滴涂， 然后在 100下烧结 30 分钟， 其中， 所述铜铟硫与钙钛矿的混合溶液的配制方法为 ： 将每 0.17mmol 的 In(OAc)3与 0.18mmol 的 CuI、 0.085mmol 的硫脲溶解到 0.8mL 的钙 钛矿的 N,N- 二甲基甲酰胺溶液中， 所述钙钛矿的 N,N- 二甲基甲酰胺溶液中钙钛矿的质量 百分数为 40， 得到 ITO/CuInS2/Al2O3+CuInS2+CH3NH3PbI3层 ； 5) 在所述 ITO/CuInS2/Al2O3+CuInS2+CH3NH3。
12、PbI3层表面用丝网印刷的方法刷涂一层银 浆， 并在 100下使其固化， 得到 ITO/CuInS2/Al2O3+CuInS2+CH3NH3PbI3/Ag 太阳能电池。 9. 根据权利要求 7 或 8 所述的铜铟硫 / 钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法， 所 述纳米氧化铝醇分散液为 型纳米氧化铝的异丙醇的分散液， 其中， 氧化铝的固含量为 20 25， 纳米氧化铝粒子的粒径为 10 30 纳米。 权 利 要 求 书 CN 104112786 A 3 1/5 页 4 一种铜铟硫 / 钙钛矿体异质结太阳能电池及其制备方法 技术领域 0001 本发明涉及有机 - 无机杂化的钙钛矿材料为基础的太阳能。
13、电池技术领域， 尤其涉 及一种具有铜铟硫 / 钙钛矿体异质结的太阳能电池及其制备方法。 背景技术 0002 由于石化能源是一种不可再生资源， 随着石化能源的日益消耗， 新能源的开发与 利用一直都是科学研究人员关注的焦点， 目前太阳能作为一种清洁能源已经被证实可以在 一定程度上替代石化能源， 而太阳能电池则是利用太阳能的一种有效方式， 目前硅基的无 机太阳能电池已经比较成熟， 转化效率已经能达到2530。 但是硅基太阳能电池的生产 成本高昂， 以及其刚性太大无法进行弯曲等都限制了硅基太阳电池的大规模应用。 0003 在 2009 年韩国成均馆大学的研究小组发明了一种用有机 - 无机杂化的钙钛矿材。
14、 料制作的太阳能电池， 这种电池发展到现在其转化效率已经达到了 15， 且其材料容易制 得， 成本低廉， 可以用溶液过程进行加工， 这为其将来的大规模应用打下了良好的基础。 0004 根据现有文献报道， 目前以钙钛矿材料为基础的太阳能电池其结构大多都是采用 如下结构 ： FTO/TiO2/钙钛矿/HTM/Au。 这种结构的电池首先FTO的成本较高， 且需要在FTO 上烧结 TiO2， 其烧结温度在 450以上， 其次这种结构采用的 HTM 层材料十分昂贵， 再者纯 钙钛矿成膜性能很差， 器件制作的成功率很低， 容易有局部短路的现象发生。 发明内容 0005 为解决现有技术的不足， 本发明提供了。
15、一种铜铟硫 / 钙钛矿体异质结太阳能电 池， 其采用的电池结构为 ： ITO/ 铜铟硫 / 氧化铝 + 铜铟硫 + 钙钛矿 /Ag。采用这种结构不用 再在高温下烧结， 且柔性 ITO 基底价格便宜， 铜铟硫与钙钛矿的混合物成膜性能好。 0006 一种铜铟硫 / 钙钛矿体异质结太阳能电池， 包括 ITO 基底层、 所述 ITO 基底层上 的 CuInS2层、 所述 CuInS2层上的纳米氧化铝 - 铜铟硫 - 钙钛矿复合层、 以及所述纳米氧化 铝 - 铜铟硫 - 钙钛矿复合层上的银层。 0007 优选的， 所述 CuInS2层的厚度为 150nm 300nm， 其制备方法为 ： 0008 将 C。
16、uInS2均质溶液在所述 ITO 基底层上旋涂， 转速为 1300 3000rpm， 优选为 1500rpm， 时间为 10 50 秒， 优选为 30 秒， 之后在 150 220条件下蒸干溶剂， 优选为 200， 并在 150 180条件下烧结 0.5 1.5 小时， 优选为在 160条件下烧结 1 小时。 0009 其中， 所述 CuInS2均质溶液可采用公知的方法制备 ： 将物质的量的比为 1:5:5:62.5 的醋酸铟、 硫脲、 丙酸以及丁胺混合均匀， 形成透明无沉淀的溶液， 然后将与醋 酸铟物质的量相等的碘化亚铜加入到所述透明无沉淀的溶液， 进行超声分散， 得到 CuInS2 均质溶。
17、液。 0010 旋涂， 是指电子工业中， 基片垂直于自身表面的轴旋转， 同时把液态涂覆材料涂覆 在基片上的工艺。 0011 超声分散， 即超声波分散， 可借助超声波分散仪等超声分波散设备来实现， 其利用 说 明 书 CN 104112786 A 4 2/5 页 5 空化作用， 可促进溶质在溶液中的溶解。 0012 优选的， 所述纳米氧化铝 - 铜铟硫 - 钙钛矿复合层的厚度为 400nm 600nm， 其制 备方法包括以下步骤 ： 0013 1) 将纳米氧化铝醇分散液在所述 CuInS2层的表面进行旋涂， 转速为 800 2000rpm， 优选为1000rpm， 时间为1040秒， 优选为20。
18、秒， 然后在120200下烘烤10 30 分钟， 优选为在 150下烘烤 20 分钟， 得到纳米氧化铝涂覆层。 0014 2) 将铜铟硫与钙钛矿 (CH3NH3PbI3) 的混合溶液在所述氧化铝涂覆层的表面进行 滴涂， 然后在 80 120下烧结 20 60 分钟， 优选为在 100下烧结 30 分钟， 使铜铟硫与 钙钛矿渗透入到所述纳米氧化铝涂覆层中， 其中， 所述铜铟硫与钙钛矿的混合溶液的配制 方法为 ： 0015 将每0.0850.34mmol的In(OAc)3与0.090.36mmol的CuI、 0.0430.17mmol 的硫脲溶解到 0.4 1.6mL 的钙钛矿 (CH3NH3Pb。
19、I3) 的 N,N- 二甲基甲酰胺溶液中， 所述钙钛 矿的 N,N- 二甲基甲酰胺溶液中钙钛矿 (CH3NH3PbI3) 的质量百分数为 20 40。 0016 纳米氧化铝醇分散液指采用先进的分散工艺， 将纳米氧化铝粉体分散在有机溶剂 中， 形成高度分散化、 均匀化和稳定化的纳米氧化铝醇分散液。 纳米氧化铝醇分散液具有纳 米粉体料的特性外， 纳米氧化铝醇分散液具有更高的活性、 易加入等特性。 其可以通过市场 购买的方法获得。 0017 优选的， 将每 0.17mmol 的 In(OAc)3与 0.1mmol 的 CuI、 0.085mmol 的硫脲溶解到 0.8mL的钙钛矿(CH3NH3PbI。
20、3)的N,N-二甲基甲酰胺溶液中， 所述钙钛矿的N,N-二甲基甲酰 胺溶液中钙钛矿 (CH3NH3PbI3) 的质量百分数为 40。 0018 更优选的， 所述氧化铝涂覆层由 型纳米氧化铝构成， 粒径为 10nm 30nm。 0019 优选的， 所述银层的厚度为 500nm 1000nm。 0020 优选的， 所述 ITO 基底层的厚度为 30nm 100nm。 0021 本发明还提供了一种铜铟硫 / 钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法， 包括以下 步骤 ： 0022 1) 将 ITO 基底依次用去离子水、 无水乙醇、 丙酮进行超声清洗， 然后将 ITO 基底用 氮气吹干， 得到 ITO 基底。
21、层。 0023 2) 将 CuInS2前驱体溶液在所述 ITO 基底层上旋涂， 转速为 1000 3000rpm， 时间 为 10 50 秒， 将样品在热台上以 150 220将溶剂蒸干， 然后再将样品置于烘箱之中， 150 180下烧结 0.5 1.5 小时， 得到 ITO/CuInS2层， 其中， 旋涂次数 n 1、 2 或 3。 0024 所述 CuInS2前驱体溶液的可采用公知的方法制备 ： 0025 将物质的量的比为 1:5:5:62.5 的醋酸铟、 硫脲、 丙酸以及丁胺混合均匀， 形成透 明无沉淀的溶液， 然后加入与醋酸铟物质的量相等的碘化亚铜， 进行超声分散， 得到所述 CuIn。
22、S2前驱体溶液。 0026 超声清洗， 即超声波清洗， 是利用超声波在液体中的空化作用、 加速度作用及直进 流作用对液体和污物直接、 间接的作用， 使污物层被分散、 乳化、 剥离而达到清洗目的。 0027 3)将氧化铝醇分散液在经过所述步骤2)得到的所述ITO/CuInS2层的表面进行旋 涂， 转速为 800 2000rpm， 时间为 10 40 秒， 然后在 120 200下烘烤 10 30 分钟， 得到 ITO/CuInS2/Al2O3层。 说 明 书 CN 104112786 A 5 3/5 页 6 0028 其中， Al2O3层形成一层介孔层， 之后步骤中的铜铟硫与钙钛矿会渗入其中， 。
23、形成复 合层。 0029 4) 将铜铟硫与钙钛矿的混合溶液在所述 ITO/CuInS2/Al2O3层的表面进行滴涂， 然 后在 80 120下烧结 20 60 分钟， 其中， 所述铜铟硫与钙钛矿的混合溶液的配制方法 为 ： 0030 将每0.0850.34mmol的In(OAc)3与0.090.36mmol的CuI、 0.0430.17mmol 的硫脲溶解到 0.4 1.6mL 的钙钛矿 (CH3NH3PbI3) 的 N,N- 二甲基甲酰胺溶液中， 所述钙钛 矿的N,N-二甲基甲酰胺溶液中钙钛矿(CH3NH3PbI3)的质量百分数为2040。 得到ITO/ CuInS2/Al2O3+CuInS。
24、2+CH3NH3PbI3层。 0031 5) 在所述 ITO/CuInS2/Al2O3+CuInS2+CH3NH3PbI3层表面用丝网印刷的方法刷涂一 层银浆， 并在 80 120下使其固化， 得到 ITO/CuInS2/Al2O3+CuInS2+CH3NH3PbI3/Ag 太阳能 电池。 0032 丝网印刷指印刷时通过刮板的挤压， 使油墨通过图文部分的网孔转移到承印物 上， 形成与原稿一样的图文。丝网印刷设备简单、 操作方便， 印刷、 制版简易且成本低廉， 适 应性强。丝网印刷应用范围广常见的印刷品有 ： 彩色油画、 招贴画、 名片、 装帧封面、 商品标 牌以及印染纺织品等。 0033 优选。
25、的， 所述的铜铟硫 / 钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法， 包括以下步骤 ： 0034 1) 将 ITO 基底依次用去离子水、 无水乙醇、 丙酮进行超声清洗， 然后将 ITO 基底用 氮气吹干， 得到 ITO 基底层 ； 0035 2)将CuInS2前驱体溶液在所述ITO基底层上旋涂， 转速为1500rpm， 时间为30秒， 将样品在热台上以 200将溶剂蒸干， 然后再将样品置于烘箱之中， 160下烧结 1 小时， 得 到 ITO/CuInS2层， 其中， 旋涂次数 n 1、 2 或 3， 所述 CuInS2前驱体溶液的制备方法为 ： 0036 将物质的量的比为 1:5:5:62.5 的醋酸。
26、铟、 硫脲、 丙酸以及丁胺混合均匀， 形成透 明无沉淀的溶液， 然后加入与醋酸铟物质的量相等的碘化亚铜， 进行超声分散， 得到所述 CuInS2前驱体溶液 ； 0037 3)将氧化铝醇分散液在经过所述步骤2)得到的所述ITO/CuInS2层的表面进行旋 涂， 转速为 1000rpm， 时间为 20 秒， 然后在 150下烘烤 20 分钟， 得到 ITO/CuInS2/Al2O3层 ； 0038 4) 将铜铟硫与钙钛矿的混合溶液在所述 ITO/CuInS2/Al2O3层的表面进行滴涂， 然 后在 100下烧结 30 分钟， 其中， 所述铜铟硫与钙钛矿的混合溶液的配制方法为 ： 0039 将每 0。
27、.17mmol 的 In(OAc)3与 0.18mmol 的 CuI、 0.085mmol 的硫脲溶解到 0.8mL 的钙钛矿的 N,N- 二甲基甲酰胺溶液中， 所述钙钛矿的 N,N- 二甲基甲酰胺溶液中钙钛矿 (CH3NH3PbI3) 的质量百分数为 40， 得到 ITO/CuInS2/Al2O3+CuInS2+CH3NH3PbI3层 ； 0040 5) 在所述 ITO/CuInS2/Al2O3+CuInS2+CH3NH3PbI3层表面用丝网印刷的方法刷涂一 层银浆， 并在 100下使其固化， 得到 ITO/CuInS2/Al2O3+CuInS2+CH3NH3PbI3/Ag 太阳能电池。 0。
28、041 优选的， 所述氧化铝醇分散液为 型纳米氧化铝的异丙醇的分散液， 其中， 氧化 铝的固含量为 20 25， 纳米氧化铝粒子的粒径为 10 30 纳米。 附图说明 0042 图 1 为实施例 1 所制备的样品测得的电流电压曲线。 说 明 书 CN 104112786 A 6 4/5 页 7 0043 图 2 为实施例 2 所制备的样品测得的电流电压曲线。 0044 图 3 为实施例 3 所制备的样品测得的电流电压曲线。 具体实施方式 0045 以下对本发明的原理和特征进行描述， 所举实例只用于解释本发明， 并非用于限 定本发明的范围。 0046 实施例 1 0047 a. 配制 CuInS。
29、2前驱体溶液， 将 0.1mmol 醋酸铟、 0.5mmol 硫脲和 40L 乙酸溶于 0.6mL 丁胺中， 并进行超声分散使其形成均质溶液， 随后再将 0.1mmol 碘化亚铜加入到上述 溶液中。 0048 b.将ITO基底依次用去离子水、 无水乙醇和丙酮进行超声清洗， 各15分钟， 最后用 氮气将 ITO 基底吹干。 0049 c.将CuInS2前驱体溶液在ITO基底上进行旋涂， 转速为1500rpm， 时间为30秒， 旋 涂一次。将样品在热台上以 200将溶剂蒸干， 然后再将样品置于烘箱之中， 160下烧结 1 小时。 0050 d.将氧化铝醇分散液在ITO/CuInS2表面进行旋涂， 。
30、转速为1000rpm， 时间为20秒， 然后将样品置于热台上在 150下烘烤 20 分钟。 0051 e. 将 0.17mmol 的 In(OAc)3、 0.18mmol 的 CuI 和 0.085mmol 的硫脲溶解到 0.8mL 质量分数为40的钙钛矿前驱体溶液中(溶质为CH3NH3PbI3， 溶剂为N,N-二甲基甲酰胺)。 将铜铟硫前驱体与钙钛矿前驱体的混合溶液在样品表面进行滴涂， 然后将 5uL 的混合溶液 滴在样品表面， 并使其充分的铺展开， 然后将样品置于热台上在 100下进行烧结 30 分钟。 0052 f. 在样品表面使用丝网印刷的方法刷涂一层银浆， 并在 100下使其固化。 。
31、0053 所得太阳能电池经过测定， 在 AM1.5， 100mW/cm2标准光强的照射下， 太阳电池样品 的开路电压 0.79V， 短路电流 5.2mA， 填充因子 0.25， 效率为 1.02。如图 1 所示， 为其测得 的电流电压曲线图。 0054 实施例 2 0055 a. 配制 CuInS2前驱体溶液， 将 0.1mmol 醋酸铟、 0.5mmol 硫脲和 40L 乙酸溶于 0.6mL 丁胺中， 并进行超声分散使其形成均质溶液， 随后再将 0.1mmol 碘化亚铜加入到上述 溶液中。 0056 b.将ITO基底依次用去离子水、 无水乙醇和丙酮进行超声清洗， 各15分钟， 最后用 氮气将。
32、 ITO 基底吹干。 0057 c.将CuInS2前驱体溶液在ITO基底上进行旋涂， 转速为1500rpm， 时间为30秒， 旋 涂二次。将样品在热台上以 200将溶剂蒸干， 然后再将样品置于烘箱之中， 160下烧结 1 小时。 0058 d.将氧化铝醇分散液在ITO/CuInS2表面进行旋涂， 转速为1000rpm， 时间为20秒， 然后将样品置于热台上在 150下烘烤 20 分钟。 0059 e. 将 0.17mmol 的 In(OAc)3、 0.18mmol 的 CuI 和 0.085mmol 的硫脲溶解到 0.8mL 质量分数为40的钙钛矿前驱体溶液中(溶质为CH3NH3PbI3， 溶。
33、剂为N,N-二甲基甲酰胺)。 将铜铟硫前驱体与钙钛矿前驱体的混合溶液在样品表面进行滴涂， 然后将 5uL 的混合溶液 说 明 书 CN 104112786 A 7 5/5 页 8 滴在样品表面， 并使其充分的铺展开， 然后将样品置于热台上在 100下进行烧结 30 分钟。 0060 f. 在样品表面使用丝网印刷的方法刷涂一层银浆， 并在 100下使其固化 0061 以上除了步骤 c 中的旋涂次数变为两次以外， 其它步骤与实施例 1 相同。 0062 所得太阳能电池经过测定， 在 AM1.5， 100mW/cm2标准光强的照射下， 太阳电池样品 的开路电压 0.8V， 短路电流 7.8mA， 填。
34、充因子 0.3， 效率为 1.8。如图 2 所示， 为其测得的 电流电压曲线图。 0063 实施例 3 0064 a. 配制 CuInS2前驱体溶液， 将 0.1mmol 醋酸铟、 0.5mmol 硫脲和 40L 乙酸溶于 0.6mL 丁胺中， 并进行超声分散使其形成均质溶液， 随后再将 0.1mmol 碘化亚铜加入到上述 溶液中。 0065 b.将ITO基底依次用去离子水、 无水乙醇和丙酮进行超声清洗， 各15分钟， 最后用 氮气将 ITO 基底吹干。 0066 c.将CuInS2前驱体溶液在ITO基底上进行旋涂， 转速为1500rpm， 时间为30秒， 旋 涂三次。将样品在热台上以 200。
35、将溶剂蒸干， 然后再将样品置于烘箱之中， 160下烧结 1 小时。 0067 d.将氧化铝醇分散液在ITO/CuInS2表面进行旋涂， 转速为1000rpm， 时间为20秒， 然后将样品置于热台上在 150下烘烤 20 分钟。 0068 e. 将 0.17mmol 的 In(OAc)3、 0.18mmol 的 CuI 和 0.085mmol 的硫脲溶解到 0.8mL 质量分数为40的钙钛矿前驱体溶液中(溶质为CH3NH3PbI3， 溶剂为N,N-二甲基甲酰胺)。 将铜铟硫前驱体与钙钛矿前驱体的混合溶液在样品表面进行滴涂， 然后将 5uL 的混合溶液 滴在样品表面， 并使其充分的铺展开， 然后将。
36、样品置于热台上在 100下进行烧结 30 分钟。 0069 f. 在样品表面使用丝网印刷的方法刷涂一层银浆， 并在 100下使其固化。 0070 以上除了步骤c中的旋涂次数变为三次以外， 其它步骤与实施例1相同。 所得太阳 能电池经过测定， 在AM1.5， 100mW/cm2标准光强的照射下， 太阳电池样品的开路电压0.78V， 短路电流 6.1mA， 填充因子 0.28， 效率为 1.3。如图 3 所示， 为其测得的电流电压曲线图。 0071 以上三个实施例中所得电池的有效面积均小于 1 平方厘米。 0072 以上所述仅为本发明的较佳实施方式， 并不用以限制本发明， 凡在本发明的精神 和原则之内， 所作的任何修改、 等同替换、 改进等， 均应包含在本发明的保护范围之内。 说 明 书 CN 104112786 A 8 1/2 页 9 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 104112786 A 9 2/2 页 10 图 3 说 明 书 附 图 CN 104112786 A 10 。